JPH10107120A - 半導体工場と半導体の生産方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】自動搬送を使用して半導体の生産を行う際に、
装置の状態や品質の状態をチェックすることを行おうと
すると、自動搬送の負荷が重くなりすぎ、実際的でな
い。 【解決手段】試しウェハを、処理装置のそばに予め配置
しておき、加工後のウェハの品質を測定する装置を上記
処理装置のそばに配置し、チェックのための搬送負荷を
削減する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体の製造システ
ムに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの微細化が進むのに伴って、ＬＳ
Ｉの製造は塵埃の少ない清浄な環境で行うことが必要に
なり、半導体製造工場では空気をろ過するフィルタを天
井に設け、空気を上方から下方に循環させ、清浄な環境
を創成することが広く行われている。このような製造を
行う部屋をクリーンルームと呼んでいるが、半導体生産
工場建設の費用の多大な部分は、このクリーンルーム建
設に費やされる。

【０００３】更に発塵の原因を低減するために様々な処
理装置を操作する人間を、この清浄な環境から除くこと
が行われている。ウェハまたはウェハの入った箱を処理
装置の所まで運搬しその処理装置に装填する、また同様
に処理の終了したウェハ、またはウェハの装填されたカ
セットを、次の工程ないしは、次の工程を待つウェハな
いしはウェハが装填された箱を保存するストッカにまで
搬送するなどの作業を作業者が行っている。

【０００４】すなわち、このような作業を自動搬送手段
と、装置への装填作業を自動搬送手段に組み込まれたロ
ボット等を使用した機械装置によって置き換え、以て作
業者を清浄な環境から排除することが行われている。ウ
ェハは従来から１枚単独で装置間を搬送されることは殆
どなく、通常は２５枚までのウェハを装填できるカセッ
トあるいは、更に上記カセットごと箱に入れられて、搬
送されることが多い。

【０００５】また、このような自動機械によるウェハな
いしはウェハが装填された箱の搬送作業の置き換えは、
ウェハの直径が大きくなるに従い、人手搬送の信頼性が
失われることによって、必要性が高まっている。例えば
直径が３００ミリ（１２吋）のウェハでは従来から使用
されている２５枚を納めることができるカセットでは、
人手搬送には重量が大きすぎる（約７キログラム程度と
考えられている）ために、機械化された搬送手段をクリ
ーンルームに持ち込まざるを得ない状況になっている。
勿論非常に屈強な作業者を雇用することでも、この問題
はある程度は解決されるが、一般的な答えにはならず、
上記した無塵化のための無人化と相呼応して、自動搬送
を全面的に使用することが、高い生産性を確保するため
の必須の要件となっている。

【０００６】自動搬送装置は装置からの要求（処理完了
ウェハの引き取り，未処理ウェハの配達）に対して、限
られた数の自動搬送装置、例えば、ＡＧＶ等と呼ばれる
ロボット機構を搭載した無軌道自動搬送装置では、即応
することができず、ある程度の待ち時間が発生する。平
均的な１カセットの処理時間は１時間であるから、自動
搬送装置のサービス頻度もその程度に設計されるのが通
常である。このような待ち時間は直接生産に影響を与え
るので、通常処理装置のところには、複数個の未処理の
ウェハカセットと、複数個の処理済みカセットを載置で
きるようにしてある。これによって、ＡＧＶのジョブス
ケジュールと、処理装置のジョブスケジュールとが直接
かみ合わなくても、ものの供給はスムーズに流れるよう
に工夫されている。

【０００７】しかし、全ての処理装置がこのような複数
のカセットを載置できる訳ではなく、また、自動搬送装
置と簡単にカセットの授受を行うことができる訳ではな
いので、処理装置と自動搬送装置との間に移載機と呼ば
れる装置を設置することが行われる。移載機は、複数の
カセットを取り扱うことができ、処理装置への装填作業
を行うことができる。当該処理装置へのウェハの装填が
ウェハ１枚毎である場合などには、これを自動搬送装置
が行うことはできないので、移載機がウェハのそのよう
なハンドリングを行う。

【０００８】ＬＳＩの微細化に伴って処理装置で実現さ
れる製造条件の許容範囲も非常に狭いものになってきて
いる。このために実際に製品ウェハに処理を行う前に、
試しウェハを用いて、製品ウェハに対して行うのと同一
の製造条件で処理を行い、その処理が所定の通り行われ
た事を確認して、製品ウェハを実際に着工することが行
われる。この作業を以下先行チェック作業と呼ぶことに
する。先行チェック作業は装置にメンテナンスを行った
際には必ず必要であるが、上記したように製造条件の許
容範囲が非常に狭くなっている場合には、ほぼ毎カセッ
トの頻度で行われている。

【０００９】この先行チェック作業には、最初に試しウ
ェハを、それが保存してある場所から当該処理装置の所
に運び、このウェハを装置に装填し、所定の処理を行
い、処理が終了したら、加工処理の品質を測るために、
その特性を測定できる測定装置のある所まで運ぶという
搬送作業が不可避的に存在する。そしてこの測定装置で
の測定結果に従って、製品ウェハの着工の是非を判断を
する。

【００１０】一般にこのような計測を行う装置には、シ
ート抵抗計，反射率計，干渉膜厚計，蛍光Ｘ線分析計，
異物検査装置等があるが、一般にはこれらの測定は複数
の項目に渉って行うことや、他の工程で行う測定も比較
的類似の項目を測定するために、これらの分析装置は１
カ所に固めて設置されていることが多い。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記したように清浄な
雰囲気を維持しようとすると、人間の作業者を排除する
ことが行われるが、人間を排除したために先行チェック
作業用の試しウェハを機械によって搬送することは、自
動搬送手段の取り扱い量を増加させる。特に微細化が進
むと、製造条件のマージンが少ないために、この先行チ
ェック作業を頻繁に行わなければならず、１カセットに
１回という工程も多くある。また特にその製造ラインが
新しく、立上げ中であるとか、習熟度が低い等の場合に
は、この先行チェック作業は頻繁に行われる事になる。
またたとえ試しウェハの数が１枚であろうとも、通常に
２５枚装填されたカセットを搬送するのと同じシーケン
スと、時間で処理することになる。もちろん１枚のウェ
ハのための別の高速な自動搬送手段を考えることもでき
るが、２種類の自動搬送手段をラインに敷設すること
は、明らかに工場の建設コストを増大させる。

【００１２】更にウェハの大口径化に伴って搬送の自動
化が必須のものとなると、自動搬送手段の負荷が倍増
し、自動搬送手段の能力を製品ウェハだけの場合に比べ
て、例えば２倍準備する必要がある。搬送手段の取り扱
い量、すなわち交通量を２倍確保するためには、この搬
送手段が行き来する場所、搬送路の面積も大きくとる必
要があり、単純に搬送手段の取扱能力を倍にするだけで
は済まず、工場全体の能力を増大させる必要があり、大
きな費用増を招く結果となる。換言すれば、本来生産の
実体である製品ウェハの着工数に見合った搬送手段の取
り扱い能力に対して、例えば毎カセットに１回の先行チ
ェック作業を行う場合には、倍の搬送能力を用意しなけ
ればならず、工場建設の上でのコスト的な隘路事項とな
る。

【００１３】これに対して人間が作業者としてウェハの
搬送を行っている場合には、先行チェック作業に使用す
る１枚のウェハは別途小形のケースに収納して搬送する
等の運用が可能であり、工場全体の建設費用を増大させ
るような事態は発生しないことがふつうであった。

【００１４】本発明は処理装置の運用に不可欠である先
行チェック作業のために発生する試しウェハの搬送作業
を大幅に低減し、以て搬送取扱量を製品ウェハの搬送取
扱量の近くまで低減することで、半導体工場建設の費用
を削減することを課題としてなされたものである。換言
すれば、ある自動搬送手段の能力の範囲で工場全体の生
産性を最大限に高めるためになされたものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の半導体の製造システムでは、ウェハまたはウ
ェハの装填された箱ないしはカセットを、処理待ちのウ
ェハを保存してあるストッカから、必要な処理を行う所
定の装置の前のところまで搬送するための搬送路と搬送
手段とを用意し、当該処理装置の前には搬送手段からウ
ェハないしは、ウェハが装填された箱を受け取る移載機
が設置され、この移載機にはこれから処理を行おうとす
る処理待ちの複数のウェハ、ないしは複数のウェハが装
填された箱を置載できる複数の場所が用意され、そのう
ちの少なくとも一つの場所は、製品ウェハの着工前に、
当該装置が正しく処理が行うことができることを確かめ
るための複数枚の試しウェハを保存しており、製品ウェ
ハ、または試しウェハを適宜、移載機に搭載されたウェ
ハ一枚一枚を扱うことのできる搬送手段によって当該処
理装置に装填できるようにし、製品ウェハの着工中であ
っても、必要に応じてストッカと当該処理装置との間に
新たな搬送作業を発生させること無しに、試しウェハに
対して所定の処理を行うことができるようにしたことを
特徴としている。

【００１６】また、本発明では、試しウェハの品質を測
る評価測定装置に、移載機に搭載されているウェハを直
接受け渡すことができるようにしたことを特徴としてい
る。

【００１７】本発明では更に、当該処理装置による処理
状態が所定の物であるか否かを判断できるプロセス状態
モニタを当該処理装置に具備し、試しウェハに所定の処
理を行う先行チェック作業を低減することを特徴として
いる。

【００１８】ここで、上記した試しウェハとは、例えば
酸化膜を持ったシリコンウェハであり、また処理品質を
測ることのできる手段とは、例えばスパッタ装置であれ
ば、鏡面反射率計であったり、渦電流によって非接触に
膜のシート抵抗を測定できる抵抗計であったりする。

【００１９】本発明では更に、ストッカから当該処理装
置迄の搬送に供する場所、すなわち搬送路と、当該処理
装置が設置されている場所の空気の流れを、ウェハない
しはウェハが装填された箱が通行できるだけの開口部を
有する隔壁で隔て、且つ、この搬送に供する場所から人
間の作業者を排除し、人間の作業による発塵を防止す
る。また、該搬送路の雰囲気を装置が設置されている場
所に比して陽圧として、装置が設置されている場所から
の塵埃の搬送に供する場所への拡散を防止し、人間をウ
ェハが裸で扱われる場所から排除した効果をより高める
ことを特徴としている。

【００２０】以上のように試しウェハが当該処理装置に
纏めて予め保存されていれば、先行チェック作業の必要
が生じてから、自動搬送装置を介してストッカから搬送
するという工程を省略でき、製品着工までの判断時間を
大幅に短縮できる。更に、所定の処理を行った試しウェ
ハの品質を測る装置を、移載機から直接受け渡しができ
る場所に設置することで、この処理済みの試しウェハを
測定機のある場所まで搬送させるために自動搬送装置が
迎えに来るまでの時間，実際に搬送する時間、そして測
定器での待ち時間、そして測定に実際かかる時間を省略
することができ、試しウェハに行った処理の良否の判定
を直ちに行い、製品ウェハの着工を直ちに間断なく行う
ことができる。

【００２１】また処理済みの試しウェハの処理の品質を
その場で直ちに判定できるので、生産を遅滞させること
なく、当該処理装置が正しい処理を行っていると知りつ
つ、生産を継続することができる。

【００２２】また当該処理装置にプロセスモニタが具備
されている場合には、所定の処理が当該処理装置内で正
しく行われているかを監視し、例えば通常であれば１カ
セット毎に行わなければならない先行チェック作業を２
カセット毎に低減する等のことができ、更に高い生産性
を実現することができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】次に、本発明の第一の実施例を図
について説明する。

【００２４】スパッタ装置ではスパッタリングターゲッ
トの消耗に伴ってスパッタリングターゲットの交換作業
を行う。この頻度はだいたい１週間から１カ月に１回程
度であり、工程や材料に依存する。同時に真空槽内部に
付着する余分な金属膜を取り除くためのシールド板、そ
してコリメーションスパッタでは、コリメータの交換作
業を行う。部品の交換作業を終了し、真空引きを行い、
真空リークも無いことを確認すると、捨てウェハを数枚
から数十枚使用して、模擬的にスパッタ成膜を実施す
る。これは大気中の酸素で酸化されたターゲット表面を
取り除き、清浄な表面を出すためであり、同時に、シー
ルド板等、真空槽内部が全て清浄な表面になるようにす
るためである。

【００２５】真空槽内部の主たる部品の多くを交換した
場合、メンテナンス作業の後は、捨てウェハを数枚から
数十枚使用して模擬的にスパッタ成膜を実施した後で
も、スパッタ装置が元の状態に戻っていることを確認す
る必要がある。試しウェハを用意し、このウェハに所定
の成膜処理を行う。チタンスパッタの例であれば、形成
したチタン膜の膜厚を蛍光Ｘ線による測定で求める、成
膜処理を行ったウェハの表面の鏡面反射率が所定の値で
あることを確認する、形成したチタン膜の表面を調べ、
異物の付着が規格より多くないかを調べる、等を行う。
これらのチェックで規格を満足する結果が得られた場合
には製品ウェハを着工する。

【００２６】以上述べた先行チェック作業は大規模なメ
ンテナンスを行った場合であるが、通常チタンのコリメ
ーションスパッタ装置では、膜厚変動が通常のスパッタ
工程に比較して早いために、１日に４回から６回の頻
度、換言すると、２カセットに１回程度の割合で先行チ
ェック作業を行い、知らない内に不良製品を多数作り込
まないようにする。この場合には試しウェハに所定の処
理を行い、その処理済みのウェハを蛍光Ｘ線装置などの
場所に作業者が持って行き、所定の成膜量になっている
こと、また単に目視で表面の反射率が異常に低下してい
ないか等を確認することが行われる。この作業により異
常がなければ作業者は当該スパッタ装置のところに戻
り、所定の条件で装置を操作し製品ウェハの着工を開始
する。

【００２７】このような作業は、スパッタ装置１台に対
して１日４から６回程度であっても搬送の頻度を１.５
倍に増やしている。このような作業を自動搬送装置を用
いて実施することを考えると、図２のようになる。図２
は従来技術に係わる半導体生産のフローである。チタン
の金属膜をコリメーションスパッタと呼ばれるコンタク
トホール内に付き廻り性良く形成するスパッタリング工
程を例にとって説明する。図２は装置のメンテナンス作
業から示してある。

【００２８】即ち、最初に先行チェック作業を行う宣言
を行い、未処理の試しウェハを要求する（２０１）。こ
の搬送を行うためにはＡＧＶが空いていなければなら
ず、待ち時間が発生する（２０２）。自動搬送装置は試
しウェハを入手し（２０３）、これを当該装置の移載機
に引き渡し（２０３），所定の処理を行い（２０４），
処理済みの試しウェハを評価装置のところまで搬送する
要求を出す（２０５）。再びＡＧＶの空きを待ち（２０
６），更に評価装置の空き待ち（２０８）を行い、最終
的な判断を得る（２０９）。

【００２９】半導体工場では通常は同種の装置を近接し
て設置している。スパッタ装置の多く設置されている場
所での搬送では、例えば極単純に一律で上記したように
実際の製品ウェハの着工量に比して１.５ 倍の搬送取扱
量に設計しなければ、生産が搬送律速となる。

【００３０】自動搬送機でウェハの搬送を行う場合に
は、たかが１枚の試しウェハを品質チェックのために搬
送するのでも、２５枚のウェハが充填されたカセットを
搬送するのでも同じ時間を必要とする。このために品質
チェックのための搬送であっても、自動搬送装置がその
試しウェハが装填されたカセットを、当該装置にまで搬
送してくる迄の待ち時間と処理が終わった試しウェハの
品質チェックを行う評価・測定装置のところまで搬送す
るにも、製品ウェハが２５枚装填されたカセットを搬送
するのと同一の作業を要する。これによって、搬送枚数
に比してみると、大幅に搬送能力を増強する必要があ
る。

【００３１】また上記した品質の測定を行う設備がスパ
ッタ装置が設置してある場所から、離れている場合に
は、スパッタ装置エリア内を司る自動搬送設備から、別
途同エリア外を司る自動搬送設備に引き継ぐ必要があ
り、このために発生する待ち時間が以上のシーケンスに
加算される。

【００３２】本発明の実施例を図１に示す。また本発明
に係わるフローチャートを図３に示した。製品ウェハカ
セット１００はウェハストッカ１０１に保管されてお
り、自動搬送機構、この場合は無軌道搬送装置１０２に
ロボットのアーム１１０が搭載されたもの（一般にはＡ
ＧＶと呼ばれている）がストッカからカセット１００を
搬出し、搬送スペース１０３を通り、所定の処理装置１
０４のところに届ける。処理装置１０４の前面には移載
機構１０５があり、ＡＧＶ１０２はウェハカセット１０
０を、移載機構の所定の場所１０６に載置する。

【００３３】処理装置１０４では所定枚数の処理を行う
毎に、先行チェックウェハを処理する。移載機構１０５
の中にある試しウェハの保管場所１０７から、１枚の試
しウェハを取り出し（３０３），所定の処理を行う（３
０４）。この試しウェハを移載機構１０５の中にある品
質評価装置１０８に掛け（３０８），品質データと、プ
ロセスのその場モニタからのデータが得られる場合に
は、それを考慮して、正常な処理が行われるかを判断す
る（３０９）。

【００３４】この実施例では品質評価装置１０８は渦電
流損方式のシート抵抗計であり、非接触でシート抵抗を
測定することができる。正確な値を求めるには試しウェ
ハには高抵抗のものを用い、表面には酸化膜が付いたも
のを用いることで、ウェハ自身の導電率によって測定値
が影響されないようにできる。

【００３５】本発明に係わる作業のフローである図３
と、従来技術による図２のフローと比較しての違いは、
処理装置とストッカ、評価設備との搬送２０１,２０２,
２０５，２０６，２０７が削減されていることである。
即ち、実施例では、試しウェハは当該装置そのものから
供給され、処理の終了した試しウェハの評価、ここでは
チタンの成膜量であるが、移載機に備え付けられたシー
ト抵抗を測定する装置によって、代理測定が行われ、そ
してその測定値が所定の値に入っているか否かの判断も
自動でくだされるのである。

【００３６】膜厚、または金属膜の成膜量とシート抵抗
とは厳密に言えば１対１の関係にないが、チタンにある
厚さの薄膜のシート抵抗値を知っていれば、そのチタン
の薄膜厚さは、シート抵抗値から計算で求めることがで
きる。勿論間接的な品質の保証ということになるので、
この工程で許容される品質（成膜量）の幅が非常に厳し
くない一般的な値（±５％程度）であれば、十分に使用
できる。

【００３７】更に厳格な品質管理を行う場合には、プロ
セスのその場モニタとの併用が効果的である。図４は処
理装置の真空槽のモデル図である。スパッタリング材料
であるスパッタリングターゲット４０１、その前面に発
生している環状のプラズマ４０２、それに対向して処理
対象のウェハ４０３が、ウェハホルダ４０８の上に載置
されている。プロセスのその場モニタとして、成膜中の
ウェハ温度を赤外線温度計４０４でウェハの裏面から測
定し、成膜中のアルゴンガス以外の残留不純物ガス濃度
を差動排気系（図示せず）のついた四重極分析計（４０
６）によって測定する。これらのプロセスパラメータの
モニタ情報４０５，４０７は形成されるチタンの薄膜の
性質を大きく左右するものであるから、これらのその場
モニタを行い、これまでに蓄積されたデータ４０９と比
較参照しながら正常な状態が維持されていることを計算
機４１０によって自動的に確認することができれば、単
純なシート抵抗の比較でも成膜量を厳密に評価すること
ができる。

【００３８】また通常先行チェック作業では形成された
膜の反射率等の評価によってプロセス状態が正常である
ことを、一緒に確認している。プロセスのその場モニタ
を使用すると、このような従来からの先行チェック作業
を全ウェハに対して行うことができるので、このような
目的で行ってきた先行チェック作業の頻度を低減するこ
とができる。

【００３９】本発明のもう一つの特徴はウエハの自動搬
送を積極的に取り入れることで、人間の作業をウエハが
取り扱われる搬送に供する領域１０３から排除したこと
で、塵埃の低減ができることである。すなわち処理装置
１０４が設置されている領域と、搬送に供する領域１０
３とを隔壁１１１で分けたことである。このように装置
の前面に壁をしつらえ、ウエハを取り扱う領域を限定す
ることは「スルーザウォール方式」として既に実施され
ているが、完全に人間の作業を排除できている訳ではな
いためになかなか十分な塵埃の低減効果が得られない。
本発明では先行チェック作業を、移載機に当該処理の品
質を測ることのできる装置を配置したことによって、あ
るいは、プロセスのその場モニタ機能を処理装置に配置
した事によって、また通常人間が介在することが多い先
行チェック作業を大幅に自動化し、またこれによって自
動搬送の取り扱い量を大幅に低減することができるの
で、隔壁で仕切られた装置前面の空間を専ら無人の状態
に保つことができ、このために発塵の低減を真に実現す
ることができる作用効果を奏することである。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、ほぼ製品ウエハの着工
数に等しい数だけのウエハの搬送を行うことで、生産を
行うことができる。換言すれば、本発明によれば自動搬
送装置の設備能力として製品着工数に応じた最低限の設
計を行うことができるという事である。また従来人間の
介在がどうしても必要であった先行チェック作業を、人
間の介在を得ずしても可能にできることから、発塵の低
減が可能で、以て半導体製品の歩留まりを向上させ得る
効果を奏する。換言すれば、塵埃レベルを低減するため
に従来必要であったレベルのクリーン度を創成する空調
設備の能力を下げて設計できるということであり、半導
体工場の建設費用を削減することができる。

【００４１】本発明によれば、先行チェック作業を大き
な待ち時間を経ることなく実施でき、生産性を向上する
ことができる。また従来先行チェック作業に要していた
時間を大幅に削減できるので、十分な回数先行チェック
作業を行うことで、製品の信頼性を向上すること、また
は、歩留まりを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す半導体装置の製造ライ
ンの部分平面図。

【図２】従来の製造工程のフローチャート。

【図３】本発明の一実施例での製造工程のフローチャー
ト。

【図４】プロセス処理部のその場モニタ機能の説明図。

【符号の説明】

１００…製品ウェハカセット、１０１…ウェハストッ
カ、１０２…無軌道搬送装置またはＡＧＶ、１０３…搬
送スペース、１０４…処理装置、１０５…移載機構、１
０６…移載機構のカセット授受の場所、１０７…試しウ
ェハの保管場所、１０８…品質評価装置、１１０…ロボ
ットのアーム、１１１…隔壁。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】未処理のウェハを保管してあるストッカか
   ら箱に入った、または単にカセットに入ったウェハを所
   定の処理を行う処理装置まで、人手を経ずして搬送する
   自動搬送手段を備え、上記ウェハの自動搬送手段から箱
   に入った、または単に上記カセットに入ったウェハを受
   け取る場所を備えたウェハの授受装置を備え、上記ウェ
   ハの授受装置は未処理の１つないし複数のウェハカセッ
   ト、または箱を載置でき、または処理が終了した１つな
   いし複数のカセットまたは箱を載置できる場所と、その
   場所にウェハカセットまたは箱を載置できる機構を有
   し、上記ウェハカセットまたは箱から必要なウェハを取
   り出して上記処理装置に装填できる機構を有した半導体
   の生産システムに於いて、この保管された未処理の試し
   ウェハを装置に装填する機能を有し、また処理済みの試
   しウェハを保管する機能を有していることを特徴とする
   半導体の製造システム。
2. 【請求項２】上記ウェハの授受装置には、その処理済み
   の試しウェハに為された処理の品質を測る事のできる機
   構を有し、所定の品質が得られたことを判定する機構を
   有する請求項１に記載の半導体の製造システム。
3. 【請求項３】上記処理を行う設備が設置されている領域
   と、上記自動搬送装置を介してウェハの搬送が行われる
   領域とを流れる清浄な空気を、両領域をウェハまたはウ
   ェハの入った箱を通して運搬するための貫通孔を有して
   いる隔壁によって隔て、上記自動搬送装置を介してウェ
   ハの搬送が行われる領域からは人間の作業者を排除し、
   この領域の空気の清浄度を高く保つ請求項１または２に
   記載の半導体の製造システム。
4. 【請求項４】上記製造装置の処理装置にはプロセス状態
   を監視する手段を備え、上記処理装置でのプロセスが正
   しく行われたか否かを判定する機能を備えている請求項
   １，２または３に記載の半導体の製造システム。
5. 【請求項５】未処理のウェハを保管してあるストッカか
   ら箱に入った、または単にカセットに入ったウェハを所
   定の処理を行う処理装置まで、人手を経ずして搬送する
   自動搬送手段を備え、このウェハの自動搬送手段から箱
   に入った、または単にカセットに入ったウェハを受け取
   る場所を備えたウェハの授受装置を備え、このウェハの
   授受装置は未処理の一つないし複数のウェハカセット、
   または箱を載置でき、または処理が終了した一つないし
   複数のカセットまたは箱を載置できる場所と、その場所
   にウェハカセットまたは箱を載置できる機構を有し、上
   記ウェハカセットまたは箱から必要なウェハを取り出し
   て上記処理装置に装填できる機構を有した半導体の生産
   システムに於いて、製品ウェハの搬送のみを自動搬送手
   段を用いて行うことを特徴とする半導体の製造システ
   ム。