JPH0973609A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板１上に絶縁層２を介してヘッド素子が形
成され、該ヘッド素子は保護層16によって覆われ、ヘッ
ド素子から引き出された複数条のターミナル層14は、絶
縁層２と保護層16の間を伸びて、その先端部の上面に
は、外部回路と接続するためのバンプ層15が形成され、
該バンプ層15は保護層16を垂直に貫通して、保護層16の
表面に露出している磁気ヘッドに於いて、欠陥のない保
護層16を得る。 【解決手段】 バンプ層15は、保護層16と接する外周面
が、ターミナル層14の近傍まで裾広がりに拡大するスカ
ート面Ｒと、該スカート面Ｒの絶縁層の端縁からバンプ
層15の中心部へ向かって凹んだ周溝面Ｔとから構成され
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、誘導型ヘッド素子
又は磁気抵抗効果型(ＭＲ)ヘッド素子を具えた薄膜磁気
ヘッド、或いはこれら２つのタイプのヘッド素子を一体
に具えた複合型の薄膜磁気ヘッドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ハードディスクドライブ装置等
に装備されている浮動式の複合型薄膜磁気ヘッドは、図
１に示す如く、ヘッドスライダーとなる基板(１)の側面
に、信号記録用の誘導型ヘッド素子Ｈ１と、信号再生用
の磁気抵抗効果型ヘッド素子Ｈ２とを形成しており、更
に該側面には、両ヘッド素子を外部回路と接続するため
の４つのバンプ層(15)(15)(15)(15)が形成されている。
各ヘッド素子は、夫々２本のターミナル層(14)(14)を経
て、一対のバンプ層(15)(15)へ接続されている。又、両
ヘッド素子やターミナル層(14)は保護層(16)によって覆
われている。

【０００３】上記の如き複合型薄膜磁気ヘッドは、基板
(１)上に、薄膜堆積法及びフォトリソグラフィ技術を用
いて、磁気抵抗効果型ヘッド素子Ｈ２及び誘導型ヘッド
素子Ｈ１を順次形成した後、４本のターミナル層(14)を
所定パターンに形成し、更に各ターミナル層(14)の先端
部に重ねてバンプ層(15)を形成し、その後、保護層(16)
を形成する。

【０００４】図６(ａ)乃至(ｆ)は、複合型薄膜磁気ヘッ
ドの従来の製造工程において、ターミナル層(14)の形成
後、バンプ層(26)及び保護層(28)を形成するまでの具体
的な工程を示している。図６(ａ)の如く、基板(１)上に
は絶縁層(２)が形成されており、該絶縁層(２)の表面
に、ターミナル層(14)が所定パターンに形成されてい
る。先ず、ターミナル層(14)のバンプ層形成領域を覆っ
て、後工程のメッキ処理のためのシード層(21)を形成す
る。

【０００５】次に図６(ｂ)の如く、シード層(21)の表面
に、後工程のメッキ処理のためのフレームとなるレジス
ト層(25)を３０μｍ〜５０μｍの厚さに形成する。該レ
ジスト層(25)は、バンプ層形成領域が開口して、シード
層(21)を露出させており、該開口部を包囲する内周壁
は、シード層(21)側に縮小するテーパ面となっている。
その後、図６(ｃ)の如く、該レジスト層(25)の開口部に
銅メッキを施し、３０μｍ〜４０μｍの厚さを有するバ
ンプ層(26)を形成する。

【０００６】次に、図６(ｄ)の如く、レジスト(25)を有
機溶剤によって除去し、更にレジスト(25)下方のシード
層(21)をイオンビームエッチングによって除去した後、
同図(ｅ)の如くバンプ層(26)を覆って、Ａｌ₂Ｏ₃等から
なる保護層(28)をスパッタリングによって形成する。更
に同図(ｆ)の如く保護層(28)の表面に研磨加工を施し
て、バンプ層(26)を露出させる。その後、該露出面に金
メッキを施して、ワイヤボンディングのためのパッド層
(図示省略)を形成するのである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６
(ａ)〜(ｆ)に示す従来の工程では、同図(ｄ)に示す如く
バンプ層(26)の外周面が、ターミナル層(14)側に縮小す
る逆傾斜のテーパ面Ｑとなっているので、同図(ｅ)に示
す保護層形成工程にて、保護層の成長方向が前記テーパ
面Ｑの影響により交錯して、膜成長が不安定となる。こ
の結果、バンプ層(26)には、図示の如くクラックや巣等
の欠陥(27)が発生する虞れがあった。この様な欠陥(27)
が発生すると、次の保護層研磨工程にて、欠陥(27)が更
に拡大して、保護層(28)としての機能が損なわれる問題
があった。

【０００８】本発明の目的は、保護層形成工程にて、保
護層に欠陥が生じる虞れのない薄膜磁気ヘッド及びその
製造方法を提供することである。

【０００９】

【課題を解決する為の手段】本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドは、前提となる構成として、基板(１)上に絶縁層(２)
を介してヘッド素子が形成され、該ヘッド素子は保護層
(16)によって覆われ、信号の記録及び／又は再生のため
にヘッド素子から引き出された複数条のターミナル層(1
4)は、絶縁層(２)と保護層(16)の間を伸びて、その先端
部の上面には、外部回路と接続するためのバンプ層(15)
が形成され、該バンプ層(15)は保護層(16)を垂直に貫通
して、保護層(16)の表面に露出している。本発明に係る
薄膜磁気ヘッドは、その特徴的構成に於いて、バンプ層
(15)の外周面が、前記露出部からターミナル層(14)の近
傍まで裾広がりに拡大するスカート面Ｒを具えている。

【００１０】該薄膜磁気ヘッドの製造工程においては、
バンプ層(15)を覆って保護層(16)を形成する際、保護層
が堆積すべきバンプ層(15)の外周面は、従来の如き逆傾
斜のテーパ面ではなく、順傾斜のスカート面Ｒであるた
め、保護層(16)の成長方向が交錯することはなく、この
結果、欠陥のない保護層(16)が形成される。

【００１１】具体的には、バンプ層(15)の外周面には、
前記スカート面Ｒのターミナル層(14)側の端縁からバン
プ層(15)の中心部へ向かって凹んだ周溝面Ｔが形成され
ている。該周溝面Ｔは、後述する製造工程を経て形成さ
れるものであるが、該周溝面によって形成される周溝
は、絶縁層厚さ方向の幅が例えば１０μｍ以下と極めて
小さいものであるので、保護層(16)の成長に悪影響を与
えることはない。

【００１２】又、バンプ層(15)の周溝面Ｔによって形成
される周溝を、バンプ層(15)の中心へ向かう半径方向の
深さＣに対する絶縁層厚さ方向の幅Ｂの比Ｂ／Ｃが１以
下となる大きさ、或いは、バンプ層(15)の厚さＡに対す
る絶縁層厚さ方向の幅Ｂの比Ｂ／Ａが０.５以下となる
大きさに形成すれば、該周溝は無視し得る存在となっ
て、保護層(16)の成長に悪影響を及ぼすことはない。

【００１３】但し、後述する具体的な製造工程の如く、
バンプ層(15)の周溝面Ｔによって形成される周溝内に、
感光性樹脂の焼成物を充填すれば、該周溝の大小に拘わ
らず、その後の保護層(16)の形成に問題はない。

【００１４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、その前提となる構成として、基板(１)上に絶縁層
(２)を介してヘッド素子及び複数条のターミナル層(14)
を形成する工程と、該ターミナル層(14)の上面にバンプ
層(15)を形成する工程と、ヘッド素子及びバンプ層(15)
を覆って保護層(16)を形成する工程と、バンプ層(15)を
保護層(16)の表面に露出させる工程とを具えている。本
発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、その特徴的構
成に於いて、バンプ層形成工程が、ターミナル層(14)の
表面に、バンプ層形成領域が開口すると共に厚さがバン
プ層(15)よりも薄い樹脂層を形成する第１工程と、前記
樹脂層の開口領域にメッキを施して、該開口領域を覆う
と共に樹脂層の開口縁部に被さるバンプ層(15)を形成す
る第２工程と、前記樹脂層を除去する第３工程とを具え
ている。

【００１５】該製造方法に於いては、バンプ層形成工程
の第１工程で形成された樹脂層が、バンプ層形成領域に
て開口しており、該開口領域に対してメッキを施すこと
により、メッキ層は該開口領域を覆うと共に、該開口領
域よりも外側の開口縁部の上面にオーバラップして、全
体が山状に盛り上がったバンプ層(15)が形成される。こ
の結果、バンプ層(15)の外周面には、ターミナル層側へ
裾広がりに拡大するスカート面Ｒが形成されることにな
る。その後、ヘッド素子及びバンプ層(15)を覆って保護
層(16)を形成する過程では、バンプ層(15)の外周面は、
従来の如き逆傾斜のテーパ面ではなく、順傾斜のスカー
ト面Ｒであるため、保護層(16)の成長方向が交錯するこ
とはなく、安定した膜成長が行なわれ、この結果、欠陥
のない保護層(16)が得られる。

【００１６】尚、バンプ層形成工程の第３工程にて樹脂
層を除去することによって、バンプ層(15)の外周面に
は、前記スカート面Ｒのターミナル層(14)側の端縁から
バンプ層(15)の中心部へ向かって凹んだ周溝面Ｔが形成
されることになるが、該周溝面Ｔによって形成される周
溝は、絶縁層(２)の厚さ方向の幅が例えば１０μｍ以下
と極めて小さいものであるので、保護層(16)の成長に悪
影響を与えることはない。

【００１７】特に、具体的構成に於いては、バンプ層形
成工程の後、バンプ層(15)の外周面に凹設された周溝内
には感光性樹脂が充填され、該周溝内及びその近傍に感
光性樹脂の焼成物が形成される。従って、その後、保護
層(16)を形成する際に、バンプ層(15)の周溝が問題にな
ることはない。

【００１８】他の具体的構成に於いては、バンプ層形成
工程の後、前記感光性樹脂層の形成工程は省略して、保
護層形成工程を実施する。これによって、バンプ層の周
溝面Ｔによって形成される周溝には、保護層となる資材
が侵入して、周溝内に該資材が堆積することになる。

【００１９】ここで、バンプ層形成工程の第１工程にて
形成される樹脂層の厚さＢは、第２工程においてバンプ
層が樹脂層の開口縁部に被さる際のオーバラップ量Ｃに
対し、比率Ｂ／Ｃが１以下となる大きさ、或いは、第２
工程にて形成されるバンプ層の厚さＡに対し、比率Ｂ／
Ａが０.５以下となる大きさに形成される。この場合、
保護層が堆積すべきバンプ層の外周面としては、前記周
溝面によって形成される周溝は無視し得る存在となり、
順傾斜のスカート面Ｒが支配的となるので、保護層(16)
の成長方向が交錯することはなく、安定した膜成長が行
なわれ、この結果、欠陥のない保護層(16)が得られる。

【００２０】

【発明の効果】本発明に係る薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法によれば、保護層形成工程にて、バンプ層の外周
面が裾広がりのスカート面であるので、安定した膜成長
が行なわれる。従って、保護層に欠陥が生じる虞れはな
く、高品質の薄膜磁気ヘッドが得られる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、ハードディスク
ドライブ装置等に装備される浮動式の複合型薄膜磁気ヘ
ッドに実施した形態につき、図面に沿って詳述する。図
１に示す如く複合型薄膜磁気ヘッドは、Ａｌ₂Ｏ₃−Ｔｉ
Ｃからなる基板(１)によって、エアベアリング面Ｓを有
するヘッドスライダーが形成されており、該基板(１)の
側面には、信号記録用の誘導型ヘッド素子Ｈ１と、信号
再生用の磁気抵抗効果型ヘッド素子Ｈ２とを具えてい
る。

【００２２】図３は、２つのヘッド素子Ｈ１及びＨ２を
磁気記録媒体との対向面側から見た構成を表わしてい
る。基板(１)上には、Ａｌ₂Ｏ₃からなる絶縁層(２)、Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金からなる下部シールド層(３)、Ａｌ₂Ｏ₃か
らなる下部絶縁層(４)、Ｎｉ−Ｆｅ合金からなるＭＲ素
子層(５)、Ｃｕからなる電極層(６)(６)、及びＡｌ₂Ｏ₃
からなる上部絶縁層(７)が積層されて、磁気抵抗効果型
ヘッド素子Ｈ２が構成されている。又、該ヘッド素子上
には、Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる下部コア層(８)、Ａｌ₂
Ｏ₃からなるギャップスペーサ層(９)、Ｎｉ−Ｆｅ合金
からなる上部コア層(13)、及びＡｌ₂Ｏ₃からなる保護層
(16)が積層されて、誘導型ヘッド素子Ｈ１が構成されて
いる。

【００２３】図１の如く誘導型ヘッド素子Ｈ１は、上部
コア層(13)を包囲して伸びるコイル層(10)を具え、該コ
イル層(10)の両端部は、一対のターミナル層(14)(14)を
経て、一対のバンプ層(15)(15)へ接続されている。一
方、磁気抵抗効果型ヘッド素子Ｈ２は、前記ＭＲ素子層
から伸びる一対の電極層(６)(６)が、一対のターミナル
層(14)(14)を経て一対のバンプ層(15)(15)へ接続されて
いる。ここで、ターミナル層(14)及びバンプ層(15)はＣ
ｕから形成される。電極層(６)及びターミナル層(14)
は、両ヘッド素子と共に保護層(16)によって覆われてお
り、バンプ層(15)は、保護層(16)を垂直に貫通して、表
面が保護層(16)から露出している。

【００２４】図２は、図１Ａ−Ａ線に沿う拡大断面図で
あって、基板(１)上には絶縁層(２)を介してターミナル
層(14)が形成されており、該ターミナル層(14)上に重ね
てバンプ層(15)が形成され、その表面を保護層(16)から
露出している。尚、絶縁層(２)は、後述する下地絶縁層
(20)、下部絶縁層(４)及び上部絶縁層(７)から構成され
る。バンプ層(15)は、保護層(16)と接する外周面が、前
記露出部からターミナル層(14)の近傍まで裾広がりに拡
大するスカート面Ｒと、該スカート面Ｒのターミナル層
(14)側の端縁からバンプ層(15)の中心部へ向かって凹ん
だ周溝面Ｔとから形成されている。尚、バンプ層(15)の
高さが３０μｍ〜４０μｍであるのに対し、周溝面Ｔに
よって形成される周溝の幅は１０μｍ以下、本実施例で
は４μｍである。該周溝には、後述の如く、レジストの
焼成物或いは、保護層の資材であるＡｌ₂Ｏ₃が充填され
る。又、バンプ層(15)の表面には、Ａｕからなるパッド
層(17)が形成され、該パッド層(17)にリード線(18)がボ
ンディングされることになる。

【００２５】上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程に於
いては、基板(１)上に、下地絶縁層(20)、下部シールド
層(３)、下部絶縁層(４)、ＭＲ素子層(５)、電極層
(６)、上部絶縁層(７)、及び下部コア層(８)を順次形成
した後、フォトレジストからなる下部絶縁層(図示省
略)、Ｃｕからなるコイル層(10)、フォトレジストから
なる上部絶縁層(図示省略)、ギャップスペーサ層(９)、
上部コア層(13)、及びターミナル層(14)を順次形成す
る。ここまでの工程は従来と同じである。

【００２６】次に、ターミナル層(14)の形成後、バンプ
層(15)及び保護層(16)を形成するまでの具体的な工程に
ついて、図４(ａ)乃至(ｇ)に示す第１の方法と、図５
(ａ)乃至(ｅ)に示す第２の方法を説明する。

【００２７】第１の方法 図４(ａ)の如く、基板(１)上には絶縁層(２)が形成され
ており、該絶縁層(２)の表面に、ターミナル層(14)が所
定パターンに形成されている。先ず、ターミナル層(14)
のバンプ層形成領域を覆って、後工程のメッキ処理のた
めのＣｕからなるシード層(21)を形成する。

【００２８】次に図４(ｂ)の如く、シード層(21)の表面
に、フォトレジスト(22)を数μｍ〜１０μｍの厚さに塗
布した後、該フォトレジスト(22)に露光及び現像処理を
施して、バンプ層形成領域のシード層(21)を露出させ
る。

【００２９】その後、図４(ｃ)の如く、シード層(21)の
露出部に対して銅メッキを施し、３０μｍ〜４０μｍの
厚さを有するバンプ層(15)を形成する。該バンプ層(15)
は、シード層(21)の露出部を覆うと共に、フォトレジス
ト(22)の開口縁部にオーバラップして、全体がなだらか
な山状に盛り上がることになる。

【００３０】次に、図４(ｄ)の如く、フォトレジスト(2
2)を有機溶剤によって除去し、更にバンプ層(15)の周囲
に露出しているシード層(21)をイオンビームエッチング
によって除去する。これによって、バンプ層(15)の裾部
には、フォトレジストが除去された後の空洞として、周
溝面Ｔが凹設される。その後、バンプ層(15)を覆って全
面にフォトレジスト(図示省略)を塗布する。この結果、
前記バンプ層(15)の周溝面Ｔによって形成される周溝に
は、フォトレジストが充填される。

【００３１】次に、前記フォトレジストの全表面に対し
て露光を施し、更に現像処理を施す。この際、バンプ層
(15)の裾部がマスクとなり、図４(ｅ)の如く、前記周溝
内のフォトレジスト及びその近傍のフォトレジストが残
存することになる。その後、前記残存したフォトレジス
トに対し、約２００℃にてハードベーク処理を施し、レ
ジスト焼成物(23)を得る。この結果、バンプ層(15)及び
レジスト焼成物(23)の表面には、ターミナル層(14)の表
面まで裾広がりに拡大するスカート面Ｒが形成される。

【００３２】続いて、図４(ｆ)の如くバンプ層(15)及び
レジスト焼成物(23)を覆って、Ａｌ₂Ｏ₃からなる保護層
(16)をスパッタリングによって成膜する。この際、保護
層(16)の資材が堆積すべき面は、裾広がりに拡大するス
カート面Ｒであるため、保護層(16)の膜成長方向が交錯
することはなく、安定した膜成長が行なわれる。この結
果、欠陥のない保護層(16)が得られる。更に図４(ｇ)の
如く保護層(16)の表面に研磨加工を施して、バンプ層(1
5)を露出させる。その後、該露出面に金メッキを施し
て、ワイヤボンディングのためのパッド層を形成するの
である。

【００３３】第２の方法 図５(ａ)の如く、基板(１)上の絶縁層(２)の表面に、タ
ーミナル層(14)が所定パターンに形成され、該ターミナ
ル層(14)のバンプ層形成領域を覆って、Ｃｕからなるシ
ード層(21)が形成されている。又、該シード層(21)の表
面には、バンプ層形成領域を露出させたフォトレジスト
(22)のフレームが形成されている。

【００３４】ここで、フォトレジスト(22)のフレームの
厚さＢは、次の図５(ｂ)に示す工程で形成されるバンプ
層(15)のフォトレジスト(22)に対するオーバラップ量Ｃ
に対し、比率Ｂ／Ｃが１以下となる大きさ、或いは、バ
ンプ層(15)の厚さＡに対し、比率Ｂ／Ａが０.５以下と
なる大きさに形成される(図５(ｃ)参照)。

【００３５】その後、図５(ｂ)の如く、シード層(21)の
露出部に対して銅メッキを施し、３０μｍ〜４０μｍの
厚さを有するバンプ層(15)を形成する。該バンプ層(15)
は、シード層(21)の露出部を覆うと共に、フォトレジス
ト(22)の開口縁部にオーバラップして、全体がなだらか
な山状に盛り上がることになる。

【００３６】次に、図５(ｃ)の如く、フォトレジスト(2
2)を有機溶剤によって除去し、更にバンプ層(15)の周囲
に露出しているシード層(21)をイオンビームエッチング
によって除去する。これによって、バンプ層(15)の裾部
には、フォトレジストが除去された後の空洞として、周
溝面Ｔが凹設される。該周溝面Ｔによって形成される周
溝は、バンプ層(15)の中心へ向かう半径方向の深さＣに
対する絶縁層厚さ方向の幅Ｂの比率Ｂ／Ｃが１以下であ
って、且つ、バンプ層(15)の厚さＡに対する絶縁層厚さ
方向の幅Ｂの比率Ｂ／Ａが０.５以下となる。

【００３７】その後、図５(ｄ)の如くバンプ層(15)を覆
って、Ａｌ₂Ｏ₃からなる保護層(16)をスパッタリングに
よって成膜する。この際、保護層(16)の資材Ａｌ₂Ｏ₃が
堆積すべき面には、前記周溝面が凹設されているが、該
周溝面を上記の寸法形状に規定することによって、該周
溝面によって形成される周溝は無視し得る存在となる。
これによって、保護層(16)が堆積すべき面としては、裾
広がりに拡大するスカート面Ｒが支配的となり、保護層
(16)の膜成長方向が交錯することなく、安定した膜成長
が行なわれる。この結果、欠陥のない保護層(16)が得ら
れる。この結果の再現性については、実験的に確認され
ている。更に図５(ｅ)の如く保護層(16)の表面に研磨加
工を施して、バンプ層(15)を露出させる。その後、該露
出面に金メッキ、或いは金のスパッタリングを施して、
ワイヤボンディングのためのパッド層を形成するのであ
る。

【００３８】上記薄膜磁気ヘッド及びその製造方法によ
れば、安定した膜成長の実現によって欠陥のない保護層
が得られ、ひいては保護層の薄膜化が可能となり、これ
によって製造コストの低減が図られる。

【００３９】上記実施の形態の説明は、本発明を説明す
るためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を
限定し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許
請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能で
あることは勿論である。例えば、図４の(ｅ)のレジスト
焼成物の形成工程では、フォトレジストに替えて、感光
性ポリイミドを採用することも可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】浮動式の複合型薄膜磁気ヘッドの外観を表わす
斜視図である。

【図２】図１Ａ−Ａ線に沿う拡大断面図である。

【図３】２つのヘッド素子を記録媒体との対向面側から
見た拡大正面図である

【図４】絶縁層上にバンプ層を形成する第１の方法を示
す工程図である。

【図５】絶縁層上にバンプ層を形成する第２の方法を示
す工程図である。

【図６】絶縁層上にバンプ層を形成する従来の方法を示
す工程図である。

【符号の説明】

(１) 基板 (２) 絶縁層 (14) ターミナル層 (15) バンプ層 (16) 保護層 (17) パッド層 Ｒ スカート面 Ｔ 周溝面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 齋田 敦 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板(１)上に絶縁層(２)を介してヘッド
   素子が形成され、該ヘッド素子は保護層(16)によって覆
   われ、ヘッド素子から引き出された複数条のターミナル
   層(14)は、絶縁層(２)と保護層(16)の間を伸びて、その
   先端部の上面には、外部回路と接続するためのバンプ層
   (15)が形成され、該バンプ層(15)は保護層(16)を垂直に
   貫通して、保護層(16)の表面に露出している磁気ヘッド
   に於いて、バンプ層(15)は、保護層(16)と接する外周面
   が、前記露出部からターミナル層(14)の近傍まで裾広が
   りに拡大するスカート面Ｒを具えていることを特徴とす
   る薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 バンプ層(15)の外周面には、前記スカー
   ト面Ｒのターミナル層(14)側の端縁からバンプ層(15)の
   中心部へ向かって凹んだ周溝面Ｔが形成されている請求
   項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 バンプ層(15)の周溝面Ｔによって形成さ
   れる周溝には、感光性樹脂の焼成物が充填されている請
   求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 バンプ層(15)の周溝面Ｔによって形成さ
   れる周溝は、絶縁層厚さ方向の幅が１０μｍ以下である
   請求項２又は請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 バンプ層(15)の周溝面Ｔによって形成さ
   れる周溝には、保護層(16)の資材が充填されている請求
   項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 バンプ層(15)の周溝面Ｔによって形成さ
   れる周溝は、バンプ層(15)の中心へ向かう半径方向の深
   さＣに対する絶縁層厚さ方向の幅Ｂの比率Ｂ／Ｃが１以
   下である請求項２又は請求項５に記載の薄膜磁気ヘッ
   ド。
7. 【請求項７】 バンプ層(15)の周溝面Ｔによって形成さ
   れる周溝は、バンプ層(15)の厚さＡに対する絶縁層厚さ
   方向の幅Ｂの比率Ｂ／Ａが０.５以下である請求項２又
   は請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 基板(１)上に絶縁層(２)を介してヘッド
   素子が形成され、該ヘッド素子は保護層(16)によって覆
   われ、ヘッド素子から引き出された複数条のターミナル
   層(14)は、絶縁層(２)と保護層(16)の間を伸びて、その
   先端部の上面には、外部回路と接続するためのバンプ層
   (15)が形成され、該バンプ層(15)は保護層(16)を垂直に
   貫通して、保護層(16)の表面に露出している薄膜磁気ヘ
   ッドの製造方法に於いて、 基板(１)上に絶縁層(２)を介してヘッド素子及び複数条
   のターミナル層(14)を形成する工程と、該ターミナル層
   (14)の上面にバンプ層(15)を形成する工程と、ヘッド素
   子及びバンプ層(15)を覆って保護層(16)を形成する工程
   と、保護層(16)の表面に加工を施してバンプ層(15)を保
   護層(16)の表面に露出させる工程とを具え、前記バンプ
   層形成工程は、 ターミナル層(14)の表面に、バンプ層形成領域が開口す
   ると共に厚さがバンプ層(15)よりも薄い樹脂層を形成す
   る第１工程と、 前記樹脂層の開口領域にメッキを施して、該開口領域を
   覆うと共に樹脂層の開口縁部に被さるバンプ層(15)を形
   成する第２工程と、 前記樹脂層を除去する第３工程とを具えている薄膜磁気
   ヘッドの製造方法。
9. 【請求項９】 バンプ層形成工程の第１工程にて形成さ
   れる樹脂層は感光性樹脂層であって、先ず、バンプ層形
   成領域を含む領域に感光性樹脂層を形成した後、露光及
   び現像処理によって、バンプ層形成領域を開口させる請
   求項８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
10. 【請求項１０】 バンプ層形成工程の後、バンプ層(15)
    を覆って感光性樹脂を塗布することにより、前記第３工
    程を経てバンプ層(15)の外周面に凹設された周溝内に感
    光性樹脂を充填し、該感光性樹脂層の全面に露光及び現
    像処理を施し、更に前記周溝内及びその近傍に残存した
    感光性樹脂を焼成した後、保護層形成工程を実施する請
    求項８又は請求項９に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
11. 【請求項１１】 バンプ層形成工程の第１工程にて形成
    される樹脂層の厚さは１０μｍ以下である請求項８乃至
    請求項１０の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
12. 【請求項１２】 バンプ層形成工程の後、保護層形成工
    程を実施して、前記第３工程を経てバンプ層(15)の外周
    面に凹設された周溝内に、保護層となる資材を堆積せし
    める請求項８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
13. 【請求項１３】 バンプ層形成工程の第１工程にて形成
    される樹脂層の厚さＢは、第２工程においてバンプ層が
    樹脂層の開口縁部に被さる際のオーバラップ量Ｃに対
    し、比率Ｂ／Ｃが１以下となる大きさに形成される請求
    項８、請求項９又は請求項１２に記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
14. 【請求項１４】 バンプ層形成工程の第１工程にて形成
    される樹脂層の厚さＢは、第２工程にて形成されるバン
    プ層の厚さＡに対し、比率Ｂ／Ａが０.５以下となる大
    きさに形成される請求項８、請求項９又は請求項１２に
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。