JPH098364A - 熱電変換素子の製造方法 - Google Patents
熱電変換素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH098364A JPH098364A JP7159412A JP15941295A JPH098364A JP H098364 A JPH098364 A JP H098364A JP 7159412 A JP7159412 A JP 7159412A JP 15941295 A JP15941295 A JP 15941295A JP H098364 A JPH098364 A JP H098364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintering
- thermoelectric conversion
- material powder
- conversion element
- lower punches
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 21
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 claims description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- -1 Cemented carbide Chemical compound 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002909 Bi-Te Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017082 Fe-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017133 Fe—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007791 dehumidification Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009708 electric discharge sintering Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
供する。 【構成】 多数並設されたP型半導体層18ならびにN
型半導体層19と、それら半導体層18、19の吸熱側
に配置された吸熱側電極20と、前記半導体層18、1
9の放熱側に配置された放熱側電極21とを備えた熱電
変換素子において、前記半導体層18,19の原料粉末
を、筒状の焼結用治具2とその焼結用治具2の中空部に
挿入された上下パンチ4,5との間に導電性のセパレー
タ17を介して複数層に充填して、加圧するとともに上
下パンチ4,5の間にパルス電圧を印加して前記材料粉
末を放電焼結して前記半導体層18,19を得ることを
特徴とするものである。
Description
法に係り、特に放電プラズマ焼結法や狭義の放電焼結法
などを含む広義の放電焼結法によって得られるP型なら
びにN型半導体層の製造方法に関するものである。
熱を電気として取り出す、所謂、ゼーベック効果を利用
した使い方と、電流を流すことにより素子の両面に温度
差をつけて冷却、除湿、加温などを行う、所謂、ペルチ
ェ効果を利用した使い方とがある。
ギー資源問題を背景として、フロンなどの冷媒を使用し
ない冷却技術として注目され、電子部品の冷却および温
度調節、除湿器、小型冷蔵庫などに利用されている。ま
た、例えば工場や自動車での廃熱回収などの省エネルギ
ー技術としても注目されている。
とN型の半導体層を電極で接合して形成した回路に直流
電流を流すことによって行われ、この通電により一方の
電極側で吸熱が起こり、他方の電極側で放熱が起こる。
i)−テルル(Te)系などBiを主成分とするものが
一般的に使用されており、その製造方法として従来は、
各種の結晶成長法、冷間プレスによる粉末焼結法、ホッ
トプレス法などの熱間加圧焼結法などがある。その他に
厚膜法や薄膜法などもあるが、これらは技術的な面にお
いて未完成であり、現在実用化されている例はほとんど
ない。
成長法は冷間プレス法やホットプレス法に比較して特性
的には良好であるが、製造に長時間を要し、劈開性を有
するため素子の歩留りが悪いなど生産性に問題がある。
結法は、原料粉末を型に入れてプレス成形した後に熱処
理を行う方法で、素子の機械的強度は高いが、素子の特
性は結晶成長法に劣る。しかもプレスを行うには、粉末
にした原料を再度適当なサイズに造粒するか、または微
粉末を除去しなければならず、原料の歩留りが悪い。ま
た、原料中にある酸化物や吸着ガス等は熱電変換素子の
特性を低下させるため、これらを除去するのに余分な工
程が必要であったり、原料の品質管理を厳密に行う必要
がある。
ると同時に加熱して焼結する方法であるが、焼結密度を
高くするには非常に高い圧力と温度が必要で、製造設備
が高価になるとともに、長い焼結時間が必要でランニン
グコストならびに生産性の点で問題がある。また前記冷
間プレス法と同様に、原料の適切な品質管理が必要であ
る。
るため、放電プラズマ焼結法を用いて熱電変換素子を製
造する技術が研究、開発されている。
放電焼結法によって得られる熱電変換素子について更に
改良を加え、生産性の良好な熱電変換素子の製造方法を
提供することを目的とするものである。
め、本発明は、多数並設されたP型半導体層ならびにN
型半導体層と、それら半導体層の吸熱側に配置された吸
熱側電極と、前記半導体層の放熱側に配置された放熱側
電極とを備えた熱電変換素子を対象とするものである。
治具とその焼結用治具の中空部に挿入された上下パンチ
との間にセパレータを介して複数層に充填して、加圧す
るとともに上下パンチの間にパルス電圧を印加して前記
材料粉末を放電焼結して前記半導体層を得ることを特徴
とするものである。
タを介して半導体層(素材薄板)を複数枚同時に製造す
ることができるから、生産性の向上が図れ、その結果安
価な熱電変換素子を製造することができる。
焼結条件がほぼ同じであるから、品質の一定した熱電変
換素子を製造することができる。
ては、例えばビスマス(Bi)−テルル(Te)系、ア
ンチモン(Sb)−テルル(Te)系、鉛(Pb)−テ
ルル(Te)系、鉄シリサイド系など広範囲の半導体材
料が使用可能で、具体的に述べればBi−Te、Bi−
Sb−Te、Bi−Sb−Te−Se、Bi−Sb−T
e−PbI2 、Pb−Te、Pb−Te−Ge、Ge−
Te−Bi、TAGS、Si−Ge、Si−Ge−Ga
−P、Fe−Si2 などの各種合金が適用可能である。
は、(Bi2 Te3 )X (Sb2 Te3 )1-X (X=
0.21〜0.28の範囲の数値)にドーバントとして
SeやTeなどを添加したものを使用している。N型半
導体としては、(Bi2 Te3)Y (Sb2 Te3 )
1-Y (Y=0.75の数値)の二元合金、またはこれに
(Sb2 Se3 )合金を加えた合金系にドーバントとし
てSbI3 などを添加したものを使用している。
インゴットを粉砕したもの、前記材料合金を溶融急冷し
て凝固させたインゴットを粉砕したもの、あるいは最初
から微粉体として作成したものなどいずれも使用でき
る。
結に適した形状、粒度であればよい。但し、粉砕工程で
の酸化が少ない粉体である方が望ましい。
度は一般的には粗大粒子と微粒子を取り除いた、ある範
囲の粉末粒子を使用する。しかし、本発明に係る放電焼
結法は優れた焼結制御性を有しているため、微小粒子の
除去を行わなくても所望のものが製造できることが確認
されている。但し、機械的強度や特性のバラツキに影響
のある粗大粒子の除去は必要である。
結装置の概略構成を示す。水冷真空チヤンバ1内に設置
されている筒状の焼結用治具2に原料粉末3を所定量入
れ、原料粉末3を上部パンチ4と下部パンチ5で挟み、
両方から加圧機構6により所定の圧力を加える。
部電極7と下部パンチ5に接続された下部電極8に焼結
用DC電源9からパルス電流を流し、原料粉末3の粒子
間にプラズマ放電を生起せしめ、粒子間で焼結を行う。
超硬合金、鉄、鋼、セラミック、ガラス、金属−セラミ
ック複合体などが使用される。また前記上下パンチ4、
5としては、例えば黒鉛、超硬合金、鉄、鋼などの導電
体が使用される。本実施例の場合、焼結用治具2ならび
に上下パンチ4、5を全て黒鉛で構成している。
流を制御するため、制御装置10が前記加圧機構6なら
びに電源9に接続されている。また制御装置10には位
置計測機構11、真空中のアルゴンガス濃度を制御する
雰囲気制御機構12、チヤンバ1を水冷するための水冷
却機構13、温度計測装置14などが接続されている。
置(例えば住友石炭鉱業社製 製品名DR.SINTE
R)では、前記上下のパンチ4、5によって加圧(10
0〜5000kg/cm2 )された原料粉末3の粒子間
に、焼結用DC電源9を用いて発生させたON−OFF
直流パルス電圧(周期:300Hz〜302kHz)を
1〜15分間印加する。それによって瞬間的に発生する
放電プラズマの高エネルギーで、粒子間が高速昇温(2
00〜650℃)後、熱拡散による粒子結合部の急冷が
行われる。パルス通電では、このような焼結の進行状態
を観察しながら投入エネルギーを制御することができる
から、優れた焼結制御性、すなわち粒成長の少ない焼結
微細組織の制御が容易である。
圧の印加により、圧縮された原料粉末3内での放電点
(局部的な高温発生点)が順次移動しながら原料粉末3
の全体にわたるから、品質の一定した焼結体を得ること
ができる。
の移動が高速となり、そのため原料粉末3中にある酸化
物や吸着ガスの除去が効果的に行われ、品質の良好な焼
結体を得ることができる。
て低温、短時間で高品質の熱電変換素子が得られる。
加圧されてプラズマ焼結された熱電変換素子の素材薄板
15を示す図である。同図に示すように複数枚(本実施
例では3枚)の素材薄板15を同時に製作する例を示し
ている。この例の場合素材薄板15と素材薄板15の間
にそれと同径のセパレータ17を介在して、所定の圧力
と電圧とによって放電プラズマ焼結が行われる。本発明
者らの実験によれば、この方法で20枚程度の素材薄板
15を同時に製作が可能であることが確認されている。
鉛、超硬合金、鉄、鋼などの導電体が使用される。本実
施例の場合、焼結用治具2、上下パンチ4、5ならびに
セパレータ17を全て黒鉛で構成した。セパレータ17
の厚みは1〜5mmが適当で、1mm未満では十分な機
械的強度が得られず、使用中に割れたりして電流が局部
的に集中し、不均一な焼結となる。一方、スペーサ17
の厚みが5mmを超えると複数枚の素材薄板15が均一
に焼結できなくなり、放電焼結法の特長が発揮できな
い。
3に示すように、電極接続用の半田との接合性を高める
ために例えばニッケルなどのメッキ16を施し、ダイシ
ング(スライス)した後に熱電変換素子として実装す
る。
示す図で、前記素材薄板15からスライスして得られた
P型半導体層18とN型半導体層19とが、吸熱電極2
0と放熱電極21の間に介在されて1つの直列回路を構
成しており、この回路に電源22が接続される。電源2
2からこの回路に直流電流を流すことにより、電極20
側で吸熱が生じ、電極21側で放熱が生じる。
示す図であり、図5はプラズマ焼結装置の要部拡大断面
図、図6はその装置に用いる焼結用治具の平面断面図、
図7はその装置によって得られた素材薄板のスライスの
仕方を示す拡大平面図である。
な素材薄板15を焼結によって形成し、それを縦横無数
にスライスして半導体層として用いたが、本実施例では
比較的面積の狭い素材薄板15が焼結用治具2の同一平
面上において複数枚得られるように、図6に示されてい
るように焼結用治具2には等間隔に複数の貫通した穴2
4が形成されている。一方、上下のパンチ4,5には図
5に示すようにこの穴24に嵌入する押圧突部25がそ
れぞれ複数設けられており、各穴24内においてセパレ
ータ17を介して複数枚の素材薄板15がプラズマ焼結
によって形成される。従ってこの実施例では、平面形状
が四角形の素材薄板15が一度に12枚作製されること
になる。
7に示すように、例えば破線26に沿って十字状にスラ
イスされて所定の大きさの半導体層が得られる。
縦横無数にスライスする方法では、1つの半導体層から
見るとそれの周囲四辺にカット代があることになり、結
局、スライスによって削り落とされる部分が量的に多く
なり、歩留りが良くない。それに比較してこの実施例の
ようにして半導体層を製造すれば、スライスする必要が
なく、そのため材料的にロスがなくなり材料歩留りが良
くなる。
めの図である。この実施例の場合、素材薄板15を製作
するときにその上下両面に反応抑制層27を一体に形成
している。半導体層と電極とが直接接合しているとその
界面部分が化学的に反応して性能の劣化をきたすため、
半導体層の表面に例えばニッケルメッキなどの薄膜を施
す方法(例えば図3参照)が採用されている。本実施例
ではそのメッキによる薄膜の形成工程を省略するため、
前述のように素材薄板15を製作するときに例えばニッ
ケル、鉄などからなる反応抑制層27を一体に形成する
方法を採用している。
めの図である。この実施例の場合、素材薄板15を製作
するときにその上下両面に反応抑制層27を介して電極
28を一体に形成している。
ための図である。この実施例の場合、素材薄板15を製
作するときにその上下両面に直接電極28を一体に形成
している。
面形状は、円形や四角形など何れの形状にもできる。
タを介して半導体層(素材薄板)を複数枚同時に製造す
ることができるから、生産性の向上が図れ、その結果安
価な熱電変換素子を製造することができる。
焼結条件がほぼ同じであるから、品質の一定した熱電変
換素子を製造することができる。
焼結装置の概略構成図である。
ある。
表面をメッキ処理した素材薄板の斜視図である。
を説明するための図である。
置の要部拡大断面図である。
治具の拡大平面断面図である。
スの仕方を説明するための図である。
図である。
図である。
面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 多数並設されたP型半導体層ならびにN
型半導体層と、それら半導体層の吸熱側に配置された吸
熱側電極と、前記半導体層の放熱側に配置された放熱側
電極とを備えた熱電変換素子の製造方法において、 前記半導体層の原料粉末を、焼結用治具とその焼結用治
具の中空部に挿入された上下パンチとの間にセパレータ
を介して複数層に充填して、加圧するとともに上下パン
チの間にパルス電圧を印加して前記材料粉末を放電焼結
して前記半導体層を得ることを特徴とする熱電変換素子
の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1記載において、前記放電焼結が
原料粉末間でプラズマ放電を生起して焼結する放電プラ
ズマ焼結法であることを特徴とする熱電変換素子の製造
方法。 - 【請求項3】 請求項1記載において、前記焼結用治具
に複数の貫通した穴が形成それ、各穴に嵌入する押圧突
部が上下パンチにそれぞれ設けられ、各穴内で前記材料
粉末の放電焼結を行うことを特徴とする熱電変換素子の
製造方法。 - 【請求項4】 請求項1記載において、前記半導体材料
粉末を放電焼結する際に、半導体と電極との化学反応を
抑制する反応抑制層を一体に形成したことを特徴とする
熱電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15941295A JP3510384B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 熱電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15941295A JP3510384B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 熱電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH098364A true JPH098364A (ja) | 1997-01-10 |
JP3510384B2 JP3510384B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=15693192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15941295A Expired - Fee Related JP3510384B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 熱電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3510384B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0874406A2 (en) * | 1997-04-23 | 1998-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A co-sb based thermoelectric material and a method of producing the same |
WO2008111220A1 (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Ibiden Co., Ltd. | 熱電変換装置の製造方法 |
US8035026B2 (en) | 2003-08-26 | 2011-10-11 | Kyocera Corporation | Thermoelectric material, thermoelectric element, thermoelectric module and methods for manufacturing the same |
JP2015015366A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | アイシン精機株式会社 | 熱電変換素子の製造方法 |
JP2015159199A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | 直江津電子工業株式会社 | 熱電変換材料の製造装置及び製造方法 |
US10245640B2 (en) | 2013-03-28 | 2019-04-02 | Genicore Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia | Device and a method for consolidation of powder materials |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63134572A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-07 | ティーディーケイ株式会社 | セラミツク材料の製造方法 |
JPH0555640A (ja) * | 1991-01-11 | 1993-03-05 | Saamobonitsuku:Kk | 熱電変換素子の製造方法及び該製造方法により製造された熱電変換素子 |
JPH06268264A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-22 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ペルチェ素子の製造方法 |
JPH07130583A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Aqueous Res:Kk | 電極の製造方法 |
-
1995
- 1995-06-26 JP JP15941295A patent/JP3510384B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63134572A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-07 | ティーディーケイ株式会社 | セラミツク材料の製造方法 |
JPH0555640A (ja) * | 1991-01-11 | 1993-03-05 | Saamobonitsuku:Kk | 熱電変換素子の製造方法及び該製造方法により製造された熱電変換素子 |
JPH06268264A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-22 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ペルチェ素子の製造方法 |
JPH07130583A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Aqueous Res:Kk | 電極の製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0874406A2 (en) * | 1997-04-23 | 1998-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A co-sb based thermoelectric material and a method of producing the same |
US5929351A (en) * | 1997-04-23 | 1999-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Co-Sb based thermoelectric material and a method of producing the same |
EP0874406A3 (en) * | 1997-04-23 | 2000-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A co-sb based thermoelectric material and a method of producing the same |
CN1084527C (zh) * | 1997-04-23 | 2002-05-08 | 松下电器产业株式会社 | Co-Sb系热电材料 |
US8035026B2 (en) | 2003-08-26 | 2011-10-11 | Kyocera Corporation | Thermoelectric material, thermoelectric element, thermoelectric module and methods for manufacturing the same |
US8519256B2 (en) | 2003-08-26 | 2013-08-27 | Kyocera Corporation | Thermoelectric material, thermoelectric element, thermoelectric module and method for manufacturing the same |
WO2008111220A1 (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Ibiden Co., Ltd. | 熱電変換装置の製造方法 |
US10245640B2 (en) | 2013-03-28 | 2019-04-02 | Genicore Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia | Device and a method for consolidation of powder materials |
JP2015015366A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | アイシン精機株式会社 | 熱電変換素子の製造方法 |
JP2015159199A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | 直江津電子工業株式会社 | 熱電変換材料の製造装置及び製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3510384B2 (ja) | 2004-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3459328B2 (ja) | 熱電半導体およびその製造方法 | |
US9530952B2 (en) | Powder metallurgical production of a thermoelectric component | |
JP2006319210A (ja) | 熱電変換素子の製造方法 | |
JP3245793B2 (ja) | 熱電変換素子の製造方法 | |
JP2012064913A (ja) | 非対称熱電モジュールおよびその製造方法 | |
JP4584035B2 (ja) | 熱電モジュール | |
US7067733B2 (en) | Thermoelectric material having crystal grains well oriented in certain direction and process for producing the same | |
UA116040C2 (uk) | Покращений спосіб одержання термоелектричних елементів за допомогою порошкової металургії | |
JP3510384B2 (ja) | 熱電変換素子の製造方法 | |
KR101801367B1 (ko) | 열전소자의 제조 방법 | |
CN110783448B (zh) | 一种基于飞秒激光技术制造微型热电器件的方法 | |
JP4584034B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP2884068B2 (ja) | 熱電変換素子の製造方法 | |
KR101455713B1 (ko) | 냉간 성형을 이용한 고성능 열전 소재 제조 방법 | |
JP2002076451A (ja) | 熱電変換素子の製造方法及び熱電変換素子 | |
JP2010016132A (ja) | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 | |
JPH11177156A (ja) | 熱電変換材料の加工法と熱電変換素子の製造方法 | |
JP3619872B2 (ja) | 熱電変換材料の製造装置 | |
JP2006253343A (ja) | 電極を一体化した熱電素子及びその作製方法 | |
JPH10209508A (ja) | 熱電変換素子及びその製造方法 | |
KR101950371B1 (ko) | 열전 모듈의 제조방법 | |
JP2004221464A (ja) | 熱電半導体の製造方法、熱電変換素子又は熱電変換装置の製造方法、並びにこれらの実施に用いる装置 | |
JPH10209509A (ja) | 熱電変換装置およびその製造方法 | |
JP4643371B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP2005191431A (ja) | 熱電変換器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031225 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080109 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100109 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110109 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110109 Year of fee payment: 7 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110109 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110109 Year of fee payment: 7 |
|
S321 | Written request for registration of change in pledge agreement |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316321 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110109 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110109 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |