JPH09501133A - 白色マイクロシリカの製造方法 - Google Patents

白色マイクロシリカの製造方法

Info

Publication number
JPH09501133A
JPH09501133A JP7505758A JP50575894A JPH09501133A JP H09501133 A JPH09501133 A JP H09501133A JP 7505758 A JP7505758 A JP 7505758A JP 50575894 A JP50575894 A JP 50575894A JP H09501133 A JPH09501133 A JP H09501133A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microsilica
smelting furnace
reducing agent
produced
producing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7505758A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2821652B2 (ja
Inventor
ドストール,マグネ
トヴエイト,ハルヴアルド
デイングソイル,エルダー,オー.
ロニング,ペアー
ホルサケアー,スヴエイン
Original Assignee
エルケム アクシエセルスカプ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルケム アクシエセルスカプ filed Critical エルケム アクシエセルスカプ
Publication of JPH09501133A publication Critical patent/JPH09501133A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2821652B2 publication Critical patent/JP2821652B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/023Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
    • C01B33/025Preparation by reduction of silica or free silica-containing material with carbon or a solid carbonaceous material, i.e. carbo-thermal process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • C01B33/181Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/62Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/10Solid density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/11Powder tap density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/60Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity
    • C01P2006/82Compositional purity water content

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 本発明は、SIO2供給源と固体の炭素質還元剤とを含有する装填材料を用いてフェロシリコン又はシリコンを製造する溶錬炉中で65〜90%の光反射率を有するマイクロシリカを製造する方法であってマイクロシリカを溶錬炉から出る排ガスから回収するマイクロシリカの製造方法において、溶錬炉に供給した固体の還元剤は製造したマイクロシリカ1kg当り1.25kg以下の量の揮発性物質を含有し、装填材料より上方の溶錬炉内のガス雰囲気の温度を500℃以上に保持する、マイクロシリカの製造方法に関する。

Description

【発明の詳細な説明】 白色マイクロシリカの製造方法 技術分野 本発明は、高い光反射率即ち白色度を有するマイクロシリカの製造方法に関す る。 背景技術 マイクロシリカは、SiO2−供給源と1種又はそれ以上の固体の炭素質還元剤と を含有してなる装填材料を反応させてフェロシリコン又はシリコンにする電気的 な作用による還元炉中でフェロシリコン又はシリコンを製造する際の副生物とし て通常製造される。この方法によると、還元炉内の反応帯域で中間体生成物とし てガス状のSiOが形成され、このガスは装填材料を通って上方に進行する。SiOガ スの一部は反応帯域より上方にある冷却器で凝縮され、然るにSiOガスの残りの 部分は装填材料から抜け出し、装填材料より上方の炉内で空気の供給により酸化 されしかも粒状の非晶質SiO2を形成する。次いで粒状のSiO2は炉の排ガスからフ ィルター中に通常はバッグハウスフィルター中に回収される。この様にして製造 されたマイクロシリカは実質的に0.02〜0.5ミクロンの粒度を有し、個々の粒子 は基本的には球状を有する。最近20年間の間にマイクロシリカは、コンクリート 、耐火性材料、セラミック材料、油井の接合スラリー、プラスチック材料、紙等 における添加材料としてその用途が増大されつゝある。 前記の従来法によりフェロシリコン及びシリコンを製造するに際しては、約65 重量%の石炭と残分がコークス及び場合によってはウッドチップである混合物よ りなる炭素質の還元材料を通常用いる。これはフェロシリコン及びシリコンの生 産率及び収率に関して最良の可能な炉操作を与えると示された混合物である。 この従来法によって回収されたマイクロシリカは、黒色のフェルトが零の反射 率を有しBaSO4が98.6の反射率を有すると定義した方法によって測定すると30〜5 0の反射率を有する。かくして製造したマイクロシリカは比較的暗色を呈し、こ れは白色生成物を必要とする用途にマイクロシリカを用いようとする場合には問 題となる。マイクロシリカがかゝる低い反射率を有する理由は、主としてマイク ロシリカ粒子が3重量%までの量で炭素を含有するからである。 以下の表1は75%のフェロシリコンを製造する還元炉で常法により製造したマ イクロシリカの化学組成及び若干の他の特性を示す。 反射率が低いマイクロシリカに伴なう問題は2つの仕方で試みられ且つ解決さ れた。1つの方法によると、フェロシリコン及びシリコンを製造する電気溶錬炉 で副生物として得られたマイクロシリカを900℃以下の温度で流動床中で加熱処 理してマイクロシリカ中に含有される炭素を燃焼させる。この方法は日本特許公 告第11559/84号に記載されている。別の方法によると、SiO2及びSiよりなる 装填材料から言わゆるマイクロシリカ発生器でマイクロシリカを製造する。この 方法では、マイクロシリカに加えて少割合のシリコンが生産される。前記 の2つの従来法とも欠点がある。マイクロシリカの加熱処理では、きわめて高価 でしかも制御するのが困難である追加の工程を意図するものである。温度及び滞 留時間を厳格に調節しないと、非晶質SiO2粒子の一部は結晶質状態に転化される ものであり、これは完全に異なった特性の生成物を与える。更に、結晶質のSiO2 は健康上有害となる。マイクロシリカ発生器でマイクロシリカを製造することは きわめて高価でありしかも高い生産能力のあるマイクロシリカ発生器を設計する ことは困難である。 発明の開示 即ち、従来法の欠点を克服したマイクロシリカの製造方法を提供する必要があ る。 従って本発明はSiO2供給源と固体の炭素質還元剤とを含有してなる装填材料を 用いてフェロシリコン又はシリコンを製造する溶錬炉中で65〜90%の光反射率を 有するマイクロシリカを製造する方法であってマイクロシリカを溶錬炉から出る 排ガスから回収するマイクロシリカの製造方法において、溶錬炉に供給した固体 の還元剤は製造したマイクロシリカの1kg当り1.25kg以下の量の揮発性物質を含 有し、装填材料より上方にある溶錬炉内のガス雰囲気の温度を500℃以上に保持 することを特徴とするマイクロシリカの製造方法に関する。 固体の還元剤中の揮発性物質の量は、製造したマイクロシリカ1kg当り1.0kg 以下に保持するのが好ましく、溶錬炉装入材料より上方にあるガス雰囲気の温度 は600 ℃以上に維持するのが好ましい。最良の結果を得るには還元剤中の揮発性物質の 量は、製造したマイクロシリカ1kg当り0.5kg以下に保持する。 本発明の方法によってフェロシリコン又はシリコンの収率を低下させないのと 同時に大いに高い反射率のマイクロシリカを製造できることが驚くべきことには 見出された。かくして本発明によると、大いに高い反射率のマイクロシリカは、 還元剤混合物中のコークスと石炭との割合を変化させることにより且つ溶錬炉内 の装填材料より上方の温度を500℃以上に保持することにより製造できる。 石炭はコークスよりも実質的に高い揮発性物質含有量を有するので、実際には 還元剤混合物中の石炭の量を低下させ且つコークスの量を増大させるものである 。特に好ましい具体例によると、還元剤は完全にコークスよりなる。 本発明によると、製造したマイクロシリカの他の特性を変化させないと同時に 90までの白色度を有するマイクロシリカを製造するのに成功し、且つマイクロシ リカの製造経費は慣用の還元剤混合物を用いてマイクロシリカを製造する時より も実質的に高くない。 実施例1 環状の断面を有し且つ3個の自焼成式炭素電極を備えた43MW電気溶錬炉中で 、SiO2供給源として珪岩及び還元剤として100%コークスよりなる装填材料を用 いて 75%FeSiを製造した。コークスは5.2重量%の揮発性物質含有量を有した。 装填材料を1時間当り18.27トンの量で溶錬炉に供給し、溶錬炉から1時間当 り5.67トンの75%FeSiを取出し、然るに炉の排ガスからは1時間当り0.81トンの マイクロシリカを回収した。溶錬炉内の装填材料より上方の温度を700℃に一定 に保持した。製造したフェロシリコン1トン当りの電力消費量は7.7MWhであった 。 還元剤中の揮発性物質の量と製造したマイクロシリカ1kg当りとの比率は0.27 であった。 製造したマイクロシリカの試料を溶錬炉の操作中に時々抜出し、白色度即ち光 反射率はツアイス エレホメット(Zeiss Erephomet)D145装置を用いて測定し た。結果が示す所によれば製造したマイクロシリカは80〜84で変化する白色度を 有した。 実施例2 実施例1で用いたのと同じ溶錬炉中で、SiO2供給源としての珪岩と、5.2重量 %の揮発性物質含量のコークス80重量%及び33.8重量%の揮発性物質含量の石炭 20重量%よりなる還元剤混合物とよりなる装填材料を用いて75%FeSiを製造した 。 装填材料を1時間当り16.32トンの量で溶錬炉に添加し、1時間当り5.40トン の75%FeSiを溶錬炉から取出し、然るに1時間当り0.56トンのマイクロシリカを 溶錬炉の排ガスから回収した。装填材料より上方にある炉ガス雰 囲気の温度を700℃に一定に保持した。製造したフェロシリコン1トン当りの電 力消費量は7.5MWhであった。還元剤中の揮発性物質の量と製造したマイクロシリ カ1kgとの間の比率は1.00であった。 製造したマイクロシリカの試料を溶錬炉操作中に時々抜き出し、光反射率を実 施例1に記載したのと同じ仕方で測定した。結果が示す所によれば製造したマイ クロシリカは67〜76の反射率を有した。 実施例3(比較例) 比較の目的で、65重量%の石炭と35重量%のコークスとよりなる慣用の還元剤 混合物を用いて溶錬炉を作動させた。還元剤混合物中の揮発性物質の量と製造し たマイクロシリカの量との間の比率は1.90であった。装填材料より上方にある炉 内の温度を本実施例でも700℃に保持した。1時間当り75%FeSiの生産率は実施 例1及び2と同じであり、製造したフェロシリコン1トン当りの電力消費量は7. 7MWhであった。 製造したマイクロシリカの試料を時々抜き出し、反射率を測定した。結果は40 の反射率を示した。 実施例1及び2の結果を実施例3の結果と比較すると、本発明の方法によって 電力消費量及びFeSiの収率に悪影響を及ぼさないと同時に製造したマイクロシリ カの白色度が実質的に増大されることが示されている。この事実はきわめて驚く べきことである。何故ならば高い反射率のマイクロシリカを製造することはFeSi の収率減少と製 造したフェロシリコン1トン当りの電力消費量の増大とを常に伴なっていたから である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロニング,ペアー ノルウエー国 エヌ―7300 オルカンジヤ ー,ニアルダルガテン 29 (72)発明者 ホルサケアー,スヴエイン ノルウエー国 エヌ―7300 オルカンジヤ ー,ブロガテン 24

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.SiO2供給源と固体の炭素質還元剤とを含有してなる装填材料を用いてフェ ロシリコン又はシリコンを製造する溶錬炉中で65〜90%の光反射率を有するマイ クロシリカを製造する方法であってマイクロシリカを溶錬炉から出る排ガスから 回収するマイクロシリカの製造方法において、溶錬炉に供給した固体の還元剤は 製造したマイクロシリカの1kg当り1.25kg以下の量の揮発性物質を含有し、装填 材料より上方にある溶錬炉内のガス雰囲気の温度を500℃以上に保持することを 特徴とするマイクロシリカの製造方法。 2.固体の還元剤中の揮発性物質の量は製造したマイクロシリカ1kg当り 1. 0kg以下に保持する請求の範囲1記載の方法。 3.溶錬炉装填材料より上方のガス雰囲気の温度を600℃以上に維持する請求 の範囲1記載の方法。 4.還元剤はコークスである請求の範囲1又は2記載の方法。
JP7505758A 1993-07-27 1994-07-19 白色マイクロシリカの製造方法 Expired - Lifetime JP2821652B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO932696A NO177865C (no) 1993-07-27 1993-07-27 Fremgangsmåte for fremstilling av hvit microsilica
NO932696 1993-07-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09501133A true JPH09501133A (ja) 1997-02-04
JP2821652B2 JP2821652B2 (ja) 1998-11-05

Family

ID=19896294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7505758A Expired - Lifetime JP2821652B2 (ja) 1993-07-27 1994-07-19 白色マイクロシリカの製造方法

Country Status (16)

Country Link
EP (1) EP0711252B1 (ja)
JP (1) JP2821652B2 (ja)
CN (1) CN1042125C (ja)
AU (1) AU675160B2 (ja)
BR (1) BR9407106A (ja)
CA (1) CA2168244C (ja)
DE (1) DE69407973T2 (ja)
ES (1) ES2113668T3 (ja)
IS (1) IS1701B (ja)
NO (1) NO177865C (ja)
PL (1) PL176543B1 (ja)
RO (1) RO113027B1 (ja)
RU (1) RU2097323C1 (ja)
SI (1) SI9420043A (ja)
WO (1) WO1995003995A1 (ja)
ZA (1) ZA945106B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160077468A (ko) * 2014-12-23 2016-07-04 주식회사 포스코 실리콘 또는 페로실리콘 제조용 환원제, 및 이의 제조 방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2807022B1 (fr) * 2000-03-28 2002-05-10 Pechiney Electrometallurgie Procede de recuperation de l'energie thermique des gaz d'un four d'electrometallurgie et application a la fabrication de poudre de silice
US9950952B2 (en) 2010-11-30 2018-04-24 Schlumberger Technology Corporation Methods for servicing subterranean wells
US9834719B2 (en) 2010-11-30 2017-12-05 Schlumberger Technology Corporation Methods for servicing subterranean wells
NO345717B1 (en) * 2018-11-06 2021-06-28 Elkem Materials Carbon based raw material, method of producing said material and use thereof
CN110357115B (zh) * 2019-08-12 2022-12-27 东北大学 一种用晶体硅金刚线切割废料制备纳米二氧化硅的方法
CN111137898A (zh) * 2019-12-31 2020-05-12 中昊黑元化工研究设计院有限公司 一种从微硅粉中去除可挥发性含碳有机物及碳粉的方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1082760A1 (ru) * 1982-10-01 1984-03-30 Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро С Экспериментальным Производством Института Физической Химии Им.Л.В.Писаржевского Способ получени гранул из аэросила
US5275652A (en) * 1982-12-07 1994-01-04 Elkem Materials Inc. Concrete additive comprising a multicomponent admixture containing silica fume, its method of manufacture and concrete produced therewith
NO153566B (no) * 1982-12-07 1986-01-06 Elkem As Tilsetningsblanding for betong og moertel, fremgangsmaate til fremstilling av blandingen, samt anvendelse derav.
CN1022192C (zh) * 1992-05-05 1993-09-22 冶金工业部钢铁研究总院 一种冶炼硅铁的方法
CN1081999A (zh) * 1993-07-24 1994-02-16 张帆 煅烧硅石及其生产方法和其用途

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160077468A (ko) * 2014-12-23 2016-07-04 주식회사 포스코 실리콘 또는 페로실리콘 제조용 환원제, 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CA2168244C (en) 1999-11-09
PL176543B1 (pl) 1999-06-30
NO177865C (no) 1995-12-06
JP2821652B2 (ja) 1998-11-05
DE69407973T2 (de) 1998-05-28
PL312734A1 (en) 1996-05-13
EP0711252B1 (en) 1998-01-14
WO1995003995A1 (en) 1995-02-09
DE69407973D1 (de) 1998-02-19
CN1127499A (zh) 1996-07-24
IS4193A (is) 1995-01-28
ZA945106B (en) 1996-01-15
CN1042125C (zh) 1999-02-17
CA2168244A1 (en) 1995-02-09
NO932696D0 (no) 1993-07-27
NO932696L (no) 1995-01-30
AU675160B2 (en) 1997-01-23
RU2097323C1 (ru) 1997-11-27
EP0711252A1 (en) 1996-05-15
RO113027B1 (ro) 1998-03-30
NO177865B (no) 1995-08-28
IS1701B (is) 1998-10-19
ES2113668T3 (es) 1998-05-01
BR9407106A (pt) 1996-08-27
SI9420043A (en) 1996-08-31
AU7351794A (en) 1995-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8470279B2 (en) High purity silicon-containing products and method of manufacture
JP4263325B2 (ja) トナーおよび/またはトナー混合物
CA1159630A (en) Process for the preparation of silicon from quartz and carbon in an electric furnace
US5246683A (en) Process for producing small particles of aluminum nitride and particles so-produced
JPH09501133A (ja) 白色マイクロシリカの製造方法
US4820341A (en) Process for producing silicon or ferrosilicon in a low-shaft electric furnace
EP0302604B1 (en) Process for the production of silicon tetrachloride
JPS61117111A (ja) 光起電産業で用いる金属珪素の製造方法
JPH0411519B2 (ja)
JPS6362452B2 (ja)
JPS599516B2 (ja) 炭化けい素ホイスカ−の製造方法
NL8403572A (nl) Werkwijze voor de bereiding van silicium uit grondstof-kwarts in een elektrische lage schachtoven.
JPH0476357B2 (ja)
SU1494861A3 (ru) Способ получени кремни в низкошахтной электропечи
JPH01249617A (ja) 籾殻燃焼灰組成物及びその製造方法
JPS58172297A (ja) SiCウイスカ−の製造方法
JP3154773B2 (ja) 微粒子状炭化珪素の製造方法
JPH0692250B2 (ja) 四塩化珪素の製造方法
JPH11511432A (ja) 硫化マンガンの製造方法
JPS6310120B2 (ja)
JPS599520B2 (ja) sicホイスカ−の製造方法
JPS60166212A (ja) 炭化けい素の製造方法
JPS60251116A (ja) 四塩化珪素の製造方法
JPS62182110A (ja) 炭化ホウ素微粉の製造方法
JPS61271393A (ja) 酸化鉄成分の除去方法