JPH097964A - 半導体製造装置の温度検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェーハ温度検出の応答性，ウェーハ膜厚分
布の均一性及びメンテナンスの作業性を向上する。 【構成】 台上，下部１Ａ，１Ｂに２分割可能なウェー
ハ載せ台１内で、ウェーハ３の直下に温度センサ２を設
ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハを加熱処理す
る半導体製造装置の温度検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図４は従来装置の１例を示す構成説明用
正面図である。この種の従来装置は、石英製の反応管４
内のウェーハ載せ台１上に、ウェーハ３をゲートバルブ
５を通して搬入して載置し、ウェーハ３の加熱温度を温
度センサ２により検出し、この検出温度によりヒータ７
を温度制御してウェーハ３を加熱処理するものである。
従来技術は、ヒータ７と反応管４との間に温度センサ２
を配置していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のように従来例に
あっては、被温度検出体であるウェーハ３の設置位置と
は離れ過ぎた位置に温度センサ２が設けられているの
で、温度検出の応答性が遅く、ウェーハ膜厚分布の均一
性が劣るばかりでなく、メンテナンス時にヒータ７を上
下動させてメンテナンスを行うため、温度センサ２を破
損するおそれがあり、メンテナンスの作業性が悪いとい
う課題がある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明装置は、上記の課
題を解決するため、図１に示すようにウェーハ載せ台１
に温度センサ２を一体に設けることを特徴とする。

【０００５】

【作 用】このようにウェーハ載せ台１に温度センサ２
を一体に設けることによりウェーハ３の温度をより正確
に検出できて温度検出の応答性が向上することになり、
ウェーハ膜厚分布の均一性が向上することができること
になると共に、ヒータ７を上下動させてメンテナンスを
行う場合、温度センサ２の破損を招くなどのおそれがな
いため、メンテナンスの作業性が向上することになる。

【０００６】

【実施例】図１は本発明装置の１実施例を示す構成説明
用正断面図、図２は同じくその構成説明用横断平面図で
ある。本実施例は、石英製又はＳｉＣ製の反応管４内の
石英又はＳｉＣ製のウェーハ載せ台１に温度センサ２を
一体に設ける。ウェーハ載せ台１は図３に示すようにセ
ンサ取付部８を有する台上，下部１Ａ，１Ｂを分割可能
に接合してなる。センサ取付部８に複数、例えば５個の
温度検出点ａ〜ｅを有する温度センサ２を取付け、しか
る後、台上，下部１Ａ，１Ｂを、ピン１０と穴９の嵌合
で接合し、更に固定ピン１１で固定してもよい。又、こ
れらの固定手段を用いず、台下部１Ｂ上に台上部１Ａを
載せておくだけでもよい。なお、６はウェーハ載せ台１
の筒部分である。

【０００７】このような構成であるから、台上，下部１
Ａ，１Ｂに２分割可能なウェーハ載せ台１内で、ウェー
ハ３の直下に温度センサ２を設けることができ、ウェー
ハ３の温度をより正確に検出できて温度検出の応答性
（温度特性）が向上することになり、ウェーハ膜厚分布
の均一性が向上することができることになると共に、ヒ
ータ７を上下動させてメンテナンスを行う場合、温度セ
ンサ２の破損を招くなどのおそれがないため、メンテナ
ンスの作業性が向上することになる。

【０００８】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、ウェーハ
温度検出の応答性，ウェーハ膜厚分布の均一性及びメン
テナンスの作業性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明装置の１実施例を示す構成説明用正断面
図である。

【図２】同じくその構成説明用横断平面図である。

【図３】本発明におけるウェーハ載せ台の部分分解図で
ある。

【図４】従来装置の１例を示す構成説明用正面図であ
る。

【符号の説明】

１ ウェーハ載せ台 １Ａ 台上部 １Ｂ 台下部 ２ 温度センサ ３ ウェーハ ４ 反応管 ５ ゲートバルブ ６ 筒部分 ７ ヒータ ８ センサ取付部 ９ 穴 １０ ピン １１ 固定ピン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウェーハ載せ台に温度センサを一体に設
   けることを特徴とする半導体製造装置の温度検出装置。