JPH0973608A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0973608A JPH0973608A JP22663195A JP22663195A JPH0973608A JP H0973608 A JPH0973608 A JP H0973608A JP 22663195 A JP22663195 A JP 22663195A JP 22663195 A JP22663195 A JP 22663195A JP H0973608 A JPH0973608 A JP H0973608A
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- resist layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜磁気ヘッド素子を外部回路に接続するた
めの導体層を備える薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、導体層をフレームメッキ法により形成する工程にお
ける薄膜磁気ヘッド素子の損傷を防止する。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッド素子が形成された基板上
に、薄膜磁気ヘッド素子を覆うと共に導体層の平面形状
を規定する第１のフレームレジスト層を形成する工程
と、第１のフレームレジスト層が形成された基板の上面
全域にメッキ用のシード層を形成する工程と、シード層
上に第１のフレームレジスト層と実質的に同一の平面形
状を有する第２のフレームレジスト層を形成する工程
と、シード層上で第２のフレームレジスト層が形成され
ていない部分に導体層をメッキ法により形成する工程
と、第２のフレームレジスト層、第１のフレームレジス
ト層上のシード層及び第１のフレームレジスト層を除去
する工程とを備える。
めの導体層を備える薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、導体層をフレームメッキ法により形成する工程にお
ける薄膜磁気ヘッド素子の損傷を防止する。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッド素子が形成された基板上
に、薄膜磁気ヘッド素子を覆うと共に導体層の平面形状
を規定する第１のフレームレジスト層を形成する工程
と、第１のフレームレジスト層が形成された基板の上面
全域にメッキ用のシード層を形成する工程と、シード層
上に第１のフレームレジスト層と実質的に同一の平面形
状を有する第２のフレームレジスト層を形成する工程
と、シード層上で第２のフレームレジスト層が形成され
ていない部分に導体層をメッキ法により形成する工程
と、第２のフレームレジスト層、第１のフレームレジス
ト層上のシード層及び第１のフレームレジスト層を除去
する工程とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクド
ライブ等の磁気記録装置に使用される薄膜磁気ヘッドに
関する。
ライブ等の磁気記録装置に使用される薄膜磁気ヘッドに
関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスクドライブ等に装備される
浮動式の複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、図５に示す
如く、記録媒体から僅かに浮上して相対走行するための
空気ベアリング部９を備えるスライダ基体１０の側面
に、信号再生用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子
８、信号記録用の誘導型薄膜磁気ヘッド素子７、両ヘッ
ド素子を外部回路に接続するためのリード導体層６等が
形成される。なお、図５において、符号７１は前記誘導
型薄膜磁気ヘッド素子の磁気コア層、７２は前記誘導型
薄膜磁気ヘッド素子のコイル層、６１は前記リード導体
層の端部を構成するバンプ層を示している。
浮動式の複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、図５に示す
如く、記録媒体から僅かに浮上して相対走行するための
空気ベアリング部９を備えるスライダ基体１０の側面
に、信号再生用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子
８、信号記録用の誘導型薄膜磁気ヘッド素子７、両ヘッ
ド素子を外部回路に接続するためのリード導体層６等が
形成される。なお、図５において、符号７１は前記誘導
型薄膜磁気ヘッド素子の磁気コア層、７２は前記誘導型
薄膜磁気ヘッド素子のコイル層、６１は前記リード導体
層の端部を構成するバンプ層を示している。
【０００３】前記リード導体層は、所謂フレームメッキ
法により形成されることが多い。
法により形成されることが多い。
【０００４】すなわち、リード導体層のフレームメッキ
工程においては、図４の（ａ）に示す如く、薄膜磁気ヘ
ッド素子（図示せず）が形成された基板１の上面全域に
メッキ用のシード層３をスパッタリング法等により形成
し、図４の（ｂ）に示す如く、リード導体層の平面形状
を規定するフレームレジスト層２を形成し、図４の
（ｃ）に示す如く、シード層３が露出した部分にリード
導体層６をメッキし、図４の（ｄ）に示す如く、有機溶
剤等を用いてフレームレジスト層２を除去した後、図４
の（ｅ）に示す如く、リード導体層６をレジスト代わり
に用いてシード層３の不要部分をケミカルエッチング法
やイオンビームエッチング法により除去する。
工程においては、図４の（ａ）に示す如く、薄膜磁気ヘ
ッド素子（図示せず）が形成された基板１の上面全域に
メッキ用のシード層３をスパッタリング法等により形成
し、図４の（ｂ）に示す如く、リード導体層の平面形状
を規定するフレームレジスト層２を形成し、図４の
（ｃ）に示す如く、シード層３が露出した部分にリード
導体層６をメッキし、図４の（ｄ）に示す如く、有機溶
剤等を用いてフレームレジスト層２を除去した後、図４
の（ｅ）に示す如く、リード導体層６をレジスト代わり
に用いてシード層３の不要部分をケミカルエッチング法
やイオンビームエッチング法により除去する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のフレームメッキ法においては、シード層が誘導型薄
膜磁気ヘッド素子の磁気コア層上にも被着されるため、
シード層の不要部分を除去する際にケミカルエッチング
法を用いる場合には、磁気コア層の上面が腐食するとい
う問題があり、イオンビームエッチング法を用いる場合
には、磁気コア層の側壁にシード層のエッチング残りが
付着したままになったり、オーバーエッチングによる再
付着物が残るという問題が発生する。磁気コア層側壁の
エッチング残留物や再付着物は、該薄膜磁気ヘッドの記
録媒体対向面に露出して腐食し、磁気コア層のポールチ
ップ部の損傷の原因となる。
来のフレームメッキ法においては、シード層が誘導型薄
膜磁気ヘッド素子の磁気コア層上にも被着されるため、
シード層の不要部分を除去する際にケミカルエッチング
法を用いる場合には、磁気コア層の上面が腐食するとい
う問題があり、イオンビームエッチング法を用いる場合
には、磁気コア層の側壁にシード層のエッチング残りが
付着したままになったり、オーバーエッチングによる再
付着物が残るという問題が発生する。磁気コア層側壁の
エッチング残留物や再付着物は、該薄膜磁気ヘッドの記
録媒体対向面に露出して腐食し、磁気コア層のポールチ
ップ部の損傷の原因となる。
【０００６】本発明は、薄膜磁気ヘッドのリード導体層
の形成方法における上述の如き問題点を解決するもので
ある。
の形成方法における上述の如き問題点を解決するもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法は、薄膜磁気ヘッド素子を外部回路に接
続するための導体層を備える薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、前記薄膜磁気ヘッド素子が形成された基板上
に、前記薄膜磁気ヘッド素子を覆うと共に前記導体層の
平面形状を規定する第１のフレームレジスト層を形成す
る工程と、前記第１のフレームレジスト層が形成された
基板の上面全域にメッキ用のシード層を形成する工程
と、前記シード層上に前記第１のフレームレジスト層と
実質的に同一の平面形状を有する第２のフレームレジス
ト層を形成する工程と、前記シード層上で前記第２のフ
レームレジスト層が形成されていない部分に、前記導体
層をメッキ法により形成する工程と、前記第２のフレー
ムレジスト層、前記第１のフレームレジスト層上のシー
ド層及び前記第１のフレームレジスト層を除去する工程
とを備えることを特徴とするものである。
ッドの製造方法は、薄膜磁気ヘッド素子を外部回路に接
続するための導体層を備える薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、前記薄膜磁気ヘッド素子が形成された基板上
に、前記薄膜磁気ヘッド素子を覆うと共に前記導体層の
平面形状を規定する第１のフレームレジスト層を形成す
る工程と、前記第１のフレームレジスト層が形成された
基板の上面全域にメッキ用のシード層を形成する工程
と、前記シード層上に前記第１のフレームレジスト層と
実質的に同一の平面形状を有する第２のフレームレジス
ト層を形成する工程と、前記シード層上で前記第２のフ
レームレジスト層が形成されていない部分に、前記導体
層をメッキ法により形成する工程と、前記第２のフレー
ムレジスト層、前記第１のフレームレジスト層上のシー
ド層及び前記第１のフレームレジスト層を除去する工程
とを備えることを特徴とするものである。
【０００８】なお、上記本発明の製法における導体層に
は、前記従来技術の項で述べたリード導体層及びバンプ
層の一方、あるいは両方が含まれる。
は、前記従来技術の項で述べたリード導体層及びバンプ
層の一方、あるいは両方が含まれる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
【００１０】本発明第１実施例による薄膜磁気ヘッドの
リード導体層形成方法においては、まず、図１の（ａ）
に示す如く、薄膜磁気ヘッド素子（図示せず）が形成さ
れた基板１の上面に、前記薄膜磁気ヘッド素子を覆うと
共にリード導体層の平面形状を規定する第１のフレーム
レジスト層２１を形成する。
リード導体層形成方法においては、まず、図１の（ａ）
に示す如く、薄膜磁気ヘッド素子（図示せず）が形成さ
れた基板１の上面に、前記薄膜磁気ヘッド素子を覆うと
共にリード導体層の平面形状を規定する第１のフレーム
レジスト層２１を形成する。
【００１１】次に、図１の（ｂ）に示す如く、前記第１
のフレームレジスト層が形成された基板の上面全域に厚
さ約０．１μｍのＣｕ、Ａｕ等からなるシード層３を形
成し、図１の（ｃ）に示す如く、前記シード層上に前記
第１のフレームレジスト層と実質的に同一の平面形状を
有する第２のフレームレジスト層２２を形成し、図１の
（ｄ）に示す如く、前記シード層上で前記第２のフレー
ムレジスト層が形成されていない部分に前記リード導体
層６をメッキ法により形成し、最後に、図１の（ｅ）に
示す如く、前記第２のフレームレジスト層、前記第１の
フレームレジスト層上のシード層及び前記第１のフレー
ムレジスト層を、リフトオフプロセスにより一括して除
去する。
のフレームレジスト層が形成された基板の上面全域に厚
さ約０．１μｍのＣｕ、Ａｕ等からなるシード層３を形
成し、図１の（ｃ）に示す如く、前記シード層上に前記
第１のフレームレジスト層と実質的に同一の平面形状を
有する第２のフレームレジスト層２２を形成し、図１の
（ｄ）に示す如く、前記シード層上で前記第２のフレー
ムレジスト層が形成されていない部分に前記リード導体
層６をメッキ法により形成し、最後に、図１の（ｅ）に
示す如く、前記第２のフレームレジスト層、前記第１の
フレームレジスト層上のシード層及び前記第１のフレー
ムレジスト層を、リフトオフプロセスにより一括して除
去する。
【００１２】ここで、前記第１のフレームレジスト層の
厚さは、薄膜磁気ヘッド素子の磁気コア層を覆って保護
するのに十分な厚さとし、その焼成温度Ｔ１は、過度の
焼成によってリフトオフプロセスでの剥離が不可能とな
ることのないような温度とする。また、前記第２のフレ
ームレジスト層の焼成温度Ｔ２は、その焼成時に前記第
１のフレームレジスト層が軟化することのないように、
前記Ｔ１と同等またはそれよりも低い温度（Ｔ２≦Ｔ
１）とする。
厚さは、薄膜磁気ヘッド素子の磁気コア層を覆って保護
するのに十分な厚さとし、その焼成温度Ｔ１は、過度の
焼成によってリフトオフプロセスでの剥離が不可能とな
ることのないような温度とする。また、前記第２のフレ
ームレジスト層の焼成温度Ｔ２は、その焼成時に前記第
１のフレームレジスト層が軟化することのないように、
前記Ｔ１と同等またはそれよりも低い温度（Ｔ２≦Ｔ
１）とする。
【００１３】上記本発明第１実施例の製法によれば、シ
ード層の不要部分がレジスト層と共に一括して除去され
るので工程が簡略化され、その際に磁気コア層を損傷す
ることもない。
ード層の不要部分がレジスト層と共に一括して除去され
るので工程が簡略化され、その際に磁気コア層を損傷す
ることもない。
【００１４】本発明第２実施例による薄膜磁気ヘッドの
リード導体層形成方法は、図２の（ａ）〜（ｄ）に示す
如く、前記第１実施例の場合と同様に第１のフレームレ
ジスト層、シード層、第２のフレームレジスト層、リー
ド導体層を形成し、図２の（ｅ）に示す如く、前記第２
のレジスト層を剥離し、図２の（ｆ）に示す如く、前記
リード導体層をレジスト代わりに用いたエッチング法に
より前記第１のフレームレジスト層上のシード層を除去
した後、図２の（ｇ）に示す如く、前記第１のフレーム
レジスト層を剥離する。
リード導体層形成方法は、図２の（ａ）〜（ｄ）に示す
如く、前記第１実施例の場合と同様に第１のフレームレ
ジスト層、シード層、第２のフレームレジスト層、リー
ド導体層を形成し、図２の（ｅ）に示す如く、前記第２
のレジスト層を剥離し、図２の（ｆ）に示す如く、前記
リード導体層をレジスト代わりに用いたエッチング法に
より前記第１のフレームレジスト層上のシード層を除去
した後、図２の（ｇ）に示す如く、前記第１のフレーム
レジスト層を剥離する。
【００１５】この製法は、シード層の膜厚が前記第１実
施例の場合（約０．１μｍ）に比べて厚く（例えば約
０．３μｍ）、前記リフトオフプロセスによるレジスト
層とシード層との一括除去が困難な場合に有効であり、
シード層不要部分のエッチング時には、薄膜磁気ヘッド
素子の磁気コア層が第１のフレームレジスト層に覆われ
ているので、磁気コア層の損傷、エッチング残留物、再
付着物等の問題が発生することもない。
施例の場合（約０．１μｍ）に比べて厚く（例えば約
０．３μｍ）、前記リフトオフプロセスによるレジスト
層とシード層との一括除去が困難な場合に有効であり、
シード層不要部分のエッチング時には、薄膜磁気ヘッド
素子の磁気コア層が第１のフレームレジスト層に覆われ
ているので、磁気コア層の損傷、エッチング残留物、再
付着物等の問題が発生することもない。
【００１６】本発明第３実施例は、リード導体層の端部
を構成するバンプ層の形成方法に関するものであり、図
３の（ａ）に示す如く、第２のフレームレジスト層２２
を厚く形成して、導体層のメッキ厚さを第２のフレーム
レジスト層の厚さ以下とすれば、所謂ストレートバンプ
６１ａが形成され、図３の（ｂ）に示す如く、第２のフ
レームレジスト層２２を薄く形成して、導体層のメッキ
厚さを第２のフレームレジスト層の厚さ以上とすれば、
第２のフレームレジスト層の厚さを越えたメッキ層が側
方にも拡がって成長することにより、所謂マッシュルー
ムバンプ６１ｂが形成される。
を構成するバンプ層の形成方法に関するものであり、図
３の（ａ）に示す如く、第２のフレームレジスト層２２
を厚く形成して、導体層のメッキ厚さを第２のフレーム
レジスト層の厚さ以下とすれば、所謂ストレートバンプ
６１ａが形成され、図３の（ｂ）に示す如く、第２のフ
レームレジスト層２２を薄く形成して、導体層のメッキ
厚さを第２のフレームレジスト層の厚さ以上とすれば、
第２のフレームレジスト層の厚さを越えたメッキ層が側
方にも拡がって成長することにより、所謂マッシュルー
ムバンプ６１ｂが形成される。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、薄膜磁気ヘッドのリー
ド導体層、あるいはその端部のバンプ層をフレームメッ
キ法により形成する工程における薄膜磁気ヘッド素子の
損傷が防止され、高性能かつ高信頼性の薄膜磁気ヘッド
が提供される。
ド導体層、あるいはその端部のバンプ層をフレームメッ
キ法により形成する工程における薄膜磁気ヘッド素子の
損傷が防止され、高性能かつ高信頼性の薄膜磁気ヘッド
が提供される。
【図１】本発明第１実施例を説明するための基板及びそ
の上に形成される各層の断面図である。
の上に形成される各層の断面図である。
【図２】本発明第２実施例を説明するための基板及びそ
の上に形成される各層の断面図である。
の上に形成される各層の断面図である。
【図３】本発明第３実施例を説明するための基板及びそ
の上に形成される各層の断面図である。
の上に形成される各層の断面図である。
【図４】従来例を説明するための基板及びその上に形成
される各層の断面図である。
される各層の断面図である。
【図５】薄膜磁気ヘッドの外観斜視図である。
１ 基板 ２１ 第１のフレームレジスト層 ２２ 第２のフレームレジスト層 ３ メッキ用のシード層 ６ リード導体層 ６１ バンプ層 ７ 誘導型薄膜磁気ヘッド素子 ８ 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 知己 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 齋田 敦 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 野口 仁志 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 薄膜磁気ヘッド素子を外部回路に接続す
るための導体層を備える薄膜磁気ヘッドの製造方法にお
いて、 前記薄膜磁気ヘッド素子が形成された基板上に、前記薄
膜磁気ヘッド素子を覆うと共に前記導体層の平面形状を
規定する第１のフレームレジスト層を形成する工程と、 前記第１のフレームレジスト層が形成された基板の上面
全域に、メッキ用のシード層を形成する工程と、 前記シード層上に、前記第１のフレームレジスト層と実
質的に同一の平面形状を有する第２のフレームレジスト
層を形成する工程と、 前記シード層上で前記第２のフレームレジスト層が形成
されていない部分に、前記導体層をメッキ法により形成
する工程と、 前記第２のフレームレジスト層、前記第１のフレームレ
ジスト層上のシード層及び前記第１のフレームレジスト
層を除去する工程とを備えることを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記第２のフレームレジスト層、第１の
フレームレジスト層上のシード層及び第１のフレームレ
ジスト層を除去する工程において、 前記第１のフレームレジスト層上のシード層を、前記第
１のフレームレジスト層の除去に伴うリフトオフプロセ
スにより除去することを特徴とする請求項１記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 前記第２のフレームレジスト層、第１の
フレームレジスト層上のシード層及び第１のフレームレ
ジスト層を除去する工程において、 前記第２のフレームレジスト層を除去し、前記導体層を
レジスト代わりに用いたエッチング法により前記第１の
フレームレジスト層上のシード層を除去した後、前記第
１のフレームレジスト層を除去することを特徴とする請
求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22663195A JPH0973608A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22663195A JPH0973608A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0973608A true JPH0973608A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16848220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22663195A Pending JPH0973608A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0973608A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018548B2 (en) * | 2002-07-19 | 2006-03-28 | Tdk Corporation | Conductive thin film pattern and method of forming the same, method of manufacturing thin film magnetic head, method of manufacturing thin film inductor, and method of manufacturing micro device |
| US7370406B2 (en) | 2003-06-09 | 2008-05-13 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin film structure |
-
1995
- 1995-09-04 JP JP22663195A patent/JPH0973608A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018548B2 (en) * | 2002-07-19 | 2006-03-28 | Tdk Corporation | Conductive thin film pattern and method of forming the same, method of manufacturing thin film magnetic head, method of manufacturing thin film inductor, and method of manufacturing micro device |
| US7370406B2 (en) | 2003-06-09 | 2008-05-13 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin film structure |
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