JPH0952713A - Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜形成用組成物、Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜の形成方法及び薄膜コンデンサの製造方法 - Google Patents
Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜形成用組成物、Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜の形成方法及び薄膜コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH0952713A JPH0952713A JP8059326A JP5932696A JPH0952713A JP H0952713 A JPH0952713 A JP H0952713A JP 8059326 A JP8059326 A JP 8059326A JP 5932696 A JP5932696 A JP 5932696A JP H0952713 A JPH0952713 A JP H0952713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- forming
- composition
- substrate
- org
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｂａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物
において、低温、短時間の仮焼で重ね塗り可能とし、ま
た、低温焼成にて薄膜形成可能とする。 【解決手段】 Ｂａ原料、Ｓｒ原料として、Ｃn Ｈ2n+1
ＣＯＯＨ（ただし、３≦ｎ≦７）で表されるカルボン酸
の金属塩であって、かつ、下記構造をとり得るカルボン
酸塩の溶液よりなる組成物。それを用いた低温焼成によ
る誘電体薄膜の製造方法。この誘電体薄膜を形成する薄
膜コンデンサの製造方法。 【化４】 （上記式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 は水
素、メチル基又はエチル基を示し、ＭはＢａ又はＳｒを
示す。）
において、低温、短時間の仮焼で重ね塗り可能とし、ま
た、低温焼成にて薄膜形成可能とする。 【解決手段】 Ｂａ原料、Ｓｒ原料として、Ｃn Ｈ2n+1
ＣＯＯＨ（ただし、３≦ｎ≦７）で表されるカルボン酸
の金属塩であって、かつ、下記構造をとり得るカルボン
酸塩の溶液よりなる組成物。それを用いた低温焼成によ
る誘電体薄膜の製造方法。この誘電体薄膜を形成する薄
膜コンデンサの製造方法。 【化４】 （上記式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 は水
素、メチル基又はエチル基を示し、ＭはＢａ又はＳｒを
示す。）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜コンデンサ、キャ
パシタ等に用いられるＢａ1-x Ｓｒx ＴｉyＯ3 誘電体
薄膜形成用組成物、この組成物を用いたＢａ1-x Ｓｒx
Ｔｉy Ｏ3 誘電体薄膜の形成方法及び薄膜コンデンサの
製造方法に関する。
パシタ等に用いられるＢａ1-x Ｓｒx ＴｉyＯ3 誘電体
薄膜形成用組成物、この組成物を用いたＢａ1-x Ｓｒx
Ｔｉy Ｏ3 誘電体薄膜の形成方法及び薄膜コンデンサの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｂａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 誘電体薄膜は
高い誘電率を有することから、近年、ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ
x に代わる半導体メモリのキャパシタとして、或いはＩ
Ｃ信号処理用の内蔵コンデンサとして注目されている
（例えば特開平３−２５７０２０号公報）。
高い誘電率を有することから、近年、ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ
x に代わる半導体メモリのキャパシタとして、或いはＩ
Ｃ信号処理用の内蔵コンデンサとして注目されている
（例えば特開平３−２５７０２０号公報）。
【０００３】このような薄膜の形成法として、ゾルーゲ
ル法は、種々の置換元素、添加物によって組成の変性が
可能である、低コストであるなどの利点を有することか
ら、近年研究が進められている（例えば特開平２−２７
０３１１号公報）。
ル法は、種々の置換元素、添加物によって組成の変性が
可能である、低コストであるなどの利点を有することか
ら、近年研究が進められている（例えば特開平２−２７
０３１１号公報）。
【０００４】ゾルーゲル法は、Ｂａ，Ｓｒ，Ｔｉ原料と
しての金属塩や金属アルコキシドを有機溶媒に混合して
基板上に塗布して結晶化させる方法である。Ｂａ1-x Ｓ
ｒxＴｉy Ｏ3 系薄膜の成膜において、金属塩、金属ア
ルコキシドは有機溶媒への溶解度が高いので、通常、塗
布液を塗布した後、室温及び１５０℃で乾燥後、５００
〜６００℃で１時間もしくは７５０℃以上の高温で１分
仮焼する。そして、膜厚を厚くするため、この塗布、乾
燥及び仮焼の操作を繰り返し、最後に６５０℃以上の焼
成温度で焼成して結晶化させる。なお、塗布液の出発原
料としては、Ｂａ，Ｓｒ，Ｔｉのすべての原料として金
属アルコキシドを用いる方法（M.N.Kamalasanan 等、J.
Appl.Phys.74(9)、0021-8979(1993) ）、Ｂａ，Ｓｒのカ
ルボン酸塩とＴｉのアルコキシドを用いる方法などがあ
る（H.K.Chae等、Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.271.(199
2)）。
しての金属塩や金属アルコキシドを有機溶媒に混合して
基板上に塗布して結晶化させる方法である。Ｂａ1-x Ｓ
ｒxＴｉy Ｏ3 系薄膜の成膜において、金属塩、金属ア
ルコキシドは有機溶媒への溶解度が高いので、通常、塗
布液を塗布した後、室温及び１５０℃で乾燥後、５００
〜６００℃で１時間もしくは７５０℃以上の高温で１分
仮焼する。そして、膜厚を厚くするため、この塗布、乾
燥及び仮焼の操作を繰り返し、最後に６５０℃以上の焼
成温度で焼成して結晶化させる。なお、塗布液の出発原
料としては、Ｂａ，Ｓｒ，Ｔｉのすべての原料として金
属アルコキシドを用いる方法（M.N.Kamalasanan 等、J.
Appl.Phys.74(9)、0021-8979(1993) ）、Ｂａ，Ｓｒのカ
ルボン酸塩とＴｉのアルコキシドを用いる方法などがあ
る（H.K.Chae等、Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.271.(199
2)）。
【０００５】従来の薄膜コンデンサには、基板上に下部
電極と誘電体薄膜と上部電極をこの順で積層してなる３
層積層タイプのものと、比抵抗の小さい基板を下部電極
として用いその上に誘電体薄膜と上部電極を積層してな
る２層積層タイプのものとがある。
電極と誘電体薄膜と上部電極をこの順で積層してなる３
層積層タイプのものと、比抵抗の小さい基板を下部電極
として用いその上に誘電体薄膜と上部電極を積層してな
る２層積層タイプのものとがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、電子回路の高密
度化、多機能化に伴い、三次元構造による基板の多層配
線化、かつその製造工程の簡略化が要求されている。
度化、多機能化に伴い、三次元構造による基板の多層配
線化、かつその製造工程の簡略化が要求されている。
【０００７】しかし、従来の薄膜形成工程では、重ね塗
りのために、５００〜６００℃という高温の仮焼を繰り
返す上に、結晶化のための焼成温度も高いことから、既
存の素子の劣化又は余計な酸化物の生成による特性の変
化が懸念され、このような要求を満たすことは困難であ
った。
りのために、５００〜６００℃という高温の仮焼を繰り
返す上に、結晶化のための焼成温度も高いことから、既
存の素子の劣化又は余計な酸化物の生成による特性の変
化が懸念され、このような要求を満たすことは困難であ
った。
【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決し、比較
的低温、短時間の仮焼で重ね塗りが可能であり、また、
低温焼成が可能なＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用
組成物を提供することを第１の目的とする。
的低温、短時間の仮焼で重ね塗りが可能であり、また、
低温焼成が可能なＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用
組成物を提供することを第１の目的とする。
【０００９】また、本発明は、このようなＢａ1-x Ｓｒ
x Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物を用いて低温焼成にても
結晶化させることができるＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄
膜の形成方法を提供することを第２の目的とする。
x Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物を用いて低温焼成にても
結晶化させることができるＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄
膜の形成方法を提供することを第２の目的とする。
【００１０】ところで、上記の通り、従来の薄膜コンデ
ンサには、基板上に下部電極と誘電体薄膜と上部電極を
この順で積層してなる３層積層タイプのものと、比抵抗
の小さい基板を下部電極として用いその上に誘電体薄膜
と上部電極を積層してなる２層積層タイプのものとがあ
る。前者の３層タイプの薄膜コンデンサにあっては、誘
電体薄膜を焼成する際に下部電極も高温にさらされるこ
とから、耐熱性に優れたＰｔなどの電極を用いる必要が
あり、このような耐熱性のある貴金属電極を用いた場合
には、基板と誘電体薄膜との密着性の問題や、貴金属電
極の微細加工が難しいといった問題点があった。
ンサには、基板上に下部電極と誘電体薄膜と上部電極を
この順で積層してなる３層積層タイプのものと、比抵抗
の小さい基板を下部電極として用いその上に誘電体薄膜
と上部電極を積層してなる２層積層タイプのものとがあ
る。前者の３層タイプの薄膜コンデンサにあっては、誘
電体薄膜を焼成する際に下部電極も高温にさらされるこ
とから、耐熱性に優れたＰｔなどの電極を用いる必要が
あり、このような耐熱性のある貴金属電極を用いた場合
には、基板と誘電体薄膜との密着性の問題や、貴金属電
極の微細加工が難しいといった問題点があった。
【００１１】一方、後者の２層タイプの薄膜コンデンサ
では、このような貴金属下部電極は不要であるが、誘電
体薄膜の熱処理に８００〜１２００℃もの高温を必要と
するため、Ｓｉ基板と誘電体薄膜との界面にの低誘電率
のＳｉＯ2 混合層（ＳｉＯ2と誘電体との混合層）がで
きてしまい、高誘電率薄膜を形成しても結果的にはコン
デンサの容量を大きくとれないという問題点があった。
では、このような貴金属下部電極は不要であるが、誘電
体薄膜の熱処理に８００〜１２００℃もの高温を必要と
するため、Ｓｉ基板と誘電体薄膜との界面にの低誘電率
のＳｉＯ2 混合層（ＳｉＯ2と誘電体との混合層）がで
きてしまい、高誘電率薄膜を形成しても結果的にはコン
デンサの容量を大きくとれないという問題点があった。
【００１２】本発明は、貴金属下部電極を用いず、Ｓｉ
基板上に直接に誘電体薄膜を形成しその上に上部電極を
設けた２層タイプの薄膜コンデンサにおいて、そのコン
デンサ容量を従来よりも著しく高めることが可能な薄膜
コンデンサの製造方法を提供することを第３の目的とす
る。
基板上に直接に誘電体薄膜を形成しその上に上部電極を
設けた２層タイプの薄膜コンデンサにおいて、そのコン
デンサ容量を従来よりも著しく高めることが可能な薄膜
コンデンサの製造方法を提供することを第３の目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のＢａ1-x Ｓｒx
Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物は、有機バリウム化合物、
有機ストロンチウム化合物及びチタンアルコキシドを、
モル比がＢａ：Ｓｒ：Ｔｉ＝１−ｘ：ｘ：ｙ（ただし、
０≦ｘ≦１，０．９≦ｙ≦１．１）となるように有機溶
媒中に溶解してなるＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成
用組成物において、該有機バリウム化合物及び有機スト
ロンチウム化合物が、一般式Ｃn Ｈ2n+1ＣＯＯＨ（ただ
し、３≦ｎ≦７）で表されるカルボン酸の金属塩であっ
て、かつ、下記一般式［Ｉ］の構造をとり得るカルボン
酸塩であることを特徴とする。
Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物は、有機バリウム化合物、
有機ストロンチウム化合物及びチタンアルコキシドを、
モル比がＢａ：Ｓｒ：Ｔｉ＝１−ｘ：ｘ：ｙ（ただし、
０≦ｘ≦１，０．９≦ｙ≦１．１）となるように有機溶
媒中に溶解してなるＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成
用組成物において、該有機バリウム化合物及び有機スト
ロンチウム化合物が、一般式Ｃn Ｈ2n+1ＣＯＯＨ（ただ
し、３≦ｎ≦７）で表されるカルボン酸の金属塩であっ
て、かつ、下記一般式［Ｉ］の構造をとり得るカルボン
酸塩であることを特徴とする。
【００１４】
【化２】
【００１５】（上記式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ
5 ，Ｒ6 は水素、メチル基又はエチル基を示し、ＭはＢ
ａ又はＳｒを示す。） 本発明のＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜の形成方法は、
請求項１に記載のＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用
組成物を用いてＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜を形成す
る方法であって、該Ｂａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成
用組成物を基板に塗布して乾燥する工程を所望の膜厚が
得られるまで繰り返し行った後、７５０℃以下の温度で
焼成して結晶化させることを特徴とする。
5 ，Ｒ6 は水素、メチル基又はエチル基を示し、ＭはＢ
ａ又はＳｒを示す。） 本発明のＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜の形成方法は、
請求項１に記載のＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用
組成物を用いてＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜を形成す
る方法であって、該Ｂａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成
用組成物を基板に塗布して乾燥する工程を所望の膜厚が
得られるまで繰り返し行った後、７５０℃以下の温度で
焼成して結晶化させることを特徴とする。
【００１６】本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、Ｓ
ｉ基板上に誘電体薄膜を形成し、この誘電体薄膜の上に
上部電極を形成する誘電体薄膜の製造方法において、該
Ｓｉ基板上に請求項１に記載のＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ
3 薄膜形成用組成物を用いてＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3
誘電体薄膜を形成する方法であって、該Ｂａ1-x Ｓｒx
Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物を基板に塗布して乾燥する
工程を所望の膜厚が得られるまで繰り返し行った後、７
５０℃以下の温度で焼成して結晶化させることを特徴と
する。なお、この焼成は、電気炉中ならば３０〜６０分
行うのが好ましく、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａ
ｌ Ａｎｎｅａｌ，短時間アニール）装置ならば１〜３
０分行うのが好ましい。
ｉ基板上に誘電体薄膜を形成し、この誘電体薄膜の上に
上部電極を形成する誘電体薄膜の製造方法において、該
Ｓｉ基板上に請求項１に記載のＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ
3 薄膜形成用組成物を用いてＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3
誘電体薄膜を形成する方法であって、該Ｂａ1-x Ｓｒx
Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物を基板に塗布して乾燥する
工程を所望の膜厚が得られるまで繰り返し行った後、７
５０℃以下の温度で焼成して結晶化させることを特徴と
する。なお、この焼成は、電気炉中ならば３０〜６０分
行うのが好ましく、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａ
ｌ Ａｎｎｅａｌ，短時間アニール）装置ならば１〜３
０分行うのが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１８】本発明において、Ｂａ原料及びＳｒ原料と
して用いられるカルボン酸塩は、一般式Ｃn Ｈ2n+1ＣＯ
ＯＨ（ただし、３≦ｎ≦７）で表され、かつ、上記一般
式［Ｉ］の構造をとり得るカルボン酸の金属塩である
が、このようなカルボン酸としては、具体的には次のよ
うなものが挙げられる。
して用いられるカルボン酸塩は、一般式Ｃn Ｈ2n+1ＣＯ
ＯＨ（ただし、３≦ｎ≦７）で表され、かつ、上記一般
式［Ｉ］の構造をとり得るカルボン酸の金属塩である
が、このようなカルボン酸としては、具体的には次のよ
うなものが挙げられる。
【００１９】
【表１】
【００２０】このようなカルボン酸のバリウム塩又はス
トロンチウム塩は、上記カルボン酸と炭酸バリウム（Ｂ
ａＣＯ3 ）又は炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ3 ）とを
反応させることにより容易に合成することができる。
トロンチウム塩は、上記カルボン酸と炭酸バリウム（Ｂ
ａＣＯ3 ）又は炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ3 ）とを
反応させることにより容易に合成することができる。
【００２１】本発明において、Ｂａ原料及びＳｒ原料と
して用いるカルボン酸塩は、下記一般反応式に示す如
く、低温にて容易に分解する。
して用いるカルボン酸塩は、下記一般反応式に示す如
く、低温にて容易に分解する。
【００２２】
【化３】
【００２３】即ち、このカルボン酸塩は、水素結合の働
きで構造的に六員環をとることにより、低温にて理想的
な炭素結合の分解がなされる（Allen W.等、Mat.Res.Se
c.Symp.Proc.Vol.271(1992) ）。例えば、文献（M.K.Ka
malasanan 等、Apple.Phys.Lett.59(27)、0003-6951）に
おいても、酢酸塩よりも２−エチルヘキサン酸塩のほう
がより低温でかつ短時間の熱処理が可能であることが示
されている。
きで構造的に六員環をとることにより、低温にて理想的
な炭素結合の分解がなされる（Allen W.等、Mat.Res.Se
c.Symp.Proc.Vol.271(1992) ）。例えば、文献（M.K.Ka
malasanan 等、Apple.Phys.Lett.59(27)、0003-6951）に
おいても、酢酸塩よりも２−エチルヘキサン酸塩のほう
がより低温でかつ短時間の熱処理が可能であることが示
されている。
【００２４】このように、本発明で用いるカルボン酸塩
は、低温にて容易に分解されることから、塗膜形成時に
おいて、低温、短時間の熱処理で重ね塗りができ、更に
低温焼成が可能となる。
は、低温にて容易に分解されることから、塗膜形成時に
おいて、低温、短時間の熱処理で重ね塗りができ、更に
低温焼成が可能となる。
【００２５】一方、Ｔｉ原料のチタンアルコキシドとし
ては、Ｔｉ（ＯＲ）4 （ただし、Ｒは炭素数２〜５の直
鎖状又は分岐状のアルキル基）で表されるものを用いる
が、具体的には、エトキシチタン、イソプロポキシチタ
ン、ｎ−プロポキシチタン、イソブトキシチタン、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシチタン、ｎ−アミロキシチタン等が好適
に使用される。
ては、Ｔｉ（ＯＲ）4 （ただし、Ｒは炭素数２〜５の直
鎖状又は分岐状のアルキル基）で表されるものを用いる
が、具体的には、エトキシチタン、イソプロポキシチタ
ン、ｎ−プロポキシチタン、イソブトキシチタン、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシチタン、ｎ−アミロキシチタン等が好適
に使用される。
【００２６】本発明において、これらのＢａ原料、Ｓｒ
原料及びＴｉ原料を混合する有機溶媒としては、酢酸エ
チル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−
ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、
酢酸イソブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸ｓｅｃ−アミ
ル、酢酸ｔｅｒｔ−アミル、酢酸イソアミル等の、酢酸
と炭素数２〜５のアルコールとのエステルを用いること
ができる。
原料及びＴｉ原料を混合する有機溶媒としては、酢酸エ
チル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−
ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、
酢酸イソブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸ｓｅｃ−アミ
ル、酢酸ｔｅｒｔ−アミル、酢酸イソアミル等の、酢酸
と炭素数２〜５のアルコールとのエステルを用いること
ができる。
【００２７】Ｂａ原料、Ｓｒ原料及びＴｉ原料は、これ
らの有機溶媒中に所望のＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 組成
となるように、また、Ｂａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 濃度が
２〜１５重量％好ましくは４〜１０重量％となるように
混合される。
らの有機溶媒中に所望のＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 組成
となるように、また、Ｂａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 濃度が
２〜１５重量％好ましくは４〜１０重量％となるように
混合される。
【００２８】なお、本発明においては、バリウムとスト
ロンチウムを熱分解性に優れる六員環構造を形成するカ
ルボン酸塩で加え、また、チタンをアルコキシドで加え
るが、チタンアルコキシドの加水分解性のために、ＢＳ
Ｔ薄膜形成用組成物を基板に塗布した時にストリエーシ
ョンが発生する可能性がある。従って、必要に応じて、
β−ジケトン類、β−ケトエステル類、グリコール類、
アルコール類、高級カルボン酸類等の安定化剤を加える
のが好ましい。具体的には、アセチルアセトン、ベンゾ
イルアセトン、ジベンゾイルメタン、３−オキソブタン
酸エチル、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタ
ノール、２−エトキシプロパノール、β−ブチレングリ
コール、２，４−アミレングリコール、又は、バリウム
及びストロンチウムのカルボン酸塩と同じカルボン酸
を、チタンアルコキシドに対して５．０倍モル量以下、
とくには０．５〜４．０倍モル量添加するのが好まし
い。
ロンチウムを熱分解性に優れる六員環構造を形成するカ
ルボン酸塩で加え、また、チタンをアルコキシドで加え
るが、チタンアルコキシドの加水分解性のために、ＢＳ
Ｔ薄膜形成用組成物を基板に塗布した時にストリエーシ
ョンが発生する可能性がある。従って、必要に応じて、
β−ジケトン類、β−ケトエステル類、グリコール類、
アルコール類、高級カルボン酸類等の安定化剤を加える
のが好ましい。具体的には、アセチルアセトン、ベンゾ
イルアセトン、ジベンゾイルメタン、３−オキソブタン
酸エチル、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタ
ノール、２−エトキシプロパノール、β−ブチレングリ
コール、２，４−アミレングリコール、又は、バリウム
及びストロンチウムのカルボン酸塩と同じカルボン酸
を、チタンアルコキシドに対して５．０倍モル量以下、
とくには０．５〜４．０倍モル量添加するのが好まし
い。
【００２９】このようにして得られる本発明のＢａ1-x
Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物を用いてＢａ1-x Ｓ
ｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜を形成するには、スピンコート、デ
ィップコート、スプレーコート等の塗布法により、Ｐｔ
／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＩｒＯ／Ｉｒ／ＳｉＯ
2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＴｉＮ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／Ｔａ
／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／Ｉｒ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ等の基
板上、或いは、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニ
ア等をガラスコートしたグレース基板上に本発明の組成
物を塗布して乾燥する工程を、所望の膜厚が得られるま
で複数回繰り返し行った後、焼成する。本発明において
は、Ｂａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物に易分
解性の原料を用いているため、この乾燥を１５０〜４０
０℃の低温で行うことができ、また、焼成についても４
５０〜７５０℃の低温で行うことができる。なお、乾燥
時間は通常５〜１０分程度、焼成時間は１〜６０分程度
である。当然ながら、焼成温度が高いほど、焼成時間は
短かくて済む。
Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物を用いてＢａ1-x Ｓ
ｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜を形成するには、スピンコート、デ
ィップコート、スプレーコート等の塗布法により、Ｐｔ
／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＩｒＯ／Ｉｒ／ＳｉＯ
2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＴｉＮ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／Ｔａ
／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／Ｉｒ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ等の基
板上、或いは、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニ
ア等をガラスコートしたグレース基板上に本発明の組成
物を塗布して乾燥する工程を、所望の膜厚が得られるま
で複数回繰り返し行った後、焼成する。本発明において
は、Ｂａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物に易分
解性の原料を用いているため、この乾燥を１５０〜４０
０℃の低温で行うことができ、また、焼成についても４
５０〜７５０℃の低温で行うことができる。なお、乾燥
時間は通常５〜１０分程度、焼成時間は１〜６０分程度
である。当然ながら、焼成温度が高いほど、焼成時間は
短かくて済む。
【００３０】本発明の組成物を用いて薄膜コンデンサを
製造するには、上記薄膜形成方法に従ってＳｉ基板上に
誘電体薄膜を形成する。この場合、最後の焼成温度が高
くなるほど焼成時間を短かくし、Ｓｉ基板の酸化を少な
くする。
製造するには、上記薄膜形成方法に従ってＳｉ基板上に
誘電体薄膜を形成する。この場合、最後の焼成温度が高
くなるほど焼成時間を短かくし、Ｓｉ基板の酸化を少な
くする。
【００３１】このように７５０℃以下の低温焼成で薄膜
を結晶化させることにより、Ｓｉ基板表面の酸化層形成
量が著しく少なくなり、ＳｉＯ2 と誘電体との混合層も
きわめて薄くなる。そして、これにより、薄膜コンデン
サのキャパシタ容量が８００℃以上の高温焼成を必要と
した従来に比べ格段に高いものとなる。
を結晶化させることにより、Ｓｉ基板表面の酸化層形成
量が著しく少なくなり、ＳｉＯ2 と誘電体との混合層も
きわめて薄くなる。そして、これにより、薄膜コンデン
サのキャパシタ容量が８００℃以上の高温焼成を必要と
した従来に比べ格段に高いものとなる。
【００３２】この誘電体薄膜上に電極を形成するには、
蒸着、スパッタリングなど各種の方法を採用できる。
蒸着、スパッタリングなど各種の方法を採用できる。
【００３３】
【実施例】以下、本発明の実施例及び比較例について説
明する。なお、以下の実施例及び比較例において、Ｓｉ
Ｏ2 の換算膜厚は次のようにして計算した。
明する。なお、以下の実施例及び比較例において、Ｓｉ
Ｏ2 の換算膜厚は次のようにして計算した。
【００３４】ＳｉＯ2 換算膜厚の計算方法 ＢＳＴ（Ｂａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 ）の膜厚をｄ、誘電
率をε1 、ＳｉＯ2 の膜厚をｘ、誘電率をε2 、電束密
度をδとする。
率をε1 、ＳｉＯ2 の膜厚をｘ、誘電率をε2 、電束密
度をδとする。
【００３５】電極間に比誘電率の異なる２種の誘電体が
存在する場合
存在する場合
【００３６】
【数１】
【００３７】１対の平行平板導体の間に誘電率ε1 のＢ
ＳＴ膜と、誘電率ε2 のＳｉ2 膜とが積層配置されてお
り、導体間の電位差Ｖは次の通りとなる。
ＳＴ膜と、誘電率ε2 のＳｉ2 膜とが積層配置されてお
り、導体間の電位差Ｖは次の通りとなる。
【００３８】
【数２】
【００３９】単位面積当たりの容量をＣとすると、
【００４０】
【数３】
【００４１】Ｂ0.7 Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3 の場合、ＢＳＴの
比誘電率をε1 ’＝３００とし、ＳｉＯ2 の比誘電率を
ε2 ’＝４とする。ここで、誘電率ε1 ＝ε0 ×ε
1 ’，ε2 ＝ε0 ×ε2 ’であり、ε0 は真空の誘電率
＝８．８５４×１０-12 である。これらのε1 ，ε2 の
値を上記（１）式に代入し、Ｃ，ｄの値の測定値からｘ
を求める。
比誘電率をε1 ’＝３００とし、ＳｉＯ2 の比誘電率を
ε2 ’＝４とする。ここで、誘電率ε1 ＝ε0 ×ε
1 ’，ε2 ＝ε0 ×ε2 ’であり、ε0 は真空の誘電率
＝８．８５４×１０-12 である。これらのε1 ，ε2 の
値を上記（１）式に代入し、Ｃ，ｄの値の測定値からｘ
を求める。
【００４２】なお、（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 の場
合、ε1 ’＝２４０、（Ｂａ0.3 Ｓｒ0.7 ）ＴｉＯ3 の
場合、ε1 ’＝２００、ＢａＴｉＯ3 の場合、ε1 ’＝
１５０ ＳｒＴｉＯ3 の場合、ε1 ’＝１５０ として計算を行う。
合、ε1 ’＝２４０、（Ｂａ0.3 Ｓｒ0.7 ）ＴｉＯ3 の
場合、ε1 ’＝２００、ＢａＴｉＯ3 の場合、ε1 ’＝
１５０ ＳｒＴｉＯ3 の場合、ε1 ’＝１５０ として計算を行う。
【００４３】[実施例１] （ｎ＝３） 薄膜原料としてｎ−酪酸バリウム、ｎ−酪酸ストロンチ
ウム、チタニウムイソプロポキシドを用い、これらを組
成比Ｂａ0.7 Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3 となるように、かつ、組
成物の酸化物換算の合計濃度が７重量％濃度となるよう
に、有機溶剤（酢酸イソアミル。以下の実施例及び比較
例において同じ）中に混合し薄膜形成剤を調製した。
ウム、チタニウムイソプロポキシドを用い、これらを組
成比Ｂａ0.7 Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3 となるように、かつ、組
成物の酸化物換算の合計濃度が７重量％濃度となるよう
に、有機溶剤（酢酸イソアミル。以下の実施例及び比較
例において同じ）中に混合し薄膜形成剤を調製した。
【００４４】この薄膜形成剤を比抵抗が０．０２Ω・ｃ
ｍのシリコン基板上に塗布し（スピンコート）、２００
℃で１０分間乾燥させこの工程を繰り返し、最後に電気
炉中にて５５０℃で３０分焼成を行い誘電体薄膜を形成
した。この誘電体薄膜上にＰｔ上部電極を、また誘電体
薄膜を形成していない側のシリコン基板表面に、取り出
し電極としてＰｔ電極をそれぞれスパッタリングにより
形成し、薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測定結
果を表２に示す。
ｍのシリコン基板上に塗布し（スピンコート）、２００
℃で１０分間乾燥させこの工程を繰り返し、最後に電気
炉中にて５５０℃で３０分焼成を行い誘電体薄膜を形成
した。この誘電体薄膜上にＰｔ上部電極を、また誘電体
薄膜を形成していない側のシリコン基板表面に、取り出
し電極としてＰｔ電極をそれぞれスパッタリングにより
形成し、薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測定結
果を表２に示す。
【００４５】[実施例２] （ｎ＝５） 薄膜原料として４−メチルペンタン酸バリウム、４−メ
チルペンタン酸ストロンチウム、チタニウムイソプロポ
キシドを用いたこと以外は実施例１と同様にして薄膜コ
ンデンサを製造した。電気特性の測定結果を表２に示
す。
チルペンタン酸ストロンチウム、チタニウムイソプロポ
キシドを用いたこと以外は実施例１と同様にして薄膜コ
ンデンサを製造した。電気特性の測定結果を表２に示
す。
【００４６】[実施例３] （ｎ＝７） 薄膜原料として２−エチルヘキサン酸バリウム、２−エ
チルヘキサン酸ストロンチウム、チタニウムイソプロポ
キシドを用いたこと以外は実施例１と同様にして薄膜コ
ンデンサを製造した。電気特性の測定結果を表２に示
す。
チルヘキサン酸ストロンチウム、チタニウムイソプロポ
キシドを用いたこと以外は実施例１と同様にして薄膜コ
ンデンサを製造した。電気特性の測定結果を表２に示
す。
【００４７】[比較例１] （ｎ＝２） 薄膜原料としてプロピオン酸バリウム、プロピオン酸ス
トロンチウム、チタニウムイソプロポキシドを用いたこ
と以外は実施例１と同様にして薄膜コンデンサを製造し
た。電気特性の測定結果を表２に示す。
トロンチウム、チタニウムイソプロポキシドを用いたこ
と以外は実施例１と同様にして薄膜コンデンサを製造し
た。電気特性の測定結果を表２に示す。
【００４８】[比較例２] （ｎ＝８） 薄膜原料としてノナン酸バリウム、ノナン酸ストロンチ
ウム、チタニウムイソプロポキシドを用い、これらを組
成比Ｂａ0.7 Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3 となるように、かつ、組
成物の酸化物換算の合計濃度が７重量％濃度となるよう
に、有機溶剤中に混合し薄膜形成剤を調製した。
ウム、チタニウムイソプロポキシドを用い、これらを組
成比Ｂａ0.7 Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3 となるように、かつ、組
成物の酸化物換算の合計濃度が７重量％濃度となるよう
に、有機溶剤中に混合し薄膜形成剤を調製した。
【００４９】この薄膜形成剤を用いて実施例１と同様に
低抵抗シリコン基板上に塗布したところ、溶液の粘度が
高く均質な膜にはならなかった。そこで有機溶剤を更に
加え溶液濃度を３重量％濃度まで希釈して基板に塗布し
たところ均質な膜にはなったが、重ね塗りの段階で前回
の塗布膜が溶解してしまい、成膜は不可能であった。
低抵抗シリコン基板上に塗布したところ、溶液の粘度が
高く均質な膜にはならなかった。そこで有機溶剤を更に
加え溶液濃度を３重量％濃度まで希釈して基板に塗布し
たところ均質な膜にはなったが、重ね塗りの段階で前回
の塗布膜が溶解してしまい、成膜は不可能であった。
【００５０】[比較例３〜５]最後の熱処理を８００℃１
時間で行ったこと以外は、実施例１〜３と同様に行って
薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測定結果を表２
に示す。
時間で行ったこと以外は、実施例１〜３と同様に行って
薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測定結果を表２
に示す。
【００５１】[比較例６，７ ]最後の熱処理を８００℃
１時間で行ったこと以外は、比較例１、２と同様に行っ
て薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測定結果を表
２に示す。
１時間で行ったこと以外は、比較例１、２と同様に行っ
て薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測定結果を表
２に示す。
【００５２】[実施例４〜６]最後の熱処理をＲＴＡに
て、７００℃１分で行ったこと以外は、実施例１〜３と
同様に行って薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測
定結果を表３に示す。
て、７００℃１分で行ったこと以外は、実施例１〜３と
同様に行って薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測
定結果を表３に示す。
【００５３】[比較例８，９]最後の熱処理をＲＴＡに
て、７００℃１分で行ったこと以外は、比較例１〜２と
同様に行って薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測
定結果を表３に示す。
て、７００℃１分で行ったこと以外は、比較例１〜２と
同様に行って薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測
定結果を表３に示す。
【００５４】[実施例７〜９、比較例１０，１１]薄膜原
料を組成比Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ＴｉＯ3 となるように溶解
させたこと以外は、実施例１〜３及び比較例１，２と同
様に行って薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測定
結果を表４に示す。
料を組成比Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ＴｉＯ3 となるように溶解
させたこと以外は、実施例１〜３及び比較例１，２と同
様に行って薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測定
結果を表４に示す。
【００５５】[実施例１０〜１２、比較例１２，１３]薄
膜原料を組成比Ｂａ0.3 Ｓｒ0.7 ＴｉＯ3 となるように
溶解させたこと以外は、実施例１〜３及び比較例１，２
と同様に行って薄膜コンデンサを製造した。電気特性の
測定結果を表５に示す。
膜原料を組成比Ｂａ0.3 Ｓｒ0.7 ＴｉＯ3 となるように
溶解させたこと以外は、実施例１〜３及び比較例１，２
と同様に行って薄膜コンデンサを製造した。電気特性の
測定結果を表５に示す。
【００５６】[実施例１３〜１５、比較例１４，１５]薄
膜原料を組成比ＢａＴｉＯ3 となるように溶解させたこ
と以外は、実施例１〜３及び比較例１，２と同様に行っ
て薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測定結果を表
６に示す。
膜原料を組成比ＢａＴｉＯ3 となるように溶解させたこ
と以外は、実施例１〜３及び比較例１，２と同様に行っ
て薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測定結果を表
６に示す。
【００５７】[実施例１６〜１８、比較例１６，１７]薄
膜原料を組成比ＳｒＴｉＯ3 となるように溶解させたこ
と以外は、実施例１〜３及び比較例１，２と同様に行っ
て薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測定結果を表
７に示す。
膜原料を組成比ＳｒＴｉＯ3 となるように溶解させたこ
と以外は、実施例１〜３及び比較例１，２と同様に行っ
て薄膜コンデンサを製造した。電気特性の測定結果を表
７に示す。
【００５８】[実施例１９] （ｎ＝５） ２−エチル酪酸バリウム７．１１ｇ、２−エチル酪酸ス
トロンチウム２．６４ｇを酢酸イソアミル溶媒４０ｇに
溶解させ、添加剤２，４−ペンタンジオン５．５ｇを加
えた後、イソプロポキシチタン７．８９ｇを加えて還流
した。その後、イソアミルアルコール３０ｇと酢酸イソ
アミルを添加して全体が１００ｇになるようにして、６
重量％のＢａ0.7 Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物を
調製した。
トロンチウム２．６４ｇを酢酸イソアミル溶媒４０ｇに
溶解させ、添加剤２，４−ペンタンジオン５．５ｇを加
えた後、イソプロポキシチタン７．８９ｇを加えて還流
した。その後、イソアミルアルコール３０ｇと酢酸イソ
アミルを添加して全体が１００ｇになるようにして、６
重量％のＢａ0.7 Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物を
調製した。
【００５９】この溶液を用いたこと以外は同様にして薄
膜コンデンサを製造した。電気特性の測定結果を表８に
示す。
膜コンデンサを製造した。電気特性の測定結果を表８に
示す。
【００６０】[実施例２０] （ｎ＝４） 薄膜原料としてα−メチル酪酸を用いたこと以外は実施
例１と同様にして薄膜コンデンサを製造した。電気特性
の測定結果を表８に示す。
例１と同様にして薄膜コンデンサを製造した。電気特性
の測定結果を表８に示す。
【００６１】[実施例２１] （ｎ＝６） 薄膜原料としてチメチルヘキサン酸を用いたこと以外は
実施例１と同様にして薄膜コンデンサを製造した。電気
特性の測定結果を表８に示す。
実施例１と同様にして薄膜コンデンサを製造した。電気
特性の測定結果を表８に示す。
【００６２】[比較例１８] （酢酸塩） 酢酸バリウム４．９１ｇと酢酸ストロンチウム０．５水
和物１．７７ｇを酢酸溶媒８０ｇに溶解し、１５０℃で
脱水を行った後、添加剤２，４−ペンタンジオン５．５
０ｇを添加し、その後、イソプロポキシチタン７．８１
ｇを加えた。更に、全体の質量が１００ｇになるように
酢酸溶媒を加えて、６重量％のＢａ0.7Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3
薄膜形成用組成物を調製した。
和物１．７７ｇを酢酸溶媒８０ｇに溶解し、１５０℃で
脱水を行った後、添加剤２，４−ペンタンジオン５．５
０ｇを添加し、その後、イソプロポキシチタン７．８１
ｇを加えた。更に、全体の質量が１００ｇになるように
酢酸溶媒を加えて、６重量％のＢａ0.7Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3
薄膜形成用組成物を調製した。
【００６３】この溶液を用いて実施例１と同様の方法で
成膜を試みたところ、重ね塗りの段階で前回の塗布膜が
溶解してしまい、成膜は不可能であった。
成膜を試みたところ、重ね塗りの段階で前回の塗布膜が
溶解してしまい、成膜は不可能であった。
【００６４】[比較例１９] （一般式［Ｉ］の構造をと
らないｎ−ヘプタン酸塩） ｎ−ヘプタン酸バリウム７．６１ｇ、ｎ−ヘプタン酸ス
トロンチウム２．８５ｇを酢酸イソアミル溶媒７０ｇに
溶解させ、添加剤３−オキソブタン酸エチル７．１５ｇ
を添加した後、イソプロポキシチタン７．８９ｇを加え
て還流した。更に、酢酸イソアミルで全体の質量を１０
０ｇにして、６重量％のＢａ0.7 Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3 薄膜
形成用組成物を調製した。
らないｎ−ヘプタン酸塩） ｎ−ヘプタン酸バリウム７．６１ｇ、ｎ−ヘプタン酸ス
トロンチウム２．８５ｇを酢酸イソアミル溶媒７０ｇに
溶解させ、添加剤３−オキソブタン酸エチル７．１５ｇ
を添加した後、イソプロポキシチタン７．８９ｇを加え
て還流した。更に、酢酸イソアミルで全体の質量を１０
０ｇにして、６重量％のＢａ0.7 Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3 薄膜
形成用組成物を調製した。
【００６５】この溶液を用いて実施例１と同様の方法で
成膜を試みたところ、重ね塗りの段階で前回の塗布膜が
溶解してしまい、成膜は不可能であった。
成膜を試みたところ、重ね塗りの段階で前回の塗布膜が
溶解してしまい、成膜は不可能であった。
【００６６】
【表２】
【００６７】
【表３】
【００６８】
【表４】
【００６９】
【表５】
【００７０】
【表６】
【００７１】
【表７】
【００７２】
【表８】
【００７３】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のＢａ1-x Ｓ
ｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物及びＢａ1-x Ｓｒx Ｔ
ｉy Ｏ3 薄膜の形成方法によれば、従来法に比べて、乾
燥工程及び焼成工程での低温化が図れ、所望の膜厚の高
特性Ｂａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3薄膜を容易かつ低コスト
に形成することが可能とされる。
ｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物及びＢａ1-x Ｓｒx Ｔ
ｉy Ｏ3 薄膜の形成方法によれば、従来法に比べて、乾
燥工程及び焼成工程での低温化が図れ、所望の膜厚の高
特性Ｂａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3薄膜を容易かつ低コスト
に形成することが可能とされる。
【００７４】本発明の薄膜コンデンサの製造方法による
と、誘電体薄膜を低温焼成できるため、誘電体薄膜とＳ
ｉ基板との界面に生じるＳｉＯ2 と誘電体との混合層が
従来よりも格段に薄く、このためキャパシタ容量が大き
い薄膜コンデンサを製造することができる。
と、誘電体薄膜を低温焼成できるため、誘電体薄膜とＳ
ｉ基板との界面に生じるＳｉＯ2 と誘電体との混合層が
従来よりも格段に薄く、このためキャパシタ容量が大き
い薄膜コンデンサを製造することができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 有機バリウム化合物、有機ストロンチウ
ム化合物及びチタンアルコキシドを、モル比がＢａ：Ｓ
ｒ：Ｔｉ＝１−ｘ：ｘ：ｙ（ただし、０≦ｘ≦１，０．
９≦ｙ≦１．１）となるように有機溶媒中に溶解してな
るＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物におい
て、 該有機バリウム化合物及び有機ストロンチウム化合物
が、一般式Ｃn Ｈ2n+1ＣＯＯＨ（ただし、３≦ｎ≦７）
で表されるカルボン酸の金属塩であって、かつ、下記一
般式［Ｉ］の構造をとり得るカルボン酸塩であることを
特徴とするＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成
物。 【化１】 （上記式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 は水
素、メチル基又はエチル基を示し、ＭはＢａ又はＳｒを
示す。） - 【請求項２】 請求項１に記載のＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy
Ｏ3 薄膜形成用組成物を用いてＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ
3 薄膜を形成する方法であって、該Ｂａ1-xＳｒx Ｔｉy
Ｏ3 薄膜形成用組成物を基板に塗布して乾燥する工程
を所望の膜厚が得られるまで繰り返し行った後、７５０
℃以下の温度で焼成して結晶化させることを特徴とする
Ｂａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 Ｓｉ基板上に誘電体薄膜を形成し、この
誘電体薄膜の上に上部電極を形成する薄膜コンデンサの
製造方法において、 該Ｓｉ基板上に請求項１に記載のＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy
Ｏ3 薄膜形成用組成物を用いてＢａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ
3 誘電体薄膜を形成する方法であって、 該Ｂａ1-x Ｓｒx Ｔｉy Ｏ3 薄膜形成用組成物を基板に
塗布して乾燥する工程を所望の膜厚が得られるまで繰り
返し行った後、７５０℃以下の温度で焼成して結晶化さ
せることを特徴とする薄膜コンデンサの製造方法。 - 【請求項４】 請求項３において、焼成を電気炉中にて
３０〜６０分行うことを特徴とする薄膜コンデンサの製
造方法。 - 【請求項５】 請求項３において、焼成をＲＴＡ装置に
て１〜３０分行うことを特徴とする薄膜コンデンサの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05932696A JP3446461B2 (ja) | 1995-06-09 | 1996-03-15 | Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜形成用組成物、Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜の形成方法及び薄膜コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14321295 | 1995-06-09 | ||
| JP7-143212 | 1995-06-09 | ||
| JP05932696A JP3446461B2 (ja) | 1995-06-09 | 1996-03-15 | Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜形成用組成物、Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜の形成方法及び薄膜コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0952713A true JPH0952713A (ja) | 1997-02-25 |
| JP3446461B2 JP3446461B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=26400380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05932696A Expired - Lifetime JP3446461B2 (ja) | 1995-06-09 | 1996-03-15 | Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜形成用組成物、Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜の形成方法及び薄膜コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3446461B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007314366A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜形成用組成物及び誘電体薄膜 |
| WO2009145272A1 (ja) | 2008-05-28 | 2009-12-03 | 三菱マテリアル株式会社 | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 |
| WO2011027833A1 (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 誘電体薄膜の形成方法及び該誘電体薄膜を有する薄膜キャパシタ |
| JP2011134553A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Mitsubishi Materials Corp | 誘電体薄膜の形成方法及び該方法により形成された誘電体薄膜 |
-
1996
- 1996-03-15 JP JP05932696A patent/JP3446461B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007314366A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜形成用組成物及び誘電体薄膜 |
| WO2009145272A1 (ja) | 2008-05-28 | 2009-12-03 | 三菱マテリアル株式会社 | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 |
| EP2343268A1 (en) | 2008-05-28 | 2011-07-13 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film, and ferroelectric thin film formed by the method thereof |
| EP2436661A1 (en) | 2008-05-28 | 2012-04-04 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film, and ferroelectric thin film formed by the method thereof |
| US8790538B2 (en) | 2008-05-28 | 2014-07-29 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film, and ferroelectric thin film formed by the method thereof |
| US8859051B2 (en) | 2008-05-28 | 2014-10-14 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film and ferroelectric thin film formed by the method thereof |
| US9005358B2 (en) | 2008-05-28 | 2015-04-14 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film, and ferroelectric thin film formed by the method thereof |
| US9502636B2 (en) | 2008-05-28 | 2016-11-22 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film, and ferroelectric thin film formed by the method thereof |
| WO2011027833A1 (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 誘電体薄膜の形成方法及び該誘電体薄膜を有する薄膜キャパシタ |
| JP2011073960A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-04-14 | Mitsubishi Materials Corp | 誘電体薄膜の形成方法及び該誘電体薄膜を有する薄膜キャパシタ |
| US8891227B2 (en) | 2009-09-02 | 2014-11-18 | Mitsubishi Materials Corporation | Process of forming dielectric thin film and thin film capacitor having said dielectric thin film |
| JP2011134553A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Mitsubishi Materials Corp | 誘電体薄膜の形成方法及び該方法により形成された誘電体薄膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3446461B2 (ja) | 2003-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100406665B1 (ko) | Ba1-xSrxTiyO3 박막 형성용 조성물 및 Ba1-xSrxTiyO3 박막의 형성방법 | |
| US6203608B1 (en) | Ferroelectric thin films and solutions: compositions | |
| JPS60236404A (ja) | 薄膜強誘電体の製造方法 | |
| JP2003002647A (ja) | Ｐｌｚｔ強誘電体薄膜、その形成用組成物及び形成方法 | |
| JP3129175B2 (ja) | （Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３薄膜コンデンサの製造方法 | |
| JP3446461B2 (ja) | Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜形成用組成物、Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜の形成方法及び薄膜コンデンサの製造方法 | |
| JPH11163273A (ja) | 誘電体薄膜、誘電体キャパシタの製造方法、および誘電体メモリ | |
| JP2001233604A (ja) | 酸化物薄膜形成用塗布液およびその製造方法ならびに酸化物薄膜の製造方法 | |
| JP3456305B2 (ja) | Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物 | |
| JP2676775B2 (ja) | 薄膜状誘電体及びその製造方法 | |
| JP2001139329A (ja) | Ｐｂ系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法及びＰｂ系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜 | |
| JP3152135B2 (ja) | Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜形成用組成物及びＢａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜の形成方法 | |
| JP2007126354A (ja) | 高誘電性薄膜用コーティング溶液及びこれを用いた誘電薄膜の製造方法、並びにこの製造方法により製造される誘電薄膜およびこの誘電薄膜を含むエンベッディドキャパシタ | |
| WO2007007561A1 (ja) | 常誘電体薄膜形成用組成物、常誘電体薄膜および誘電体メモリ | |
| JP3146961B2 (ja) | （Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３誘電体薄膜形成用組成物及び（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３薄膜の形成方法 | |
| US5637346A (en) | Process for preparing a thin ferroelectric or para-dielectric oxide film | |
| JP3116428B2 (ja) | 薄膜誘電体およびその製造方法 | |
| JP3178303B2 (ja) | Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜形成用組成物及びＢａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜の形成方法 | |
| JPH11103022A (ja) | 誘電体薄膜およびその製法 | |
| JP2008053281A (ja) | 高誘電体膜とその形成方法 | |
| JP2008004576A (ja) | 誘電体薄膜形成用基板の前処理方法 | |
| JPH10139435A (ja) | （Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ４薄膜形成用組成物及び（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ４薄膜の形成方法 | |
| JP2008004269A (ja) | 高誘電体薄膜形成用塗布組成物とその製造方法 | |
| JPH10178153A (ja) | 薄膜コンデンサ | |
| JPH06215630A (ja) | 薄膜状誘電体及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030603 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080704 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080704 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090704 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090704 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100704 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100704 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100704 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130704 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |