JPH0982879A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0982879A JPH0982879A JP7241164A JP24116495A JPH0982879A JP H0982879 A JPH0982879 A JP H0982879A JP 7241164 A JP7241164 A JP 7241164A JP 24116495 A JP24116495 A JP 24116495A JP H0982879 A JPH0982879 A JP H0982879A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】制御半導体素子と回路部品とを固着する箇所を
端子部の表面と裏面に分けて、高集積化、高信頼性化お
よび高量産性化を図る。 【解決手段】異形状リードフレーム１２ａの冷却体部３
に、トランジスタチップ６を高温はんだで固着し、端子
部４ｂ、４ｃにＩＣチップ７ａやダイオードチップ７ｂ
を高温はんだで固着し、端子部の裏面で、端子部４ｂ、
４ｄ間に抵抗体１０ａとコンデンサ１１ａとが中温はん
だで固着し、端子部４ｃ、４ｅ間に抵抗体１０ｂとコン
デンサ１１ｂとが同様に中温はんだで固着され、冷却体
部３と端子部４ａ〜４ｅの一部が点線で示すようにモー
ルド樹脂１で樹脂封止される。前記の高温はんだは通常
よく使われ、その融点は３５０℃以上であり、中温はん
だの融点は３００℃程度であり、その組成はおおよそ鉛
９０％、錫１０％である。
端子部の表面と裏面に分けて、高集積化、高信頼性化お
よび高量産性化を図る。 【解決手段】異形状リードフレーム１２ａの冷却体部３
に、トランジスタチップ６を高温はんだで固着し、端子
部４ｂ、４ｃにＩＣチップ７ａやダイオードチップ７ｂ
を高温はんだで固着し、端子部の裏面で、端子部４ｂ、
４ｄ間に抵抗体１０ａとコンデンサ１１ａとが中温はん
だで固着し、端子部４ｃ、４ｅ間に抵抗体１０ｂとコン
デンサ１１ｂとが同様に中温はんだで固着され、冷却体
部３と端子部４ａ〜４ｅの一部が点線で示すようにモー
ルド樹脂１で樹脂封止される。前記の高温はんだは通常
よく使われ、その融点は３５０℃以上であり、中温はん
だの融点は３００℃程度であり、その組成はおおよそ鉛
９０％、錫１０％である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体チップや
表面実装型の回路部品を搭載した樹脂封止型半導体装置
に関する。
表面実装型の回路部品を搭載した樹脂封止型半導体装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は特開平６
−２１６３０８号公報や米国特許ＵＳＰ５３９９９０５
号に開示されている。ここでは特開平６−２１６３０８
号公報に開示されている内容を説明する。図２は従来の
樹脂封止型半導体装置の概略平面図を示す。リードフレ
ーム１２の冷却体部３上に出力用半導体素子２１である
半導体チップを固着し、端子部４ｈに制御用半導体素子
２２であるＩＣチップなどを固着し、電流検出用の抵抗
体１０ｃ、１０ｄなどの回路部品を端子部４ｇ、４ｈ間
に並列に固着し、点線で示すようにモールド樹脂１で樹
脂封止する。また冷却体部３と端子部４ｆは一体となっ
ている。
−２１６３０８号公報や米国特許ＵＳＰ５３９９９０５
号に開示されている。ここでは特開平６−２１６３０８
号公報に開示されている内容を説明する。図２は従来の
樹脂封止型半導体装置の概略平面図を示す。リードフレ
ーム１２の冷却体部３上に出力用半導体素子２１である
半導体チップを固着し、端子部４ｈに制御用半導体素子
２２であるＩＣチップなどを固着し、電流検出用の抵抗
体１０ｃ、１０ｄなどの回路部品を端子部４ｇ、４ｈ間
に並列に固着し、点線で示すようにモールド樹脂１で樹
脂封止する。また冷却体部３と端子部４ｆは一体となっ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記の樹脂封止型半導
体装置は半導体チップ、ＩＣチップと回路部品は同一面
側に搭載されているため、配置するＩＣチップや回路部
品などの集積度には限度がある。また半導体チップ、Ｉ
Ｃチップおよび回路部品を固着するときにボンディング
パッド部を汚染して、ワイヤボンディングを困難にする
と共に、ボンディング部の信頼性を低下させていた。ま
たリードフレーム上の同一面側に半導体チップ、ＩＣチ
ップおよび回路部品が固着しているため、ワイヤボンデ
ィング時にワイヤボンダーが回路部品に当たりボンディ
ング効率を低下させていた。
体装置は半導体チップ、ＩＣチップと回路部品は同一面
側に搭載されているため、配置するＩＣチップや回路部
品などの集積度には限度がある。また半導体チップ、Ｉ
Ｃチップおよび回路部品を固着するときにボンディング
パッド部を汚染して、ワイヤボンディングを困難にする
と共に、ボンディング部の信頼性を低下させていた。ま
たリードフレーム上の同一面側に半導体チップ、ＩＣチ
ップおよび回路部品が固着しているため、ワイヤボンデ
ィング時にワイヤボンダーが回路部品に当たりボンディ
ング効率を低下させていた。
【０００４】この発明の目的は、前記の課題を解決し
て、制御半導体素子と回路部品とを固着する箇所を端子
部の表面と裏面に分けることで、高集積度で、高信頼性
で、且つ量産性の高い樹脂封止型半導体装置を提供する
ことにある。
て、制御半導体素子と回路部品とを固着する箇所を端子
部の表面と裏面に分けることで、高集積度で、高信頼性
で、且つ量産性の高い樹脂封止型半導体装置を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、リードフレームに半導体チップおよび回路部品が
固着され、樹脂封止された半導体装置において、リード
フレームの冷却体部に第１半導体チップが固着され、端
子部の主面に第２半導体チップを固着し、端子部の裏面
に回路部品を固着すると効果的である。
めに、リードフレームに半導体チップおよび回路部品が
固着され、樹脂封止された半導体装置において、リード
フレームの冷却体部に第１半導体チップが固着され、端
子部の主面に第２半導体チップを固着し、端子部の裏面
に回路部品を固着すると効果的である。
【０００６】また第１半導体チップと第２半導体チップ
が高温はんだで固着され、回路部品が中温はんだで固着
されるとよい。また前記の第１半導体チップが出力用半
導体素子で、第２半導体チップがＩＣチップとダイオー
ドチップの少なくとも一つを含む制御用半導体素子であ
るとよい。
が高温はんだで固着され、回路部品が中温はんだで固着
されるとよい。また前記の第１半導体チップが出力用半
導体素子で、第２半導体チップがＩＣチップとダイオー
ドチップの少なくとも一つを含む制御用半導体素子であ
るとよい。
【０００７】前記の構成とすることで、ＩＣチップやダ
イオードチップの第２半導体チップを固着する端子部の
表面と反対側の裏面に、抵抗体やコンデンサなどの回路
部品を固着し、集積度を倍増できる。また第１半導体チ
ップと第２半導体チップとが同一面側に配置され、回路
部品が他の面に配置されることで、回路部品をはんだで
固着するときに半導体チップのボンディングパッド部が
汚染することを防止し、また、ワイヤボンディングする
第１半導体チップと第２半導体チップのみ同一面に配置
することで、ボンディング工程が効率化され、製造工程
の安定化と製品の高品質化および高信頼性を確保でき
る。
イオードチップの第２半導体チップを固着する端子部の
表面と反対側の裏面に、抵抗体やコンデンサなどの回路
部品を固着し、集積度を倍増できる。また第１半導体チ
ップと第２半導体チップとが同一面側に配置され、回路
部品が他の面に配置されることで、回路部品をはんだで
固着するときに半導体チップのボンディングパッド部が
汚染することを防止し、また、ワイヤボンディングする
第１半導体チップと第２半導体チップのみ同一面に配置
することで、ボンディング工程が効率化され、製造工程
の安定化と製品の高品質化および高信頼性を確保でき
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施例の要部
構成図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）の裏面図、同図（ｃ）は同図（ａ）の矢印Ａから
見た側面図を示す。同図（ａ）において、リードフレー
ムは通常、出力用半導体素子である半導体チップの容量
が大きいと、半導体チップで発生した熱を冷却するため
に、厚い冷却体部をリードフレームに設け、この冷却体
部の主面に半導体チップを固着する。この厚い冷却体部
３と薄い端子部４ａ〜４ｅとを持つ異形状リードフレー
ム１２ａの冷却体部３に、出力用半導体素子であるトラ
ンジスタチップ６を高温はんだで固着し、端子部４ｂ、
４ｃに制御用半導体素子であるＩＣチップ７ａやダイオ
ードチップ７ｂも高温はんだで固着する。また図示され
ていないこれらのチップのボンディングパッド部と端子
部４ａ、４ｂ、４ｄとはアルミ線８や金線９などの金属
ワイヤでボンディングされる。端子部の裏面で、端子部
４ｂ、４ｄ間に抵抗体１０ａとコンデンサ１１ａとが中
温はんだで固着され、端子部４ａ、４ｃ間にコンデンサ
１１ｂ、端子部４ｃ、４ｅ間に抵抗体１０ｂとが同様に
中温はんだで固着される。これらの回路部品は表面実装
型となっている。冷却体部３には固定孔２が開けられ、
冷却体部３と端子部４ａ〜４ｅの一部が点線で示すよう
にモールド樹脂１で樹脂封止される。また冷却体部３と
端子部４ａとは一体となっている。前記高温はんだは通
常よく使われ、その融点は３５０℃以上である。一方、
中温はんだの融点は３００℃程度であり、その組成はお
およそ鉛９０％、錫１０％である。尚、このトランジス
タの容量が小さい場合は、冷却体部３の厚さと端子部４
ａ〜４ｅの厚さが同一のリードフレームを用いても勿論
よい。
構成図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）の裏面図、同図（ｃ）は同図（ａ）の矢印Ａから
見た側面図を示す。同図（ａ）において、リードフレー
ムは通常、出力用半導体素子である半導体チップの容量
が大きいと、半導体チップで発生した熱を冷却するため
に、厚い冷却体部をリードフレームに設け、この冷却体
部の主面に半導体チップを固着する。この厚い冷却体部
３と薄い端子部４ａ〜４ｅとを持つ異形状リードフレー
ム１２ａの冷却体部３に、出力用半導体素子であるトラ
ンジスタチップ６を高温はんだで固着し、端子部４ｂ、
４ｃに制御用半導体素子であるＩＣチップ７ａやダイオ
ードチップ７ｂも高温はんだで固着する。また図示され
ていないこれらのチップのボンディングパッド部と端子
部４ａ、４ｂ、４ｄとはアルミ線８や金線９などの金属
ワイヤでボンディングされる。端子部の裏面で、端子部
４ｂ、４ｄ間に抵抗体１０ａとコンデンサ１１ａとが中
温はんだで固着され、端子部４ａ、４ｃ間にコンデンサ
１１ｂ、端子部４ｃ、４ｅ間に抵抗体１０ｂとが同様に
中温はんだで固着される。これらの回路部品は表面実装
型となっている。冷却体部３には固定孔２が開けられ、
冷却体部３と端子部４ａ〜４ｅの一部が点線で示すよう
にモールド樹脂１で樹脂封止される。また冷却体部３と
端子部４ａとは一体となっている。前記高温はんだは通
常よく使われ、その融点は３５０℃以上である。一方、
中温はんだの融点は３００℃程度であり、その組成はお
およそ鉛９０％、錫１０％である。尚、このトランジス
タの容量が小さい場合は、冷却体部３の厚さと端子部４
ａ〜４ｅの厚さが同一のリードフレームを用いても勿論
よい。
【０００９】同図（ｂ）において、表面実装型の回路部
品である抵抗体１０ａ、１０ａとコンデンサ１１ａ、１
１ｂが端子部４ｂ、４ｄ間、端子部４ｃ、４ｅ間および
端子部４ａ、４ｃ間に中温はんだで固着される。また、
冷却体部３の表面は露出し露出金属部５となっている。
この露出金属部５に冷却フィン等を取り付け、放熱効率
を向上させる。
品である抵抗体１０ａ、１０ａとコンデンサ１１ａ、１
１ｂが端子部４ｂ、４ｄ間、端子部４ｃ、４ｅ間および
端子部４ａ、４ｃ間に中温はんだで固着される。また、
冷却体部３の表面は露出し露出金属部５となっている。
この露出金属部５に冷却フィン等を取り付け、放熱効率
を向上させる。
【００１０】同図（ｃ）において、冷却体部３の表面に
トランジスタチップ６が固着され、同一面側の端子部４
ｂ、４ｃ（図示されていない）の表面にＩＣチップ７ａ
やダイオードチップ７ｂ（図示されていない）を固着
し、裏面の端子部４ｂ、４ｄ間、端子部４ｃ、４ｅ間お
よび端子部４ａ、４ｃ間に抵抗体１０ａ、１０ｂやコン
デンサ１１ａと図示されていないコンデンサ１１ｂなど
の表面実装型の回路部品を固着する。同図では端子部４
ｄに隠れて、端子部４ｂ、４ａ、４ｃ、４ｅは見えな
い。その後、冷却体部３の露出部である露出金属部５を
除いて点線で示すようにモールド樹脂１で樹脂封止す
る。
トランジスタチップ６が固着され、同一面側の端子部４
ｂ、４ｃ（図示されていない）の表面にＩＣチップ７ａ
やダイオードチップ７ｂ（図示されていない）を固着
し、裏面の端子部４ｂ、４ｄ間、端子部４ｃ、４ｅ間お
よび端子部４ａ、４ｃ間に抵抗体１０ａ、１０ｂやコン
デンサ１１ａと図示されていないコンデンサ１１ｂなど
の表面実装型の回路部品を固着する。同図では端子部４
ｄに隠れて、端子部４ｂ、４ａ、４ｃ、４ｅは見えな
い。その後、冷却体部３の露出部である露出金属部５を
除いて点線で示すようにモールド樹脂１で樹脂封止す
る。
【００１１】端子部の表面にＩＣチップやダイオードチ
ップなどの半導体部品、裏面に抵抗体やコンデンサなど
の回路部品を搭載することで、部品配置の集積度を倍増
できる。また、高温はんだで半導体部品を固着し、その
次に中温はんだで回路部品を固着する工程となるが、回
路部品と半導体部品とが同一面に配置されていないため
に、中温はんだによって、半導体部品のボンディングパ
ッド部の汚れが少なく、ワイヤによるボンディングの密
着性が確保できる。またボンディングされる半導体部品
のみが同一面側に配置され、ボンディング効率がよい。
ップなどの半導体部品、裏面に抵抗体やコンデンサなど
の回路部品を搭載することで、部品配置の集積度を倍増
できる。また、高温はんだで半導体部品を固着し、その
次に中温はんだで回路部品を固着する工程となるが、回
路部品と半導体部品とが同一面に配置されていないため
に、中温はんだによって、半導体部品のボンディングパ
ッド部の汚れが少なく、ワイヤによるボンディングの密
着性が確保できる。またボンディングされる半導体部品
のみが同一面側に配置され、ボンディング効率がよい。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば、異形状リードフレー
ムの端子部の両面に第２半導体チップ（ＩＣチップやダ
イオードチップなど）や表面実装型の回路部品（抵抗体
やコンデンサなど）を配置することで、集積度を向上さ
せる。また冷却体部に配置される第１半導体チップ（ト
ランジスタなど）と同一面側の端子部の表面に第２半導
体チップを配置し、反対側の裏面に回路部品を配置する
ことで、ボンディングパッドの中温はんだによる汚れを
防止でき、ボンディングの密着性を確保できる。またボ
ンディングを必要とする半導体チップのみ同一面側に配
置することで、ボンディング工程の効率化が図れる。こ
れらから、製造工程の安定化と製品の高品質化および高
信頼性を達成できる。
ムの端子部の両面に第２半導体チップ（ＩＣチップやダ
イオードチップなど）や表面実装型の回路部品（抵抗体
やコンデンサなど）を配置することで、集積度を向上さ
せる。また冷却体部に配置される第１半導体チップ（ト
ランジスタなど）と同一面側の端子部の表面に第２半導
体チップを配置し、反対側の裏面に回路部品を配置する
ことで、ボンディングパッドの中温はんだによる汚れを
防止でき、ボンディングの密着性を確保できる。またボ
ンディングを必要とする半導体チップのみ同一面側に配
置することで、ボンディング工程の効率化が図れる。こ
れらから、製造工程の安定化と製品の高品質化および高
信頼性を達成できる。
【図１】この発明の一実施例の要部構成図で、（ａ）は
正面図、（ｂ）は（ａ）の裏面図、（ｃ）は（ａ）の矢
印Ａから見た側面図
正面図、（ｂ）は（ａ）の裏面図、（ｃ）は（ａ）の矢
印Ａから見た側面図
【図２】従来の樹脂封止型半導体装置の概略平面図
１ モールド樹脂 ２ 固定孔 ３ 冷却体部 ４ａ 端子部 ４ｂ 端子部 ４ｃ 端子部 ４ｄ 端子部 ４ｅ 端子部 ４ｆ 端子部 ４ｇ 端子部 ４ｈ 端子部 ４ｉ 端子部 ５ 露出金属部 ６ トランジスタチップ ７ａ ＩＣチップ ７ｂ ダイオードチップ ８ アルミ線 ９ 金線 １０ａ 抵抗体 １０ｂ 抵抗体 １０ｃ 抵抗体 １０ｄ 抵抗体 １１ａ コンデンサ １１ｂ コンデンサ １２ リードフレーム １２ａ 異形状リードフレーム ２１ 出力用半導体素子 ２２ 制御用半導体素子 ２３ 金属ワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】リードフレームに半導体チップおよび回路
部品が固着され、樹脂封止された半導体装置において、
リードフレームの冷却体部に第１半導体チップが固着さ
れ、端子部の主面に第２半導体チップが固着され、端子
部の裏面に回路部品が固着されることを特徴とする請求
項１記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】第１半導体チップと第２半導体チップとが
高温はんだで固着され、回路部品が中温はんだで固着さ
れることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体
装置。 - 【請求項３】第１半導体チップが出力用半導体素子で、
第２半導体チップがＩＣチップとダイオードチップの少
なくとも一つを含む制御用半導体素子であることを特徴
とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7241164A JPH0982879A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7241164A JPH0982879A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982879A true JPH0982879A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17070213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7241164A Pending JPH0982879A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0982879A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8487419B2 (en) | 2011-01-12 | 2013-07-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor apparatus, the semiconductor apparatus, and ignitor using the semiconductor apparatus |
| EP4369394A1 (en) * | 2022-11-10 | 2024-05-15 | Infineon Technologies Austria AG | Power semiconductor package and method for fabricating the same |
-
1995
- 1995-09-20 JP JP7241164A patent/JPH0982879A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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