JPH09502053A - バイポーラトランジスタ・プロセス - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.バイポーラ素子を製造するための方法であって、不純物の直接注入に起因 した、素子の活性領域への損傷が抑制され、バイポーラ素子は、開口が、ベース 、エミッタ、及びコレクタ接触子のために形成された酸化膜層を有する、方法に おいて、 酸化膜層の開口における活性領域上に、ゲルマニウムからなる緩衝材料を 選択的に堆積するステップと、 ベース接触子開口に形成された緩衝材料内に、第1の導電型の第1の不純 物を注入するステップと、 コレクタ、及びエミッタ接触子開口に形成された緩衝材料内に、第2の導 電型の第2の不純物を注入するステップと、 素子の活性領域内に、それら不純物を拡散させるステップと、 を含む方法。 2.緩衝材料は、シリコン・ゲルマニウム合金からなる、請求項1に記載の方 法。 3.不純物を拡散させるステップは、電気炉アニール工程を実行するステップ を含む、請求項1に記載の方法。 4.不純物を拡散させるステップは、短時間加熱アニール工程を実行するステ ップを含む、請求項1に記載の方法。 5.拡散させるステップは、結果として拡散深度にまで不純物を拡散させるこ とになり、拡散深度は、複数のパラメータにより制御され、パラメータは、緩衝 材料の厚さ、不純物注入のエネルギー、不純物注入の濃度、及び緩衝材料におけ るゲルマニウ ムの濃度からなる、請求項1に記載の方法。 6.バイポーラ素子を製造するための方法であって、不純物の直接注入に起因 した、素子の活性領域への損傷が抑制される、方法において、 素子にわたって、酸化膜層を堆積するステップと、 ベース、エミッタ、及びコレクタ接触子のために、酸化膜において開口を エッチングするステップと、 酸化膜層の開口における活性領域上に、シリコン・ゲルマニウム合金を選 択的に堆積するステップと、 ベース接触子開口に形成された緩衝材料内に、第1の導電型の第1の不純 物を注入するステップと、 コレクタ、及びエミッタ接触子開口に形成されたシリコン・ゲルマニウム 合金内に、第2の導電型の第2の不純物を注入するステップと、 素子の活性領域内に、第1、及び第2の不純物を拡散させるステップと、 緩衝材料上に接触子を形成するステップと、 を含む方法。 7.不純物を拡散させるステップは、電気炉アニール工程を実行するステップ を含む、請求項6に記載の方法。 8.不純物を拡散させるステップは、短時間加熱アニール工程を実行するステ ップを含む、請求項6に記載の方法。 9.拡散させるステップは、結果として拡散深度にまで不純物を 拡散させることになり、拡散深度は、複数のパラメータにより制御され、パラメ ータは、緩衝材料の厚さ、不純物注入のエネルギー、不純物注入の濃度、及び緩 衝材料におけるゲルマニウムの濃度からなる、請求項6に記載の方法。 10.バイポーラ素子を製造するための方法であって、不純物の直接注入に起因 した、素子の活性領域への損傷が抑制される、方法において、 p型半導体基板に、n型の副コレクタ領域を形成するステップと、 適切なコレクタドーピングを供給するために、n型エピタキシャル層を成 長させるステップであって、エピタキシャル層は、副コレクタ領域に対して、低 濃度にドーピングされるステップと、 半導体素子に活性領域を形成するステップと、 素子にわたって、酸化膜層を堆積するステップと、 第1のp型不純物を注入することにより、真性ベースを形成するステップ と、 ベース、エミッタ、及びコレクタのために、酸化膜層において開口をエッ チングするステップと、 副コレクタへの高導電性の経路を形成するために、コレクタ接触子開口内 に、第1のn型不純物を注入するステップと、 酸化膜層のない範囲上に、第1のシリコン・ゲルマニウム合金を選択的に 堆積するステップと、 コレクタ、及びエミッタ接触子開口にわたって、第1のマスクを形成する ステップと、 ベース接触子開口に形成された、第1のシリコン・ゲルマニウム合金内に 、第2のp型不純物を注入するステップと、 第1のマスクを除去するステップと、 ベース接触子開口にわたって、第2のマスクを形成するステップと、 コレクタ、及びエミッタ接触子開口に形成された、第1のシリコン・ゲル マニウム合金内に、第2のn型不純物を注入するステップと、 第2のマスクを除去するステップと、 素子の活性領域内に、第2のn型、及び第2のp型不純物を拡散させるス テップと、 第1の材料上に、シリサイド膜接触子を形成するステップと、 を含む方法。 11.第2のn型、及び第2のp型不純物を拡散させるステップは、電気炉アニ ール工程を実行するステップを含む、請求項10に記載の方法。 12.第2のn型、及び第2のp型不純物を拡散させるステップは、短時間加熱 アニール工程を実行するステップを含む、請求項10に記載の方法。 13.拡散させるステップは、結果として拡散深度にまで不純物を拡散させるこ とになり、拡散深度は、複数のパラメータにより 制御され、パラメータは、緩衝材料の厚さ、不純物注入のエネルギー、不純物注 入の濃度、及び第1の材料におけるゲルマニウムの濃度からなる、請求項10に 記載の方法。 14.バイポーラ素子を製造するための方法であって、不純物の直接注入に起因 した、素子の活性領域への損傷が抑制される、方法において、 n型半導体基板に、p型の副コレクタ領域を形成するステップと、 適切なコレクタドーピングを供給するために、p型エピタキシャル層を成 長させるステップであって、エピタキシャル層は、副コレクタ領域に対して、低 濃度にドーピングされるステップと、 半導体素子に活性領域を形成するステップと、 素子にわたって、酸化膜層を堆積するステップと、 第1のn型不純物を注入することにより、真性ベースを形成するステップ と、 ベース、エミッタ、及びコレクタのために、酸化膜層において開口をエッ チングするステップと、 副コレクタへの高導電性の経路を形成するために、コレクタ接触子開口内 に、第1のp型不純物を注入するステップと、 酸化膜層のない範囲上に、第1のシリコン・ゲルマニウム合金を選択的に 堆積するステップと、 コレクタ、及びエミッタ接触子開口にわたって、第1のマス クを形成するステップと、 ベース接触子開口に形成された、第1のシリコン・ゲルマニウム合金内に 、第2のn型不純物を注入するステップと、 第1のマスクを除去するステップと、 ベース接触子開口にわたって、第2のマスクを形成するステップと、 コレクタ、及びエミッタ接触子開口に形成された、第1のシリコン・ゲル マニウム合金内に、第2のp型不純物を注入するステップと、 第2のマスクを除去するステップと、 素子の活性領域内に、第2のp型、及び第2のn型不純物を拡散させるス テップと、 第1の材料上に、シリサイド膜接触子を形成するステップと、 を含む方法。 15.第2のn型、及び第2のp型不純物を拡散させるステップは、電気炉アニ ール工程を実行するステップを含む、請求項14に記載の方法。 16.第2のn型、及び第2のp型不純物を拡散させるステップは、短時間加熱 アニール工程を実行するステップを含む、請求項14に記載の方法。 17.拡散させるステップは、結果として拡散深度にまで不純物を拡散させるこ とになり、拡散深度は、複数のパラメータにより制御され、パラメータは、緩衝 材料の厚さ、不純物注入のエネ ルギー、不純物注入の濃度、及び第1の材料におけるゲルマニウムの濃度からな る、請求項14に記載の方法。
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