JPH0992764A - リードフレームの製造方法とその方法により作製されたリードフレーム、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法とその方法により作製されたリードフレーム、及び半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】多ピン化、高精細化に対応でき、且つ、ＴＣＰ
と同じようにギャングボンディングにより一括してイン
リード先端部に半導体素子の端子（バンプ）を搭載でき
るリードフレームを提供する。 【解決手段】リードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形
成したい部分に対してのみ、素材の一方の面から薄肉に
するための加工、他方の面から外形作製のための加工を
行い、同時に２段エッチング加工方法を採り入れて、イ
ンナーリードの先端部の厚さをリードフレームの素材の
厚さよりも薄肉にして外形加工をする。ギャングボンデ
ィングにより多数のインナーリードを半導体素子の所定
の電極パッドに接続するための位置決め用スプロケット
孔を設けて、連続的に帯状に複数個形成する。
と同じようにギャングボンディングにより一括してイン
リード先端部に半導体素子の端子（バンプ）を搭載でき
るリードフレームを提供する。 【解決手段】リードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形
成したい部分に対してのみ、素材の一方の面から薄肉に
するための加工、他方の面から外形作製のための加工を
行い、同時に２段エッチング加工方法を採り入れて、イ
ンナーリードの先端部の厚さをリードフレームの素材の
厚さよりも薄肉にして外形加工をする。ギャングボンデ
ィングにより多数のインナーリードを半導体素子の所定
の電極パッドに接続するための位置決め用スプロケット
孔を設けて、連続的に帯状に複数個形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体装置の多端子
化、量産化が可能なリードフレームの製造方法と半導体
装置の製造方法に関するものである。
化、量産化が可能なリードフレームの製造方法と半導体
装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より用いられている樹脂封止型の半
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図８（ａ）に示されるような構造であり、半
導体素子８２０を搭載するダイパッド部８１１や周囲の
回路との電気的接続を行うためのアウターリード部８１
３、アウターリード部８１３に一体となったインナーリ
ード部８１２、該インナーリード部８１２の先端部と半
導体素子８２０の電極パッド８２１とを電気的に接続す
るためのワイヤ８３０、半導体素子８２０を封止して外
界からの応力、汚染から守る樹脂８４０等からなってお
り、半導体素子８２０をリードフレームのダイパッド８
１１部等に搭載した後に、樹脂８４０により封止してパ
ッケージとしたもので、半導体素子８２０の電極パッド
８２１に対応できる数のインナーリード８１２を必要と
するものである。そして、このような樹脂封止型の半導
体装置の組立部材として用いられる（単層）リードフレ
ームは、一般には図８（ｂ）に示すような構造のもの
で、半導体素子を搭載するためのダイパッド８１１と、
ダイパッド８１１の周囲に設けられた半導体素子と結線
するためのインナーリード８１２、該インナーリード８
１２に連続して外部回路との結線を行うためのアウター
リード８１３、樹脂封止する際のダムとなるダムバー８
１４、リードフレーム８１０全体を支持するフレーム
（枠）部８１５等を備えており、通常、コバール、４２
合金（４２％ニッケル−鉄合金）、銅系合金のような導
電性に優れた金属を用い、プレス法もしくはエッチング
法により形成されていた。
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図８（ａ）に示されるような構造であり、半
導体素子８２０を搭載するダイパッド部８１１や周囲の
回路との電気的接続を行うためのアウターリード部８１
３、アウターリード部８１３に一体となったインナーリ
ード部８１２、該インナーリード部８１２の先端部と半
導体素子８２０の電極パッド８２１とを電気的に接続す
るためのワイヤ８３０、半導体素子８２０を封止して外
界からの応力、汚染から守る樹脂８４０等からなってお
り、半導体素子８２０をリードフレームのダイパッド８
１１部等に搭載した後に、樹脂８４０により封止してパ
ッケージとしたもので、半導体素子８２０の電極パッド
８２１に対応できる数のインナーリード８１２を必要と
するものである。そして、このような樹脂封止型の半導
体装置の組立部材として用いられる（単層）リードフレ
ームは、一般には図８（ｂ）に示すような構造のもの
で、半導体素子を搭載するためのダイパッド８１１と、
ダイパッド８１１の周囲に設けられた半導体素子と結線
するためのインナーリード８１２、該インナーリード８
１２に連続して外部回路との結線を行うためのアウター
リード８１３、樹脂封止する際のダムとなるダムバー８
１４、リードフレーム８１０全体を支持するフレーム
（枠）部８１５等を備えており、通常、コバール、４２
合金（４２％ニッケル−鉄合金）、銅系合金のような導
電性に優れた金属を用い、プレス法もしくはエッチング
法により形成されていた。
【０００３】このようなリードフレームを利用した樹脂
封止型の半導体装置（プラスチックリードフレームパッ
ケージ）においても、電子機器の軽薄短小化の時流と半
導体素子の高集積化に伴い、小型薄型化かつ電極端子の
増大化が顕著で、その結果、樹脂封止型半導体装置、特
にＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）及び
ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）等では、リードの多ピン化が著しくなってきた。
上記の半導体装置に用いられるリードフレームは、微細
なものはフオトリソグラフイー技術を用いたエッチング
加工方法により作製され、微細でないものはプレスによ
る加工方法による作製されるのが一般的であったが、こ
のような半導体装置の多ピン化に伴い、リードフレーム
においても、インナーリード部先端の微細化が進み、当
初は、微細なものに対しては、プレスによる打ち抜き加
工によらず、リードフレーム部材の板厚が０．２５ｍｍ
程度のものを用い、エッチング加工で対応してきた。こ
のエッチング加工方法の工程について以下、図７に基づ
いて簡単に述べておく。先ず、銅合金もしくは４２％ニ
ッケル−鉄合金からなる厚さ０．２５ｍｍ程度の薄板
（リードフレーム素材７１０）を十分洗浄（図７
（ａ））した後、重クロム酸カリウムを感光剤とした水
溶性カゼインレジスト等のフオトレジスト７２０を該薄
板の両表面に均一に塗布する。（（図７（ｂ）） 次いで、所定のパターンが形成されたマスクを介して高
圧水銀灯でレジスト部を露光した後、所定の現像液で該
感光性レジストを現像して（図７（ｃ））、レジストパ
ターン７３０を形成し、硬膜処理、洗浄処理等を必要に
応じて行い、塩化第二鉄水溶液を主たる成分とするエッ
チング液にて、スプレイにて該薄板（リードフレーム素
材７１０）に吹き付け所定の寸法形状にエッチングし、
貫通させる。（図７（ｄ）） 次いで、レジスト膜を剥膜処理し（図７（ｅ））、洗浄
後、所望のリードフレームを得て、エッチング加工工程
を終了する。このように、エッチング加工等によって作
製されたリードフレームは、更に、所定のエリアに銀メ
ッキ等が施される。次いで、洗浄、乾燥等の処理を経
て、インナーリード部を固定用の接着剤付きポリイミド
テープにてテーピング処理したり、必要に応じて所定の
量タブ吊りバーを曲げ加工し、ダイパッド部をダウンセ
ットする処理を行う。しかし、エッチング加工方法にお
いては、エッチング液による腐蝕は被加工板の板厚方向
の他に板幅（面）方向にも進むため、その微細化加工に
も限度があるのが一般的で、図７に示すように、リード
フレーム素材の両面からエッチングするため、ラインア
ンドスペース形状の場合、ライン間隔の加工限度幅は、
板厚の５０〜１００％程度と言われている。又、リード
フレームの後工程等のアウターリードの強度を考えた場
合、一般的には、その板厚は約０．１２５ｍｍ以上必要
とされている。この為、図７に示すようなエッチング加
工方法の場合、リードフレームの板厚を０．１５ｍｍ〜
０．１２５ｍｍ程度まで薄くすることにより、ワイヤボ
ンデイングのための必要な平坦幅７０〜８０確保し、
０．１６５ｍｍピッチ程度の微細なインナーリード部先
端のエッチングによる加工を達成してきたが、これが限
度とされていた。
封止型の半導体装置（プラスチックリードフレームパッ
ケージ）においても、電子機器の軽薄短小化の時流と半
導体素子の高集積化に伴い、小型薄型化かつ電極端子の
増大化が顕著で、その結果、樹脂封止型半導体装置、特
にＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）及び
ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）等では、リードの多ピン化が著しくなってきた。
上記の半導体装置に用いられるリードフレームは、微細
なものはフオトリソグラフイー技術を用いたエッチング
加工方法により作製され、微細でないものはプレスによ
る加工方法による作製されるのが一般的であったが、こ
のような半導体装置の多ピン化に伴い、リードフレーム
においても、インナーリード部先端の微細化が進み、当
初は、微細なものに対しては、プレスによる打ち抜き加
工によらず、リードフレーム部材の板厚が０．２５ｍｍ
程度のものを用い、エッチング加工で対応してきた。こ
のエッチング加工方法の工程について以下、図７に基づ
いて簡単に述べておく。先ず、銅合金もしくは４２％ニ
ッケル−鉄合金からなる厚さ０．２５ｍｍ程度の薄板
（リードフレーム素材７１０）を十分洗浄（図７
（ａ））した後、重クロム酸カリウムを感光剤とした水
溶性カゼインレジスト等のフオトレジスト７２０を該薄
板の両表面に均一に塗布する。（（図７（ｂ）） 次いで、所定のパターンが形成されたマスクを介して高
圧水銀灯でレジスト部を露光した後、所定の現像液で該
感光性レジストを現像して（図７（ｃ））、レジストパ
ターン７３０を形成し、硬膜処理、洗浄処理等を必要に
応じて行い、塩化第二鉄水溶液を主たる成分とするエッ
チング液にて、スプレイにて該薄板（リードフレーム素
材７１０）に吹き付け所定の寸法形状にエッチングし、
貫通させる。（図７（ｄ）） 次いで、レジスト膜を剥膜処理し（図７（ｅ））、洗浄
後、所望のリードフレームを得て、エッチング加工工程
を終了する。このように、エッチング加工等によって作
製されたリードフレームは、更に、所定のエリアに銀メ
ッキ等が施される。次いで、洗浄、乾燥等の処理を経
て、インナーリード部を固定用の接着剤付きポリイミド
テープにてテーピング処理したり、必要に応じて所定の
量タブ吊りバーを曲げ加工し、ダイパッド部をダウンセ
ットする処理を行う。しかし、エッチング加工方法にお
いては、エッチング液による腐蝕は被加工板の板厚方向
の他に板幅（面）方向にも進むため、その微細化加工に
も限度があるのが一般的で、図７に示すように、リード
フレーム素材の両面からエッチングするため、ラインア
ンドスペース形状の場合、ライン間隔の加工限度幅は、
板厚の５０〜１００％程度と言われている。又、リード
フレームの後工程等のアウターリードの強度を考えた場
合、一般的には、その板厚は約０．１２５ｍｍ以上必要
とされている。この為、図７に示すようなエッチング加
工方法の場合、リードフレームの板厚を０．１５ｍｍ〜
０．１２５ｍｍ程度まで薄くすることにより、ワイヤボ
ンデイングのための必要な平坦幅７０〜８０確保し、
０．１６５ｍｍピッチ程度の微細なインナーリード部先
端のエッチングによる加工を達成してきたが、これが限
度とされていた。
【０００４】しかしながら、近年、樹脂封止型半導体装
置は、小パッケージでは、電極端子であるインナーリー
ドのピッチが０．１６５ｍｍピッチを経て、既に０．１
５〜０．１３ｍｍピッチまでの狭ピッチ化要求がでてき
た事と、エッチング加工において、リード部材の板厚を
薄した場合には、アセンブリ工程や実装工程といった後
工程におけるアウターリードの強度確保が難しいという
点から、単にリード部材の板厚を薄くしてエッチング加
工を行う方法にも限界が出てきた。
置は、小パッケージでは、電極端子であるインナーリー
ドのピッチが０．１６５ｍｍピッチを経て、既に０．１
５〜０．１３ｍｍピッチまでの狭ピッチ化要求がでてき
た事と、エッチング加工において、リード部材の板厚を
薄した場合には、アセンブリ工程や実装工程といった後
工程におけるアウターリードの強度確保が難しいという
点から、単にリード部材の板厚を薄くしてエッチング加
工を行う方法にも限界が出てきた。
【０００５】このような状況のもと、半導体素子の多端
子化に伴うリードフレームの多ピン化、高精細化に対応
するため、上記のようなリードフレームと半導体素子を
金線ワイヤで電気的に結線する方式に代わり、図９に示
すような、テープキャリア９００を用いた、パッケージ
（ＴＣＰ）が採用されるようになっきた。尚、図９は、
テープキャリアに半導体素子９５０を搭載した図であ
る。ＴＣＰ用のテープキャリアの製造は、通常、図１１
に示すように行われているが、簡単に説明しておく。先
ず、ポリイミドテープ等からなるベースフィルム１１１
０に接着剤１１２０を塗布した（図１１（ａ））後、所
定の形状にパンチングにより貫通孔１１３０を設ける。
図１１（ｂ））。次いで、銅箔１１４０を接着剤１１２
０を介して貼りつけ（図１１（ｃ））、フォトリソクラ
フィー技術により所定の部分のみをレジストで覆った
（図１１（ｄ））後、レジストの開口部から銅箔１１４
０をエッチング加工して、所定形状の銅箔パターン（リ
ードパターン）１１４０Ａにし（図１１（ｅ））、レジ
ストを剥離してテープキャリア１１６０を得る。このよ
うに、エッチング加工して導体回路をベースフィルム上
に形成していたが、この他には、ベースフィルムに直接
薄く銅をスパッタまたはめっきにより成膜したものを用
いる方法も知られている。このようにして作製されたＴ
ＣＰ用のテープキャリアには、図９に示すように、ベー
スフィルム９１０上にスプロケット孔９４０、デバイス
孔９４１を形成している。
子化に伴うリードフレームの多ピン化、高精細化に対応
するため、上記のようなリードフレームと半導体素子を
金線ワイヤで電気的に結線する方式に代わり、図９に示
すような、テープキャリア９００を用いた、パッケージ
（ＴＣＰ）が採用されるようになっきた。尚、図９は、
テープキャリアに半導体素子９５０を搭載した図であ
る。ＴＣＰ用のテープキャリアの製造は、通常、図１１
に示すように行われているが、簡単に説明しておく。先
ず、ポリイミドテープ等からなるベースフィルム１１１
０に接着剤１１２０を塗布した（図１１（ａ））後、所
定の形状にパンチングにより貫通孔１１３０を設ける。
図１１（ｂ））。次いで、銅箔１１４０を接着剤１１２
０を介して貼りつけ（図１１（ｃ））、フォトリソクラ
フィー技術により所定の部分のみをレジストで覆った
（図１１（ｄ））後、レジストの開口部から銅箔１１４
０をエッチング加工して、所定形状の銅箔パターン（リ
ードパターン）１１４０Ａにし（図１１（ｅ））、レジ
ストを剥離してテープキャリア１１６０を得る。このよ
うに、エッチング加工して導体回路をベースフィルム上
に形成していたが、この他には、ベースフィルムに直接
薄く銅をスパッタまたはめっきにより成膜したものを用
いる方法も知られている。このようにして作製されたＴ
ＣＰ用のテープキャリアには、図９に示すように、ベー
スフィルム９１０上にスプロケット孔９４０、デバイス
孔９４１を形成している。
【０００６】ＴＣＰは、このように作製された、図９に
示すテープキャリア９００のスプロケット孔９４０を用
いて位置決めした後、インナーリード９４０と半導体素
子（チップ）９５０の端子（バンプ）９５０Ａを熱圧着
などで接合して、図９に示すように、半導体素子９５０
をテープキャリアに搭載した後、樹脂で封入して作製さ
れる。尚、上記接合方法は通常ギャングボンディングと
言われるもので、一括して行われる。そして、このよう
な、ＴＣＰを製造する方法をＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔ
ｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）と言う。このＴＣＰ
は、従来のリードフレームと半導体素子とを金線等のワ
イヤで１本ずつ接続していく方式に比べてインナーリー
ドの平坦幅がワイヤをボンディングするための広さを必
要とせず、細くできることから、飛躍的に多ピン化が可
能になることの他に、従来１本ずつ接続していたものを
スプロケット孔で位置決めして、熱圧着などにより一括
して半導体素子とインナーリードを接続するため生産効
率が良くなるというメリットがある。
示すテープキャリア９００のスプロケット孔９４０を用
いて位置決めした後、インナーリード９４０と半導体素
子（チップ）９５０の端子（バンプ）９５０Ａを熱圧着
などで接合して、図９に示すように、半導体素子９５０
をテープキャリアに搭載した後、樹脂で封入して作製さ
れる。尚、上記接合方法は通常ギャングボンディングと
言われるもので、一括して行われる。そして、このよう
な、ＴＣＰを製造する方法をＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔ
ｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）と言う。このＴＣＰ
は、従来のリードフレームと半導体素子とを金線等のワ
イヤで１本ずつ接続していく方式に比べてインナーリー
ドの平坦幅がワイヤをボンディングするための広さを必
要とせず、細くできることから、飛躍的に多ピン化が可
能になることの他に、従来１本ずつ接続していたものを
スプロケット孔で位置決めして、熱圧着などにより一括
して半導体素子とインナーリードを接続するため生産効
率が良くなるというメリットがある。
【０００７】しかし、上記のようなＴＣＰにおいては、
その製造方法からも分かるようにアウターリードもイン
ナーリードと同じ薄い銅箔であるためパッケージ全体の
機械的強度が十分でない点と、ベースフィルムとして樹
脂フィルムを使用しているためプリント基板への実装時
に熱により軟化するという点から、他の半導体パッケー
ジと同時にプリント基板へ実装ができず特殊な治具を用
いて個別に実装しなければならないという問題があっ
た。この問題に対応するため、図１０に示すように、金
属製のリードフレームの内側に図９に示すＴＣＰ用のキ
ヤリアテープ９００を接続した後、樹脂封止したパッケ
ージも提案されているが、この場合は、ＴＣＰ用のキヤ
リアテープ９００のリード９４２と金属性のリードフレ
ーム９８０の内側のリード９８４の接続がきわめて難し
いという問題があり、実用に至っていない。また、ＴＣ
Ｐはベースフィルムとして用いるポリイミドが高価であ
るためパッケージ自体のコストは高くなるという問題
や、接着剤を介して銅箔を貼り付けるタイプのものでは
接着剤から不純物が溶出するためパッケージ全体の信頼
製が損なわれるという問題もある。
その製造方法からも分かるようにアウターリードもイン
ナーリードと同じ薄い銅箔であるためパッケージ全体の
機械的強度が十分でない点と、ベースフィルムとして樹
脂フィルムを使用しているためプリント基板への実装時
に熱により軟化するという点から、他の半導体パッケー
ジと同時にプリント基板へ実装ができず特殊な治具を用
いて個別に実装しなければならないという問題があっ
た。この問題に対応するため、図１０に示すように、金
属製のリードフレームの内側に図９に示すＴＣＰ用のキ
ヤリアテープ９００を接続した後、樹脂封止したパッケ
ージも提案されているが、この場合は、ＴＣＰ用のキヤ
リアテープ９００のリード９４２と金属性のリードフレ
ーム９８０の内側のリード９８４の接続がきわめて難し
いという問題があり、実用に至っていない。また、ＴＣ
Ｐはベースフィルムとして用いるポリイミドが高価であ
るためパッケージ自体のコストは高くなるという問題
や、接着剤を介して銅箔を貼り付けるタイプのものでは
接着剤から不純物が溶出するためパッケージ全体の信頼
製が損なわれるという問題もある。
【０００８】この為、上記、ＴＣＰのような問題を伴わ
ず、リードフレームの多ピン化、高精細化に対応できる
ものが求められるようになり、金属リードフレームにお
いて、アウターリードの強度を確保したまま微細化を行
う方法で、インナーリード部分をハーフエッチングもし
くはプレスにより薄くしてエッチング加工を行う方法が
提案されるようになってきた。しかし、プレスにより薄
くしてエッチング加工をおこなう場合には、後工程にお
いての精度が不足する（例えば、めっきエリアの平滑
性）、ボンデイング、モールデイング時のクランプに必
要なインナーリードの平坦性、寸法精度が確保されな
い、製版を２度行なわなければならない等製造工程が複
雑になる、等問題点が多くある。そして、インナーリー
ド部分をハーフエッチングにより薄くしてエッチング加
工を行う方法の場合にも、製版を２度行なわなければな
らず、製造工程が複雑になり、品質的にも問題があり、
いずれも実用化には、未だ至っていないのが現状であ
る。
ず、リードフレームの多ピン化、高精細化に対応できる
ものが求められるようになり、金属リードフレームにお
いて、アウターリードの強度を確保したまま微細化を行
う方法で、インナーリード部分をハーフエッチングもし
くはプレスにより薄くしてエッチング加工を行う方法が
提案されるようになってきた。しかし、プレスにより薄
くしてエッチング加工をおこなう場合には、後工程にお
いての精度が不足する（例えば、めっきエリアの平滑
性）、ボンデイング、モールデイング時のクランプに必
要なインナーリードの平坦性、寸法精度が確保されな
い、製版を２度行なわなければならない等製造工程が複
雑になる、等問題点が多くある。そして、インナーリー
ド部分をハーフエッチングにより薄くしてエッチング加
工を行う方法の場合にも、製版を２度行なわなければな
らず、製造工程が複雑になり、品質的にも問題があり、
いずれも実用化には、未だ至っていないのが現状であ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、半導体装
置の一層の多端子化に対応できるリードフレームが求め
られていた。本発明は、このような状況のもと、インナ
ーリードの先端部をリードフレーム素材の板厚よりも薄
肉に形成した、リードフレームで、品質的にも問題がな
く、多ピン化、高精細化に対応でき、且つ、ＴＣＰと同
じようにギャングボンディングにより一括してインリー
ド先端部に半導体素子の端子（バンプ）を搭載できるリ
ードフレームを提供しようとするものである。同時に、
該リードフレームを用いた半導体装置の製造を方法で、
量産化にも対応できるものを提供しようとするものであ
り、
置の一層の多端子化に対応できるリードフレームが求め
られていた。本発明は、このような状況のもと、インナ
ーリードの先端部をリードフレーム素材の板厚よりも薄
肉に形成した、リードフレームで、品質的にも問題がな
く、多ピン化、高精細化に対応でき、且つ、ＴＣＰと同
じようにギャングボンディングにより一括してインリー
ド先端部に半導体素子の端子（バンプ）を搭載できるリ
ードフレームを提供しようとするものである。同時に、
該リードフレームを用いた半導体装置の製造を方法で、
量産化にも対応できるものを提供しようとするものであ
り、
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
の製造方法は、エッチング加工により少なくともインナ
ーリードの先端部の厚さをリードフレームの素材の厚さ
よりも薄肉にして外形加工される半導体装置用のリード
フレームの製造方法であって、リードフレーム素材の厚
さよりも薄肉に形成したい部分に対してのみ、リードフ
レーム素材の一方の面から薄肉にするための加工、他方
の面から外形作製のための加工を行い、同時に２段エッ
チング加工方法を採り入れて、インナーリードの先端部
の厚さをリードフレームの素材の厚さよりも薄肉にして
外形加工をするものであり、且つ、半導体装置作製の際
に用いる、ギャングボンディングにより多数のインナー
リードを半導体素子の所定の電極パッドに接続するため
の位置決め用スプロケット孔を設けて、連続的に帯状に
複数個形成することを特徴とするものである。そして、
本発明のリードフレームは、上記のリードフレームの製
造方法により外形加工された、スプロケット孔を有し、
連続的に帯状に形成されたことを特徴とするものであ
り、インナーリード部を樹脂製の接着テープにて固定し
たことを特徴とするものである。本発明の半導体装置の
製造方法は、インナーリードの先端部の厚さがリードフ
レーム素材の厚さよりも薄肉に外形加工されたリードフ
レームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法であっ
て、少なくとも、順に、（Ａ）帯板状のリードフレーム
素材の厚さよりも薄肉に形成したい部分に対してのみ、
リードフレーム素材の一方の面から薄肉にするためのエ
ッチング加工を行い、他方の面から外形作製のためのエ
ッチング加工を行い、且つ、２段エッチング加工方法を
採り入れて、インナーリードの先端部の厚さをリードフ
レームの素材の厚さよりも薄肉にして外形加工し、同時
に、半導体装置作製の際にギャングボンディングにより
多数のインナーリードを半導体素子の所定の電極パッド
に接続するための、位置決め用スプロケット孔を設け
て、連続的に帯状にリードフレームを外形加工する工程
と、（Ｂ）外形加工された帯状のリードフレームのイン
ナーリード部を樹脂製の接着テープにて固定するテーピ
ング工程と、（Ｃ）前記インナーリード部が樹脂製の接
着テープにて固定された帯状のリードフレームを、スプ
ロケット孔にて位置決めしながら連続的ないし間欠的に
搬送させながらインナーリード部に半導体素子をギャン
グボンディングにて搭載する工程とを有することを特徴
とするものである。
の製造方法は、エッチング加工により少なくともインナ
ーリードの先端部の厚さをリードフレームの素材の厚さ
よりも薄肉にして外形加工される半導体装置用のリード
フレームの製造方法であって、リードフレーム素材の厚
さよりも薄肉に形成したい部分に対してのみ、リードフ
レーム素材の一方の面から薄肉にするための加工、他方
の面から外形作製のための加工を行い、同時に２段エッ
チング加工方法を採り入れて、インナーリードの先端部
の厚さをリードフレームの素材の厚さよりも薄肉にして
外形加工をするものであり、且つ、半導体装置作製の際
に用いる、ギャングボンディングにより多数のインナー
リードを半導体素子の所定の電極パッドに接続するため
の位置決め用スプロケット孔を設けて、連続的に帯状に
複数個形成することを特徴とするものである。そして、
本発明のリードフレームは、上記のリードフレームの製
造方法により外形加工された、スプロケット孔を有し、
連続的に帯状に形成されたことを特徴とするものであ
り、インナーリード部を樹脂製の接着テープにて固定し
たことを特徴とするものである。本発明の半導体装置の
製造方法は、インナーリードの先端部の厚さがリードフ
レーム素材の厚さよりも薄肉に外形加工されたリードフ
レームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法であっ
て、少なくとも、順に、（Ａ）帯板状のリードフレーム
素材の厚さよりも薄肉に形成したい部分に対してのみ、
リードフレーム素材の一方の面から薄肉にするためのエ
ッチング加工を行い、他方の面から外形作製のためのエ
ッチング加工を行い、且つ、２段エッチング加工方法を
採り入れて、インナーリードの先端部の厚さをリードフ
レームの素材の厚さよりも薄肉にして外形加工し、同時
に、半導体装置作製の際にギャングボンディングにより
多数のインナーリードを半導体素子の所定の電極パッド
に接続するための、位置決め用スプロケット孔を設け
て、連続的に帯状にリードフレームを外形加工する工程
と、（Ｂ）外形加工された帯状のリードフレームのイン
ナーリード部を樹脂製の接着テープにて固定するテーピ
ング工程と、（Ｃ）前記インナーリード部が樹脂製の接
着テープにて固定された帯状のリードフレームを、スプ
ロケット孔にて位置決めしながら連続的ないし間欠的に
搬送させながらインナーリード部に半導体素子をギャン
グボンディングにて搭載する工程とを有することを特徴
とするものである。
【００１１】
【作用】本発明は、このような構成にすることにより、
インナーリードの先端部をリードフレーム素材の板厚よ
りも薄肉に形成したリードフレームで、品質的にも問題
がなく、多ピン化、高精細化に対応でき、且つ、ＴＣＰ
と同じようにギャングボンディングにより一括してイン
リード先端部に半導体素子の端子（バンプ）を搭載でき
るリードフレームの提供、及び該リードフレームを用い
た半導体装置の量産化に対応できる半導体装置の製造方
法の提供を可能としている。本発明のリードフレームの
製造方法においては、エッチングによる外形加工を、リ
ードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形成したい部分に
対してのみ、リードフレーム素材の一方の面から薄肉に
するための加工、他方の面から外形作製のための加工を
行い、且つ、２段エッチング加工方法を採り入れて、イ
ンナーリードの先端部の厚さをリードフレームの素材の
厚さよりも薄肉にして外形加工をすることにより、イン
ナーリードの多ピン化に対応できるものとしている。ま
た、ギャングボンディングにより多数のインナーリード
を半導体素子の所定の電極パッドに接続するための位置
決め用スプロケット孔を設けて、連続的に帯状に形成す
ることにより、半導体装置の量産化に対応できるものと
している。本発明のリードフレームは、上記リードフレ
ームの製造方法によって作製されたもので、後述する実
施例においても詳細に述べるように、リードフレームの
多ピン化、高精細化に対応できるものとしている。ま
た、インナーリード部を樹脂製の接着テープにて固定し
たことにより、ギャングボンディング等の工程において
インナーリードの位置ズレがないものとしている。本発
明の半導体装置の製造方法は、このような構成にするこ
とにより、半導体装置の多端子化に対応でき、同時に量
産化にも対応できるものとしている。特に、ＴＣＰと同
じようにギャングボンディングにより一括してインリー
ド先端部に半導体素子の端子（バンプ）を搭載できるこ
とにより、従来の金属リードフレームにおけるワイヤボ
ンディングに比べ生産性の良いものとしている。
インナーリードの先端部をリードフレーム素材の板厚よ
りも薄肉に形成したリードフレームで、品質的にも問題
がなく、多ピン化、高精細化に対応でき、且つ、ＴＣＰ
と同じようにギャングボンディングにより一括してイン
リード先端部に半導体素子の端子（バンプ）を搭載でき
るリードフレームの提供、及び該リードフレームを用い
た半導体装置の量産化に対応できる半導体装置の製造方
法の提供を可能としている。本発明のリードフレームの
製造方法においては、エッチングによる外形加工を、リ
ードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形成したい部分に
対してのみ、リードフレーム素材の一方の面から薄肉に
するための加工、他方の面から外形作製のための加工を
行い、且つ、２段エッチング加工方法を採り入れて、イ
ンナーリードの先端部の厚さをリードフレームの素材の
厚さよりも薄肉にして外形加工をすることにより、イン
ナーリードの多ピン化に対応できるものとしている。ま
た、ギャングボンディングにより多数のインナーリード
を半導体素子の所定の電極パッドに接続するための位置
決め用スプロケット孔を設けて、連続的に帯状に形成す
ることにより、半導体装置の量産化に対応できるものと
している。本発明のリードフレームは、上記リードフレ
ームの製造方法によって作製されたもので、後述する実
施例においても詳細に述べるように、リードフレームの
多ピン化、高精細化に対応できるものとしている。ま
た、インナーリード部を樹脂製の接着テープにて固定し
たことにより、ギャングボンディング等の工程において
インナーリードの位置ズレがないものとしている。本発
明の半導体装置の製造方法は、このような構成にするこ
とにより、半導体装置の多端子化に対応でき、同時に量
産化にも対応できるものとしている。特に、ＴＣＰと同
じようにギャングボンディングにより一括してインリー
ド先端部に半導体素子の端子（バンプ）を搭載できるこ
とにより、従来の金属リードフレームにおけるワイヤボ
ンディングに比べ生産性の良いものとしている。
【００１２】
【実施例】本発明のリードフレームの製造方法を実施例
を挙げて説明する。図１は実施例の工程を説明するため
の図で、図１（イ）は、工程全体の概略図を、図１
（ロ）は、インナーリード部の形成工程を示した工程図
である。本実施例のリードフレームの製造方法は、図１
（イ）に全体構成を示すように、帯び板状のリードフレ
ーム素材１１０を矢印の方向に移動させながら、洗浄
（図１（イ）（ａ）、レジスト塗布（図１（イ）
（ｂ））、露光（図１（イ）（ｃ））、現像（図１
（（イ）（ｄ））、乾燥（図１（イ）（ｅ））等の処理
を経て、エッチング加工（図１（イ）（ｆ））して、帯
板状のまま、リードフレームを連続的に多数外形加工す
るもので、同時に、半導体装置作製の際、ギャングボン
ディングにて半導体素子をインナーリード部に搭載する
ためのスプロケット孔を設けるものである。そして、エ
ッチング加工工程においては、エッチングによる外形加
工を、リードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形成した
い部分に対してのみ、リードフレーム素材の一方の面か
ら薄肉にするための加工、他方の面から外形作製のため
の加工を行い、且つ、２段エッチング加工方法を採り入
れて、インナーリードの先端部の厚さをリードフレーム
の素材の厚さよりも薄肉にして外形加工をするものであ
る。
を挙げて説明する。図１は実施例の工程を説明するため
の図で、図１（イ）は、工程全体の概略図を、図１
（ロ）は、インナーリード部の形成工程を示した工程図
である。本実施例のリードフレームの製造方法は、図１
（イ）に全体構成を示すように、帯び板状のリードフレ
ーム素材１１０を矢印の方向に移動させながら、洗浄
（図１（イ）（ａ）、レジスト塗布（図１（イ）
（ｂ））、露光（図１（イ）（ｃ））、現像（図１
（（イ）（ｄ））、乾燥（図１（イ）（ｅ））等の処理
を経て、エッチング加工（図１（イ）（ｆ））して、帯
板状のまま、リードフレームを連続的に多数外形加工す
るもので、同時に、半導体装置作製の際、ギャングボン
ディングにて半導体素子をインナーリード部に搭載する
ためのスプロケット孔を設けるものである。そして、エ
ッチング加工工程においては、エッチングによる外形加
工を、リードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形成した
い部分に対してのみ、リードフレーム素材の一方の面か
ら薄肉にするための加工、他方の面から外形作製のため
の加工を行い、且つ、２段エッチング加工方法を採り入
れて、インナーリードの先端部の厚さをリードフレーム
の素材の厚さよりも薄肉にして外形加工をするものであ
る。
【００１３】本実施例のリードフレームの製造方法のエ
ッチング加工工程を、以下、図１（ロ）に基づいて説明
する。図１（ロ）は、インナーリード先端部を含む各工
程断面図であり、ここで作製されるリードフレームを示
す平面図である図３（ロ）（ａ）のＡ１−Ａ２部の断面
部における製造工程図である。図１（ロ）中、１１０は
リードフレーム素材、１２０Ａ、１２０Ｂはレジストパ
ターン、１３０は第一の開口部、１４０は第二の開口
部、１５０は第一の凹部、１６０は第二の凹部、１７０
は平坦状面、１８０はエッチング抵抗層、２３１Ａはイ
ンナーリード先端部、２３１Ａｂはインナーリードの面
を示す。先ず、銅合金からなり、厚さが０．１５ｍｍの
帯び状板からなるリードフレーム素材の両面を洗浄、脱
脂処理等を行った後に、重クロム酸カリウムを感光剤と
したＰＶＡ（ポリビニルアルコール）水溶液の混合液か
らなるレジストを両面に塗布し、レジストを乾燥後、所
定のパターン版を用いてリードフレーム素材の両面のレ
ジストの所定領域をそれぞれ露光し、現像処理を行い、
所定形状の第一の開口部１３０、第二の開口部１４０を
もつレジストパターン１２０Ａ、１２０Ｂを形成した。
（図１（ロ）（ａ）） 第一の開口部１３０は、後のエッチング加工においてリ
ードフレーム素材１１０をこの開口部からベタ状にリー
ドフレーム素材よりも薄肉に腐蝕するためのもので、レ
ジストの第二の開口部１４０は、インナーリード先端部
の形状を形成するためのものである。第一の開口部１３
０は、少なくともリードフレーム１１０のインナーリー
ド先端部形成領域を含むが、後工程において、テーピン
グの工程や、リードフレームを固定するクランプ工程
で、ベタ状に腐蝕され部分的に薄くなった部分との段差
が邪魔になる場合があるので、エッチングを行うエリア
はインナーリード先端の微細加工部分だけにせず大きめ
にとる必要がある。次いで、液温５０°Ｃ、比重４６ボ
ーメの塩化第二鉄溶液を用いて、スプレー圧３．０ｋｇ
／ｃｍ2 にて、レジストパターンが形成されたリードフ
レーム素材１１０の両面をエッチングし、ベタ状（平坦
状）に腐蝕された第一の凹部１５０の深さｈがリードフ
レーム部材の約２／３程度に達した時点でエッチングを
止めた。（図１（ロ）（ｂ）） 第１回目のエッチングにおいてリードフレーム素材１１
０の両面から同時にエッチングする理由は、両面からエ
ッチングすることにより、後述する第２回目のエッチン
グ時間を短縮するためで、レジストパターン１２０Ｂ側
からのみの片面エッチングの場合と比べ、第１回目エッ
チングと第２回目エッチングのトータル時間が短縮され
る。
ッチング加工工程を、以下、図１（ロ）に基づいて説明
する。図１（ロ）は、インナーリード先端部を含む各工
程断面図であり、ここで作製されるリードフレームを示
す平面図である図３（ロ）（ａ）のＡ１−Ａ２部の断面
部における製造工程図である。図１（ロ）中、１１０は
リードフレーム素材、１２０Ａ、１２０Ｂはレジストパ
ターン、１３０は第一の開口部、１４０は第二の開口
部、１５０は第一の凹部、１６０は第二の凹部、１７０
は平坦状面、１８０はエッチング抵抗層、２３１Ａはイ
ンナーリード先端部、２３１Ａｂはインナーリードの面
を示す。先ず、銅合金からなり、厚さが０．１５ｍｍの
帯び状板からなるリードフレーム素材の両面を洗浄、脱
脂処理等を行った後に、重クロム酸カリウムを感光剤と
したＰＶＡ（ポリビニルアルコール）水溶液の混合液か
らなるレジストを両面に塗布し、レジストを乾燥後、所
定のパターン版を用いてリードフレーム素材の両面のレ
ジストの所定領域をそれぞれ露光し、現像処理を行い、
所定形状の第一の開口部１３０、第二の開口部１４０を
もつレジストパターン１２０Ａ、１２０Ｂを形成した。
（図１（ロ）（ａ）） 第一の開口部１３０は、後のエッチング加工においてリ
ードフレーム素材１１０をこの開口部からベタ状にリー
ドフレーム素材よりも薄肉に腐蝕するためのもので、レ
ジストの第二の開口部１４０は、インナーリード先端部
の形状を形成するためのものである。第一の開口部１３
０は、少なくともリードフレーム１１０のインナーリー
ド先端部形成領域を含むが、後工程において、テーピン
グの工程や、リードフレームを固定するクランプ工程
で、ベタ状に腐蝕され部分的に薄くなった部分との段差
が邪魔になる場合があるので、エッチングを行うエリア
はインナーリード先端の微細加工部分だけにせず大きめ
にとる必要がある。次いで、液温５０°Ｃ、比重４６ボ
ーメの塩化第二鉄溶液を用いて、スプレー圧３．０ｋｇ
／ｃｍ2 にて、レジストパターンが形成されたリードフ
レーム素材１１０の両面をエッチングし、ベタ状（平坦
状）に腐蝕された第一の凹部１５０の深さｈがリードフ
レーム部材の約２／３程度に達した時点でエッチングを
止めた。（図１（ロ）（ｂ）） 第１回目のエッチングにおいてリードフレーム素材１１
０の両面から同時にエッチングする理由は、両面からエ
ッチングすることにより、後述する第２回目のエッチン
グ時間を短縮するためで、レジストパターン１２０Ｂ側
からのみの片面エッチングの場合と比べ、第１回目エッ
チングと第２回目エッチングのトータル時間が短縮され
る。
【００１４】次いで、第一の開口部１３０側の腐蝕され
た第一の凹部１５０にエッチング抵抗層１８０としての
耐エッチング性のあるホットメルト型ワックス（ザ・イ
ンクテック社製の酸ワックス、型番ＭＲ−ＷＢ６）を、
ダイコータを用いて、塗布し、ベタ状（平坦状）に腐蝕
された第一の凹部１５０に埋め込んだ。レジストパター
ン１２０Ｂ上も該エッチング抵抗層１８０に塗布された
状態とした。（図１（ロ）（ｃ）） エッチング抵抗層１８０を、レジストパターン１２０Ｂ
上全面に塗布する必要はないが、第一の凹部１５０を含
む一部にのみ塗布することは難しい為に、図１（ロ
（ｄ））に示すように、第一の凹部１５０とともに、第
一の開口部１３０側全面にエッチング抵抗層１８０を塗
布した。本実施例で使用したエッチング抵抗層１８０
は、アルカリ溶解型のワックスであるが、基本的にエッ
チング液に耐性があり、エッチング時にある程度の柔軟
性のあるものが、好ましく、特に、上記ワックスに限定
されず、ＵＶ硬化型のものでも良い。このようにエッチ
ング抵抗層１８０をインナーリード先端部の形状を形成
するためのパターンが形成された面側の腐蝕された第一
の凹部１５０に埋め込むことにより、後工程でのエッチ
ング時に第一の凹部１５０が腐蝕されて大きくならない
ようにしているとともに、高精細なエッチング加工に対
しての機械的な強度補強をしており、スプレー圧を高く
（３．０ｋｇ／ｃｍ2 ）とすることができ、これにより
エッチングが深さ方向に進行し易くなる。この後、第２
回目エッチングを行い、ベタ状（平坦状）に腐蝕された
第一の凹部１５０形成面側からリードフレーム素材１１
０をエッチングし、貫通させ、インナーリード先端部１
９０を形成した。（図１（ロ）（ｄ）） 第１回目のエッチング加工にて作製された、リードフレ
ーム面に平行なエッチング形成面は平坦であるが、この
面を挟む２面はインナーリード側にへこんだ凹状であ
る。次いで、洗浄、エッチング抵抗層１８０の除去、レ
ジスト膜（レジストパターン１２０Ａ、１２０Ｂ）の除
去を行い、インナーリード先端部１９０が微細加工され
た図３（ロ）（ａ）に示すリードフレームを得た。（図
１（ロ）（ｅ）） エッチング抵抗層１８０とレジスト膜（レジストパター
ン１２０Ａ、１２Ｂ０）の除去は水酸化ナトリウム水溶
液により溶解除去した。
た第一の凹部１５０にエッチング抵抗層１８０としての
耐エッチング性のあるホットメルト型ワックス（ザ・イ
ンクテック社製の酸ワックス、型番ＭＲ−ＷＢ６）を、
ダイコータを用いて、塗布し、ベタ状（平坦状）に腐蝕
された第一の凹部１５０に埋め込んだ。レジストパター
ン１２０Ｂ上も該エッチング抵抗層１８０に塗布された
状態とした。（図１（ロ）（ｃ）） エッチング抵抗層１８０を、レジストパターン１２０Ｂ
上全面に塗布する必要はないが、第一の凹部１５０を含
む一部にのみ塗布することは難しい為に、図１（ロ
（ｄ））に示すように、第一の凹部１５０とともに、第
一の開口部１３０側全面にエッチング抵抗層１８０を塗
布した。本実施例で使用したエッチング抵抗層１８０
は、アルカリ溶解型のワックスであるが、基本的にエッ
チング液に耐性があり、エッチング時にある程度の柔軟
性のあるものが、好ましく、特に、上記ワックスに限定
されず、ＵＶ硬化型のものでも良い。このようにエッチ
ング抵抗層１８０をインナーリード先端部の形状を形成
するためのパターンが形成された面側の腐蝕された第一
の凹部１５０に埋め込むことにより、後工程でのエッチ
ング時に第一の凹部１５０が腐蝕されて大きくならない
ようにしているとともに、高精細なエッチング加工に対
しての機械的な強度補強をしており、スプレー圧を高く
（３．０ｋｇ／ｃｍ2 ）とすることができ、これにより
エッチングが深さ方向に進行し易くなる。この後、第２
回目エッチングを行い、ベタ状（平坦状）に腐蝕された
第一の凹部１５０形成面側からリードフレーム素材１１
０をエッチングし、貫通させ、インナーリード先端部１
９０を形成した。（図１（ロ）（ｄ）） 第１回目のエッチング加工にて作製された、リードフレ
ーム面に平行なエッチング形成面は平坦であるが、この
面を挟む２面はインナーリード側にへこんだ凹状であ
る。次いで、洗浄、エッチング抵抗層１８０の除去、レ
ジスト膜（レジストパターン１２０Ａ、１２０Ｂ）の除
去を行い、インナーリード先端部１９０が微細加工され
た図３（ロ）（ａ）に示すリードフレームを得た。（図
１（ロ）（ｅ）） エッチング抵抗層１８０とレジスト膜（レジストパター
ン１２０Ａ、１２Ｂ０）の除去は水酸化ナトリウム水溶
液により溶解除去した。
【００１５】尚、上記図１（ロ）に示すエッチング加工
方法に替え、図２に示す加工方法を用いても良い。図２
に示すエッチング加工方法は、第１回目のエッチング工
程までは、図１（ロ）に示す方法と同じであるが、エッ
チング抵抗層１８０を第二の凹部２６０側に埋め込んだ
後、第一の凹部１５０側から第２回目のエッチングを行
い、貫通させる点で異なっている。但し、第１回目のエ
ッチングにて、第二開口部１４０からのエッチングを充
分に行っておく。
方法に替え、図２に示す加工方法を用いても良い。図２
に示すエッチング加工方法は、第１回目のエッチング工
程までは、図１（ロ）に示す方法と同じであるが、エッ
チング抵抗層１８０を第二の凹部２６０側に埋め込んだ
後、第一の凹部１５０側から第２回目のエッチングを行
い、貫通させる点で異なっている。但し、第１回目のエ
ッチングにて、第二開口部１４０からのエッチングを充
分に行っておく。
【００１６】尚、上記のように、エッチングを２段階に
わけて行うエッチング加工方法を、一般には２段エッチ
ング加工方法といっており、特に、微細加工に有利な加
工方法である。本実施例に用いた図１（ロ）、図２に示
す、リードフレームの製造においては、２段エッチング
加工方法と、パターン形状を工夫することにより部分的
にリードフレーム素材を薄くしながら外形加工する方法
とが伴行して採られている。
わけて行うエッチング加工方法を、一般には２段エッチ
ング加工方法といっており、特に、微細加工に有利な加
工方法である。本実施例に用いた図１（ロ）、図２に示
す、リードフレームの製造においては、２段エッチング
加工方法と、パターン形状を工夫することにより部分的
にリードフレーム素材を薄くしながら外形加工する方法
とが伴行して採られている。
【００１７】上記の方法によるインナーリード先端部１
３１Ａの微細化加工は、第二の凹部１６０の形状と、最
終的に得られるインナーリード先端部の厚さｔに左右さ
れるもので、例えば、板厚ｔを５０μｍまで薄くする
と、図１（ｅ）に示す、平坦幅Ｗ１を１００μｍとし
て、インナーリード先端部ピッチｐが０．１５ｍｍまで
微細加工可能となる。板厚ｔを３０μｍ程度まで薄く
し、平坦幅Ｗ１を７０μｍ程度とすると、インナーリー
ド先端部ピッチｐが０．１２ｍｍ程度まで微細加工がで
きるが、板厚ｔ、平坦幅Ｗ１のとり方次第ではインナー
リード先端部ピッチｐは更に狭いピッチまで作製が可能
となる。
３１Ａの微細化加工は、第二の凹部１６０の形状と、最
終的に得られるインナーリード先端部の厚さｔに左右さ
れるもので、例えば、板厚ｔを５０μｍまで薄くする
と、図１（ｅ）に示す、平坦幅Ｗ１を１００μｍとし
て、インナーリード先端部ピッチｐが０．１５ｍｍまで
微細加工可能となる。板厚ｔを３０μｍ程度まで薄く
し、平坦幅Ｗ１を７０μｍ程度とすると、インナーリー
ド先端部ピッチｐが０．１２ｍｍ程度まで微細加工がで
きるが、板厚ｔ、平坦幅Ｗ１のとり方次第ではインナー
リード先端部ピッチｐは更に狭いピッチまで作製が可能
となる。
【００１８】このようにエッチング加工にて、インナー
リードの長さが短かい場合等、製造工程でインナーリー
ドのヨレが発生しにくい場合には直接図４（イ）（ａ）
に示す形状のリードフレーム得るが、インナーリードの
長さが長くインナーリードにヨレが発生し易い場合、図
４（イ）（ｃ）に示ように、インナーリード先端部から
連結部３３１Ｂを設けてインナーリード先端部同士を繋
げた形状にして形成したものをッチング加工にて得て、
所定の位置に固定用を樹脂性のテープ３９０を貼り付け
ておき、めっき処理等を経た後に、半導体作製には不必
要な連結部３３１Ｂをプレス等により切断除去して図４
（イ）（ａ）に示す形状を得る。
リードの長さが短かい場合等、製造工程でインナーリー
ドのヨレが発生しにくい場合には直接図４（イ）（ａ）
に示す形状のリードフレーム得るが、インナーリードの
長さが長くインナーリードにヨレが発生し易い場合、図
４（イ）（ｃ）に示ように、インナーリード先端部から
連結部３３１Ｂを設けてインナーリード先端部同士を繋
げた形状にして形成したものをッチング加工にて得て、
所定の位置に固定用を樹脂性のテープ３９０を貼り付け
ておき、めっき処理等を経た後に、半導体作製には不必
要な連結部３３１Ｂをプレス等により切断除去して図４
（イ）（ａ）に示す形状を得る。
【００１９】次いで、本発明のリードフレームの実施例
を挙げる。本実施例のリードフレームは、上記リードフ
レームの製造方法によって作製されたもので、概略図を
図３（イ）に示す。図３（ロ）（ａ）はリードフレーム
１個の形状を示した平面図で、図３（ロ）（ｂ）は図３
（ロ）（ａ）のＢ１−Ｂ２における断面図を示してい
る。尚、図３（ロ）においては半導体素子を搭載した状
態を示している。図３（イ）の３００Ａは図３（ロ）点
線部で、スプロケット孔３４０等は省略して図示してあ
る。図４（ロ）は本実施例リードフレームのインナーリ
ードの形状を示したもので、図５はインナーリード先端
薄肉部断面を示したものである。図３中、３００はリー
ドフレーム、３１０はインナーリード、３１１はインナ
ーリード先端薄肉部、３１１Ａａは第一面、３１１Ａｂ
は第二面、３２０はアウターリード、３３０はダムバ
ー、３４０はスプロケット孔、３５０はフレーム部であ
る。図１に示す、インナーリード先端薄肉部３１１の厚
さｔは４０μｍ、インナーリード先端薄肉部３１１以外
の厚さｔ0 は０．１５ｍｍでリードフレーム素材の板厚
のままである。また、インナーリードピッチは０．１２
ｍｍと狭いピッチで、半導体装置の多端子化に対応でき
るものとしている。インナーリード先端薄肉部３１１の
エッチング平坦面３１１Ａｂは平坦状で、エッチング面
３１１Ａｃ、３１１Ａｄはインナーリード側へ凹んだ形
状をしており、第２ワイヤボンディング面を狭くしても
強度的に強いものとしている。図４（イ）（ａ）は、外
形加工直後のもので、インナーリードのヨレ防止用の連
結部を設けている。図４（イ）（ｂ）はインナーリード
固定用のテープ３９０を貼りつけた図で、図４（イ）
（ｃ）はメッキ後に、図４（イ）（ａ）の連結部を除去
したものである。尚、図４（ロ）に示すように、インナ
ーリードの薄肉部と厚肉部の境となる箇所を隣り合イン
ナーリード間で、位置を互いにズラシ、例えば千鳥状に
配置することにより、リードフレームの製造の際に、図
４（ロ）の互いに隣接する断面３１４位置における張り
出し部３１３同志が、接触してしまうトラブルを無くし
ており、より狭いピッチでインナーリード間隔を作製す
ることを可能としている。尚、図５に示すインナーリー
ドピッチｐはインナーリードの先端側になる程狭くなる
ため、各インナーリードの断面３１４の位置をインナー
リード先端から同じ距離とすると、断面３１４における
張り出し部３１３が、特に接触し易すくなるのである。
を挙げる。本実施例のリードフレームは、上記リードフ
レームの製造方法によって作製されたもので、概略図を
図３（イ）に示す。図３（ロ）（ａ）はリードフレーム
１個の形状を示した平面図で、図３（ロ）（ｂ）は図３
（ロ）（ａ）のＢ１−Ｂ２における断面図を示してい
る。尚、図３（ロ）においては半導体素子を搭載した状
態を示している。図３（イ）の３００Ａは図３（ロ）点
線部で、スプロケット孔３４０等は省略して図示してあ
る。図４（ロ）は本実施例リードフレームのインナーリ
ードの形状を示したもので、図５はインナーリード先端
薄肉部断面を示したものである。図３中、３００はリー
ドフレーム、３１０はインナーリード、３１１はインナ
ーリード先端薄肉部、３１１Ａａは第一面、３１１Ａｂ
は第二面、３２０はアウターリード、３３０はダムバ
ー、３４０はスプロケット孔、３５０はフレーム部であ
る。図１に示す、インナーリード先端薄肉部３１１の厚
さｔは４０μｍ、インナーリード先端薄肉部３１１以外
の厚さｔ0 は０．１５ｍｍでリードフレーム素材の板厚
のままである。また、インナーリードピッチは０．１２
ｍｍと狭いピッチで、半導体装置の多端子化に対応でき
るものとしている。インナーリード先端薄肉部３１１の
エッチング平坦面３１１Ａｂは平坦状で、エッチング面
３１１Ａｃ、３１１Ａｄはインナーリード側へ凹んだ形
状をしており、第２ワイヤボンディング面を狭くしても
強度的に強いものとしている。図４（イ）（ａ）は、外
形加工直後のもので、インナーリードのヨレ防止用の連
結部を設けている。図４（イ）（ｂ）はインナーリード
固定用のテープ３９０を貼りつけた図で、図４（イ）
（ｃ）はメッキ後に、図４（イ）（ａ）の連結部を除去
したものである。尚、図４（ロ）に示すように、インナ
ーリードの薄肉部と厚肉部の境となる箇所を隣り合イン
ナーリード間で、位置を互いにズラシ、例えば千鳥状に
配置することにより、リードフレームの製造の際に、図
４（ロ）の互いに隣接する断面３１４位置における張り
出し部３１３同志が、接触してしまうトラブルを無くし
ており、より狭いピッチでインナーリード間隔を作製す
ることを可能としている。尚、図５に示すインナーリー
ドピッチｐはインナーリードの先端側になる程狭くなる
ため、各インナーリードの断面３１４の位置をインナー
リード先端から同じ距離とすると、断面３１４における
張り出し部３１３が、特に接触し易すくなるのである。
【００２０】次に、本発明の半導体装置の製造方法の実
施例を挙げ、図６に基づいて説明する。先ず、上記リー
ドフレームの製造方法により、帯状に連結して作製され
たリードフレームを用意し（図６（ａ））、帯状のリー
ドフレームを電着レジスト液中に通しながら、リードフ
レーム全体に、電着レジストを所定の膜厚に塗膜した
（図６（ｂ））後、所定のパターン版を用い、帯状のリ
ードフレームの表裏をそれぞれ露光して、めっきする領
域以外は電着レジストに覆われた状態にして、この後、
インナーリード先端にめっきを施した。（図６（ｃ）） 尚、めっきとしては、治具めっき方式でインナーリード
をめっきする方法でも良いが、この方法の場合、めっき
の裏漏れが起こり易いため、上記電着レジストを用いた
めっきの方が好ましい。次いで、電着レジストを剥離
し、リードフレームに洗浄処理等を施し、インナーリー
ド３１０に固定用のポリイミド樹脂からなる固定用テー
プ３６０を所定の形状に貼り付けた。（図６（ｄ）） この後、プレス等により連結部１３１Ｂを切断除去した
後、スプロケット孔により位置合わせして、インナーリ
ード先端部と半導体素子の端子（バンプ）とをギャング
ボンディングにて一括して電気的に接続した。（図６
（ｅ）） 次いで、リードフレームに固定用テープをつけた状態の
ままで、半導体素子の端子（バンプ）とインナーリード
を接続した後、樹脂封止した。（図６（ｆ）） 次いで、リードフレーム相互の接続部を分離した後、ア
ウターリードのフォーミング（ガルウイング曲げ処理）
等を行い、個々に半導体装置を作製した。（図６
（ｆ））
施例を挙げ、図６に基づいて説明する。先ず、上記リー
ドフレームの製造方法により、帯状に連結して作製され
たリードフレームを用意し（図６（ａ））、帯状のリー
ドフレームを電着レジスト液中に通しながら、リードフ
レーム全体に、電着レジストを所定の膜厚に塗膜した
（図６（ｂ））後、所定のパターン版を用い、帯状のリ
ードフレームの表裏をそれぞれ露光して、めっきする領
域以外は電着レジストに覆われた状態にして、この後、
インナーリード先端にめっきを施した。（図６（ｃ）） 尚、めっきとしては、治具めっき方式でインナーリード
をめっきする方法でも良いが、この方法の場合、めっき
の裏漏れが起こり易いため、上記電着レジストを用いた
めっきの方が好ましい。次いで、電着レジストを剥離
し、リードフレームに洗浄処理等を施し、インナーリー
ド３１０に固定用のポリイミド樹脂からなる固定用テー
プ３６０を所定の形状に貼り付けた。（図６（ｄ）） この後、プレス等により連結部１３１Ｂを切断除去した
後、スプロケット孔により位置合わせして、インナーリ
ード先端部と半導体素子の端子（バンプ）とをギャング
ボンディングにて一括して電気的に接続した。（図６
（ｅ）） 次いで、リードフレームに固定用テープをつけた状態の
ままで、半導体素子の端子（バンプ）とインナーリード
を接続した後、樹脂封止した。（図６（ｆ）） 次いで、リードフレーム相互の接続部を分離した後、ア
ウターリードのフォーミング（ガルウイング曲げ処理）
等を行い、個々に半導体装置を作製した。（図６
（ｆ））
【００２１】本実施例１の半導体装置に用いられたリー
ドフレームのインナーリード先端３１１の断面形状は、
図５に示すようになっており、エッチング平坦面３１１
Ａｂ側の幅Ｗ１は反対側のリードフレームの素材面３１
１Ａａの幅Ｗ２より若干大きくなっており、Ｗ１、Ｗ２
（約１００μｍ）ともこの部分の板厚さ方向中部の幅Ｗ
よりも大きくなっている。このようにインリーリード先
端部の両面は広くなった断面形状であるため、どちらの
面を用いても半導体素子（図示せず）とインナーリード
先端部３１１とギャングボンデイングがし易すいものと
なっているが、本実施例の場合はエッチング面側３１１
Ａｂをギャングボンデイング面としている。
ドフレームのインナーリード先端３１１の断面形状は、
図５に示すようになっており、エッチング平坦面３１１
Ａｂ側の幅Ｗ１は反対側のリードフレームの素材面３１
１Ａａの幅Ｗ２より若干大きくなっており、Ｗ１、Ｗ２
（約１００μｍ）ともこの部分の板厚さ方向中部の幅Ｗ
よりも大きくなっている。このようにインリーリード先
端部の両面は広くなった断面形状であるため、どちらの
面を用いても半導体素子（図示せず）とインナーリード
先端部３１１とギャングボンデイングがし易すいものと
なっているが、本実施例の場合はエッチング面側３１１
Ａｂをギャングボンデイング面としている。
【００２２】
【発明の効果】本発明は、上記のように、インナーリー
ドの先端部をリードフレーム素材の板厚よりも薄肉に形
成した、リードフレームで、品質的にも問題がなく、多
ピン化、高精細化に対応でき、且つ、ＴＣＰと同じよう
にギャングボンディングにより一括してインリード先端
部に半導体素子の端子（バンプ）を搭載できるリードフ
レームの提供を可能としており、同時に、該リードフレ
ームを用いた半導体装置の製造方法で、量産化にも対応
できる製造方法の提供を可能としている。この結果、多
端子化に対応できるリードフレームを用いた樹脂封止型
半導体装置を、品質を損なうことなく、量産できるもの
としている。
ドの先端部をリードフレーム素材の板厚よりも薄肉に形
成した、リードフレームで、品質的にも問題がなく、多
ピン化、高精細化に対応でき、且つ、ＴＣＰと同じよう
にギャングボンディングにより一括してインリード先端
部に半導体素子の端子（バンプ）を搭載できるリードフ
レームの提供を可能としており、同時に、該リードフレ
ームを用いた半導体装置の製造方法で、量産化にも対応
できる製造方法の提供を可能としている。この結果、多
端子化に対応できるリードフレームを用いた樹脂封止型
半導体装置を、品質を損なうことなく、量産できるもの
としている。
【図１】実施例のリードフレームの製造方法を説明する
ための図
ための図
【図２】別のエッチング加工方法を説明するための工程
図
図
【図３】実施例のリードフレームの概略図
【図４】外形加工後のインナーリード先端部を説明する
ための図
ための図
【図５】実施例のリードフレームのインナーリードの断
面図
面図
【図６】実施例の半導体装置の製造方法の工程概略図
【図７】従来のリードフレームのエッチング製造工程を
説明するための図
説明するための図
【図８】樹脂封止型半導体装置及び単層リードフレーム
の図
の図
【図９】ＴＣＰを説明するための概略図
【図１０】ＴＣＰの製造方法を説明するための図
１１０ リードフレーム素材 １２０Ａ、１２０Ｂ レジストパターン １３０ 第一の開口部 １４０ 第二の開口部 １５０ 第一の凹部 １６０ 第二の凹部 １７０ 平坦状面 ３００ リードフレーム ３１０ インナーリード ３１１ インナーリード先端
薄肉部 ３１１Ａａ リードフレームの素
材面 ３１１Ａｂ エッチング平坦面 ３１１Ａｃ、３１１Ａｄ エッチング面 ３２０ アウターリード ３３０ ダムバー ３４０ スプロケット孔 ３５０ フレーム部 ３９０ 固定用テープ（樹脂
テープ） ７１０ リードフレーム素材 ７２０ フオトレジスト ７３０ レジストパターン ７４０ インナーリード ８１０ リードフレーム ８１１ ダイパッド ８１２ インナーリード ８１２Ａ インナーリード先端
部 ８１３ アウターリード ８１４ ダムバー ８１５ フレーム部（枠部） ８２０ 半導体素子 ８２１ 電極部（パッド） ８３０ ワイヤ ８４０ 封止用樹脂 ９００ テープキヤリア ９１０ ベースフィルム ９２０、９２０Ａ 銅箔（銅） ９３０ 接着剤 ９４０ インナーリード ９４１ アウターリード ９５０ 半導体素子 ９５０Ａ 端子（バンプ） ９６０ スプロケット孔 ９６１ デバイス孔 ９７０ 樹脂 １１１０ ベースフィルム １１２０ 接着剤 １１３０ 貫通孔 １１４０ 銅箔 １１４０Ａ 銅箔パターン（リー
ドパターン） １１５０ レジスト １１５０Ａ レジストパターン １１６０ テープキャリア
薄肉部 ３１１Ａａ リードフレームの素
材面 ３１１Ａｂ エッチング平坦面 ３１１Ａｃ、３１１Ａｄ エッチング面 ３２０ アウターリード ３３０ ダムバー ３４０ スプロケット孔 ３５０ フレーム部 ３９０ 固定用テープ（樹脂
テープ） ７１０ リードフレーム素材 ７２０ フオトレジスト ７３０ レジストパターン ７４０ インナーリード ８１０ リードフレーム ８１１ ダイパッド ８１２ インナーリード ８１２Ａ インナーリード先端
部 ８１３ アウターリード ８１４ ダムバー ８１５ フレーム部（枠部） ８２０ 半導体素子 ８２１ 電極部（パッド） ８３０ ワイヤ ８４０ 封止用樹脂 ９００ テープキヤリア ９１０ ベースフィルム ９２０、９２０Ａ 銅箔（銅） ９３０ 接着剤 ９４０ インナーリード ９４１ アウターリード ９５０ 半導体素子 ９５０Ａ 端子（バンプ） ９６０ スプロケット孔 ９６１ デバイス孔 ９７０ 樹脂 １１１０ ベースフィルム １１２０ 接着剤 １１３０ 貫通孔 １１４０ 銅箔 １１４０Ａ 銅箔パターン（リー
ドパターン） １１５０ レジスト １１５０Ａ レジストパターン １１６０ テープキャリア
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例のリードフレームの製造方法を説明する
ための図
ための図
【図２】別のエッチング加工方法を説明するための工程
図
図
【図３】実施例のリードフレームの概略図
【図４】外形加工後のインナーリード先端部を説明する
ための図
ための図
【図５】実施例のリードフレームのインナーリードの断
面図
面図
【図６】実施例の半導体装置の製造方法の工程概略図
【図７】従来のリードフレームのエッチング製造工程を
説明するための図
説明するための図
【図８】樹脂封止型半導体装置及び単層リードフレーム
の図
の図
【図９】ＴＣＰを説明するための概略図
【図１０】金属製リードフレームとＴＣＰ用のテープキ
ヤリアの組み合わせを説明するための図
ヤリアの組み合わせを説明するための図
【図１１】ＴＣＰの製造方法を説明するための図
【符号の説明】 １１０ リードフレーム素材 １２０Ａ、１２０Ｂ レジストパターン １３０ 第一の開口部 １４０ 第二の開口部 １５０ 第一の凹部 １６０ 第二の凹部 １７０ 平坦状面 ３００ リードフレーム ３１０ インナーリード ３１１ インナーリード先端
薄肉部 ３１１Ａａ リードフレームの素
材面 ３１１Ａｂ エッチング平坦面 ３１１Ａｃ、３１１Ａｄ エッチング面 ３２０ アウターリード ３３０ ダムバー ３４０ スプロケット孔 ３５０ フレーム部 ３９０ 固定用テープ（樹脂
テープ） ７１０ リードフレーム素材 ７２０ フオトレジスト ７３０ レジストパターン ７４０ インナーリード ８１０ リードフレーム ８１１ ダイパッド ８１２ インナーリード ８１２Ａ インナーリード先端
部 ８１３ アウターリード ８１４ ダムバー ８１５ フレーム部（枠部） ８２０ 半導体素子 ８２１ 電極部（パッド） ８３０ ワイヤ ８４０ 封止用樹脂 ９００ テープキヤリア ９１０ ベースフィルム ９２０、９２０Ａ 銅箔（銅） ９３０ 接着剤 ９４０ インナーリード ９４１ アウターリード ９５０ 半導体素子 ９５０Ａ 端子（バンプ） ９６０ スプロケット孔 ９６１ デバイス孔 ９７０ 樹脂 １１１０ ベースフィルム １１２０ 接着剤 １１３０ 貫通孔 １１４０ 銅箔 １１４０Ａ 銅箔パターン（リー
ドパターン） １１５０ レジスト １１５０Ａ レジストパターン １１６０ テープキャリア
薄肉部 ３１１Ａａ リードフレームの素
材面 ３１１Ａｂ エッチング平坦面 ３１１Ａｃ、３１１Ａｄ エッチング面 ３２０ アウターリード ３３０ ダムバー ３４０ スプロケット孔 ３５０ フレーム部 ３９０ 固定用テープ（樹脂
テープ） ７１０ リードフレーム素材 ７２０ フオトレジスト ７３０ レジストパターン ７４０ インナーリード ８１０ リードフレーム ８１１ ダイパッド ８１２ インナーリード ８１２Ａ インナーリード先端
部 ８１３ アウターリード ８１４ ダムバー ８１５ フレーム部（枠部） ８２０ 半導体素子 ８２１ 電極部（パッド） ８３０ ワイヤ ８４０ 封止用樹脂 ９００ テープキヤリア ９１０ ベースフィルム ９２０、９２０Ａ 銅箔（銅） ９３０ 接着剤 ９４０ インナーリード ９４１ アウターリード ９５０ 半導体素子 ９５０Ａ 端子（バンプ） ９６０ スプロケット孔 ９６１ デバイス孔 ９７０ 樹脂 １１１０ ベースフィルム １１２０ 接着剤 １１３０ 貫通孔 １１４０ 銅箔 １１４０Ａ 銅箔パターン（リー
ドパターン） １１５０ レジスト １１５０Ａ レジストパターン １１６０ テープキャリア
Claims (4)
- 【請求項１】 エッチング加工により少なくともインナ
ーリードの先端部の厚さをリードフレームの素材の厚さ
よりも薄肉にして外形加工される半導体装置用のリード
フレームの製造方法であって、リードフレーム素材の厚
さよりも薄肉に形成したい部分に対してのみ、リードフ
レーム素材の一方の面から薄肉にするための加工、他方
の面から外形作製のための加工を行い、同時に２段エッ
チング加工方法を採り入れて、インナーリードの先端部
の厚さをリードフレームの素材の厚さよりも薄肉にして
外形加工をするものであり、且つ、半導体装置作製の際
に用いる、ギャングボンディングにより多数のインナー
リードを半導体素子の所定の電極パッドに接続するため
の位置決め用スプロケット孔を設けて、連続的に帯状に
複数個形成することを特徴とするリードフレームの製造
方法。 - 【請求項２】 請求項１のリードフレームの製造方法に
より外形加工された、スプロケット孔を有し、連続的に
帯状に形成されたことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項３】 請求項２のスプロケット孔を有し、連続
的に帯状に形成されたリードフレームの、インナーリー
ド部を樹脂製の接着テープにて固定したことを特徴とす
るリードフレーム。 - 【請求項４】 インナーリードの先端部の厚さがリード
フレーム素材の厚さよりも薄肉に外形加工されたリード
フレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
って、少なくとも、順に、（Ａ）帯板状のリードフレー
ム素材の厚さよりも薄肉に形成したい部分に対しての
み、リードフレーム素材の一方の面から薄肉にするため
のエッチング加工を行い、他方の面から外形作製のため
のエッチング加工を行い、且つ、２段エッチング加工方
法を採り入れて、インナーリードの先端部の厚さをリー
ドフレームの素材の厚さよりも薄肉にして外形加工し、
同時に、半導体装置作製の際にギャングボンディングに
より多数のインナーリードを半導体素子の所定の電極パ
ッドに接続するための、位置決め用スプロケット孔を設
けて、連続的に帯状にリードフレームを外形加工する工
程と、（Ｂ）外形加工された帯状のリードフレームのイ
ンナーリード部を樹脂製の接着テープにて固定するテー
ピング工程と、（Ｃ）前記インナーリード部が樹脂製の
接着テープにて固定された帯状のリードフレームを、ス
プロケット孔にて位置決めしながら連続的ないし間欠的
に搬送させながらインナーリード部に半導体素子をギャ
ングボンディングにて搭載する工程とを有することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7269011A JPH0992764A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | リードフレームの製造方法とその方法により作製されたリードフレーム、及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7269011A JPH0992764A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | リードフレームの製造方法とその方法により作製されたリードフレーム、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992764A true JPH0992764A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17466433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7269011A Pending JPH0992764A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | リードフレームの製造方法とその方法により作製されたリードフレーム、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992764A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012084583A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリア、半導体装置及び半導体装置用テープキャリアの製造方法 |
-
1995
- 1995-09-25 JP JP7269011A patent/JPH0992764A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012084583A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリア、半導体装置及び半導体装置用テープキャリアの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040330 |