JPH0964173A - 配線形成層の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の絶縁膜に形成した接続孔の内部
に導電性の配線形成層を十分に埋め込むには高温または
高圧を必要としていたため、装置コストが高くなる、プ
ロセスの安定性が悪くなる等の課題があった。 【解決手段】 下地層12に形成した接続孔13の内部に下
地層12上に形成した配線形成層15をリフローによって導
入する方法であって、配線形成膜15を形成する前に、少
なくとも接続孔13の側壁上部およびその周囲の下地層12
上に、配線形成層15のリフロー温度よりも低い融点を有
する金属系材料からなる下地潤滑層14を形成する製造方
法である。この下地潤滑層14は、配線形成層15のリフロ
ー温度で下地層12に対して配線形成層15を滑らせる金属
系材料で形成してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の配線
となる配線形成層の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの高集積化にともない、
寸法ルールは微細化し、その内部配線プロセスにおいて
は、狭くて深い（アスペクト比の高い）コンタクトホー
ル、ビアホール（以下、両者を総称して接続孔という）
の配線材料による接続が必要になっている。

【０００３】従来のスパッタリングによる成膜では、ア
ルミニウム合金等に配線材料のスパッタ粒子が接続孔の
側壁の影になって、接続孔の内部に多くは入射しない、
いわゆるシャドーウィング効果のため、接続孔の内部の
カバリッジが悪化し、接続孔の底側部近傍で断線不良が
発生し易い。そこで、接続孔の内部に配線材料を十分に
埋め込むプロセス技術として、リフロー技術が開示され
ている。そのリフロー技術のうちの一つとして、アルミ
ニウム合金等の配線材料を成膜した後、高圧の不活性ガ
ス雰囲気中で熱処理をしながら接続孔の内部に配線材料
を押し込む、いわゆる高圧リフロー技術が開示されてい
る。

【０００４】この方法による配線形成層の埋め込みは、
図５の（１）に示すように、基板１１１上の下地層１１
２に形成した接続孔１１３の内部にいわゆるボイド１１
４が残る状態で配線形成層１１５を成膜する。なお、接
続孔１１３の底部を含む内壁および下地層１１２の表面
にはバリアメタル１２１が形成されている。そして図５
の（２）に示すように、成膜後の配線形成層１１５を再
結晶温度以上融点以下の温度に加熱して軟化させると同
時に、高圧の不活性ガスの気圧で配線形成層１１５を接
続孔１１３の内部に押し込む（一種の熱間押出しを行
う）ことで実現する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高圧リ
フロー法では、通常、下地材料が例えば、酸化シリコン
（ＳｉＯ₂ ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、リンシリケー
トガラス（ＰＳＧ）、ホウ素リンシリケートガラス（Ｂ
ＰＳＧ）等の絶縁膜、またはチタン（Ｔｉ）、窒化チタ
ン（ＴｉＮ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、タング
ステン（Ｗ）等のバリアメタルからなるものでは、それ
らの材料は融点が高く非常に硬い材料であるため、配線
材料を押し込む際の摩擦が大きく、かなりの高温（例え
ば、アルミニウム合金の場合には４００℃以上アルミニ
ウムの融点以下の温度）で配線材料を軟化させ、非常に
高圧（例えば１ＭＰａ程度またはそれ以上）で処理する
必要がある。そのため、処理装置が非常に大掛かりにな
るとともに、高温で処理する際に脱ガスが起きることに
よってプロセスの安定性を損うという課題を有してい
た。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた配線形成層の製造方法である。す
なわち、第１の方法としては、下地層に形成した接続孔
の内部に下地層上に形成した配線形成層をリフローによ
って導入する配線形成層の製造方法において、配線形成
膜を形成する前に、少なくとも接続孔の側壁上部および
その周囲の下地層上に、配線形成層のリフロー温度より
も低い融点を有する金属系材料からなる下地潤滑層を形
成する製造方法である。

【０００７】第２の方法としては、下地層に形成した接
続孔の内部に下地層上に形成した配線形成層をリフロー
によって導入する配線形成層の製造方法において、配線
形成層を形成する前に、少なくとも接続孔の側壁上部お
よびその周囲の下地層上に、配線形成層のリフロー温度
で該下地層に対して該配線形成層を滑らせる金属系材
料、例えば配線形成層の摩擦係数が下地層に対して低下
するような金属系材料からなる下地潤滑層を形成する製
造方法である。

【０００８】上記第１の方法では、配線形成膜を形成す
る前に、少なくとも接続孔の側壁上部およびその周囲の
下地層上に、配線形成層のリフロー温度よりも低い融点
を有する金属系材料からなる下地潤滑層を形成したこと
から、リフロー時には下地潤滑層が溶融して、配線形成
層と下地との摩擦が軽減される。そのため、配線形成層
が接続孔の内部に入り込み易くなる。

【０００９】上記第２の方法では、配線形成層を形成す
る前に、少なくとも接続孔の側壁上部およびその周囲の
下地層上に、配線形成層のリフロー温度該下地層に対し
て配線形成層を滑らせる金属系材料、例えば配線形成層
の摩擦係数が下地層に対して低下するような金属系材料
からなる下地潤滑層を形成したことから、リフロー時に
は下地に対して配線形成層とともに下地潤滑層の摩擦が
低減される。そのため、下地潤滑層とともに配線形成層
が滑って、配線形成層が接続孔の内部に入り込み易くな
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態の第１例を、図
１の製造工程図によって説明する。

【００１１】図１の（１）に示すように、基板１１上に
は下地層１２が例えば絶縁膜で形成され、この下地層１
２には接続孔１３が形成されている。そして上記下地層
１２上および少なくとも上記接続孔１３の上側部に、後
に形成する配線形成層のリフロー温度よりも低い融点を
有する金属系材料からなる下地潤滑層１４を形成する。
その後、接続孔１３上を覆う状態に上記下地層１２上に
配線形成層１５を形成する。すなわち、配線形成層１５
は接続孔１３の内部にいわゆるボイドが発生する状態に
成膜する。

【００１２】次いで図１の（２）に示すように、上記配
線形成層１５の表面側を高圧の雰囲気（例えばアルゴン
ガスのような不活性ガス雰囲気）にさらすとともに配線
形成層１５をリフロー温度に加熱して、配線形成層１５
を接続孔１３の内部に押し込む。このときの雰囲気は、
接続孔１３内部の空洞の気圧よりも例えば１気圧程度高
ければ十分である。

【００１３】上記配線形成層１５と下地層１２との摩擦
が最も大きくなる部分は接続孔１３の開口部１３Ａ近傍
である。そのため、上記下地潤滑層１４は接続孔１３の
底部を含む内壁全体に形成されている必要はなく、少な
くとも接続孔１３の側壁に形成されていればよい。特に
は、最も摩擦が大きくなる接続孔１３の開口部１３Ａ近
傍に形成されていればよい。したがって、下地潤滑層１
４の成膜は、通常のスパッタリングで十分である。

【００１４】上記第１例では、下地層１２上および少な
くとも接続孔１３の上側部に、配線形成層１５のリフロ
ー温度よりも低い融点を有する金属系材料からなる下地
潤滑層１４を形成したことから、リフロー時には下地潤
滑層１４が溶融するので、配線形成層１５と下地層１２
との摩擦が低減される。そのため、配線形成層１５が接
続孔１３の内部に入り込み易くなる。

【００１５】次に上記実施形態の第１例に基づいた実施
例を図２の製造工程図によって以下に説明する。なお、
上記図１で説明したのと同様の構成部品には同一の符号
を付す。

【００１６】図２の（１）に示すように、例えばＣＶＤ
法によって、基板１１上に配線３１が形成され、その配
線３１を覆う状態に絶縁膜１６を酸化シリコン系の材料
で形成した。そして、リソグラフィー技術（例えば、レ
ジスト塗布、露光、現像、ベーキング等の処理）および
エッチング技術とによって、上記配線３１上の上記絶縁
膜１２に、例えば径が０．３５μｍでアスペクト比が２
の上記接続孔１３を形成した。その後上記接続孔１３の
内部を洗浄した。

【００１７】次いでスパッタリングによって、上記接続
孔１３の底部を含む内壁および上記絶縁膜１６の表面
に、ストレスマイグレーション耐性を確保するための金
属系材料層２１を厚さが２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜と
２０ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）膜とで形成した。した
がって、下地層１２は上記絶縁膜１６と上記金属系材料
層２１とで形成されたことになる。上記チタン膜を成膜
するスパッタリング条件は、例えば、スパッタリングガ
スに流量が１００ｓｃｃｍ〔以下、ｓｃｃｍは標準状態
における体積流量（ｃｍ³／分）を表す〕のアルゴン
（Ａｒ）を用い、スパッタリング雰囲気の圧力を０．４
Ｐａ、ＤＣパワーを５ｋＷ、基板加熱温度を１５０℃に
設定した。また上記窒化チタン膜を成膜するスパッタリ
ング条件は、例えば、スパッタリングガスに流量が３０
ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）と流量が８０ｓｃｃｍの窒
素（Ｎ₂ ）とを用い、スパッタリング雰囲気の圧力を
０．４Ｐａ、ＤＣパワーを５ｋＷ、基板加熱温度を１５
０℃に設定した。上記金属系材料層２１は、チタン膜お
よび窒化チタン膜に限定されることはなく、チタンタン
グステン膜、タングステン膜等の信頼性上の冗長効果が
有るものであればよい。

【００１８】そして図２の（２）に示すように、スパッ
タリングによって、下地潤滑層１４として厚さが５ｎｍ
のスズ（Ｓｎ）層を、例えば、接続孔１３の開口部１３
Ａ近傍の側壁部およびその周辺の下地層１２の表面に形
成した。上記スズ層を成膜するスパッタリング条件は、
例えば、スパッタリングガスに流量が１００ｓｃｃｍの
アルゴン（Ａｒ）を用い、スパッタリング雰囲気の圧力
を０．４Ｐａ、ＤＣパワーを３ｋＷ、基板は加熱しない
状態に設定した。

【００１９】その後、スパッタリングによって、配線形
成層１５となる例えば０．５％の銅（Ｃｕ）を含むアル
ミニウム合金層を５００ｎｍの厚さに形成した。この配
線形成層１５は接続孔１３の内部に空洞を形成するため
に、接続孔１３の口径よりも厚く形成する必要がある。
上記アルミニウム合金層を成膜するスパッタリング条件
は、例えば、スパッタリングガスに流量が１００ｓｃｃ
ｍのアルゴン（Ａｒ）を用い、スパッタリング雰囲気の
圧力を０．４Ｐａ、ＤＣパワーを２０ｋＷ、基板は加熱
しない状態に設定した。

【００２０】なお、アルミニウム合金層は、スズ層が融
解せずかつアルミニウムとの反応も進まないような低温
度で成膜する必要がある。そこで、上記説明したよう
に、基板を加熱しない状態でアルミニウム合金層を成膜
しかつ接続孔１３の径に対してアルミニウム合金層の厚
さを十分に厚くすることにより、接続孔１３の内部に空
洞を形成することは可能である。また上記アルミニウム
合金層は上記説明した組成に限定されることはなく、他
の添加物が添加されていてもよく、また純アルミニウム
であってもよい。

【００２１】また、上記配線形成層１５と下地となる金
属系材料層２１との摩擦が最も大きくなる部分は接続孔
１３の開口部１３Ａ近傍である。そのため、上記下地潤
滑層１４は接続孔１３の内壁全体に形成されている必要
はなく、接続孔１３内部では少なくともその側壁に形成
されていればよい。特には、最も摩擦が大きくなる接続
孔１３の開口部１３Ａ近傍およびその接続孔１３の周囲
の下地層１２上に形成されていればよい。したがって、
下地潤滑層１４の成膜は、通常のスパッタリングで十分
である。

【００２２】その後図２の（３）に示すように、配線形
成層１５の表面の酸化を避けながら（または配線形成層
１５の表面が酸化した場合にはその酸化膜を除去した
後）、高圧の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行った。そ
れによって上記配線形成層１５はリフローして、接続孔
１３の内部に押し込まれた。上記高圧リフロー条件は、
例えば、不活性ガスにアルゴン（Ａｒ）を用い、その雰
囲気の圧力を１００ｋＰａ、基板加熱温度を３００℃、
加熱時間を１分に設定した。

【００２３】上記高圧リフローにおける加熱温度をアル
ミニウム合金が軟化する３００℃程度に設定したため、
その温度はスズの融点２３２℃を越える。そのため、ス
ズ層からなる下地潤滑層１４（２点鎖線で示す部分）は
液化するので、配線形成層１５と下地層の金属系材料層
２１との摩擦が低減され、特には配線形成層１５との摩
擦が最も高くなる接続孔１３の開口部１３Ａ近傍での押
し込みが円滑に行われた。したがって、３００℃程度の
低温で、圧力も従来よりおよそ１桁程度低い条件で配線
形成層１５の接続孔１３内への埋め込みが達成された。

【００２４】なお、リフロー前のアルミニウム合金中へ
のスズの拡散速度は比較的遅いため、リフロー前に反応
層（図示省略）が形成されることはほとんどない。しか
しながら、スズが融解した後はスズがアルミニウム合金
と反応するので、スズ層が無くならないうちに配線形成
層１５の押し込みを終了する必要があることはいうまで
もない。したがって、配線形成層１５の表面を高圧の雰
囲気にさらした状態にした後、スズを融解する温度に加
熱するのが望ましい。

【００２５】スズが融解した後、そのスズはアルミニウ
ムの粒界等からかなり速く入り込んでいくと考えられ
る。一般に公知のアルミニウム−スズ系の状態図から、
アルミニウム−スズ系金属の場合には、アルミニウム内
にスズが入り込んだ後も、３００℃では固相（アルミニ
ウム）と液相（スズ）の混在した状態にある。したがっ
て、潤滑の効果は十分といえる。そのため、スズ層の厚
さはは数ｎｍ程度で十分であるといえる。

【００２６】上記説明した第１例の実施例では、リフロ
ー温度を３００℃という低温で行うことができ、かつ高
圧リフロー時の雰囲気の圧力を従来よりも一桁程度下げ
ることができるため、装置コストの低減が可能になり、
しかもプロセスの安定性の向上が図れる。

【００２７】本発明の実施形態の第２例を、図３の製造
工程図によって説明する。図３では、上記図１で説明し
たのと同様の構成部品には同一の符号を付す。

【００２８】図３の（１）に示すように、基板１１上に
は下地層１２が形成され、この下地層１２には接続孔１
３が形成されている。そして上記下地層１２上および少
なくとも上記接続孔１３の上側部に、後に形成する配線
形成層のリフロー温度で上記下地層１２に対して配線形
成層を滑り易くする金属系材料、例えば配線形成層１５
の摩擦係数が下地層１２に対して低下するような金属系
材料からなる下地潤滑層１４を形成する。その後、接続
孔１３上を覆う状態に上記下地層１２上に配線形成層１
５を形成する。すなわち、配線形成層１５は接続孔１３
の内部にいわゆるボイドが発生する状態に成膜する。

【００２９】次いで図３の（２）に示すように、上記配
線形成層１５の表面側を高圧の雰囲気（例えばアルゴン
のような不活性ガス雰囲気）にさらすとともに配線形成
層１５をリフロー温度に加熱して、配線形成層１５を接
続孔１３の内部に押し込む。このときの雰囲気は、接続
孔１３内部の空洞の気圧よりも例えば１気圧程度高けれ
ば十分である。

【００３０】上記配線形成層１５と下地層１２になる絶
縁膜１６との摩擦が最も大きくなる部分は接続孔１３の
開口部１３Ａ近傍である。そのため、上記下地潤滑層１
４は接続孔１３の底部を含む内壁全体に形成されている
必要はなく、少なくとも接続孔１３の側壁に形成されて
いればよい。特には、最も摩擦が大きくなる接続孔１３
の開口部１３Ａ近傍に形成されていればよい。したがっ
て、下地潤滑層１４の成膜は、通常のスパッタリングで
十分である。

【００３１】上記第２例では、下地層１２上および少な
くとも接続孔１３の上側部に、配線形成層１５のリフロ
ー温度で、下地層１２に対してこの配線形成層１５を滑
らせるような金属系材料、例えば配線形成層１５の摩擦
係数が下地層１２に対して低下するような金属系材料か
らなる下地潤滑層１４を形成したことから、リフロー時
には下地潤滑層１４の表面で配線形成層１５が滑り易く
なる。そのため、配線形成層１５が接続孔１３の内部に
入り込み易くなる。

【００３２】次に上記実施形態の第２例に基づいた実施
例を図４の製造工程図によって以下に説明する。なお、
上記図２で説明したのと同様の構成部品には同一の符号
を付す。

【００３３】図４の（１）に示すように、例えばＣＶＤ
法によって、基板１１上配線３１を形成し、その配線３
１を覆う状態に上記基板１１上に絶縁膜１６を酸化シリ
コン系の材料で形成した。そして、リソグラフィー技術
（例えば、レジスト塗布、露光、現像、ベーキング等の
処理）およびエッチング技術とによって、例えば径が
０．３５μｍでアスペクト比が２の上記接続孔１３を形
成した。その後上記接続孔１３の内部を洗浄した。

【００３４】次いでスパッタリングによって、銅の酸化
を防止するための金属系材料層２２を厚さが２０ｎｍの
窒化チタン（ＴｉＮ）膜で形成した。したがって、下地
層１２は上記絶縁膜１６と上記金属系材料層２２とで形
成されたことになる。上記窒化チタン膜を成膜するスパ
ッタリング条件は、上記図２の（１）で説明したのと同
様の条件とした。上記金属系材料層２２は、窒化チタン
膜に限定されることはなく、窒化タングステン膜、窒化
ハフニウム等の信頼性上の冗長効果が有るものであれば
よい。

【００３５】そして図４の（２）に示すように、スパッ
タリングによって、下地潤滑層１４として厚さが５ｎｍ
の銀（Ａｇ）層を形成した。上記銀層を成膜するスパッ
タリング条件は、例えば、スパッタリングガスに流量が
１００ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）を用い、スパッタリ
ング雰囲気の圧力を０．４Ｐａ、ＤＣパワーを３ｋＷ、
基板は加熱しない状態に設定した。

【００３６】その後、スパッタリングによって、配線形
成層１５となる例えば純銅からなる銅（Ｃｕ）層を５０
０ｎｍの厚さに形成した。この配線形成層１５は接続孔
１３の内部に空洞を形成するために、接続孔１３の口径
よりも厚く形成する必要がある。上記銅層を成膜するス
パッタリング条件は、例えば、スパッタリングガスに流
量が１００ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）を用い、スパッ
タリング雰囲気の圧力を０．４Ｐａ、ＤＣパワーを１０
ｋＷ、基板は加熱しない状態に設定した。

【００３７】また、上記配線形成層１５と下地層となる
金属材料層２２との摩擦が最も大きくなる部分は接続孔
１３の開口部１３Ａ近傍である。そのため、上記下地潤
滑層１４は接続孔１３の内壁全体に形成されている必要
はなく、接続孔１３内部では少なくともその側壁に形成
されていればよい。特には、最も摩擦が大きくなる接続
孔１３の開口部１３Ａ近傍およびその接続孔１３の周囲
の下地層１２上に形成されていればよい。したがって、
下地潤滑層１４の成膜は、通常のスパッタリングで十分
である。

【００３８】その後図４の（３）に示すように、配線形
成層１５の表面の酸化を避けながら、高圧の不活性ガス
雰囲気中で熱処理を行った。それによって上記配線形成
層１５はリフローして、接続孔１３の内部に押し込まれ
た。上記高圧リフロー条件は、例えば、不活性ガスにア
ルゴン（Ａｒ）を用い、その雰囲気の圧力を１００ｋＰ
ａ、基板加熱温度を３００℃、加熱時間を１０分に設定
した。

【００３９】上記高圧リフローにおける加熱温度を銅が
軟化する３００℃程度に設定したため、その温度では銀
層は固体潤滑層として働く。そのため、下地層１２との
金属系材料層２２との摩擦が低減され、特には配線形成
層１５との摩擦が最も高くなる接続孔１３の開口部１３
Ａ近傍での押し込みが円滑になった。したがって、３０
０℃程度の低温で、圧力も従来よりおよそ１桁程度低い
条件で配線形成層１５の接続孔１３内への埋め込みが達
成された。

【００４０】銀は銅の粒界等から速く入り込んでいく可
能性があるが、一般に公知の銅−銀系の状態図から、３
００℃では銅の結晶格子中への銀の固溶はほとんどな
い。そのため、再結晶温度の上昇は３００℃以下に抑え
られる。また銀が消費されて無くなる状態ではないの
で、潤滑性能は保たれる。したがって、銀層の厚さは数
ｎｍ程度で十分であるといえる。なお、最終的に銀が銅
層中に拡散しても、抵抗の上昇はほとんどなく、配線の
性能としては問題ない。

【００４１】上記説明した第２例の実施例では、リフロ
ー温度を３００℃という低温で行うことができ、かつ高
圧リフロー時の雰囲気の圧力を従来よりも一桁程度下げ
ることができるため、装置コストの低減が可能になり、
しかもプロセスの安定性の向上が図れる。

【００４２】上記説明では、下地潤滑層１４にスズおよ
び銀を用いた例を説明したが、下地潤滑層１４は上記金
属に限定されることはない。以下、元素記号を用いて例
示すると、Ｓｎ−Ｐｂ合金，Ｓｎ−Ｚｎ合金，Ｓｎ−Ｐ
ｂ−Ｚｎ合金等のはんだ、Ｃｕ−Ｚｎ合金，Ｃｕ−Ｓｎ
合金，Ｃｕ−Ｚｎ−Ｓｎ合金等の真鍮・青銅系材料、Ａ
ｌ−Ｓｎ合金，Ａｌ−Ｚｎ合金，Ａｌ−Ｐｂ合金，Ａｌ
−Ｍｇ合金，Ａｌ−Ａｇ合金，Ａｌ−Ａｕ合金，Ａｌ−
Ｉｎ合金，Ａｌ−Ｌｉ合金等の２元系アルミニウム合金
等がある。また、多元系合金としては、例えば、Ａｌ−
Ｓｎ−Ｚｎ合金，Ａｌ−Ｚｎ−Ｐｂ合金，Ａｌ−Ｓｎ−
Ｐｂ合金，Ａｌ−Ｓｎ−Ｍｇ合金，Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ合
金，Ａｌ−Ｐｂ−Ｍｇ合金，Ａｌ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｐｂ合
金，Ａｌ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｍｇ合金，Ａｌ−Ｓｎ−Ｍｇ−
Ｐｂ合金，Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｎ−Ｐｂ合金，Ａｌ−Ｓｎ−
Ｚｎ−Ｐｂ−Ｍｇ合金等、多種の合金の採用が可能であ
る。当然のことながら、上記示した合金以外にも、配線
形成層１５のリフロー温度よりも低い融点を有する金属
系材料、配線形成層１５のリフロー温度で下地層１２に
対して配線形成層１５を滑らせるような金属系材料、例
えば配線形成層１５の摩擦係数が下地層１２に対して低
下するような金属系材料であれば、どのような金属系材
料であってもよい。

【００４３】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１記載の
発明によれば、少なくとも接続孔の側壁上部およびその
周囲の下地層上に、配線形成層のリフロー温度よりも低
い融点を有する金属系材料からなる下地潤滑層を形成し
たので、リフロー時には下地潤滑層が溶融するため、配
線形成層と下地との摩擦を低減することができる。その
ため、配線形成層が接続孔の内部に入り込み易くなるの
で、極めて容易かつ良好に、接続孔の内部に配線形成層
を埋め込むことができる。請求項２記載の発明によれ
ば、少なくとも接続孔の側壁上部およびその周囲の下地
層上に、配線形成層のリフロー温度で下地層に対して配
線形成層を滑らせる金属系材料からなる下地潤滑層を形
成したので、リフロー時には下地層に対して配線形成層
の摩擦が低減できる。そのため、下地潤滑層とともに配
線形成層が滑って、配線形成層が接続孔の内部に入り込
み易くなるので、極めて容易かつ良好に、接続孔の内部
に配線形成層を埋め込むことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる実施形態の第１例の製造工程図
である。

【図２】実施形態の第１例に係わる実施例の製造工程図
である。

【図３】本発明に係わる実施形態の第２例の製造工程図
である。

【図４】実施形態の第２例に係わる実施例の製造工程図
である。

【図５】従来の配線形成層の埋め込み方法に係わる説明
図である。

【符号の説明】

１２ 下地層 １３ 接続孔 １４ 下地潤滑層 １５ 配線形成層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下地層に形成した接続孔の内部に、該下
   地層上に形成した配線形成層をリフローによって導入す
   る配線形成層の製造方法において、 前記配線形成膜を形成する前に、少なくとも前記接続孔
   の側壁上部および該接続孔周囲の前記下地層上に、該配
   線形成層のリフロー温度よりも低い融点を有する金属系
   材料からなる下地潤滑層を形成することを特徴とする配
   線形成層の製造方法。
2. 【請求項２】 下地層に形成した接続孔の内部に、該下
   地層上に形成した配線形成層をリフローによって導入す
   る配線形成層の製造方法において、 前記配線形成層を形成する前に、少なくとも前記接続孔
   の側壁上部および該接続孔周囲の前記下地層上に、該配
   線形成層のリフロー温度で該下地層に対して該配線形成
   層を滑らせる金属系材料からなる下地潤滑層を形成する
   ことを特徴とする配線形成層の製造方法。