JP3449546B2 - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ及び
その製造方法に関し、さらに詳しくは、大容量光ディス
ク装置及びレーザビームプリンタなどに好適に用いるこ
とのできる半導体レーザ及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスク装置などに用いる半導体レー
ザは、長寿命、低しきい値電流動作は当然として、その
他に安定な単一横モード動作、低非点隔差、低雑音、低
アスペクト比等が求められている。現状ではこれら全て
の特性を満たす４００ｎｍ帯半導体レーザは実現されて
いない。

【０００３】従来、単一横モード型のＧａＮ系半導体レ
ーザとして、図３に示すようなリッジ導波路型構造が用
いられている。このリッジ導波路型構造は、以下のよう
にして作製する。最初に、サファイア基板２０１上に第
１の結晶成長によりＧａＮ半導体層からなるバッファ層
２０２、ｎ−ＧａＮ半導体層からなる第１のコンタクト
層２０３、ｎ−ＡｌＧａＮ半導体層からなる第１のクラ
ッド層２０４、ｎ−ＧａＮ半導体層からなる第１の光ガ
イド層２０５、Ｇａ_１−ＸＩｎ_ＸＮ／Ｇａ_１−ＹＩｎ_Ｙ
Ｎ（０＜Ｙ＜Ｘ＜１）半導体層からなる多重量子井戸活
性層２０６、ｐ−ＡＩＧａＮ半導体層からなるキャップ
層２０７、ｐ−ＧａＮ半導体層からなる第２の光ガイド
層２０８、ｐ―ＡｌＧａＮ半導体層からなる第２クラッ
ド層２０９、及びｐ−ＧａＮ半導体層からなる第２のコ
ンタクト層２１０を順次形成する。

【０００４】続いて、例えばＣｌ_２ガスを用いた反応性
イオンエッチングにより、第２のクラッド層２０９及び
第２のコンタクト層２１を積層方向において部分的に除
去することによって、リッジストライプ２１１を形成す
る。リッジストライプ２１１以外の表面には、例えばＳ
ｉＯ_２から成る絶縁膜２１２を形成する。これによっ
て、リッジストライプ２１１との屈折率差が生じ、また
電気的な絶縁を確保することができる。

【０００５】そして、リッジストライプ２１１上に例え
ばＮｉ／Ａｕから成るｐ電極２１３を形成するととも
に、第１のコンタクト層２０３の一部を厚さ方向に部分
的にエッチングして得た表面に、例えばＴｉＡｌから成
るｎ電極２１４を形成する。

【０００６】このようにして得たリッジ導波路型ＧａＮ
系半導体レーザにおいて、ｎ電極２１４を接地し、Ｐ電
極２１３に電圧を印可すると、活性層２０６に向かって
ｐ電極２１３側からホールが、またｎ電極２１４側から
電子が注入される。その結果、活性層２０６内で光学利
得を生じ、レーザ発振を起こす。また、リッジストライ
プ２１１においては、積層方向と垂直な方向に屈折率差
を有する屈折率導波構造を呈しているので、光学モード
は単一横モードとなって安定する。また、非点隔差も比
較的小さくなるので、高性能の半導体レーザを実現でき
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示すようなリッジ導波路型ＧａＮ系半導体レーザを実際
に作製する場合においては、次に示すような極めて困難
な問題が存在する。図３において、リッジストライプ２
１１を形成するためには、前述のように、Ｃｌ_２ガスを
用いた反応性イオンエッチングを用いるが、この際にお
けるエッチング探さは、リッジストライプ２１１とＳｉ
Ｏ_２絶縁膜２１２との実効屈折率差を決定する重要な因
子となる。

【０００８】図４は、リッジストライプ２１１の実効屈
折率、並びにリッジストライプ２１１及びＳｉＯ_２絶縁
膜２１２における実効屈折率差の、ｐ−ＡｌＧａＮクラ
ッド層残厚ｄに対する依存性を示す計算時果である。ｐ
−ＡｌＧａＮクラッド層残厚ｄが増加するにつれて、リ
ッジストライプ２１１の実効屈折率が急激に上昇すると
とともに、リッジストライプ２１１及びＳｉＯ_２絶縁膜
における実効屈折率差が減少する。そして、ｐ−ＡｌＧ
ａＮクラッド層残厚ｄが２００ｎｍを超えると、前記実
効屈折率差がほとんど０になってしまう。すなわち、リ
ッジストライプ２１１を形成する際のエッチングを極め
て高精度に制御することが要求され、例えば、１０ｎｍ
程度の精度でｐ−ＡｌＧａＮクラッド層のエッチング深
さを制御することが要求される。

【０００９】しかしながら、一般的な反応性イオンエッ
チングでは、各エッチング操作においては、あるいは同
一基板面におけるばらつきが数１０ｎｍ程度となってし
まう。このため、リッジストライプ２１１を形成する際
のエッチングを高精度に行うことができず、この結果、
リッジ導波路型ＧａＮ系半導体レーザの歩留まりが減少
してしまうという問題があった。

【００１０】本発明は、半導体レーザの製造歩留まりを
向上すべく、新規な構造の半導体レーザ及びその製造方
法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題を解
決すべく、基板上に、第１のコンタクト層と、第１のク
ラッド層と、第１の光ガイド層と、活性層と、キャップ
層と、第２の光ガイド層と、第２のクラッド層と、第２
のコンタクト層とがこの順に積層されてなる半導体レー
ザであって、前記第１のクラッド層はメサストライプ形
状を呈し、前記第１のクラッド層の両側において、この
第１のクラッド層の側面全体を覆うように電流ブロック
層を具えるとともに、前記電流ブロック層は階段形状を
呈し、前記各層の積層方向と垂直な方向において、前記
電流ブロック層の前記第１のクラッド層から離隔した部
分の高さが、前記電流ブロック層の前記第１のクラッド
層に近接した部分の高さよりも低くなっているととも
に、前記第１のクラッド層の上面の高さと前記電流ブロ
ック層の前記第１のクラッド層に近接した部分の上面の
高さとがほぼ等しくなっており、前記活性層は、互いに
ほぼ等しい高さを有する、前記第１のクラッド層の上面
と前記電流ブロック層の前記近接した部分の上面とに対
応した平坦部を有するとともに、前記各層の積層方向と
垂直な方向において、前記電流ブロック層の階段形状に
対応し、前記平坦部から外方に向かって下方に屈曲して
いることを特徴とする、単一横モード型のＧａＮ系半導
体レーザに関する。

【００１２】また、本発明の半導体レーザの製造方法
は、上述したＧａＮ系半導体レーザを構成すべく、基板
上に、第１のコンタクト層と、第１のクラッド層と、第
１の光ガイド層と、活性層と、キャップ層と、第２の光
ガイド層と、第２のクラッド層と、第２のコンタクト層
とがこの順に積層されてなる半導体レーザの製造方法で
あって、前記第１のクラッド層を厚さ方向の全体に亘っ
て部分的に除去するとともに、前記第１のコンタクト層
を厚さ方向の一部において部分的に除去することによ
り、前記第１のクラッド層と前記第１のコンタクト層の
一部とからなるメサストライプ構造を自己形成的に形成
し、前記第１のコンタクト層上において前記メサストラ
イプ構造の全体を覆うようにして電流ブロック層を形成
するとともに、この電流ブロック層を加熱することによ
ってマストランスポートを生じさせ、前記電流ブロック
層の前記メサストライプ構造上に形成された部分を除去
するようにしたことを特徴とする。

【００１３】本発明者らは、高精度なエッチング操作を
必然的に要求する、従来のリッジ導波路型半導体レーザ
に代わる新規な構成の半導体レーザを見出すべく、鋭意
検討を行った。その結果、上記のような本発明の製造方
法に基づいて、製造歩留まりが著しく向上した新規な構
成の半導体レーザを得ることができた。

【００１４】すなわち、従来の半導体レーザと同様な積
層構成において、ｐ―ＡｌＧａＮからなる第２のクラッ
ド層に代えて、所定の半導体層からなる第１のクラッド
層をメサストライプ状に形成するとともに、所定の半導
体層からなる電流ブロック層を、前記メサストライプ状
の第１のクラッド層を覆うようにして形成する。その
後、前記電流ブロック層を所定の温度に加熱すると、こ
の電流ブロック層にマストランスポートが発生し、前記
電流ブロック層の、前記メサストライプ状の第１のクラ
ッド層の上面に形成された部分が消失する。

【００１５】この結果、前記電流ブロック層は、前記前
記メサストライプ状の第１のクラッド層の側面にのみ、
この側面の全体を覆うようにして存在する。したがっ
て、第１のクラッド層及び電流ブロック層は、従来の半
導体レーザにおける第２のクラッド層及びＳｉＯ_２絶縁
層と同様の構成を呈するようになる。そして、このよう
な構成を有する本発明の半導体レーザは、第１のクラッ
ド層及び電流ブロック層間の実効屈折率差に基づいて、
従来のリッジ導波路型半導体レーザと同様に、単一横モ
ードの光学モードを呈する。すなわち、本発明の製造方
法に基づいて本発明の半導体レーザを製造することによ
り、高精度なエッチング操作を必要とすることなく、高
い歩留まりで従来と同等の特性を有する半導体レーザを
提供することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面と関連させな
がら、発明の実施の形態に基づいて詳細に説明する。図
１は、本発明の半導体レーザの一例を示す断面図であ
る。図１に示す半導体レーザにおいては、サファイア基
板１０１上に、低温で結晶成長させたＡｌＮ半導体層か
らなるバッファ層１０２、ｎ−ＧａＮ半導体層からなる
第１のコンタクト層１０３、ｎ−ＡｌＧａＮ半導体層か
らなる第１のクラッド層１０４、ｎ−ＧａＮ半導体層か
らなる第１の光ガイド層１０７、Ｇａ_１−ＸＩｎ_ＸＮ／
Ｇａ_１−ＹＩｎ_ＹＮ（０＜Ｙ＜Ｘ＜１）半導体層からな
る多重量子井戸型の活性層１０８、ｐ−ＡｌＧａＮ半導
体層からなるキャップ層１０９、ｐ−ＧａＮ半導体層か
らなる第２の光ガイド層１１０、ｐ−ＡｌＧａＮ半導体
層からなる第２のクラッド層１１１、及びｐ^＋−ＧａＮ
半導体層からなる１１２コンタクト層１１２がこの順に
積層されている。

【００１７】第２のコンタクト層１１２上には、例えば
Ｎｉ／Ｔｉからなるｐ電極１１３が形成されているとと
もに、上記各層をエッチング除去して露出させた第１の
コンタクト層１０３の表面には、例えばＴｉ／Ａｌから
なるｎ電極１１４が形成されている。

【００１８】第１のクラッド層１０４はメサストライプ
形状を呈するとともに、第１のクラッド層１０４の両側
には、その側面１０４Ｂの全体を覆うようにして電流ブ
ロック層１０６が形成されている。

【００１９】また、電流ブロック層１０６は階段形状を
呈し、積層方向と垂直な方向において、電流ブロック層
１０６の第１のクラッド層１０４から離隔した部分１０
６―２の高さが、電流ブロック層１０６の第１のクラッ
ド層１０４に近接した部分１０６―１の高さよりも低く
なっている。さらには、電流ブロック層１０６の第１の
クラッド層１０４に近接した部分１０６―１の上面１０
６Ａの高さと、第１のクラッド層１０４の上面１０４Ａ
との高さがほぼ等しくなっている。すなわち、上面１０
４Ａと上面１０６Ａとは同一レベルの平面を構成してい
る。

【００２０】メサストライプ状の第１のクラッド層１０
４及び電流ブロック層１０６を上記のように形成するこ
とにより、以下に示すような階段状に屈曲した活性層を
容易に形成することができる。

【００２１】メサストライプ状の第１のクラッド層１０
４の高さ（厚さ）Ｈは０．２〜５μｍであり、階段状の
電流ブロック層１０６の段差ｈは０．１〜４μｍであ
る。そして、これらの上に積層する第１の光ガイド層１
０７から第２の光ガイド層１１０は０．０５〜０．３μ
ｍ程度の厚さである。

【００２２】したがって、メサストライプ状の第１のク
ラッド層１０４及び電流ブロック層１０６上に積層され
た第１の光ガイド層１０７、活性層１０８、キャップ層
１０９、及び第２の光ガイド層１１０は、第１のクラッ
ド層１０４の上面１０４Ａと電流ブロック層１０６の上
面１０６Ａとで構成される平面に対応して、それらの中
央部分が平坦に構成されているとともに、電流ブロック
層１０６の階段形状に対応して、前記平坦部から外方へ
向かって階段状に屈曲した構成を呈している。すなわ
ち、上述したメサストライプ状の第１のクラッド層１０
４及び電流ブロック層１０６の形状に応じて、階段状に
屈曲した活性層１０８を得ることができる。

【００２３】第２のクラッド層１１１は、階段状の電流
ブロック層１０６によって形成された、第１の光ガイド
層１０７から第２の光ガイド層１１０までの段差を埋め
るべく、０．４〜２μｍの厚さを有している。

【００２４】メサストライプ状の第１のクラッド層１０
４の側面全体が電流ブロック層１０６によって覆われて
いるので、ｐ電極１１３及びｎ電極１１４に所定の電圧
を印加しても、第１のクラッド層１０４以外の領域から
活性層１０８に電流が流入することがない。このため、
メサストライプ状の第１のクラッド層上においてのみ発
光する。

【００２５】さらに活性層１０８は積層方向と垂直な方
向において階段状に屈曲しているため、屈曲部分におい
て屈折率変化を有している。すなわち、活性層１０８
は、横方向において屈折率差を有する屈折率導波構造を
呈している。このため、上記のようにして発光した光
は、メサストライプ状の第１のクラッド層１０４上の平
坦な部分に閉じ込められて伝搬する。この結果、単一横
モードの半導体レーザの提供が可能となる。

【００２６】なお、図１に示す半導体レーザにおいて
は、サファイア基板１０１と第１のコンタクト層１０３
との間にバッファ層１０２が形成されているが、これは
サファイア基板１０１と第１のコンタクト層１０３との
格子不整合を緩和して、第１のコンタクト層１０３の結
晶成長を促進させるためのものである。

【００２７】次に、本発明の半導体レーザの製造方法に
おいて説明する。図２は、本発明の半導体レーザの製造
方法の一例を示す工程図である。最初に、図２（ａ）に
示すように、サファイア基板１０１上に、必要に応じて
ＡｌＮからなる低温成長バッファ層１０２、ｎ−ＧａＮ
半導体層からなる第１のコンタクト層１０３、及びｎ−
ＡｌＧａＮ半導体層からなる第１のクラッド層１０４を
順次積層する。

【００２８】その後、このようにして得たアセンブリを
結晶成長装置から取り出す。そして、フォトリソグラフ
イーと反応性イオンエッチングとを用い、第１のクラッ
ド層１０４を厚さ方向の全体に亘って、及び第１のコン
タクト層１０３を厚さ方向の一部に亘って部分的に除去
し、第１のクラッド層１０４及び第１のコンタクト層１
０３の一部からなるメサストライプ構造１０５を自己形
成的に形成する。この様子を図２（ｂ）に示す。

【００２９】なお、図２（ｂ）においては、第１のコン
タクト層１０３の一部をも除去して第１のクラッド層１
０４及び第１のコンタクト層の一部からなるメサストラ
イプ構造を作製している。このようにメサストライプ構
造の一部を第１のコンタクト層１０３の一部をも含めて
構成するのは、後に形成する電流ブロック層によって第
１のクラッド層１０４の側面を完全に覆うようにするた
めである。すなわち、メサストライプ構造を第１のクラ
ッド層のみから形成した場合は、前記エッチングによっ
て第１のクラッド層の下部が除去される事なく残存する
場合が生じる。このような第１のクラッド層のメサスト
ライプ構造を構成しない部分は、電流ブロック層によっ
て完全に覆うことができない。この結果、印加電圧に起
因する電流に漏れが生じ、均一な発光が不可能となるた
めである。

【００３０】次いで、前述のようにして得たアセンブリ
を再び結晶成長装置に導入し、第１のコンタクト層１０
３上において、メサストライプ構造１０５を覆うように
して高抵抗のＧａＮ半導体層からなる電流ブロック層１
０６を形成する。この様子を図２（ｃ）に示す。

【００３１】次いで、例えば、ＮＨ_３雰囲気、ＮＨ_３＋
Ｈ_２雰囲気、又はＮＨ_３＋Ｈ_２雰囲気などの還元性雰囲
気中で、前述のようにして得たアセンブリを９００〜１
２００℃、好ましくは９５０〜１１５０℃で、数分間加
熱する。すると、電流ブロック層１０６においてマスト
ランスポートを生じる。すなわち、電流ブロック層１０
６の、メサストライプ構造１０５上に形成された部分を
構成するＧａＮ半導体粒子が、メサストライプ構造１０
５の側面に存在する電流ブロック層の部分に移動する。
その結果、メサストライプ構造１０５の上面１０５Ａか
ら電流ブロック層は消失し、メサストライプ構造１０５
の側面１０５Ｂ側にのみ存在するようになる。この様子
を図２（ｄ）に示す。

【００３２】なお、上述したマストランスポートを適切
に制御することにより、メサストライプ構造の上面１０
５Ａの高さと、電流ブロック層１０６のメサストライプ
構造に近接した部分１０６−１の上面１０６Ａの高さと
をほぼ等しくすることができる。

【００３３】また、電流ブロック層の厚さ及びメサスト
ライプ構造の高さに応じて、電流ブロック層を図２
（ｄ）に示すように階段状に形成することができる。次
いで、結晶成長を再開し、図２（ｅ）に示すように、第
１の光ガイド層１０７、活性層１０８、キャップ層１０
９、第２の光ガイド層１１０、第２のクラッド層１１
１、及び第２のコンタクト層１１２を順次形成する。

【００３４】次いで、図示しないがコンタクト層１１２
上にｐ電極１１３を形成するととともに、図２（ｅ）に
示すアセンブリにエッチングを施すことによって第１の
コンタクト層１０３の表面を露出させ、この表面上にｎ
電極１１４を形成する。

【００３５】なお、上述したように、第１のクラッド層
１０４をＡｌＧａＮ半導体層から構成し、電流ブロック
層１０６をＧａＮ半導体層から構成する場合において
は、前記ＡｌＧａＮ半導体層中におけるＡｌＮのモル分
率が４〜１０％であることが好ましく、さらには５〜８
％であることが好ましい。これによって、上述したマス
トランスポートの発生を容易にし、加熱温度及び保持時
間を低減することができる。

【００３６】以上、発明の実施の形態に則して本発明を
説明してきたが、本発明の内容は上記に限定されるもの
ではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あ
らゆる変形や変更が可能である。

【００３７】例えば、上記発明の実施の形態において
は、電流ブロック層１０６をＧａＮ半導体層から構成し
たが、ＡｌＧａＮ半導体層から構成することもできる。
この際において、このＡｌＧａＮ半導体層におけるＡｌ
Ｎモル分率は、前記同様の理由から、第１のクラッド層
１０４を構成するＡｌＧａＮ半導体層におけるＡｌＮモ
ル分率よりも小さいことが好ましい。

【００３８】また、図１に示す半導体レーザは、第１の
コンタクト層１０３、第１のクラッド層１０４、及び第
１の光ガイド層１０７をｎ型半導体層から構成し、キャ
ップ層１０９、第２の光ガイド層１１０、第２のクラッ
ド層１１１、及び第２のコンタクト層１１２をｐ型半導
体層から構成している。しかしながら、上記各層は互い
に逆の導電型の半導体層から構成することができる。す
なわち、第１のコンタクト層１０３などをｐ型半導体層
から構成し、キャップ層１０９などをｎ型半導体層から
構成することもできる。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ及びその製造方法によれば、半導体レーザの作製時
において、構成度なエッチング工程を必要としない。し
たがっって、従来のリッジ導波路型半導体レーザと同等
の性能を有する半導体レーザを高い製造歩留まりで提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の半導体レーザの一例を示す断面図で
ある。

【図２】 本発明の半導体レーザの製造方法の一例にお
ける工程図である。

【図３】 従来の半導体レーザの一例を示す断面図であ
る。

【図４】 第２のクラッド層残留膜厚とリッジストライ
プの実行屈折率、並びにリッジストライプ及びＳｉＯ_２
絶縁層間の実行屈折率差との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１０１、２０１ サファイア基板 １０２、２０２ バッファ層 １０３、２０３ 第１のコンタクト層 １０４、２０４ 第１のクラッド層 １０５ メサストライプ構造 １０６ 電流ブロック層 １０７、２０５ 第１の光ガイド層 １０８、２０６ 活性層 １０９ ２０７ キャップ層 １１０、２０８ 第２の光ガイド層 １１１、２０９ 第２のクラッド層 １１２、２１０ 第２のコンタクト層 １１３、２１３ ｐ電極 １１４、２１４ ｎ電極 ２１１ リッジストライプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上山 智 愛知県名古屋市天白区梅が丘４丁目216 −203 (56)参考文献 特開 平10−198998（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−283854（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−294529（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−167198（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 33/00

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、第１のコンタクト層と、第１
   のクラッド層と、第１の光ガイド層と、活性層と、キャ
   ップ層と、第２の光ガイド層と、第２のクラッド層と、
   第２のコンタクト層とがこの順に積層されてなる半導体
   レーザであって、 前記第１のクラッド層はメサストライプ形状を呈し、前
   記第１のクラッド層の両側において、この第１のクラッ
   ド層の側面全体を覆うように電流ブロック層を具えると
   ともに、 前記電流ブロック層は階段形状を呈し、前記各層の積層
   方向と垂直な方向において、前記電流ブロック層の前記
   第１のクラッド層から離隔した部分の高さが、前記電流
   ブロック層の前記第１のクラッド層に近接した部分の高
   さよりも低くなっているとともに、前記第１のクラッド
   層の上面の高さと前記電流ブロック層の前記第１のクラ
   ッド層に近接した部分の上面の高さとがほぼ等しくなっ
   ており、 前記活性層は、互いにほぼ等しい高さを有する、前記第
   １のクラッド層の上面と前記電流ブロック層の前記近接
   した部分の上面とに対応した平坦部を有するとともに、
   前記各層の積層方向と垂直な方向において、前記電流ブ
   ロック層の階段形状に対応し、前記平坦部から外方に向
   かって下方に屈曲していることを特徴とする、単一横モ
   ード型のＧａＮ系半導体レーザ。
2. 【請求項２】 前記第１のコンタクト層、前記第１のク
   ラッド層、及び前記第１の光ガイド層はＮ型半導体層か
   ら構成され、前記キャップ層、前記第２の光ガイド層、
   前記第２のクラッド層、及び前記第２のコンタクト層は
   Ｐ型半導体層から構成されていることを特徴とする、請
   求項１に記載のＧａＮ系半導体レーザ。
3. 【請求項３】 前記電流ブロック層はＧａＮから構成さ
   れ、前記第１のクラッド層はＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（Ｘ＞
   ０）から構成されたことを特徴とする、請求項１又は２
   に記載のＧａＮ系半導体レーザ。
4. 【請求項４】 前記基板と前記第１のコンタクト層との
   間に、バッファ層を設けたことを特徴とする、請求項１
   〜３のいずれか一に記載のＧａＮ系半導体レーザ。
5. 【請求項５】 基板上に、第１のコンタクト層と、第１
   のクラッド層と、第１の光ガイド層と、活性層と、キャ
   ップ層と、第２の光ガイド層と、第２のクラッド層と、
   第２のコンタクト層とがこの順に積層されてなるＧａＮ
   系半導体レーザの製造方法であって、 前記第１のクラッド層を厚さ方向の全体に亘って部分的
   に除去するとともに、前記第１のコンタクト層を厚さ方
   向の一部において部分的に除去することにより、前記第
   １のクラッド層と前記第１のコンタクト層の一部とから
   なるメサストライプ構造を自己形成的に形成し、前記第
   １のコンタクト層上において前記メサストライプ構造の
   全体を覆うようにして電流ブロック層を形成するととも
   に、この電流ブロック層を加熱することによってマスト
   ランスポートを生じさせ、前記電流ブロック層の前記メ
   サストライプ構造上に形成された部分を除去するように
   したことを特徴とする、ＧａＮ系半導体レーザの製造方
   法。
6. 【請求項６】 前記電流ブロック層の加熱によるマスト
   ランスポートによって、前記メサストライプ構造の上面
   の高さと前記電流ブロック層のメサストライプ構造に近
   接した部分の高さとをほぼ等しくするとともに、前記各
   層の積層方向と垂直な方向において、前記電流ブロック
   層の前記メサストライプ構造から離隔した部分の高さを
   前記電流ブロック層の前記メサストライプ構造に近接し
   た部分の高さよりも低くし、前記電流ブロック層が階段
   形状を呈するようにしたことを特徴とする、請求項５に
   記載のＧａＮ系半導体レーザの製造方法。
7. 【請求項７】 前記活性層は、前記メサストライプ構造
   の上面と前記電流ブロック層の前記メサストライプ構造
   に近接した部分の上面とに対応した平坦部を有するとと
   もに、前記電流ブロック層の階段形状に対応し、前記各
   層の積層方向と垂直な方向において、前記平坦部から外
   方に向かって下方に屈曲するように形成したことを特徴
   とする、請求項６に記載のＧａＮ系半導体レーザの製造
   方法。
8. 【請求項８】 前記電流ブロック層の加熱は、９００〜
   １２００℃で行うことを特徴とする、請求項５〜７のい
   ずれか一に記載のＧａＮ系半導体レーザの製造方法。
9. 【請求項９】 前記第１のコンタクト層、前記第１のク
   ラッド層、及び前記第１の光ガイド層はＮ型半導体層か
   ら構成され、前記キャップ層、前記第２の光ガイド層、
   前記第２のクラッド層、及び前記第２のコンタクト層は
   Ｐ型半導体層から構成されていることを特徴とする、請
   求項５〜８のいずれか一に記載のＧａＮ系半導体レーザ
   の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記メサストライプ構造を構成する前
    記第１のクラッド層はＡｌＧａＮ半導体層からなるとと
    もに、前記電流ブロック層はＧａＮ半導体層からなり、
    前記第１のクラッド層を構成する前記ＡｌＧａＮ半導体
    層中におけるＡｌＮのモル分率が４〜１０％であること
    を特徴とする、請求項９に記載のＧａＮ系半導体レーザ
    の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記基板と前記第１のコンタクト層と
    の間に、バッファ層を形成することを特徴とする、請求
    項５〜１０のいずれか一に記載のＧａＮ系半導体レーザ
    の製造方法。