JPH0995751A

JPH0995751A - ｃｒ基合金薄膜およびその製造法ならびにストレインゲージ

Info

Publication number: JPH0995751A
Application number: JP29322895A
Authority: JP
Inventors: Eiji Niwa; 英二丹羽; Sachihiro Sasaki; 祥弘佐々木; Takeshi Masumoto; 剛増本
Original assignee: Research Institute of Electric and Magnetic Alloys; Research Institute for Electromagnetic Materials
Current assignee: Research Institute of Electric and Magnetic Alloys; Research Institute for Electromagnetic Materials
Priority date: 1995-10-03
Filing date: 1995-10-03
Publication date: 1997-04-08
Anticipated expiration: 2015-10-03
Also published as: JP3933213B2

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、Ｃｒと所要の副成分からなり、ゲ
ージ率が２以上で、且つ抵抗温度係数が（−３．５〜
３．５）×１０^−４／℃以内であるＣｒ基合金薄膜およ
びその製造法を提供するにある。また、前記合金薄膜よ
りなるストレインゲージを提供するにある。【構成】原子％にて、Ｃｒ（残部）を主成分とし、副成
分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅのそれぞれ５％以
下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％以下、Ｆｅ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ
ｌのそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希士類元素のそれぞれ１
５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍ
ｎ、Ａｌのそれぞれ２０％以下のうち１元素または２元
素以上の合計０．０１〜５０％と少量の不純物からな
り、ゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度係数が（−３．
５〜３．５）×１０^−４／℃以内であることを特徴とす
るストレインゲージ用Ｃｒ基合金薄膜。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、Ｃｒ（クロム）を主成
分とし、副成分としてＴｉ（チタン）、Ｖ（バナジウ
ム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッ
ケル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、
Ｓｉ（ケイ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｃ（炭素）、
Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ｓｅ（セレン）、Ｔｅ（テル
ル）、Ｆｅ（鉄）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングス
テン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｎ（スズ）、Ｓｂ（アンチモ
ン）、Ｐｂ（鉛）、Ｂｉ（ビスマス）、Ａｌ（アルミニ
ウム）、Ｂ（ホウ素）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（イン
ジウム）、Ｔｌ（タリウム）、Ｃｕ（銅）、Ｚｎ（亜
鉛）、Ｍｎ（マンガン）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ
（ロジウム）、Ｒｅ（レニウム）、Ｏｓ（オスミウ
ム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラ
ジウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、希土類元素、Ｃｏ
（コバルト）、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウ
ム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）お
よびＢａ（バリウム）のうち１元素または２元素以上の
合計０．００１〜５０％とからなるＣｒ基合金薄膜およ
びその製造法ならびにこの合金薄膜を使用したストレイ
ンゲージに関するもので、その目的とするところはゲー
ジ率（抵抗ひずみ感度）が２以上で、且つ抵抗温度係数
が（−３．５〜３．５）×１０^−４／℃以内である合金
薄膜を提供するにある。また、前記合金薄膜よりなるス
トレインゲージを提供するにある。

【０００２】

【従来の技術】ストレインゲージは、一般に弾性ひずみ
によって細線または箔形状のゲージ材の電気抵抗が変化
する現象を利用するものであるが、逆に抵抗変化を測定
することにより、ひずみや応力の計測ならびに変換に用
いられる。例えば、生産工業におけるひずみ計、重量
計、加速度計および各種力学量−電気量変換機器、土木
工業における土圧計、建築業・エネルギー関連業におけ
る圧力計および撓み量計、航空・宇宙・鉄道・船舶関連
業における各種応力・ひずみ計等に広く利用されてお
り、さらに民生用としての商用秤およびセキュリティ機
器等にも多く利用されている。

【０００３】ストレインゲージは、その構造が金属細線
（１０〜３０μｍ）または金属箔（３〜５μｍ）をグリ
ッド状あるいはロゼット状に配置してなり、またその使
用法としては前記ゲージを被測定物に接着剤で貼り付け
し、被測定物に生じたひずみをゲージの抵抗変化から間
接的に測定するものである。ストレインゲージの感度
は、ゲージ率Ｋによって決まり、Κの値は一般に次の式
で与えられる。

【０００４】

【数１】

【０００５】ここで、Ｒ、σ、ρおよびｌはそれぞれゲ
ージ細線または箔の全抵抗、ポアソン比、比電気抵抗お
よび全長である。一般に、金属・合金におけるσはほぼ
０．３であるから、前記の式における右辺第１項と第２
項の合計は約１．６でほぼ一定の値となる。したがって
ゲージ率を大きくするためには、前記の式における第３
項が大きいことが必須条件である。すなわち、材料に引
っ張り変形を与えたとき材料の長さ方向の電子構造が大
幅に変化し、比電気抵抗の変化量Δρ／ρが増加するこ
とによる。

【０００６】ゲージ率が大きな材料には半導体の炭素、
ケイ素およびゲルマニウム等が知られている。しかしこ
れら半導体の場合、ゲージ率は１０〜１７０と非常に大
きいが、その値の異方性および温度による変動が大きく
安定性にも欠け、さらに機械的強度が劣る等の欠点を有
することから、特殊な小型圧力変換機器に応用されるに
とどまっている。ストレインゲージ用材料として現在最
も多く使用されている材料は、Ｃｕ−Ｎｉ合金である。
この合金は抵抗温度係数がきわめて小さいため、温度変
化に対する特性の変動が小さという特徴を有している
が、その反面、ゲージ率は２と小さく、さらに高感度な
ストレインゲージ用材料としては適していない。

【０００７】合金材料を用いたストレインゲージは、上
で述べたように細線もしくは箔の形で使用される。しか
し、細線形状のストレインゲージは、グリッド形成時の
残留ひずみの影響および加工した細線材と基板を密着さ
せるために用いる接着剤の影響等により特性にばらつき
が大きく、しかもグリッドの形成や細線材と基板の接着
といった特殊技術が必要なため、生産効率が悪くコスト
高の原因となっている。また、箔形状のストレインゲー
ジは、加工時のひずみの影響はないが、接着剤の影響に
ついては細線材と同様であり、これも問題となってい
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ストレインゲージの応
用領域は、近年のマイクロコンピューターの進歩に伴っ
てますます拡大し、小型化および高性能化に向かってい
る。特に、高感度で安定性を必要とする圧力変換器やロ
ードセルの他、ロボットの接触センサや滑りセンサ等に
使用可能なストレインゲージの要求が高まってきた。こ
れらの各種センサ用ストレインゲージに関して、高感度
で良好な安定性を有する素材の開発ならびに製造工程の
改良が緊急に求められている。

【０００９】本発明が解決しようとする課題は、既に市
販されているストレインゲージのゲージ率２を上回り、
且つ実用上（−３．５〜３．５）×１０^−４／℃以内が
望ましいとされている抵抗温度係数の小さい薄膜材料と
その製造法を開発するにある。本発明においては、高感
度で良好な安定数を有する素材として構造上安定な金属
材料に対象を絞り、その中からゲージ率の高い素材とし
てＣｒに着目した。

【００１０】Ｃｒのバルク（塊状）の抵抗ひずみ感度は
２６〜２８と非常に大きいことが知られている。しか
し、Ｃｒは加工が非常に困難であることから、これまで
細線および箔形状のストレインゲージに用いることはで
きなかった。そこで加工を必要としない薄膜化によっ
て、Ｃｒをストレインゲージに応用することが考えられ
る。Ｃｒ薄膜のゲージ率はバルクほどではないが１４．
８と大きい。しかしストレインゲージは通常室温で使用
されるので、室温における抵抗変化量が小さいことが必
要であるが、図１に示すとおり、Ｃｒ薄膜の室温におけ
る抵抗温度係数は負の値で大きく（−６×１０^−４／
℃）、安定性の点でストレインゲージに適していない。

【００１１】そこで本発明は、Ｃｒ薄膜の高いゲージ率
をできるだけ保持しながら、抵抗温度係数を小さくする
ことによって、優れた高感度で高安定なストレインゲー
ジ用薄膜を得ることを目的としてなされたものである。

【００１２】

【発明が解決するための手段】本発明は、図１に見られ
るように比電気抵抗値の温度変化における極小または極
大の領域で抵抗変化が小さいことに着目し、この領域を
室温に移動する方法について検討した。すなわちバルク
のＣｒのネール点の温度（ネール温度）は特定の元素を
添加することによって低温側または高温側に移動するこ
とが知られている。そこで極小および極大はネール点と
緊密な関連があるものと考え、Ｃｒに副成分として種々
の元素を添加し、その添加量と極小および最大の領域の
移動幅との関係について調べる実験を鋭意行った。その
結果、適当な量の副成分元素をＣｒに加えることによっ
て、室温近傍に極大または極小の領域をもたらすことが
でき、これによって室温における抵抗温度係数を小さく
できることが明らかとなった。

【００１３】また、室温以外の温度でストレインゲージ
を使用する場合にも、Ｃｒに加える元素の種類と量を適
当に選択することによって、所望の温度領域において抵
抗温度係数が小さいストレインゲージを提供することが
可能であることが判明した。

【００１４】これらの知見のもとに、さらに幾多の実験
を行った結果、原子％にて、Ｃｒ（残部）を主成分と
し、副成分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ，Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅのそれぞれ
５％以下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％以下、Ｆ
ｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｂ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、Ｔｌのそれぞれ１０以下、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土
類元素のそれぞれ１５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｂａのそれぞれ２０％以下のうち１元素また
は２元素以上の合計０．０１〜５０％と少量の不純物か
らなり、室温付近でゲージ率が大きく、抵抗温度係数の
小さいＣｒ基合金薄膜が得られ、高感度ストレインゲー
ジ用材料として適していることを見い出したのである。

【００１５】本発明を製造するには、上記組成の合金を
原料とした蒸着、または上記組成の薄膜の形成が可能な
合金ターゲット、複合ターゲットまたは多元ターゲット
を用いたスパッタリング、もしくは上記組成の薄膜の形
成が可能な原料を用いた気相輸送法等により、導電性基
板上に絶縁体膜を形成した上または絶縁性基板上にマス
ク法などを用いて所望の形状および、厚さの薄膜を形成
する。または適当な形状の薄膜を形成した後、ドライエ
ッチング（プラズマエッチング、スパッタエッチング
等）、化学エッチング（腐食法）、レーザトリミング法
などのエッチングまたはトリミング加工などを施すこと
により所望の形状に加工し、素子となす。また必要なら
ば温度補償として、前記素子と直角に配置した素子を同
一面内に構築したゲージパターンを形成する。さらにこ
のままで使用するか、または必要ならばこれに電極を構
築し、さらに必要ならばこれらの薄膜を大気中、非酸化
性ガス中、還元性ガス中または真空中の１００℃以上１
２００℃以下の温度で、適当な時間、好ましくは１秒間
以上１００時間以下加熱後、適度な速度で、好ましくは
１℃／時以上１００℃／分以下の速度で冷却することに
よって、抵抗ひずみ感度（ゲージ率）が２以上で、且つ
抵抗温度係数が（−３．５〜３．５）×１０^−４／℃以
内の値を有するストレインゲージ用Ｃｒ基合金薄膜が得
られる。

【００１６】第１発明原子％にて、Ｃｒ（残部）を主成分とし、副成分として
Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅのそれぞれ５％以下、Ｚ
ｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％以下、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗ、
Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌのそれ
ぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元素のそれぞれ１５％以
下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｎ、Ａｌ
のそれぞれ２０％以下のうち１元素または２元素以上の
合計０．０１〜５０％と少量の不純物からなり、ゲージ
率が２以上で、且つ抵抗温度係数が（−３．５〜３．
５）×１０^−４／℃以内であることを特徴とするストレ
インゲージ用Ｃｒ基合金薄膜。

【００１７】第２発明導電性基板上に絶縁体膜を形成した上に、または絶縁性
基板状に、原子％にて、Ｃｒ（残部）を主成分とし、副
成分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅのそれぞれ５％以
下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％以下、Ｆｅ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｔ
ｌのそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元素のそれぞれ１
５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍ
ｎ、Ａｌのそれぞれ２０％以下のうち１元素または２元
素以上の合計０．０１〜５０％と少量の不純物からなる
薄膜を、蒸着またはスパッタリング等で成膜することに
より、ゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度係数が（−
３．５〜３．５）×１０^−４／℃以内とすることを特徴
とするストレインゲージ用Ｃｒ基合金薄膜の製造法。

【００１８】第３発明導電性基板上に絶縁体膜を形成した上に、または絶縁性
基板上に、原子％にて、Ｃｒ（残部）を主成分とし、副
成分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅのそれぞれ５％以
下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％以下、Ｆｅ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ
ｌのそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元素のそれぞれ１
５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍ
ｎ、Ａｌのそれぞれ２０％以下のうち１元素または２元
素以上の合計０．０１〜５０％と少量の不純物からなる
薄膜を、蒸着またはスパッタリング等により成膜し、さ
らに非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中の１００℃
以上１２００℃以下の温度で加熱後冷却することによ
り、ゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度係数が（−３．
５〜３．５）×１０^−４／℃以内とすることを特徴とす
るストレインゲージ用Ｃｒ基合金薄膜の製造法。

【００１９】第４発明導電性基板上に絶縁体膜を形成した上に、または絶縁性
基板上に、原子％にて、Ｃｒ（残部）を主成分とし、副
成分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅのそれぞれ５％以
下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％以下、Ｆｅ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ
ｌのそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元素のそれぞれ１
５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍ
ｎ、Ａｌのそれぞれ２０％以下のうち１元素または２元
素以上の合計０．０１〜５０％と少量の不純物からな
り、ゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度係数が（−３．
５〜３．５）×１０^−４／℃以内であるＣｒ基合金薄膜
からなることを特徴とするストレインゲージ。

【００２０】第５発明導電性基板上に絶縁体膜を形成した上に、または絶縁性
基板上に、原子％にて、Ｃｒ（残部）を主成分とし、副
成分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅのそれぞれ５％以
下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％以下、Ｆｅ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ
ｌのそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元素のそれぞれ１
５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍ
ｎ、Ａｌのそれぞれ２０％以下のうち１元素または２元
素以上の合計０．０１〜５０％と少量の不純物からな
り、ゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度係数が（−３．
５〜３．５）×１０^−４／℃以内であるＣｒ基合金薄膜
の上部または下部に金属電極を形成することを特徴とす
るストレインゲージ。

【００２１】第６発明導電性基板上に絶縁体膜を形成した上に、または絶縁性
基板上に、原子％にて、Ｃｒ（残部）を主成分とし、副
成分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅのそれぞれ５％以
下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％以下、Ｆｅ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ
ｌのそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元素のそれぞれ１
５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍ
ｎ、Ａｌのそれぞれ２０以下のうち１元素または２元素
以上の合計０．０１〜５０％と少量の不純物からなる薄
膜を、蒸着またはスパッタリング等により成膜し、さら
に非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中の１００℃以
上１２００℃以下の温度で加熱後冷却することにより、
ゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度係数が（−３．５〜
３．５）×１０^−４／℃以内であるＣｒ基合金薄膜から
なることを特徴とするストレインゲージ。

【００２２】第７発明導電性基板上に絶縁体膜を形成した上に、または絶縁性
基板上に、原子％にて、Ｃｒ（残部）を主成分とし、副
成分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅのそれぞれ５％以
下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％以下、Ｆｅ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ
ｌ、のそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ、
Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元素のそれぞれ
１５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍ
ｎ、Ａｌのそれぞれ２０％以下のうち１元素または２元
素以上の合計０．０１〜５０％と少量の不純物からなる
薄膜を、蒸着またはスパッタリング等により成膜し、さ
らに非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中の１００℃
以上１２００℃以下の温度で加熱後冷却することによ
り、ゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度係数が（−３．
５〜３．５）×１０^−４／℃以内であるＣｒ基合金薄膜
の上部もしくは下部に金属電極を形成することを特徴と
するストレインゲージ。

【００２３】

【作用】図１からわかるように、極小および極大の領域
の温度は、それぞれ約９０℃および−１５０℃である。
これらの温度領域を室温に移動させ、室温における抵抗
温度係数を小さくするためには、ネール温度を低温側に
移動させる働きをもつ元素によって極小領域を適用する
場合と高温側に移動させる働きをもつ元素によって極大
領域を適用する場合の両方法が可能であると考えられ
る。

【００２４】図２〜７には、高周波スパッタリング装置
を用いてガラス基板上に成膜した試料について、各元素
の添加量と、０〜５０℃における抵抗温度係数および室
温（約２０℃）におけるゲージ率との関係を示す。これ
らの図からわかるように、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅ
のそれぞれ５％以下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％
以下、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌのそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元
素のそれぞれ１５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ、Ｍｎ、Ａｌのそれぞれ２０％以下のうち１元
素または２元素以上の合計０．０１〜５０％、好ましく
は０．１〜４０％、さらに好ましくは１〜４０％および
残部Ｃｒと、それぞれの範囲に限定した理由は、これら
の範囲ではゲージ率が２以上の高い値が得られ、且つ抵
抗温度係数が（−３．５〜３．５）×１０^−４／℃以内
の小さい値が得られるからであり、これらの範囲外で
は、これらの効果が期待できないからである。

【００２５】上記副成分のうち、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｐ、Ａ
ｓ、Ｓｂ、Ｍｇ、Ｃａ、ＣｏおよびＰｄについては、限
定の範囲を超えても抵抗温度係数が（−３．５〜３．
５）×１０^−４／℃以内を示すが、ＨｆとＺｒは、５％
を越えると薄膜表面の荒れがひどく特性がまったく安定
せず、また、ＰおよびＡｓとＳｂならびにＭｇとＣａは
それぞれ、５％および１０％ならびに２０％を越えると
膜が基板から剥離してしまい、さらに、Ｐｄおよびｃｏ
はそれぞれ１５％および２０％を越えると、ゲージ率が
２よりも小さくなってしまうので、ストレインゲージに
適用することができず、したがって、これらの元素に対
して上記限定をもうけた。

【００２６】図２〜７から、ゲージ率は副成分の添加量
の増加に伴って減少することがわかるが、Ｃ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、ＡｌおよびＧａは、副成分の添加量の増加に対しゲ
ージ率の減少が小さく、また、Ｎｉ、ＮｂおよびＴｉ
は、それら副成分を少量添加するだけで極小点が室温に
移動するので、高いゲージ率を得ることができる。これ
らの高いゲージ率を得ることができる元素を複数加えた
場合は高いゲージ率が得られ、また、本発明の副成分の
うちから２元素以上を加えた場合、すべて２より大きな
ゲージ率の値が得られた。

【００２７】なお、希土類元素はＳｃ、Ｙおよびランタ
ン系元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂおよび
Ｌｕ）からなるが、その効果は均等であり、いずれも同
効成分である。

【００２８】図８は、加熱温度と本発明合金（試料番
号：１３）の抵抗温度係数、比抵抗およびゲージ率との
関係を示す。図に見られるように、本発明合金を１００
℃以上１２００℃以下の温度範囲において、１分間以上
１００時間以下加熱し、ついで１℃／時以上１０００℃
／分以下の速度で冷却することにより、所期のゲージ特
性が得られる。熱処理の条件において、１００℃以上１
２００℃以下の温度範囲において、好ましくは１分間以
上１００時間以下加熱するように限定した理由は、この
処理条件内ではゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度係数
が（−３．５〜３．５）×１０^−４／℃以内になって好
ましいからである。１００℃以下ではゲージ特性に変化
が見られず、工程上無駄になるので経済的に好ましくな
い。また１２００℃以上では、所期のゲージ特性が得ら
れず好ましくない。

【００２９】

【実施例】本発明の実施例について説明する。実施例１試料番号７（組成：Ｃｒ−５．８％Ｆｅ）の
合金薄膜の製造と評価直径１０５ｍｍおよび厚さ３ｍｍのＣｒの円盤（純度９
９．９％）を銅製電極にボンディングし、さらにＣｒの
上に面積７×７ｍｍ^２および厚さ０．８ｍｍの大きさの
板状Ｆｅチップ（純度９９．９％）を４枚ボンディング
してスパッタ用複合ターゲットとする。この複合ターゲ
ットからマグネトロン方式高周波スパッタリング装置を
用いて、下記に示したスパッタリング条件で厚さ０．３
６μｍの薄膜をを作製する。基板には成膜前にガラス製
のマスクをかぶせておき、成膜時にパターン化した薄膜
を形成できるようにする。予備排気１×１０^−７Ｔｏｒｒ高周波電力１００ｗアルゴンガス圧１×１０^−２Ｔｏｒｒ基板ガラス（ＣＯＲＮＩＮＧ＃０２１
１）基板温度非加熱電極間距艦５０ｍｍ成膜速度３０Å／ｍｉｎ作製した薄膜にハンダを用いて直径０．０５ｍｍの被服
導線を溶接して電極となし、４端子法にて抵抗温度係数
およびゲージ率の測定を行った。その結果、表１に示し
たとおり、０．１８×１０^−４／℃の非常に小さい抵抗
温度係数と５．６のゲージ率が得られた。次に得られた
薄膜を、各種雰囲気中１００℃〜５００℃の各種温度で
適当時間加熱後室温まで炉中冷却（冷却速度：２００℃
／時間）した。表１は、それら熱処理の方法と、熱処理
後の抵抗温度係数、比抵抗およびゲージ率を示す。いず
れの雰囲気においてもゲージ率は改善され、大きな値を
示した。熱処理温度の上昇に伴って抵抗温度係数は若干
大きくなったが、ストレインゲージとして安定性に支障
をきたすほどではなかった。

【００３０】

【表１】

【００３１】実施例２試料番号１３（組成：Ｃｒ−
１．０％Ｖ）の合金薄膜の製造と評価純度９９．９％のＣｒおよびＶをアークメルト法によっ
て合金化し、直径２０３ｍｍおよび厚さ５ｍｍの合金タ
ーゲットを作製する。その合金ターゲットを銅製電極に
ボンディングしてスパッタ用ターゲットとする。このタ
ーゲットからイオンビームスパッタリング装置を用い
て、下記に示したスパッタリング条件で厚さ０．３６μ
ｍの薄膜を作製する。基板には成膜前にガラス製のマス
クをかぶせておき、成膜時にゲージパターンを形成でき
るようにし、さらにＮｉおよびＡｕの積層電極を構築す
る予備排気２×１０^−８Ｔｏｒｒ加速電圧７００Ｖイオン電流密度２ｍＡ／ｃｍ^２基板表面にＳｉＯ_２絶縁膜を形成したス
テンレス基板温度５００℃ イオン源−ターゲット間距離１２０ｍｍ基板−ターゲット間距離１２０ｍｍ成膜速度９０Å／ｍｉｎ作製した薄膜の電極にＡｕ線を溶接し、４端子法にて抵
抗温度係数およびゲージ率の測定を行った。その結果、
０．０８×１０^−４／℃の非常に小さい抵抗温度係数と
９．４の非常に大きなゲージ率が得られた。次に得られ
た薄膜に対して、各種雰囲気中１００℃〜１２００℃の
各種温度で適当時間加熱後室温まで炉中冷却（冷却速
度：５０℃／時間）した。表２は、それら熱処理の方法
と熱処理後の抵抗温度係数、比抵抗およびゲージ率を示
す。いずれの雰囲気においてもゲージ率は改善され、大
きな値を示した。図８は、これら熱処理を真空中２時間
の条件で施した場合の加熱温度と抵抗温度係数、比抵抗
およびゲージ率との関係を示す。ゲージ率は約５００℃
で極大値を示し、また、比抵抗は加熱温度の上昇ととも
に小さくなっていくが、抵抗温度係数はこれも約５００
℃付近で極大値を示した。この熱処理による抵抗温度係
数の増加分は０．３×１０^−４／℃程度と小さく、ゲー
ジ率の増大の方がより顕著であるので、高感度で高安定
なストレインゲージを製造する上で本発明の熱処理は有
効である。

【００３２】

【表２】

【００３３】実施例３試料番号５３（組成：Ｃｒ−
１．２％Ａｌ−１．６％Ｓｉ）の合金薄膜の製造と評価鈍度９９．９９％のＣｒ、純度９９．９％のＡｌおよび
純度９９．９９％のＳｉを、それぞれ９７．０％、１．
３％および１．７％を高周波溶解炉により溶解して合金
化し、そのうち約１ｇを蒸発源原料とする。この原料を
用いて、真空蒸着装置中において下記の条件のもと真空
蒸着によって厚さ１．２μｍの薄膜を作製する。基板に
は成膜前に金属製のマスクをかぶせておき、成膜時にゲ
ージパターンを形成できるようにする。真空度６×１０^−７Ｔｏｒｒ基板ポリイミド（厚さ０．１ｍｍ）基板温度２００℃ 基板−蒸発源間距離１８０ｍｍ成膜速度１３０Å／ｍｉｎ作製した薄膜を真空蒸着装置から取り出し、基板を覆う
マスクを交換した後再び真空蒸着装置にて電極用のＣｕ
膜を形成し、ハンダを用いて直径０．２ｍｍの被服導線
を溶接して４端子法にて抵抗温度係数およびゲージ率の
測定を行った。その結果、−０．２４×１０^−４／℃の
小さい抵抗温度係数と７．９の大きなゲージ率が得られ
た。次に得られた薄膜に対して、各種雰囲気中１００℃
〜４００℃の各種温度で適当時間加熱後室温まで炉中冷
却（冷却速度：５００℃／時間）した。表３は、それら
熱処理の方法と、熱処理後の抵抗温度係数、比抵抗およ
びゲージ率を示す。実施例１と同様、いずれの雰囲気に
おいてもゲージ率は改善され、大きな値を示した。ま
た、これも同様に熱処理温度の上昇に伴って抵抗温度係
数は若干大きくなったが、ストレインゲージとして安定
性に支障をきたすほどではなかった。すなわち、本発明
合金を使用することによって高感度・高安定性ストレイ
ンゲージを提供できることが明らかになった。

【００３４】

【表３】

【００３５】表４および表５は、高周波スパッタリング
装置を用いて表面にＳｉＯ_２絶縁膜を形成したステンレ
スの基板上に成膜したそのままの試料、またはそれらに
種々の条件で熱処理を施した試料についての、本発明の
代表的な合金薄膜の抵抗温度係数（ＴＣＲ）、比電気抵
抗（ρ）およびゲージ率（Ｋ）の測定結果を示す。

【００３６】

【表４】

【００３７】

【表５】

【００３８】

【発明の効果】本発明のＣｒ基合金薄膜は室温付近で抵
抗温度係数が小さく、且つ従来の材料よりもゲージ率が
格段に大きい。すなわち、本発明のストレインゲージ用
薄膜よりなるストレインゲージは、ゲージ率が２以上
で、且つ抵抗温度係数が（−３．５〜３．５）×１０
^−４／℃以内であるので、高感度・高安定性を発揮する
効果がある。したがって、本発明の薄膜よりなるストレ
インゲージは、ロードセル、ストレインセンサ、重量
計、加速度計、各種応力・歪計および各種セキュリティ
機器等に好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、Ｃｒ薄膜の電気抵抗の温度依存性を示
す。

【図２】図２は、副成分として加えるＢｅ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、ＳｒおよびＢａの量に対する０〜５０℃における抵
抗温度係数および室温（２０℃）におけるゲージ率を示
す。

【図３】図３は、副成分として加えるＦｅ、Ｃｏ、Ｍｎ
およびＡｌの量に対する０〜５０℃における抵抗温度係
数および室温（２０℃）におけるゲージ率を示す。

【図４】図４は、副成分として加えるＴｉ、Ｖ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓ
ｅおよびＴｅの量に対する０〜５０℃における抵抗温度
係数および室温（２０℃）におけるゲージ率を示す。

【図５】図５は、副成分として加えるＲｕ、Ｒｈ、Ｒ
ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、ＰｔおよびＰｄの量に対する０〜５０
℃における抵抗温度係数および室温（２０℃）における
ゲージ率を示す。

【図６】図６は、副成分として加えるＡｇ、Ａｕ、Ｙ、
ＬａおよびＣｅの量に対する０〜５０℃における抵抗温
度係数および室温（２０℃）におけるゲージ率を示す。

【図７】図７は、副成分として加えるＰｂ、Ｓｎ、Ａ
ｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｗ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｃｕおよ
びＺｎの量に対する０〜５０℃における抵抗温度係数お
よび室温（２０℃）におけるゲージ率を示す。

【図８】図８は、試料番号１３（組成：Ｃｒ−１．０％
Ｖ）の合金薄膜に真空中２時間の熱処理を施した場合の
加熱温度と抵抗温度係数、比抵抗およびゲージ率との関
係を示す。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】原子％にて、Ｃｒ（残部）を主成分と
し、副成分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅのそれぞれ
５％以下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％以下、Ｆ
ｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、Ｔｌのそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元素それぞ
れ１５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、
Ｍｎ、Ａｌのそれぞれ２０％以下のうち１元素または２
元素以上の合計０．０１〜５０％と少量の不純物からな
り、ゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度計数が（−３．
５〜３．５）×１０^−４／℃以内であることを特徴とす
るストレインゲージ用Ｃｒ基合金薄膜。
【請求項２】導電性基板上に絶縁体膜を形成した上
に、または絶縁性基板上に、原子％にて、Ｃｒ（残部）
を主成分とし、副成分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅ
のそれぞれ５％以下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％
以下、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌのそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元
素のそれぞれ１５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ、Ｍｎ、Ａｌのそれぞれ２０％以下のうち１元
素または２元素以上の合計０．０１〜５０％と少量の不
純物からなる薄膜を、蒸着またはスパッタリング等で成
膜することにより、ゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度
係数が（−３．５〜３．５）×１０^−４／℃以内とする
ことを特徴とするストレインゲージ用Ｃｒ基合金薄膜の
製造法。
【請求項３】導電性基板上に絶縁体膜を形成した上
に、または絶縁性基板上に、原子％にて、Ｃｒ（残部）
を主成分とし、副成分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅ
のそれぞれ５％以下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％
以下、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌのそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元
素のそれぞれ１５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ、Ｍｎ、Ａｌのそれぞれ２０％以下のうち１元
素または２元素以上の合計０．０１〜５０％と少量の不
純物からなる薄膜を、蒸着またはスパッタリング等によ
り成膜し、さらに非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空
中の１００℃以上１２００℃以下の温度で加熱後冷却す
ることにより、ゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度係数
が（−３．５〜３．５）×１０^−４／℃以内とすること
を特徴とするストレインゲージ用Ｃｒ基合金薄膜の製造
法。
【請求項４】導電性基板上に絶縁体膜を形成した上
に、または絶縁性基板上に、原子％にて、Ｃｒ（残部）
を主成分とし、副成分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅ
のそれぞれ５％以下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％
以下、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌのそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元
素のそれぞれ１５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ、Ｍｎ、Ａｌのそれぞれ２０％以下のうち１元
素または２元素以上の合計０．０１〜５０％と少量の不
純物からなり、ゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度係数
が（−３．５〜３．５）×１０^−４／℃以内であるＣｒ
基合金薄膜からなることを特徴とするストレインゲー
ジ。
【請求項５】導電性基板上に絶縁体膜を形成した上
に、または絶縁性基板上に、原子％にて、Ｃｒ（残部）
を主成分とし、副成分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅ
のそれぞれ５％以下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％
以下、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌのそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元
素それぞれ１５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ、Ｍｎ、Ａｌのそれぞれ２０％以下のうち１元
素または２元素以上の合計０．０１〜５０％と少量の不
純物からなり、ゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度係数
が（−３．５〜３．５）×１０^−４／℃以内であるＣｒ
基合金薄膜の上部または下部に金属電極を形成すること
を特徴とするストレインゲージ。
【請求項６】導電性基板上に絶縁体膜を形成した上
に、または絶縁性基板上に、原子％にて、Ｃｒ（残部）
を主成分とし、副成分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅ
のそれぞれ５％以下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％
以下、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌのそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元
素のそれぞれ１５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ、Ｍｎ、Ａｌのそれぞれ２０％以下のうち１元
素または２元素以上の合計０．０１〜５０％と少量の不
純物からなる薄膜を、蒸着またはスパッタリング等によ
り成膜し、さらに非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空
中の１００℃以上１２００℃以下の温度で加熱後冷却す
ることにより、ゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度係数
が（−３．５〜３．５）×１０^−４／℃以内であるＣｒ
基合金薄膜からなることを特徴とするストレインゲー
ジ。
【請求項７】導電性基板上に絶縁体膜を形成した上
に、または絶縁性基板上に、原子％にて、Ｃｒ（残部）
を主成分とし、副成分としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅ
のそれぞれ５％以下、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂｉのそれぞれ８％
以下、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌのそれぞれ１０％以下、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、希土類元
素のそれぞれ１５％以下、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ、Ｍｎ、Ａｌのそれぞれ２０％以下のうち１元
素または２元素以上の合計０．０１〜５０％と少量の不
純物からなる薄膜を、蒸着またはスパッタリング等によ
り成膜し、さらに非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空
中の１００℃以上１２００℃以下の温度で加熱後冷却す
ることにより、ゲージ率が２以上で、且つ抵抗温度係数
が（−３．５〜３．５）×１０^−４／℃以内であるＣｒ
基合金薄膜の上部もしくは下部に金属電極を形成するこ
とを特徴とするストレインゲージ。