JPH09502308A - 放射線放出半導体屈折率案内型ダイオード - Google Patents

放射線放出半導体屈折率案内型ダイオード

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、放射線放出半導体屈折率案内型ダイオード、特に、第１のクラッディング層（１）、第２のクラッディング層（３）、活性層（２）及び少なくとも該第２のクラッディング層（３）を有し第３のクラッディング層（４）に埋め込まれて位置するメサ（２０）を持つレーザに関する。本発明によるダイオードにおいては、前記第２のクラッディング層（３）は、前記活性層（２）に隣接し、比較的薄い第１の副層（３Ａ）と、該第１の副層（３Ａ）に隣接し、比較的厚い第２の副層（３Ｂ）とを有し、一方、該第１の副層（３Ａ）の屈折率は該第２の副層（３Ｂ）の屈折率よりも低い。一方において、荷電キャリア及び放射線の厚さ方向への閉じ込めはこのようなダイオードにおいて良好である。他方において、前記第３のクラッディング層（４）に比較的高い屈折率、すなわち、比較的低いバンドギャップ、ゆえに、比較的低いアルミニウム含有率を持たせることが可能であり、一方それにも関わらず放射線の横方向閉じ込めは良好である。このように、第３のクラッディング層（４）のアルミニウム含有率は、GaAs/AlGaAsまたはInGaAs/AlGaAsダイオードにおいて、各々、50原子百分率以下または40原子百分率以下であっても良く、これは0.7乃至1μmの重要な波長範囲を網羅する。

Description

【発明の詳細な説明】 放射線放出半導体屈折率案内型ダイオード 技術分野 本発明は、第１の導電型の第１のクラッディング層、活性層及び該第１の導電 型とは反対の第２の導電型の第２のクラッディング層を有する半導体構造が上部 に設けられた半導体基板を持つ半導体基体を有し、一方、前記基板及び前記第２ のクラッディング層に電気接続が設けられ、前記第２のクラッディング層の大部 分を有し第３のクラッディング層で両側が囲まれた帯状領域が設けられた放射線 放出半導体ダイオード、特に半導体ダイオードレーザに関する。 背景技術 このようなダイオードは、情報を読取る及び／または書込む、例えば、レーザ ープリンタ等の情報制御システム、コンパクトディスク（ビデオ）(CD(V))等の 光学ディスクシステムまたはディジタル光学記録(DOR)システム、若しくはバー コード読取り機におけるLED（発光ダイオード）またはレーザの形態の放射源と して使用される。さらに、ダイオードレーザは、ガラスファイバ通信システムに おいて、例えばポンピングレーザとして使用される。 このようなダイオードは、“High power and low optical feedback noise Al GaAs single quantum well laser”by．M．Nido et al.，Electron．Lett．16th February 1989，vol．25，no．4，pp．277-278から既知である。この文献の第 １図に、ここではいわゆる埋込型リッジタイプ(buried ridge type)であって、G aAs/AlGaAs材料システムにおいて製造される上述のようなダイオードが示されて いる。AlGaAsを有する第１及び第２のクラッディング層は、２つの薄い放射線伝 送AlGaAs層の間に配置されるGaAs量子井戸層をここでは有する活性層よりも低い 屈折率及び大きなバンドギャップを持っている。電流ブロッキング層でもある、 第３のクラッディング層は、ここではGaAsを有し、前記リッジの両側で当該レー ザにより放出された放射線の一部を吸収する。この吸収の結果、横方向への実効 屈 折率の比較的大きなステップをもたらし、ゆえに、前記活性層内の放射線の横閉 じ込めが適切になる。 この既知のダイオードの不利な点は、上述の吸収が、レーザの効率、ゆえにレ ーザの開始電流に不利に影響を与えることである。AlGaAsを有する第３のクラッ ディング層は、この不利な点を持たないか、少なくとも非常に小さな程度しか持 たない。しかしながら、GaAsをAlGaAsで置き換える不利な点は、前記第３のクラ ッディング層が、この場合、安定的なレーザ動作に対して十分に大きな実効屈折 率の横ステップ(a lateral step)を得るために、非常に高いアルミニウム含有率 に応じて、非常に低い屈折率を持たなければならないということである。既知の レーザにおいては、前記第３のクラッディング層は、この場合、例えば、少なく とも55乃至70原子百分率(at.%)のアルミニウムを持たなければならないであろう 。しかしながら、AlGaAs層の製造、特に該層の選択的堆積が、該層がこのような 高いアルミニウム含有率を持つ場合実行不可能である。発明の開示 本発明は、上述の不利な点を持たないか、少なくとも非常に低い程度であり、 実効屈折率の十分に大きな横ステップを持ち、また製造が容易である放射線放出 ダイオード、特に、ダイオードレーザを得ることをとりわけ目的とする。 本発明による冒頭に述べた種類の放射線放出半導体ダイオードは、前記第２の クラッディング層が前記活性層に隣接し比較的薄い第１の副層と該第１の副層に 隣接し比較的厚い第２の副層とを有し、該第１の副層の屈折率は該第２の副層の 屈折率よりも低いことを特徴とする放射線放出半導体ダイオード。低屈折率、ゆ えに高バンドギャップを持つ前記第１の副層のために、荷電キャリア及び生成さ れる放射線のより小さな程度までの厚さ方向への閉じ込めは、この層が比較的薄 い、すなわち、前記第２のクラッディング層の厚さの例えば0.2倍にすぎない厚 さしかもたないという事実にも関わらず十分に大きなものである。例えば前記第 ２のクラッディング層の残存する大部分を有する前記第２の副層は、比較的高い 屈折率にも関わらず、該第２の副層の比較的大きな厚さのために、前記厚さ方向 へ の閉じ込めに依然貢献し、ゆえに、この閉じ込めは全ての方向で満足のいくもの である。このように前記第２のクラッディング層を副層に再分割し、該第２のク ラッディング層の比較的大きな部分が比較的高い屈折率を持つことは、前記第３ のクラッディング層が実効屈折率の十分に大きな横ステップを得るためにそんな に低い屈折率を持つ必要がないことを意味する。これは、前記第３のクラッディ ング層がアルミニウムを持つ場合、本発明によるレーザがこの層の比較的低いア ルミニウム含有率で安定し、低い開始電流を持ち、とりわけ、製造が容易である ことを意味している。さらに、重要な利点は、低アルミニウム含有率の第３のク ラッディング層は高アルミニウム含有率を持つものに比べてより良好な熱伝導を 持つことである。このように、本発明によるダイオードは、より良好な側方冷却 (a better lateral cooling)を持ち、これは、前記開始電流、安定性及び有効寿 命に利益を与える。しかしながら、比較的高屈折率の第３のクラッディング層の 利点は、アルミニウムを含有する層に限定されない。前記第３のクラッディング 層が比較的高屈折率を他の材料システムにおいて持つことができることも有利で ある。なぜなら、このことは、前記第３のクラッディング層に対する材料の選択 により高い程度の自由度を導くからである。このように、例えは、GaAs基板と整 合し、ゆえに略々50原子百分率のガリウム含有率を持つInGaIPの第３のクラッデ ィング層を使用しても良い。これに対し、既知のレーザにおいては、50原子百分 率以上のガリウム含有率が必要であろうし、このことは、この層が、最早GaAsと 整合しないことを意味する。前記第３のクラッディング層が比較的厚い（略々1 μm）ため、このような不整合は当該レーザに致命的なテンション(tension)を導 く。 前記第１のクラッディング層に、該クラッディング層の厚さ全体にわたって比 較的低い屈折率、例えば、前記第１の副層と同様の屈折率を持たせることが可能 である。また、好ましい結果が、前記第１のクラッディング層が前記第２のクラ ッディング層と同様に２つの副層に再分割される場合に得られる。 本発明によるダイオードの特に好ましい実施例は、前記第３のクラッディング 層の屈折率が前記第１の副層の屈折率と前記第２の副層の屈折率との間に位置す ることを特徴とする。このようなダイオードは、略々1×10-3と略々7×10-3との 間に位置する実効屈折率の横ステップを持っても良い。これは、安定した動作の た めに広く満足のいくものである。第３のクラッディング層がAlGaAsを有する場合 、該層を、他のクラッディング層の屈折率及び放出される放射線の波長に依存し て、50原子百分率以下、まして40原子百分率に等しいアルミニウム含有率で実現 しても良い。それゆえ、好ましくは、本発明によるダイオードは、前述の範囲内 に位置する実効屈折率の横ステップを持つ。前述のステップ量に対する最適な値 は、3×10-3と5×10-3との間に位置する。 本発明によるダイオードの好ましい実施例において、前記第１及び第２のクラ ッディング層はAlGaAsを有し、前記第１の副層のアルミニウム含有率は、前記第 ２の副層のアルミニウム含有率よりも大きく、一方、前記第３のクラッディング 層はAlGaAsを有し、該第１の副層のアルミニウム含有率と該第２の副層のアルミ ニウム含有率との間に位置するアルミニウム含有率を持つ。このようなダイオー ドは、前述の範囲に位置する実効屈折率の横ステップを持ち、製造が容易であり 、実際重要である略々0.7及び1.0μmの間の波長範囲に非常に適している。 第１の好ましい変形例においては、前記第１の副層のアルミニウム含有率は40 及び70原子百分率の間に位置し、その厚さは0.03及び0.2μmの間に位置し、前記 第２の副層のアルミニウム含有率は30及び40原子百分率の間に位置し、その厚さ は1及び3μmの間に位置し、前記第３のクラッディング層のアルミニウム含有率 は40及び50原子百分率の間に位置し、前記活性層の放出波長は略々0.78μmであ る。上述のように与えられたアルミニウムのパーセント及び厚さは、特定された 放出波長に対する実効屈折率の横ステップの前述の好ましい範囲に対応する。レ ーザとして構成されるこの変形例におけるダイオードは、光学ディスクシステム における読取り及び／または書込みレーザとしての使用に特に適している。 第２の好ましい変形例においては、前記第１の副層のアルミニウム含有率は30 及び50原子百分率の間に位置し、その厚さは0.03及び0.2μmの間に位置し、前記 第２の副層のアルミニウム含有率は15及び30原子百分率の間に位置し、その厚さ は1及び3μmの間に位置し、前記第３のクラッディング層のアルミニウム含有率 は20及び40原子百分率の間に位置し、前記活性層の放出波長は略々0.98μmであ る。これらのアルミニウムのパーセント及び厚さも、特定された放出波長に対す る実効屈折率の横ステップの前述の好ましい範囲に対応する。レーザとして構成 され るこの変形例におけるダイオードは、（エルビウムがドープされた）ガラスファ イバ増幅器用のポンピングレーザとしての使用に特に適している。 本発明によるダイオードの非常に好ましい実施例は、埋込型リッジ構造を持つ 。この場合、前記帯状領域、すなわち、リッジは、前記第２のクラッディング層 の大部分を有するが、該第２のクラッディング層全体ではない。この構造は非常 に魅力的なものである。なぜなら、前記活性層が該層の成長の後最早大気に曝さ れないからであり、このことは、該活性層がアルミニウムを有する場合非常に望 ましいものである。さらに、この構造は、製造が比較的単純である。 この構造の変形例においては、前記第２のクラッディング層の前記リッジの両 側に位置される部分は、前記第１の副層に加え、前記第２の副層の小部分も有す る。この構造は、前記第３のクラッディング層が比較的低いアルミニウム含有率 を持つ層上に設けられることになり、このことは、該第３のクラッディング層の 質に利益を与えるという利点を持つ。この変形例は、前記第１の副層上に位置さ れるこれら層の厚さの良好な一様性及び正確なエッチングを要求する。この変形 例は、蒸着技術としてOMVPE（Organo Metallic Vapour Phase Epitaxy:有機金属 気相成長）を使用して非常に良好に実現することが可能である。この変形例の範 囲内において、前記第２の副層内に位置され前記第１の副層に隣接する中間層を 使用することも可能である。この中間層は、エッチングストッパ層として作用さ せても良く、好ましくは、アルミニウムを持たない層、例えば、InGaPまたはGaA sを有する層を持つ。 上述から明らかなように、本発明は、略々1μm以下の波長範囲内で放出するダ イオードに特に良好に適用させることができる。ゆえに、本発明は、InGaP/InAl GaP材料システムとGaAs/AlGaAs材料システムに非常に適している。これらの材料 システムの組み合わせを思い描くこともここでは可能であろう。 ここで、本発明は、３つの実施例及びこれらに伴う図を参照してより詳細に説 明されるであろう。 図面の簡単な説明 第１図は、本発明による放射線放出半導体ダイオードの第１及び第２の実施例 の断面図である。 第２図及び第３図は、第１図のダイオードを製造する連続工程における該ダイ オードを示している。 これらの図は、図的であって縮尺通りに示されていなく、厚さ方向の寸法は特 に明確にするために誇張されている。対応する部分は、これら種々の実施例にお いて通例同一の参照番号が与えられている。同一の導電タイプの半導体領域は、 通例同一方向にハッチングされている。 発明を実施するための最良の形態 第１図は、本発明による放射線放出半導体ダイオード、ここでは、ダイオード レーザの第１の実施例の断面図を示している。この断面図は、当該レーザの空洞 共振器の長手方向に垂直に取られている。当該装置は、n-GaAsの基板１１を持つ 半導体基体１０を有している。この基板上には、とりわけ、n-GaAsのバッファ層 １２、n-AlGaAsのクラッディング層１、バリヤー層により分離され放射線案内層 により囲まれている３つの量子井戸層を持つAGaAsの活性層２及びp-AlGaAsの第 ２のクラッディング層３を有する半導体層構造が設けられている。半導体基体１ ０は、第２のクラッディング層３の大部分を有し、電流ブロッキング層として作 用する第３のクラッディング層４により両側が囲まれ、AlGaAsから成り、ここで はｎ導電タイプである、ここではリッジの形態の、帯状領域２０を有する。基板 １１には、金属層９が設けられ、リッジ２０には、上側に金属層８を持つp-GaAs のコンタクト層７が設けられ、ゆえに、当該レーザを電気的に接続することが可 能である。 本発明によると、第２のクラッディング層３は、活性層２に隣接し相対的に薄 い第１の副層(sub-layer)３Ａと該第１の副層３Ａに隣接し相対的に厚い第２の 副層３Ｂとを有し、一方、この第１の副層３Ａの屈折率は、第２の副層３Ｂの屈 折率よりも低い。この結果、一方において、荷電キャリア及び発生された放射線 、ここでは略々0.78μmの波長を持つ放射線の活性層２内の閉じ込めが比較的良 好であり、他方において、リッジ２０の領域における実効屈折率が比較的高い。 これ は、第３のクラッディング層４が、前記実効屈折率の比較的大きな横ステップを それにも関わらず実現するためにそれほど小さな屈折率を持つ必要がないことを 意味している。本実施例においては、第１のクラッディング層１も同様に、２つ の副層１Ａ及び１Ｂに分割される。 GaAs/AlGaAsレーザの本実施例においては、これは、第１の副層１Ａ及び３Ａ が第２の副層１Ｂ及び３Ｂよりも高いアルミニウム含有率を持つことを含蓄して いる。第１の副層３Ａのアルミニウム含有率は、40及び70原子百分率の間に位置 し、ここでは略々55原子百分率である。一方、第２の副層３Ｂのアルミニウム含 有率は、30及び40原子百分率の間に位置し、ここでは、略々35原子百分率である 。これら副層１Ａ、３Ａ及び１Ｂ、３Ｂの厚さは、各々、0.03及び2μmの間及び 1及び3μmの間に位置し、本実施例においては、各々、0.05μm及び1.3μmである 。この結果、及び第３のクラッディング層４がここではアルミニウムを45原子百 分率しか持たないため、本発明によるこの実施例のレーザは、実効屈折率の比較 的大きな横ステップ、すなわち、1×10-3及び7×10-3の間、好ましくは、3×10- 3 及び5×10-3の間、この場合には、略々4×10-3のステップを示す。このように 低いアルミニウム含有率を持つ第３のクラッディング層４を選択的に容易に設け ることは可能であり、ゆえに、この実施例によるレーザを容易に実現することが 可能である。この実施例の放出波長は0.78であり、レーザとして構成される当該 ダイオードは光学ディスクシステムにおける読取り及び／または書込レーザとし て非常に適している。 当該レーザのこの実施例は、埋込型リッジタイプのものであり、そのため製造 が容易である。このようなレーザはまた、前記活性層が製造の間大気に曝されな いという主要な利点も持つ。これは、この実施例のアルミニウムを有する前記活 性層２のように、該活性層２の材料が大気に曝されて不可逆的に不利に変化して しまうような場合に特に重要である。ゆえに、この実施例においては、前記リッ ジ２０の両側に位置される前記第２クラッディング層３の部分３Ｄが、前記第１ の副層３Ａに加え、ここでは略々0.1μmの厚さの前記第２の副層３Ｂの小部分３ Ｃも有している。ゆえに、前記第３のクラッディング層４は、比較的低いアルミ ニウム含有率を持った層上に存在し、これは、該第３のクラッディング層４の適 用 を容易にし、該層の質を向上させる。以下の表は、この実施例におけるレーザの 種々の半導体層の組成、ドーピングレベル及び厚さを示すものである。 前記リッジ２０の幅及び長さは、各々、3.5及び250μmである。前記基板１１ の導電層９は、ここではAu-Ge-Niを有し、略々0.1μmの厚さである。前記導電層 ８は、ここではPt、Ta及びAuを有し、略々0.4μmの厚さである。 上述の放射線放出半導体ダイオードは、以下のように製造される（第２図及び 第３図参照）。以下の、 0.5μmの厚さのn-GaAsのバッファ層１２、 各々35及び55原子百分率のアルミニウムを有するn-AlGaAsの第１のクラッディ ング層１の第２の副層１Ｂ及び第１の副層１Ａ、 バリヤー層と交互に２つの放射線案内層の間に位置される３つの量子井戸層を 持つAlGaAsの非ドープ活性層２、 各々55及び35原子百分率のアルミニウムを有するp-AlGaAsの第２のクラッディ ング層３の第１の副層３Ａ及び第２の副層３Ｂ、 をMOVPE(Metal Organic Vapour Phase Epitaxy：有機金属気相成長)によりn-GaA s基板１上に上述の順番で成長させる。長軸が図の面に垂直である帯３０の形態 の0.12μmの厚さの二酸、化珪素のマスク層３０がその上に設けられる。 ここで、メサ状帯２０が第２図の半導体層構造にエッチングされる（第３図参 照）。これにより、AlGaAsを有する前記第２のクラッディング層３が、低エッチ ング速度を持つエッチング液により前記大部分に関して除去される。前記第２の クラッディング層３の厚さの非常に良好な均一性及び前述の低エッチング速度の ために、前記第１の副層３Ａ及び前記第２の副層３Ｂの0.1μmの厚さの部分３Ｃ を有する前記第２のクラッディング層の残存部分３Ｄの厚さを、非常に制御良く 選択することが可能である。 この後、またMOVPEにより、n-AlGaAsの第３のクラッディング層４が、前記第 ２のクラッディング層３上に前記メサ状帯２０の両側に選択的に設けられる。前 記マスク３０が除去された後、p-GaAsのコンタクト層７が非選択的に設けられる （第１図参照）。さらに、これら設けられた半導体層の選択された厚さ及び組成 は、前述の表の中に見ることができる。ここで、導電層９が、例えば、スパッタ リングにより前記基板１１上に設けられ、導電層８が、同様に、前記コンタクト 層７上に設けられる。個々のレーザは、クリービング(cleaving)の後最終装着に 使用可能になる。 第１図はまた、本発明による、ここにおいてもダイオードレーザである放射線 放出半導体ダイオードの第２の実施例の断面図を示している。第１の実施例との 相違点は、その放出波長がここでは0.98μmである前記活性層２並びにここでは 異なるアルミニウム含有率を持つ前記第１、第２及び第３のクラッディング層２ 、３及び４の組成または厚さにもっぱら関し、放出波長はここでは0.98μmであ る。この実施例のレーザの各層の組成及び厚さは、以下の表に与えられている。 第１ の実施例とは異ならない他の点に関しては、この第１の実施例の説明を参照され たい。 この実施例において、本発明による第２のクラッディング層３は再び、前記活 性層に隣接し相対的に薄い第１の副層３Ａ及び該第１の副層３Ａに隣接し相対的 に厚い第２の副層３Ｂを有し、一方、該第１の副層３Ａの屈折率は該第２の副層 ３Ｂの屈折率よりも低い。この結果、一方においては、前記活性層２内の荷電キ ャリア及び0.98μmの放射線の閉込めが比較的良好であり、他方においては、前 記リッジ２０の領域における実効屈折率が比較的高い。これは、前記第３のクラ ッディング層４が実効屈折率の比較的大きな横ステップをそれにも関わらず実現 するために小さな屈折率を持つ必要がないことを意味している。この実施例にお いて、前記第１のクラッディング層１は再び、同様に２つの副層１Ａ及び１Ｂに 分割される。 InGaAs/AlGaAsレーザの本実施例において、これは、前記第１の副層１Ａ、３ Ａが前記第２の副層１Ｂ、３Ｂよりも高いアルミニウム含有率を持っていること を含蓄している。この第１の副層１Ａ、３Ａのアルミニウム含有率は30及び50原 子百分率の間に位置し、ここでは略々40原子百分率である。一方、第２の副層１ Ｂ、３Ｂのアルミニウム含有率は15及び30原子百分率の間に位置し、ここでは略 々18原子百分率である。各々、0.03及び0.2μmの間及び1及び3μmの間に位置す る、これら副層１Ａ、３Ａ及び１Ｂ、３Ｂの厚さは、この実施例においては、各 々、0.05μm及び1.9μmである。この結果及び第３のクラッディング層４がここ ではアルミニウムを25原子百分率しか持たないため、本発明のこの実施例による レーザは、実効屈折率の比較的大きな横ステップ、すなわち、1×10-3及び7×10-3 の間、好ましくは、3×10-3及び5×10-3の間に位置し、ここでは略々4×10-3 であるステップを示す。このように低いアルミニウム含有率を持つ第３のクラッ ディング層４は特に選択的に設けることが容易であり、ゆえに、この実施例のレ ーザは容易に実現される。前述の0.98μmの放出波長により、このレーザの実施 例は、（エルビウムがドープされた）ガラスファイバ増幅器用のポンピングレー ザとして特に適切である。 この実施例のレーザは、第１の実施例のレーザと同様に製造される。この製造 に関しては、第１の実施例を参照することで十分であろう。 本発明は、多様な修正及び変形が本発明の範囲内で当業者にとって可能である ため、与えられたこれらの実施例に限定されない。本発明を、レーザのみならず 、LEDに適用しても良く、一方、前記第３のクラッディング層を、該層を通る電 流を回避するためにブロッキングpn接合の代わりに高オームの層として構成して も良い。 本発明はまた、前述の実施例に述べたリッジレーザに限定されない。本発明は 、特にいわゆる埋込型ヘテロ構造等の他の構造に同様に使用されても良い。さら に、本発明は、既に述べたInGaP/InGaAlPシステム等のここで述べた以外の半導 体材料システムにおけるダイオードに使用しても良く、InGaAsP等のアルミニウ ムを含まないIII-V材料システムまたはII-VI材料システム等のIII-V以外の材料 システムにさえ使用しても良い。 最後に、これらの実施例において半導体層に対して使用されるMOVPEに代わっ て他の技術を使用することができることに注意されたい。このように、MOVPEに 代わって、MOMBE（Metal Organic Molecular Beam Epitaxy:有機金属分子線エピ タキシー）、MBE（Molecular Beam Epitaxy:分子線エピタキシー）、VPE（Vapou r Phase Epitaxy:気相成長）またはLPE（Liquid Phase Epitaxy:液相エピタキシ ー）を使用することも可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アケット ゲラルド アドリアン オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ 【要約の続き】 ダイオードにおいて、各々、50原子百分率以下または40 原子百分率以下であっても良く、これは0.7乃至1μmの 重要な波長範囲を網羅する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １．第１の導電型の第１のクラッディング層（１）、活性層（２）及び該第１の 導電型とは反対の第２の導電型の第２のクラッディング層（３）を有する半導体 構造が上部に設けられた半導体基板（１１）を持つ半導体基体（１０）を有し、 一方、前記基板（１１）及び前記第２のクラッディング層（３）に電気接続（９ 、（７、８））が設けられ、前記第２のクラッディング層（３）の大部分を有し 第３のクラッディング層（４）で両側が囲まれた帯状領域（２０）が設けられた 放射線放出半導体ダイオードにおいて、 前記第２のクラッディング層（３）は前記活性層（２）に隣接し比較的薄い第 １の副層（３Ａ）と該第１の副層（３Ａ）に隣接し比較的厚い第２の副層（３Ｂ ）とを有し、該第１の副層（３Ａ）の屈折率は該第２の副層（３Ｂ）の屈折率よ りも低いことを特徴とする放射線放出半導体ダイオード。 ２．請求項１に記載の放射線放出半導体ダイオードであって、前記第１のクラッ ディング層（１）が前記活性層２に隣接し比較的薄い第１の副層（１Ａ）と該第 １の副層（１Ａ）に隣接し比較的厚い第２の副層（１Ｂ）とを有し、一方、該第 １の副層（１Ａ）の屈折率は該第２の副層（１Ｂ）の屈折率よりも低いことを特 徴とする放射線放出半導体ダイオード。 ３．請求項１または２に記載の放射線放出半導体ダイオードであって、前記第３ のクラッディング層（４）の屈折率は前記第１の副層（１Ａ、３Ａ）の屈折率と 前記第２の副層（１Ｂ、３Ｂ）の屈折率との間に位置することを特徴とする放射 線放出半導体ダイオード。 ４．請求項１、２または３に記載の放射線放出半導体ダイオードであって、前記 帯状領域（２０）と前記第３のクラッディング層（４）の該領域（２０）に隣接 する部分との間の実効屈折率における横ステップは、1×10-3と7×10-3との間に 位置し、好ましくは、略々3×10-3と5×10-3との間に位置することを特徴とする 放射線放出半導体ダイオード。 ５．請求項１、２、３または４に記載の放射線放出半導体ダイオードであって、 前記第１及び第２のクラッディング層（１、３）はAlGaAsを有し、前記第１の副 層（１Ａ、３Ａ）のアルミニウム含有率は前記第２の副層（１Ｂ、３Ｂ）のアル ミニウム含有率よりも大きく、一方、前記第３のクラッディング層（４）はAlGa Asを有し、該第１の副層（１Ａ、３Ａ）のアルミニウム含有率と該第２の副層（ １Ｂ、３Ｂ）のアルミニウム含有率との間に位置するアルミニウム含有率を持つ ことを特徴とする放射線放出半導体ダイオード。 ６．請求項５に記載の放射線放出半導体ダイオードであって、前記第１の副層（ １Ａ、３Ａ）のアルミニウム含有率は40及び70原子百分率の間に位置し、その厚 さは0.03及び0.2μmの間に位置し、前記第２の副層（１Ｂ、３Ｂ）のアルミニウ ム含有率は30及び40原子百分率の間に位置し、その厚さは1及び3μmの間に位置 し、前記第３のクラッディング層（４）のアルミニウム含有率は40及び50原子百 分率の間に位置し、前記活性層（２）の放出波長は略々0.78μmであることを特 徴とする放射線放出半導体ダイオード。 ７．請求項５に記載の放射線放出半導体ダイオードであって、前記第１の副層（ １Ａ、３Ａ）のアルミニウム含有率は30及び50原子百分率の間に位置し、その厚 さは0.03及び0.2μmの間に位置し、前記第２の副層（１Ｂ、３Ｂ）のアルミニウ ム含有率は15及び30原子百分率の間に位置し、その厚さは1及び3μmの間に位置 し、前記第３のクラッディング層（４）のアルミニウム含有率は20及び40原子百 分率の間に位置し、前記活性層（２）の放出波長は略々0.98μmであることを特 徴とする放射線放出半導体ダイオード。 ８．請求項１乃至７の何れか一項に記載の放射線放出半導体ダイオードであって 、前記帯状領域（２０）は前記第３のクラッディング層（４）内に埋め込まれた 状態で位置するリッジ（２０）を形成することを特徴とする放射線放出半導体ダ イオード。 ９．請求項８に記載の放射線放出半導体ダイオードであって、前記第２のクラッ ディング層（３）の前記リッジ（２０）の両側に位置される部分（３Ｄ）は前記 第１の副層（３Ａ）に加え前記第２の副層（３Ｂ）の小部分（３Ｃ）も有するこ とを特徴とする放射線放出半導体ダイオード。 １０．請求項９に記載の放射線放出半導体ダイオードであって、前記第２のクラ ッディング層（３）の前記リッジ（２０）の両側に位置される部分（３Ｄ）はま た前記第１の副層（３Ａ）と前記第２の副層（３Ｂ）の小部分（３Ｃ）との間に 位置される中間層を有することを特徴とする放射線放出半導体ダイオード。
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