JPH03196558A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
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- JPH03196558A JPH03196558A JP33744589A JP33744589A JPH03196558A JP H03196558 A JPH03196558 A JP H03196558A JP 33744589 A JP33744589 A JP 33744589A JP 33744589 A JP33744589 A JP 33744589A JP H03196558 A JPH03196558 A JP H03196558A
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- Japan
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路装置に関し、特にプリント板等への実
装性に優れた大規模集積回路装置に関する。
装性に優れた大規模集積回路装置に関する。
従来、この種の集積回路装置は例えばトランスファモー
ルドされたプラスチック・クワッド・フラット・パッケ
ージ（ＱＦＰ）で実現されるものであり、その外形は第
３図に示す平面図を有し、また同図のＡ−Ａ’線部の断
面は第４図に示す構造を有するものである。即ち、銅、
二、ケル等で形成されるリードフレーム１上にプリント
板２を接着し、そのプリント板上に複数個の半導体集積
回路３を搭載し、金等の細線４により半導体集積回路上
の電極とリードフレーム又はプリント板上の電極とを接
続し、しかる後にプリント板及び半導体集積回路部を完
全に被覆する形状にシリコーン樹脂５等で封止するもの
である。
ルドされたプラスチック・クワッド・フラット・パッケ
ージ（ＱＦＰ）で実現されるものであり、その外形は第
３図に示す平面図を有し、また同図のＡ−Ａ’線部の断
面は第４図に示す構造を有するものである。即ち、銅、
二、ケル等で形成されるリードフレーム１上にプリント
板２を接着し、そのプリント板上に複数個の半導体集積
回路３を搭載し、金等の細線４により半導体集積回路上
の電極とリードフレーム又はプリント板上の電極とを接
続し、しかる後にプリント板及び半導体集積回路部を完
全に被覆する形状にシリコーン樹脂５等で封止するもの
である。
上述した従来の集積回路装置は、搭載部品が半導体集積
回路以外の部品、例えば発振用水晶。
回路以外の部品、例えば発振用水晶。
チップコンデンサ、インダクタ、高電力ＩＣ等をも包合
する場合には、その搭載領域の制限によって、これら全
ての部品を単一のパッケージ内に搭載することができな
いという欠点があった。またリードフレームを延長させ
て、そのリードフレーム上に前記搭載できない部品を搭
載させる場合にハ、リードフレームの形状が複雑になり
あるいはリードフレームの強度が不足するために、搭載
部品が制約を受けるものであった。
する場合には、その搭載領域の制限によって、これら全
ての部品を単一のパッケージ内に搭載することができな
いという欠点があった。またリードフレームを延長させ
て、そのリードフレーム上に前記搭載できない部品を搭
載させる場合にハ、リードフレームの形状が複雑になり
あるいはリードフレームの強度が不足するために、搭載
部品が制約を受けるものであった。
上述した従来の集積回路装置に対し、本発明はプリント
板を搭載するリードフレームが、封止樹脂であるシリコ
ーン樹脂等の領域から延長されて外部にまで形成されて
おり、その露出されたリードフレーム上にも部品が搭載
されているという相違点を有する。しかも、リードフレ
ームの強度を高め、あるいは複雑なリードフレームを容
易に形成するためにリードフレームをプリント板に接着
するという相違点を有する。
板を搭載するリードフレームが、封止樹脂であるシリコ
ーン樹脂等の領域から延長されて外部にまで形成されて
おり、その露出されたリードフレーム上にも部品が搭載
されているという相違点を有する。しかも、リードフレ
ームの強度を高め、あるいは複雑なリードフレームを容
易に形成するためにリードフレームをプリント板に接着
するという相違点を有する。
本発明の集積回路装置は、リードフレーム上に接着され
るプリント板２と、該プリント板上から延長して形成さ
れ而も能動部品、受動部品等の電子デバイスが搭載され
得るリードフレーム１と、前記プリント板上に搭載され
る半導体集積回路。
るプリント板２と、該プリント板上から延長して形成さ
れ而も能動部品、受動部品等の電子デバイスが搭載され
得るリードフレーム１と、前記プリント板上に搭載され
る半導体集積回路。
チップコンデンサ等と、前記プリント板部を少なくとも
被覆する封止樹脂とを具備し、リードフレームとプリン
ト板との接着はエポキシ接着剤。
被覆する封止樹脂とを具備し、リードフレームとプリン
ト板との接着はエポキシ接着剤。
合金形成、半田付法等を用いるものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の模式的平面図を示した図で
ある。ｌはリードフレーム、２はリードフレーム上にエ
ポキシ樹脂で接着されたプリント板、３は半導体集積回
路、４は半導体集積回路上の電極とプリント板上の電極
とを電気的に接続するための例えば直径２５ミクロンの
金線、５は半導体集積回路を搭載したプリント板領域を
封止するためのシリコーン樹脂、７は封止樹脂から露出
されている延長リードフレーム６上の個別部品、例えば
高電力用トランジスタである。
ある。ｌはリードフレーム、２はリードフレーム上にエ
ポキシ樹脂で接着されたプリント板、３は半導体集積回
路、４は半導体集積回路上の電極とプリント板上の電極
とを電気的に接続するための例えば直径２５ミクロンの
金線、５は半導体集積回路を搭載したプリント板領域を
封止するためのシリコーン樹脂、７は封止樹脂から露出
されている延長リードフレーム６上の個別部品、例えば
高電力用トランジスタである。
第２図は本発明の他の実施例を示す側面図である。封止
樹脂から露出しているリードフレーム６上の水晶発振子
８は、リードフレームと共に上方に折り曲げられており
、本発明の集積回路装置は実装面積が小さくなっている
。しかも本リードフレームは封止樹脂内部のプリント板
と半田付法により接着しているために、折り曲げに対す
る強度が高くなっている。従ってこの実施例では実装密
度を高めて集積回路装置の機能を高めることができる。
樹脂から露出しているリードフレーム６上の水晶発振子
８は、リードフレームと共に上方に折り曲げられており
、本発明の集積回路装置は実装面積が小さくなっている
。しかも本リードフレームは封止樹脂内部のプリント板
と半田付法により接着しているために、折り曲げに対す
る強度が高くなっている。従ってこの実施例では実装密
度を高めて集積回路装置の機能を高めることができる。
以上説明したように本発明は、封止樹脂で封止される領
域外へもリードフレームを延長し、封止樹脂で封止され
る領域内のプリント板上には、耐環境性に劣る半導体集
積回路を複数個搭載してその実装効率を高めると共にそ
の信頼度を高め、封止樹脂の領域外へは発熱量の大きな
トランジスタ、集積回路、あるいは外形寸法の大きな発
振用水晶、チップコンデンサ、チップ抵抗器、インダグ
タ等の部品を搭載して総合的に放熱性を高め、あるいは
高機能な集積回路装置を提供するものである。しかも本
発明の封止樹脂は半導体集積回路装置の外形寸法と同一
にすることができるものであり、従って自動実装等の技
術によって容易に本発明の集積回路装置を他のプリント
板上へ搭載することができる。
域外へもリードフレームを延長し、封止樹脂で封止され
る領域内のプリント板上には、耐環境性に劣る半導体集
積回路を複数個搭載してその実装効率を高めると共にそ
の信頼度を高め、封止樹脂の領域外へは発熱量の大きな
トランジスタ、集積回路、あるいは外形寸法の大きな発
振用水晶、チップコンデンサ、チップ抵抗器、インダグ
タ等の部品を搭載して総合的に放熱性を高め、あるいは
高機能な集積回路装置を提供するものである。しかも本
発明の封止樹脂は半導体集積回路装置の外形寸法と同一
にすることができるものであり、従って自動実装等の技
術によって容易に本発明の集積回路装置を他のプリント
板上へ搭載することができる。
本発明が上記した効果を呈する以上、本発明に用いる材
料や製法、形状等は限定さｈるべきものではなく、例え
ばＱＦＰパッケージの外形寸法。
料や製法、形状等は限定さｈるべきものではなく、例え
ばＱＦＰパッケージの外形寸法。
外部端子数、あるいは外部端子が導出される方向等は特
に限定されるべきものではない。従ってパッケージとし
てはＱＦＰに限らず、デュアルインラインパッケージ（
ＤＩＰ）、シングルインラインパッケージ（Ｓ Ｉ Ｐ
）等をも用いることができる。また当然ながら個別部品
を搭載すべきリードフレームの導出方向や数量も特に限
定されない。
に限定されるべきものではない。従ってパッケージとし
てはＱＦＰに限らず、デュアルインラインパッケージ（
ＤＩＰ）、シングルインラインパッケージ（Ｓ Ｉ Ｐ
）等をも用いることができる。また当然ながら個別部品
を搭載すべきリードフレームの導出方向や数量も特に限
定されない。
また前記プリント板のリードフレーム上への固定方法あ
るいは搭載部品のプリント板、リードフレーム上への固
定方法も、接着剤、半田付性等任意の方法を用いること
ができるものであることは論を待たない、従って搭載部
品の種類も何ら指定すべきものではないことは当然であ
る。
るいは搭載部品のプリント板、リードフレーム上への固
定方法も、接着剤、半田付性等任意の方法を用いること
ができるものであることは論を待たない、従って搭載部
品の種類も何ら指定すべきものではないことは当然であ
る。
第１図は本発明の一実施例の集積回路装置を示す平面図
、第２図は本発明の他の実施例を示す側面図、第３図は
従来の集積回路装置を示す平面図、第４図は第３図のＡ
−Ａ’線部の断面図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・プリン
ト板、３・・・・・・半導体集積回路、４・・・・・・
金細線、５・・・・・・シリコーン樹脂、６・・・・・
・延長リードフレーム、７・・・・・・高電力トランジ
スタ、８・・・・・・水晶発振子。
、第２図は本発明の他の実施例を示す側面図、第３図は
従来の集積回路装置を示す平面図、第４図は第３図のＡ
−Ａ’線部の断面図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・プリン
ト板、３・・・・・・半導体集積回路、４・・・・・・
金細線、５・・・・・・シリコーン樹脂、６・・・・・
・延長リードフレーム、７・・・・・・高電力トランジ
スタ、８・・・・・・水晶発振子。
Claims (1)
- リードフレームと、該リードフレーム上に搭載されるプ
リント板と、プリント板上に搭載される複数の部品と、
封止樹脂とを具備する集積回路装置において、前記リー
ドフレームが封止樹脂の領域から外部へ延長した領域へ
も形成されており、該延長リードフレーム上に前記部品
のうちの少なくとも１つが搭載されていることを特徴と
する集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33744589A JP2737332B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33744589A JP2737332B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03196558A true JPH03196558A (ja) | 1991-08-28 |
| JP2737332B2 JP2737332B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=18308701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33744589A Expired - Lifetime JP2737332B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737332B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0654866A2 (en) * | 1993-11-23 | 1995-05-24 | Motorola, Inc. | Package for mating with a semiconductor die and method of manufacture |
| JP2009141137A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Denso Corp | 電子装置及び車輪速度センサ |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP33744589A patent/JP2737332B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0654866A2 (en) * | 1993-11-23 | 1995-05-24 | Motorola, Inc. | Package for mating with a semiconductor die and method of manufacture |
| EP0654866A3 (en) * | 1993-11-23 | 1997-08-20 | Motorola Inc | Carrier for connecting a semiconductor cube and manufacturing method. |
| JP2009141137A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Denso Corp | 電子装置及び車輪速度センサ |
| JP4553003B2 (ja) * | 2007-12-06 | 2010-09-29 | 株式会社デンソー | 電子装置及び車輪速度センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2737332B2 (ja) | 1998-04-08 |
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