JPH10107141A

JPH10107141A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH10107141A
Application number: JP25631696A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Watanabe; 裕之渡辺; Yoshihisa Okayama; 芳央岡山
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1996-09-27
Filing date: 1996-09-27
Publication date: 1998-04-24

Abstract

(57)【要約】【課題】平坦性及び膜質の良好な層間絶縁膜を得る
こと。【解決手段】Ｓｉ基板１上に下層金属配線３を形成し
た後、デバイスの全面にシリコン酸化膜４を形成し、そ
の上に有機ＳＯＧ膜５を形成し、このＳＯＧ膜５にアル
ゴンイオンを注入する。こうすることにより、膜が改質
されて、膜に含まれる水分や水酸基が減少し且つ膜が吸
水しにくくなる。更に、改質ＳＯＧ膜６の表面に生じた
凹部７に電子線を照射することで、凹部７を膨張させ
て、膜表面の凹凸を平坦化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に係り、詳しくは、デバイス上に層間絶縁膜を形成
する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路の更なる高集積化
を実現するために、配線の微細化、多層化を進めること
が要求されている。配線を多層化するには、各配線間に
層間絶縁膜を設けるが、その層間絶縁膜の表面が平坦で
ないと、層間絶縁膜の上部に形成された配線に段差が生
じて断線などの故障が引き起こされる。

【０００３】従って、層間絶縁膜の表面（すなわち、デ
バイスの表面）は可能な限り平坦化されていなければな
らない。このように、デバイスの表面を平坦化する技術
は、平坦化技術と呼ばれ、配線の微細化、多層化に伴っ
てますます重要になっている。平坦化技術において、よ
く用いられる層間絶縁膜としてＳＯＧ膜があり、特に層
間絶縁膜材料のフロー特性を利用した平坦化技術におい
て盛んな検討がなされている。

【０００４】ＳＯＧとは、シリコン化合物を有機溶剤に
溶解した溶液及びその溶液から形成される二酸化シリコ
ンを主成分とする膜の総称である。ＳＯＧ膜を形成する
には、まず、シリコン化合物を有機溶剤に溶解した溶液
を基板上に滴下して基板を回転させる。すると、その溶
液の被膜は、配線によって形成される基板上の段差に対
して、その凹部には厚く、凸部には薄く、段差を緩和す
るように形成される。その結果、その溶液の被膜の表面
は平坦化される。

【０００５】次に熱処理が施されると、有機溶剤が蒸発
すると共に重合反応が進行して、表面が平坦なＳＯＧ膜
が形成される。ＳＯＧ膜には、一般式（１）で表される
ように、シリコン化合物中に有機成分を含まない無機Ｓ
ＯＧ膜と、一般式（２）で表されるように、シリコン化
合物中に有機成分を含む有機ＳＯＧ膜とがある。

【０００６】［ＳｉＯ₂］n ・・・（１）［Ｒ_XＳｉＯ_Y］_n ・・・（２）（ｎ，Ｘ，Ｙ：整数、Ｒ：アルキル基又はアリール基）無機ＳＯＧ膜は、水分及び水酸基を多量に含んでいる上
に、ＣＶＤ(ChemicalVapor Deposition）法によって形
成されたシリコン酸化膜に比べて脆弱であり、膜厚を
０．５μｍ以上にすると熱処理時にクラックが発生しや
すいという欠点がある。

【０００７】一方、有機ＳＯＧ膜は、分子構造上、アル
キル基又はアリール基で結合が閉じている部分があるた
め、熱処理におけるクラックの発生が抑制され、膜厚を
０．５〜１μｍ程度にすることができる。従って、有機
ＳＯＧ膜を用いれば、膜厚の大きな層間絶縁膜を得るこ
とができ、基板上の大きな段差に対しても十分な平坦化
が可能になる。

【０００８】このように、無機ＳＯＧ膜や有機ＳＯＧ膜
は、非常に優れた平坦性を有するが、上述したように無
機ＳＯＧ膜は、水分及び水酸基を多量に含んでいるため
に、金属配線などに悪影響を与え、電気的特性の劣化、
腐食などの問題が生じる恐れがある。また、無機ＳＯＧ
膜に比べれば少ないものの、この有機ＳＯＧ膜にも水分
及び水酸基が含まれているため、同様の問題を有する。

【０００９】そこで、通常は、ＳＯＧ膜を層間絶縁膜に
採用する場合において、水分及び水酸基を比較的遮断す
る性質に加えて絶縁性及び機械的強度が高い性質を持
つ、例えばプラズマＣＶＤ法によって形成されたシリコ
ン酸化膜などの絶縁膜をＳＯＧ膜の上層又は下層に介在
させることが行われている（例えば、特開平５−２２６
３３４号公報（Ｈ０１Ｌ２１／３２０５）参照）。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従来例にあっては、プ
ラズマＣＶＤ法によって形成されたシリコン酸化膜自身
の遮水能力は、ＳＯＧ膜よりは優秀であるが、完全では
なく、シリコン酸化膜により万全の防水効果を得るまで
には至っていない。本発明は、半導体装置の製造方法に
関し、平坦性及び膜質の良好な層間絶縁膜を得ることを
目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１の半導体装置の
製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成し、この絶縁
膜に対し、運動エネルギーを有する不純物を注入した
後、前記絶縁膜の所定箇所に電子線を照射するものであ
る。また、請求項２の半導体装置の製造方法は、半導体
基板上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜に対し、
運動エネルギーを有する不純物を導入する工程と、前記
絶縁膜の表面に生じた凹部に電子線を照射する工程とを
含むものである。

【００１２】また、請求項３の半導体装置の製造方法
は、前記絶縁膜として、有機ＳＯＧなどの有機系ポリマ
ーを用いたものである。また、請求項４の半導体装置の
製造方法は、前記絶縁膜として、無機ＳＯＧを用いたも
のである。また、請求項５の半導体装置の製造方法は、
前記絶縁膜に、運動エネルギーを有する不純物を導入す
る工程を、イオン注入により行うものである。

【００１３】すなわち、ＳＯＧ膜などの絶縁膜にイオン
注入などの手法によって、不純物を含有させることによ
り、膜が改質されて、膜に含まれる水分や水酸基が減少
し且つ膜が吸水しにくくなる。そして、膜の改質によっ
て膜表面に生じた凹部に電子線を照射することで、凹部
を膨張させて、膜表面の凹凸を平坦化する。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明を具体化した実施形態の製
造方法を図面に従って説明する。図１及び図２は本実施
形態における半導体装置の製造プロセスを示す断面図で
あり、以下この図に従って説明する。工程１（図１ａ参照）：シリコン基板１の表面に、シリ
コン酸化膜２（膜厚３００〜８００ｎｍ）を形成する。
このＳｉ酸化膜２により、Ｓｉ基板１上のゲート電極な
どの素子を覆う。また、その形成にはどのような方法
（酸化法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法など）を用いてもよい。

【００１５】Ｓｉ酸化膜２の上に、マグネトロンスパッ
タ法を用いて金属膜を形成し、これをパターニングする
ことにより、下層金属配線３を形成する。この金属配線
３は、例えば、ＴｉＮ（膜厚２０ｎｍ）／Ｔｉ（膜厚３
０ｎｍ）／ＡｌＳｉＣｕ合金（膜厚５５０ｎｍ）／Ｔｉ
Ｎ（膜厚１００ｎｍ）／Ｔｉ（膜厚５０ｎｍ）からなる
積層構造である。

【００１６】工程２（図１ｂ参照）：ＴＥＯＳ(Tetra-e
thoxy Silane：Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄と酸素とを用いたプ
ラズマＣＶＤ法により、下層金属配線３の上にシリコン
酸化膜４（膜厚２００ｎｍ）を形成する。このシリコン
酸化膜４の膜厚は下地段差に応じて、段差が大きければ
厚く、段差が小さければ薄く調整される。工程３（図１ｃ参照）：シリコン酸化膜４の上に有機Ｓ
ＯＧ膜５を形成する。ここでは、有機ＳＯＧを２００ｎ
ｍ塗布した後、更に有機ＳＯＧを２００ｎｍ塗布し、最
後に４５０℃程度の温度でベークして、下地パターンが
存在しない場合での総膜厚が４００ｎｍになるようにし
ている。

【００１７】工程４（図１ｄ参照）：有機ＳＯＧ膜５に
対し、イオン注入法を用いて、アルゴンイオン（Ａ
ｒ⁺）６を注入する。ここでのイオン注入条件として
は、例えば、加速エネルギー：１４０ＫｅＶ、ドーズ
量：１×１０¹⁵atms/cm²を用いる。これにより、有機Ｓ
ＯＧ膜５の表面層約３００ｎｍの深さまでイオンが導入
される。

【００１８】このように有機ＳＯＧ膜５にイオンを注入
することで、有機成分が分解されて、有機ＳＯＧ膜５に
含まれる水分及び水酸基が減少する。その結果、有機Ｓ
ＯＧ膜５は、水分及び水酸基が僅かしか含まれないＳＯ
Ｇ膜（以下、改質ＳＯＧ膜という）６に変えられる。図
３は有機ＳＯＧ膜５(未処理：unimplanted)及び改質Ｓ
ＯＧ膜６(イオン注入処理：Ar⁺-implanted)のそれぞれ
に窒素雰囲気で３０分間の熱処理を施し、ＴＤＳ法(The
rmal Desorption Spectroscopy)を用いて評価した結果
を示している。尚、イオン注入条件は、加速エネルギ
ー：１４０ＫｅＶ、ドーズ量：１×１０¹⁵atoms/cm²で
ある。

【００１９】この図は、Ｈ₂Ｏ（ｍ／ｅ＝１８）に関す
る脱離量を表したものであり、図から明らかなように、
改質ＳＯＧ膜６はＨ₂Ｏ（ｍ／ｅ＝１８）に関する脱離
が少ないことが分かる。このことは、有機ＳＯＧ５にイ
オン注入を行って、改質ＳＯＧ膜６とすることにより、
有機ＳＯＧ膜５に含まれる水分及び水酸基が減少するこ
とを示している。

【００２０】図４は有機ＳＯＧ膜５及び改質ＳＯＧ膜６
の吸湿性を調べる目的で、有機ＳＯＧ膜５(no treatmen
t)、有機ＳＯＧ膜５を酸素プラズマに晒したもの(O₂ Pl
asma)及び改質ＳＯＧ膜６(Ar⁺)をクリーンルーム内で大
気中に放置し、膜中の水分を評価した結果を示してい
る。膜中の水分量は、ＦＴ−ＩＲ法(Fourier Transform
Infrared Spectroscopy)を用いて、赤外吸収スペクトル
のＯ−Ｈ基に関する吸収（３５００cm^-1付近）の面積強
度を指標とした。イオン注入条件は、加速エネルギー：
１４０ＫｅＶ、ドーズ量：１×１０¹⁵atoms/cm²であ
る。

【００２１】酸素プラズマに晒した場合、処理前後での
水分増加だけでなく、１日後でも水分が増加しているこ
とが分かる。一方、改質ＳＯＧ膜６は、イオン注入語に
増加していないだけでなく、クリーンルーム内で大気に
放置しても、有機ＳＯＧ膜５に比べて水分の増加は小さ
い。即ち、改質ＳＯＧ膜６は、有機ＳＯＧ膜５に比べて
吸湿性が低いことが分かる。

【００２２】図５は改質ＳＯＧ膜６及び有機ＳＯＧ膜５
の水分の透過性を調べる目的で、プレッシャー・クッカ
ー試験（ＰＣＴ）（加湿試験のことで、本実施形態で
は、条件として、１２０℃、２気圧の飽和水蒸気雰囲気
で行った）した結果を示している。ＦＴ−ＩＲ法を用い
て、有機ＳＯＧ膜６中のＯ−Ｈに関する吸収ピーク（３
５００cm^-1付近）の面積強度を求め、ＰＣＴ時間との関
係をプロットした。

【００２３】イオン注入法を用いて表面だけを改質した
試料（Ａｒ⁺２０ＫｅＶ）を作製し、膜全体を改質した
もの（Ａｒ⁺１４０ＫｅＶ）や改質しなかったもの（有
機ＳＯＧ膜５：Untreatment）と比較した結果、以下の
ことが分かった。（１）改質していない有機ＳＯＧ膜５をＰＣＴした場
合、３５００cm^-1付近（Ｏ−Ｈ基に関する）の吸収強度
が劇的な増加を示す。

【００２４】（２）改質ＳＯＧ膜６では、３５００cm^-1
付近（Ｏ−Ｈ基に関する）の吸収強度の増加は小さい。
膜表面だけを改質した試料でも、膜全体を改質したもの
と同程度である。以上の結果から、イオンを注入することで、水分の透過
性を抑制する層を形成できることが分かる。

【００２５】工程５（図２ａ参照）：図６は有機ＳＯＧ
膜５にアルゴンイオンを注入したときの膜の垂直方向の
収縮量と加速エネルギーとの関係を示したものである。
このように、有機ＳＯＧ膜５を改質すると、膜は加速エ
ネルギーに比例して垂直方向に収縮する。従って、工程
４において、有機ＳＯＧ膜５を改質すると、膜が垂直方
向に収縮し、下地に金属配線３があるところと無いとこ
ろによって、表面に凹凸が発生する（下地に金属配線３
が無いところが大きく収縮して凹部７が発生する。

【００２６】そこで、工程１において、下層金属配線３
をパターニングしたときと同じマスクを用いて、前記凹
部７にのみ電子線を照射する。電子線としては、例え
ば、電界放射型電子銃から放出されたものを用い、加速
電圧：１５ＫＶ、フィールドエミッション電流：０．８
μＡという条件で照射する。図７は改質ＳＯＧ膜６の膜
厚増加量と電子線の照射時間との関係を示したものであ
り、このように、電子線を照射することにより、改質Ｓ
ＯＧ膜６の膜厚は照射時間に比例して増加する。従っ
て、凹部７に電子線を照射することにより、この部分が
膨張して、凹凸が解消される。

【００２７】工程６（図２ｂ参照）：プラズマＣＶＤ法
を用いて、改質ＳＯＧ膜６の上にシリコン酸化膜８（膜
厚：２００ｎｍ）を形成する。シリコン酸化膜８の形成
条件はシリコン酸化膜４と同じである。工程５におい
て、改質ＳＯＧ膜６の表面の凹凸が解消されているの
で、シリコン酸化膜８の表面もきわめて平坦なものとな
る。

【００２８】工程７（図２ｃ参照）：四フッ化炭素と水
素の混合ガス系をエッチングガスとして用いる異方性エ
ッチングを行い、各膜４，６，８に前記金属配線３に通
じるビアホール９を形成する。工程８（図２ｄ参照）：不活性ガス（例えばＡｒ）を用
いたスパッタエッチングによって、ビアホール９内をク
リーニングした後、マグネトロンスパッタ法を用いて、
前記ビアホール９内及びシリコン酸化膜８の上に、Ａｌ
合金膜（Ａｌ−Ｓｉ（１％）−Ｃｕ（０．５％））（膜
厚５００ｎｍ）、Ｔｉ膜（膜厚５０ｎｍ）及びＴｉＮ膜
（膜厚２０ｎｍ）を順次下から形成する。

【００２９】そして、通常のリソグラフィ技術、ドライ
エッチング技術（ＲＩＥ法等）により、レジスト（図示
略）塗布、露光、エッチング作業を経て、アルミ合金
膜、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜を所定形状にパターニングし
て、上層金属配線１０を形成する。このように本実施形
態においては、シリコン酸化膜４、改質ＳＯＧ膜６及び
シリコン酸化膜８によって３層構造の層間絶縁膜を形成
している。

【００３０】図８は改質ＳＯＧ膜６を熱処理した場合の
膜の収縮量を測定したものであり、未改質の有機ＳＯＧ
膜５が熱上昇に伴って収縮するのに対し、改質ＳＯＧ膜
６は熱処理による膜収縮がほとんど起こらないため、熱
処理時におけるクラックの発生が抑制され、膜厚を０．
５〜１μｍ程度にすることができる。従って、改質ＳＯ
Ｇ膜６を用いれば、層間絶縁膜の膜厚を大きくすること
ができ、基板１上の大きな段差に対しても十分な平坦性
が可能になる。

【００３１】尚、各シリコン酸化膜４，８で改質ＳＯＧ
膜６が挟まれたサンドイッチ構造が採用されているの
は、層間絶縁膜全体としての絶縁性及び機械的強度を高
めるためでもある。また、改質ＳＯＧ膜６には有機成分
が含まれていないため、ビアホール９を形成するための
エッチングを、四フッ化炭素と水素の混合ガス系の雰囲
気中で行うことができる。そのため、このエッチングに
おいて、エッチングマスクとしてフォトレジストを用い
た場合でも、そのフォトレジストが侵されることはな
く、そのフォトレジストでマスクされている改質ＳＯＧ
膜６がエッチングされることもない。従って、微細なビ
アホール９を正確に形成することができる。

【００３２】更に、改質ＳＯＧ膜６には有機成分が含ま
れていないため、改質ＳＯＧ膜６のエッチングレートは
各シリコン酸化膜４，８と同じになる上に、エッチング
マスクとして用いたフォトレジストを除去する際のアッ
シング処理時に改質ＳＯＧ膜６が収縮することはない。
そのため、改質ＳＯＧ膜６にクラックが生じることはな
く、ビアホール９を形成する際にリセスが発生すること
はない。従って、ビアホール９内に上部金属配線１０を
十分に埋め込むことが可能になる。

【００３３】尚、改質ＳＯＧ膜６には有機成分が含まれ
ず、水分及び水酸基が僅かしか含まれないため、各シリ
コン酸化膜４，８のいずれか一方又は双方を省いて改質
ＳＯＧ膜６を単層又は２層で用いることもできる。以
上、本実施形態にあっては、有機ＳＯＧ膜５にイオン注
入によって、不純物を含有させることにより、膜が改質
されて、膜に含まれる水分や水酸基が減少し且つ膜が吸
水しにくくなり、更に加えて、改質ＳＯＧ膜６の表面に
生じる凹凸を電子線を照射することで解消するため、平
坦性の良好な、信頼性の高い層間絶縁膜を得ることがで
きる。

【００３４】尚、本発明は、上記実施形態に限定される
ものではなく、以下のように実施しても同様の作用効果
を得ることができる。１）有機ＳＯＧ膜５に代えて、ポリイミドやシロキサン
編成されたポリイミドなどを用いる。有機ＳＯＧ膜を含
め、これらは総称して有機系ポリマー（又は有機系回転
塗布膜）と呼ばれる。

【００３５】２）各シリコン酸化膜４，８をプラズマＣ
ＶＤ法以外の方法（常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法、光励起ＣＶＤ法、ＴＥＯＳ−ＣＶ
Ｄ法、ＰＶＤ法など）によって形成されたシリコン酸化
膜を用いる。この場合、常圧ＣＶＤ法で用いられるガス
はモノシランと酸素（ＳｉＨ₄＋Ｏ₂）であり、成膜温度
は４００℃以下である。また、減圧ＣＶＤ法で用いられ
るガスはモノシランと亜酸化窒素（ＳｉＨ₄＋Ｎ₂Ｏ）で
あり、成膜温度は９００℃以下である。

【００３６】３）各シリコン酸化膜４，８を、水分及び
水酸基を遮断する性質に加えて機械的強度が高い性質を
持つ他の絶縁膜（シリコン窒化膜、シリケートガラス膜
など）に置き代える。その絶縁膜はＣＶＤ法やＰＶＤ法
などどのような方法によって形成してもよい。４）下層金属配線３及び上層金属配線１０を、アルミ以
外の導電材料（銅、金、銀、シリサイド、高融点金属、
ドープドポリシリコン、窒化チタン（ＴｉＮ）、タング
ステンチタン（ＴｉＷ）などの合金）及びそれらの積層
構造で形成する。

【００３７】５）改質ＳＯＧ膜６に熱処理を施す。この
場合、改質ＳＯＧ膜６中のダングリングボンドが少なく
なるため。吸湿性が更に小さくなり、水分の透過も更に
少なくなる。６）有機ＳＯＧ膜５の組成を一般式（２）で表されるも
のに置き代える。７）有機ＳＯＧ膜５の組成を一般式（１）で表される無
機ＳＯＧ膜に置き代え、その無機ＳＯＧ膜にイオン注入
を行う。この場合には、無機ＳＯＧ膜に含まれる水分及
び水酸基を減少させることができる。

【００３８】８）改質ＳＯＧ膜６をパッシベーション膜
としても使用する。この場合、デバイスを機械的・化学
的に確実に保護することが可能な優れたパッシベーショ
ン膜を得ることができる。９）上記実施形態では、有機ＳＯＧ膜５に注入するイオ
ンとしてアルゴンイオンを用いたが、結果として有機Ｓ
ＯＧ膜５を改質するものであればどのようなイオンを用
いてもよい。

【００３９】具体的には、アルゴンイオン、ボロンイオ
ン、窒素イオンがもっとも適している。また、これら以
外にも以下に示すイオンも十分に効果が期待できる。ア
ルゴン以外の不活性ガスイオン（ヘリウムイオン、ネオ
ンイオン、クリプトンイオン、キセノンイオン、ラドン
イオン）。不活性ガスは有機ＳＯＧ膜６と反応しないた
め、イオン注入によって悪影響が生じる恐れが全くな
い。

【００４０】ボロン及び窒素以外のIII b,IV b,Ｖ b,VI
b,VII bの各族の元素単体イオン及びそれらの化合物イ
オン。特に、酸素、アルミ、イオウ、塩素、ガリウム、
ゲルマニウム、ヒ素、セレン、臭素、アンチモン、ヨウ
素、インジウム、スズ、テルル、鉛、ビスマスの元素単
体イオン及びそれらの化合物イオン。この中で、金属元
素イオンについては、イオン注入後の有機ＳＯＧ膜５の
誘電率を低く抑えることができる。

【００４１】IVa族,Ｖa族の元素単体イオン及びそれら
の化合物イオン。特に、チタン、バナジウム、ニオブ、
ハフニウム、タンタルの元素単体イオン及びそれらの化
合物イオン。IVa族,Ｖa族の元素の酸化物は誘電率が高
いため、イオン注入後の有機ＳＯＧ膜５の誘電率も高く
なるが、特に低い誘電率の層間絶縁膜が要求される場合
以外には実用上問題ない。

【００４２】各イオンを複数種類組み合わせて用いる。
この場合、各イオンの相乗作用により更に優れた効果を
得ることができる。１０）上記実施形態では、有機ＳＯＧ膜５にイオンを注
入しているが、イオンに限らず、運動エネルギーを有す
る原子、分子、粒子であればよい（本発明ではこれらを
総称して不純物とする）。

【００４３】１１）電子線としては、Ｘ線、γ線、ＳＯ
Ｒなどの放射線、レーザーなどのエネルギー線、電子ビ
ーム、イオンビームなどを用いることができる。１２）スパッタリングの方法として、マグネトロンスパ
ッタリング以外に、ダイオードスパッタリング、高周波
スパッタリング、四極スパッタリング等のようなもので
あってもよい。

【００４４】１３）スパッタエッチングの方法として、
不活性ガスを用いる以外に、反応性ガス（例えばＣＣｌ
₄、ＳＦ₆）を用いた反応性イオンビームエッチング（Ｒ
ＩＢＥ、反応性イオンミリングとも呼ばれる）を用いて
もよい。１４）シリコン酸化膜８を省略する。

【００４５】

【発明の効果】本発明にあっては、ＳＯＧ膜などの絶縁
膜に不純物を含有させることにより、膜が改質されて、
膜に含まれる水分や水酸基が減少し且つ膜が吸水しにく
くなる。そして、膜の改質によって膜表面に生じた凹部
に電子線を照射することで、凹部を膨張させて、膜表面
の凹凸を平坦化する。

【００４６】従って、平坦性及び膜質の良好な層間絶縁
膜を得ることができ、半導体装置としての信頼性を高め
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を具体化した一実施形態に係る半導体装
置の製造過程を示す概略断面図である。

【図２】本発明を具体化した一実施形態に係る半導体装
置の製造過程を示す断面図である。

【図３】本発明の実施形態を説明するための特性図であ
る。

【図４】本発明の実施形態を説明するための特性図であ
る。

【図５】本発明の実施形態を説明するための特性図であ
る。

【図６】本発明の実施形態を説明するための特性図であ
る。

【図７】本発明の実施形態を説明するための特性図であ
る。

【図８】本発明の実施形態を説明するための特性図であ
る。

【符号の説明】

１シリコン基板５有機ＳＯＧ膜（有機系ポリマー、絶縁膜）６改質ＳＯＧ膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に絶縁膜を形成し、この絶
縁膜に対し、運動エネルギーを有する不純物を注入した
後、前記絶縁膜の所定箇所に電子線を照射することを特
徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項２】半導体基板上に絶縁膜を形成する工程
と、この絶縁膜に対し、運動エネルギーを有する不純物を導
入する工程と、前記絶縁膜表面に生じた凹部に電子線を照射する工程
と、を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項３】前記絶縁膜は、有機ＳＯＧなどの有機系
ポリマーからなることを特徴とした請求項１又は２に記
載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記絶縁膜は、無機ＳＯＧからなること
を特徴とした請求項１又は２に記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項５】前記絶縁膜に、運動エネルギーを有する
不純物を導入する工程は、イオン注入により行うことを
特徴とした請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導
体装置の製造方法。