JP2010275590A - ひずみゲージ用のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物、及び、該組成物を用いて製造されるひずみゲージ - Google Patents

Abstract

【課題】Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物を提供し、かつ、ひずみ特性の優れたひずみゲージを製造すること。
【解決手段】Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｒを主成分とし、Ｍｎ、Ｍｏ及びＳｉを副成分としたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金からなるアイソエラスティック組成物において、Ｍｎを１ｗｔ％から３ｗｔ％で添加することによって、アイソエラスティック組成物（合金）を作製する。さらに、その合金を、金属加工、熱処理し、優れたひずみ特性を持つひずみゲージを製造する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ひずみゲージ用のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物、及び、該組成物を、溶解、鍛造、圧延、焼鈍等の諸々の金属加工及び熱処理によって製造する、ひずみゲージに関する。

ひずみゲージは、弾性ひずみによってゲージ細線又は箔の電気抵抗が変化する現象を利用し、その抵抗変化を測定して、ひずみ量や応力を計測する計測器等に用いられてきた。
特に、近年、益々電気機器又は機械装置の小型化、高精密化、高性能化に伴い、これらに適用可能な高感度かつ安定的なセンサー用のひずみゲージの要請が高まっている。

このセンサー用に代表されるひずみゲージ材料には、
１．ゲージ率が大きく、温度依存性が少ないこと、
２．比電気抵抗が大きいこと、
３.抵抗温度係数（Temperature Coefficient Of Resistance；「TCR」と略す。以下「Cf」ともいう）が小さいこと、
４．銅に対する熱起電力が小さいこと、
５．加工性が良好であり、機械的性質が良いこと、
６．低コストであること、
等が望まれている。

特に、上記１の、「ゲージ率が大きいこと」は、重要である。ひずみゲージの、ひずみ感度、すなわち、ひずみ検知特性に大きく影響を与えるためである。
ところで、ゲージ率は、図１に示す静ひずみ測定装置１により以下のように測定される。
まず、一定寸法の帯状のひずみゲージ（箔状試験片）１０を作製する。次に、ひずみゲージ１０を金属抵抗体５に貼り付けて固定する。測定中、ひずみゲージ１０のひずみが金属抵抗体５のひずみと連動し、そのときに、金属抵抗体５のひずみに応じて金属抵抗体５の抵抗値Ｒが変化する。ここで、この抵抗値Ｒとひずみ（変形率）εとの間には以下の関係がある。

上式から分かるように、金属抵抗体５のひずみεと、金属抵抗体５の抵抗値（電気抵抗）の変化率（ΔＲ／Ｒ）を測定することによって、［数１］から、ひずみゲージ１０の比例定数Ｋを求めることができる。この比例定数Ｋは、ゲージ率（Gauge Factor:以下「ＧＦ」と略す）と呼ばれ、以下の関係が知られている。

（ν：金属抵抗体５のポアソン比、ρ：金属抵抗体５の比抵抗）

ここで、現行のひずみゲージ用の合金材料について、ＧＦその他の諸特性を考察すると以下のようになる。
現在、最も多く使用されているひずみゲージ用の合金材料は、Ｃｕ−Ｎｉ系合金（コンスタンタン）やＮｉ−Ｃｒ系合金（カルマ）である。これらの合金は、抵抗温度係数Ｃｆが極めて小さいという特徴がある。

さらに、ひずみゲージ用の合金材料として、純白金、純ニッケル、又は半導体からなるものがある。これらの合金は、ＧＦが高いという特徴がある。
さらに、高いＧＦ（３．５〜３．６）を示すひずみゲージ用の合金材料として、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金であって、弾性率の常温付近での温度変化の少なく、かつ、弾性及び伸張性[アイソエラスティック（Iso-Elastic）]のある物性を示す特徴を持つアイソエラスティック組成物（単に「アイソエラスティック」又は「イソエラスティック」とも称される）がある。特許文献１の「発明の詳細な説明」の欄参照）。

以下の表１は、上に列挙したひずみゲージ用の合金材料のＧＦ、Ｃｆ等の物性値を示したものである。

特開昭６０−５９０４８号公報

表１から分かるように、Ｃｕ−Ｎｉ系合金（コンスタンタン）やＮｉ−Ｃｒ系合金（カルマ）を材料とするひずみゲージは、ＧＦが約２と低く、かつ比電気抵抗ρが小さく、並びに銅に対する熱起電力Ｅｍｆが大きいために、高感度・高安定性の要請に応えられない。
また、純白金製のひずみゲージは、非常に高価であり低コスト化の要請に応えられない。さらに、純ニッケルのひずみゲージは、抵抗温度特性が非常に大きく、そのため、高安定性の要請に応えられない。

さらに、半導体製のひずみゲージは、上記のようにＧＦが高いが、ＧＦの異方性が大きくかつ正及び負の値を持つこと、そして、安定性に欠ける、機械的強度が劣る等の欠点があり、同様にして諸々の要請に応えられない。
このように、Ｃｕ−Ｎｉ系合金（コンスタンタン）やＮｉ−Ｃｒ系合金（カルマ）、純白金、純ニッケル、半導体の各材料を、ひずみゲージに使用するには一定の問題がある。

一方、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系のアイソエラスティック組成物は、抵抗温度特性が比較的大きいが、低コストである上、ＧＦが３．５から３．６と大きいため、ひずみゲージ用材料として適している。
当該材料に関し、抵抗温度係数が比較的大きい点は、１ゲージ法（３線式）や２ゲージ法（ハーフブリッジ）を用いた温度補償回路による測定技術によって解消できる。

以上を鑑みて、本発明者等は、鋭意検討を重ねた結果、低コストかつゲージ率が大きい、ひずみゲージを製造するためには、上記のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物を使用することが好適であるとの結論に至った。そして、当該組成物中のＭｎの添加量（ｗｔ％）を変え、この合金を所定の金属加工及び熱処理を施して製造されるひずみゲージのＧＦをさらに向上できることを鋭意検討した。

本発明は、低コストなＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物を提供すると共に、併せて、同組成物を金属加工及び熱処理を施して製造されるひずみゲージのＧＦを向上することを目的とする。

（１）Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｒを主成分とし、Ｍｎ、Ｍｏ及びＳｉを副成分としたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物において、前記Ｍｎが、１ｗｔ％から３ｗｔ％のいずれかのｗｔ％で添加されることを特徴とするひずみゲージ用のアイソエラスティック組成物。

本項は、ひずみゲージ用のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物であって、さらに、副成分として含有されるＭｎのｗｔ％の好適数値範囲を例示するものである。
本項に例示するように、Ｍｎのｗｔ％は、１ｗｔ％未満であっても、３ｗｔ％より大きくても、当該ひずみゲージのＧＦが従来品のそれよりも劣化する。すなわち、１ｗｔ％から３ｗｔ％の間の、Ｍｎのｗｔ％が、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物を用いて製造されるひずみゲージに含有させるべきＭｎの最適な添加量となる。
このＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物は、低コスト化の要請にも応えることができ、かつ、酸化しにくいため防食性、ひいては耐久性が優れている等の長所も兼ね備えている

前記Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物の該組成は、Ｎｉを３２ｗｔ％から４０ｗｔ％、Ｃｒを６ｗｔ％から９ｗｔ％、Ｍｎを１ｗｔ％から３ｗｔ％、Ｍｏを０．３ｗｔ％から０．７ｗｔ％、Ｓｉを０．４５ｗｔ％から０．５ｗｔ％を好適範囲とし、残部をＦｅとすることが好ましい。以上の各範囲内において、製造時の工程変動を考慮することができ、適宜、当業者によって変更が可能である。

ここで、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物の合金の材料として、例えば、磁気ヘッド材料として知られるダイナロイ（「dynalloy」登録商標）合金を用いることができる。ダイナロイ合金の組成（一例）は、Cr7.4、Mo0.5、Mn0.5、Ni36、Si0.45、Fe残部であり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物と、Ｍｎの含有比率を除き、略等しい。

したがって、市販のダイナロイ合金に、Ｍｎを１ｗｔ％から３ｗｔ％となるように固溶させてインゴットを作製すれば、本発明に係るひずみゲージ用Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物の合金を製造することができる。

（２）ひずみゲージのゲージ率の値が、前記Ｍｎ１．５ｗｔ％近傍において最大となることを特徴とする（１）に記載のひずみゲージ用のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物。

（１）で例示した主成分と副成分及び重量比率（ｗｔ％）をベースに、Ｍｎ（ｗｔ％）をパラメータとした実験を行った結果から、本発明者等は、Ｍｎが１．５ｗｔ％の近傍において、当該ひずみゲージに関しＧＦの最大値を呈することを見出した。なお、製造時の工程変動を考慮すると、１．３ｗｔ％から１．７ｗｔ％の範囲が、当該ＧＦを好適とするためのＭｎ（ｗｔ％）の好適添加範囲と考えられる。

このようにして、本項によれば、（１）に記載の前記ひずみゲージ用のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系のアイソエラスティック組成物を使用すれば、低コストかつＧＦが大きい、ひずみゲージを安定して製造することができる。

（３） （１）又は（２）項に記載の前記ひずみゲージ用のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物より製造されることを特徴とするひずみゲージ。

本項は、（１）又は（２）項に記載の前記ひずみゲージのＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物を用いて製造されるひずみゲージを例示する。当該エラスチック組成物を、後述する所定の金属加工及び熱処理を施すことによって当該ひずみゲージを製造することができる。

本発明は、ひずみゲージ用のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物を提供し、併せて、該組成物を金属加工、熱処理を施すことによって、低コストかつ良好なＧＦを有するひずみゲージを提供することができる。

ひずみゲージのゲージ率を測定するための静ひずみ測定装置１の概略図である。

本発明に係るひずみゲージ用のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物、及び、ひずみゲージを製造するための実施形態を以下説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態によって限定されるものではない。

まず、Ｎｉを３２ｗｔ％から４０ｗｔ％、Ｃｒを６ｗｔ％から９ｗｔ％、Ｍｎを１ｗｔ％から３ｗｔ％、Ｍｏを０．３ｗｔ％から０．７ｗｔ％、Ｓｉを０．４５ｗｔ％から０．５ｗｔ％になるように、かつ、残部がＦｅとなるように各金属材料（出発材料）を準備する。

次に、好適な組成比率となるように準備した金属材料を、高周波溶解炉のチャンバー内（望ましくは真空中）において融点以下まで加熱して含有ガスを十分に排気（脱気）する。その後、好ましくは、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス、水素等の還元性ガス又は真空の雰囲気中において所定の大きさの坩堝内で、例えば、高周波コイルによるジュール熱により溶解（溶融）し溶融金属を得る。

このとき、この溶融合金を坩堝内で熱対流によって、混合・撹拌して組成を均一化する。次に、この溶融金属に鋳込み処理を行って所望のインゴット（合金）を得る。この鋳込まれたインゴットを高周波溶解炉から取り出すときに、表面が酸化するため、インゴットの表面の酸化皮膜（黒皮）を、例えばブラスター粉の吹き付けのような物理的な力によって除去する。そして、この後ブラスター粉を十分除去する。ブラスター粉が不純物となることを防止するためである。

このインゴットを、所望のひずみゲージに好適な形状、寸法に金属加工すべく、鍛造、圧延、熱処理（焼鈍）を含む工程を適宜行う。より具体的には、例えば、以下の様な工程による。
上記インゴットを、大気中で１１００℃から１２００℃付近の温度下、熱間鍛造により厚さを３０ｍｍ程度まで加工し、その後、黒皮除去し、酸化膜を除去する。そして、大気中で１０００℃から１２００℃付近の温度下、熱間圧延によりさらに厚さを４ｍｍ程度になるように加工する。

次に、得られた圧延合金を表面研磨し、さらに、不活性雰囲気中（例えば窒素雰囲気中）で８００℃から９００℃付近の温度下で光輝焼鈍を行い、合金（以下適宜「加工物」という）内のひずみや結晶の不安定さ等を取り除く。
さらに、熱処理された加工物に冷間圧延を施し、厚さを１ｍｍ程度の薄板状に加工する。これを、さらに不活性雰囲気で８００℃から９００℃付近の温度下で約１分程度の時間、焼鈍し、さらに加工物内のひずみや結晶の不安定さ等を取り除く。

この後、加工物に対し、スウ_エージングマシン、線引き加工機又は冷間圧延機等による冷間圧延と８００℃から９００℃の温度下、３０秒程の焼鈍を繰り返し、最後は、冷間圧延で終わるようにして、最終的に、５μｍ程度の厚さのひずみゲージ用の加工物（合金）を得るようにする。なお、金属加工方法は以上のものに限られず、当業者によって、他の金属加工方法を適用することで、極細の線経の細線および極薄のリボン、箔材等を得ることができる。

さらに、本発明に係る実施例を、以下説明する。
以下の表２の工程表及び表３の合金組成に従い、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系のアイソエラスティック組成物によって、ひずみゲージを作製した。

主工程は、合金作製工程、第１圧延焼鈍工程、及び第２圧延焼鈍工程からなる。合金作製工程の熱間鍛造及び第１圧延焼鈍工程の熱間圧延は、加工物の圧下率（加工度）が高く、かつ、大気中で行われるため、特に、鍛造及び熱間圧延により加工物中にひずみが生じ、かつ金属結晶が不安定となっているため、その直後に酸化被膜を大幅に除去する黒皮除去や表面研磨、さらには光輝焼鈍による熱処理を施した。さらに、１ｍｍ程度に薄くなった加工物は、箔状のひずみゲージにするため、窒素中で表面を酸化させないように冷間圧延し、その直後は冷間圧延により加工物中のひずみが生じ、金属結晶が不安定となっているため焼鈍による熱処理を施すようにし、徐々に加工物を薄くしながら加工物を箔状化（０．０５ｍｍから０．１ｍｍ厚）した。

＜測定結果＞
上記の製造条件の下、Ｍｎの添加量（ｗｔ％）を、０．５％（比較例）及び１％から３％まで（実施例１〜５）のＧＦの測定結果を表４にまとめた。

ＧＦの測定は、図１に示す静ひずみ測定装置１を用いた。その際、実施例で得られた０．０５ｍｍから０．１ｍｍ厚の箔状の試料を、幅５ｍｍの帯状にさらに加工した試験片１０を準備し、この試験片１０を静ひずみ測定装置１の金属抵抗体５の所定箇所に試験片１０の長尺方向が鉛直方向に一致するように貼り付け固定した。試験片１０の長尺方向にひずみを加えながら、比抵抗の変化を４点端子法により計測した。そして、［数１］に示したひずみεと比抵抗変化ΔＲ／Ｒとの関係から、ＧＦを算出した。

＜評価＞
表３及び表４から分かるように、実施例１より少ないＭｎの添加量（ｗｔ％）では、ＧＦは従来例とほぼ変わらない数値であった。また、実施例５より大きなＭｎの添加量（ｗｔ％）でも、ＧＦは従来例とほぼ変わらない数値であった。一方、Ｍｎの添加量（ｗｔ％）が１．５ｗｔ％近傍でＧＦが最も高い傾向を示した。そのため、Ｍｎの添加量を１．５ｗｔ％近傍にすれば、ＧＦを向上させて最適化することができることが分かった。よって、製造時若しくは量産時もＭｎの添加量を１．５ｗｔ％を中心にして当該合金を作製すれば、工程変動による組成ずれが多少あったとしても安定してＧＦが良好なひずみゲージ用のアイソエラスティック組成物の合金を作製することができる。

以上より、本発明に係るＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物を、ひずみゲージの材料に使用することによって、十分大きなＧＦを低コストに得ることができ、もって、センサー用に好適な高感度ひずみゲージが提供可能となる。
また、本発明のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物は低コストであるため、当該合金によって製造されるひずみゲージの低コスト化をも可能とする。
さらに、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒを主成分としたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物を用いているため、耐食性が良く、耐環境性が高く、ひいては耐久性のあるひずみゲージを製造することができる。

尚、本発明は、上記した実施の形態、実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。

例えば、本発明に係るひずみゲージ用のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物として用いる当該ひずみゲージ製造工程は、上記の実施形態や実施例に限られるものではなく、当業者によって、適宜、処理工程、処理条件等が変更可能である。

１０：ひずみゲージ

Claims (3)

1. Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｒを主成分、Ｍｎ、Ｍｏ及びＳｉを副成分としたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物において、
   前記Ｍｎが、１ｗｔ％から３ｗｔ％のいずれかのｗｔ％で添加されることを特徴とするひずみゲージ用のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物。
2. ひずみゲージのゲージ率の値が、前記Ｍｎ１．５ｗｔ％近傍において最大となることを特徴とする請求項１に記載のひずみゲージ用のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物。
3. 請求項１又は請求項２に記載の前記ひずみゲージ用のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物より製造されることを特徴とするひずみゲージ。

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