JPH0946011A - 電気回路用基板及びその製造法 - Google Patents
電気回路用基板及びその製造法Info
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- JPH0946011A JPH0946011A JP7198838A JP19883895A JPH0946011A JP H0946011 A JPH0946011 A JP H0946011A JP 7198838 A JP7198838 A JP 7198838A JP 19883895 A JP19883895 A JP 19883895A JP H0946011 A JPH0946011 A JP H0946011A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱伝導性及び熱膨張性に優れた電気回路用基
板並びにその製造法を提供する。 【解決手段】 可塑剤を含む熱硬化性樹脂組成物を原料
とする、熱伝導率が５W/mK以上であるガラス状炭素を基
材とし、電気回路を形成する面に電気絶縁層を形成して
なる電気電気回路用基板及びその製造法。
板並びにその製造法を提供する。 【解決手段】 可塑剤を含む熱硬化性樹脂組成物を原料
とする、熱伝導率が５W/mK以上であるガラス状炭素を基
材とし、電気回路を形成する面に電気絶縁層を形成して
なる電気電気回路用基板及びその製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高い熱伝導性を必要
とする電気回路用基板及びその製造法に関する。
とする電気回路用基板及びその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の高集積化や大電力化が進
み、これに従って放熱性の良い電気回路用基板が要求さ
れるようになってきている。これらに応えて各種材料が
提案されている。例えば、鉄又はアルミニュウム板の面
に樹脂フィルム層を形成して放熱性と絶縁性を具備させ
た基板や、アルミニュウム板の面にアルマイト層を形成
しその上に樹脂フィルム層を形成して電気絶縁性と高熱
伝導性を具備させた基板がある。一方セラミックスを素
材としたものとして窒化アルミニュウムセラミックス、
酸化ベリリウムセラミックス、炭化珪素セラミックス等
が知られている。しかし、上記の各基板は熱伝導性、熱
膨張性が充分でなく、また高価である。
み、これに従って放熱性の良い電気回路用基板が要求さ
れるようになってきている。これらに応えて各種材料が
提案されている。例えば、鉄又はアルミニュウム板の面
に樹脂フィルム層を形成して放熱性と絶縁性を具備させ
た基板や、アルミニュウム板の面にアルマイト層を形成
しその上に樹脂フィルム層を形成して電気絶縁性と高熱
伝導性を具備させた基板がある。一方セラミックスを素
材としたものとして窒化アルミニュウムセラミックス、
酸化ベリリウムセラミックス、炭化珪素セラミックス等
が知られている。しかし、上記の各基板は熱伝導性、熱
膨張性が充分でなく、また高価である。
【０００３】また、黒鉛素地上に窒化アルミニュウム層
又はダイアモンド層を形成した基板が知られている（特
開昭６３−４５１８９号公報等）。黒鉛は熱伝導性は良
好であるが粉塵発生の恐れがあり、このように要求を満
足するような基板は未だ提供されていない。よって、熱
伝導性、熱膨張性及び価格の面で優れた高熱伝導性電気
回路用基板が要望されている。
又はダイアモンド層を形成した基板が知られている（特
開昭６３−４５１８９号公報等）。黒鉛は熱伝導性は良
好であるが粉塵発生の恐れがあり、このように要求を満
足するような基板は未だ提供されていない。よって、熱
伝導性、熱膨張性及び価格の面で優れた高熱伝導性電気
回路用基板が要望されている。
【０００４】
【発明が解決しょうとする課題】本発明は上記の課題を
解決するものである。請求項１記載の発明は、熱伝導性
及び熱膨張性に優れた電気回路用基板を提供するもので
ある。請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明の解
決する課題に加えて、安定な絶縁層が形成できる電気回
路用基板を提供するものである。請求項３記載の発明
は、熱伝導性及び熱膨張性に優れた電気回路用基板の製
造法を提供するものである。請求項４記載の発明は、請
求項３記載の発明の解決する課題に加えて、気孔発生の
少ない電気回路用基板の製造法を提供するものである。
解決するものである。請求項１記載の発明は、熱伝導性
及び熱膨張性に優れた電気回路用基板を提供するもので
ある。請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明の解
決する課題に加えて、安定な絶縁層が形成できる電気回
路用基板を提供するものである。請求項３記載の発明
は、熱伝導性及び熱膨張性に優れた電気回路用基板の製
造法を提供するものである。請求項４記載の発明は、請
求項３記載の発明の解決する課題に加えて、気孔発生の
少ない電気回路用基板の製造法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、可塑剤を含む
熱硬化性樹脂組成物を原料とする、熱伝導率が５W/mK以
上であるガラス状炭素を基材とする電気回路用基板に関
する。また本発明は、前記電気回路用基板において、基
材であるガラス状炭素の見掛け密度が１．４８〜１．５
５g/cm3、気孔径が５μｍ以下である電気回路用基板に
関する。また本発明は、可塑剤を含む熱硬化性樹脂組成
物を、成形硬化後、非酸化性雰囲気で炭化し、次いでガ
ラス状炭素化したガラス状炭素を基材とすることを特徴
とする電気回路用基板の製造法に関する。さらに本発明
は、前記可塑剤がエチレングリコール又はフタル酸エス
テルである電気回路用基板の製造法に関する。
熱硬化性樹脂組成物を原料とする、熱伝導率が５W/mK以
上であるガラス状炭素を基材とする電気回路用基板に関
する。また本発明は、前記電気回路用基板において、基
材であるガラス状炭素の見掛け密度が１．４８〜１．５
５g/cm3、気孔径が５μｍ以下である電気回路用基板に
関する。また本発明は、可塑剤を含む熱硬化性樹脂組成
物を、成形硬化後、非酸化性雰囲気で炭化し、次いでガ
ラス状炭素化したガラス状炭素を基材とすることを特徴
とする電気回路用基板の製造法に関する。さらに本発明
は、前記可塑剤がエチレングリコール又はフタル酸エス
テルである電気回路用基板の製造法に関する。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる熱硬化性樹脂
組成物の原料とする熱硬化性樹脂としては、特に制限は
ないが、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエ
ステル樹脂、フラン樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹
脂、キシレン樹脂等を挙げることができ、また、これら
の樹脂の混合物が用いられる。これらの中でフラン樹脂
又はフェノール樹脂が、炭素化の効率が高く、基材とし
ての特性が良好なガラス状炭素が得られるので好ましく
い。フラン樹脂としては、フルフリルアルコール初期縮
合物、フルフリルアルコール−フルフラール共縮合物、
フルフリルアルコールとフェノール、尿素等とによる変
性フラン樹脂などが用いられる。
組成物の原料とする熱硬化性樹脂としては、特に制限は
ないが、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエ
ステル樹脂、フラン樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹
脂、キシレン樹脂等を挙げることができ、また、これら
の樹脂の混合物が用いられる。これらの中でフラン樹脂
又はフェノール樹脂が、炭素化の効率が高く、基材とし
ての特性が良好なガラス状炭素が得られるので好ましく
い。フラン樹脂としては、フルフリルアルコール初期縮
合物、フルフリルアルコール−フルフラール共縮合物、
フルフリルアルコールとフェノール、尿素等とによる変
性フラン樹脂などが用いられる。
【０００７】また本発明においては、用いる熱硬化性樹
脂組成物に可塑剤を含ませることが重要であり、これに
よりガラス状炭素の組織中に発生する気孔を抑制する効
果がある。用いられる可塑剤としては、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジプロピル等のフタル
酸ジアルキルなどのフタル酸エステル、グリセリン、エ
チレングリコール、トリアセチン等の多価アルコール又
はその誘導体、ナフタレン、アニリンなどから選ばれた
１種又はその混合物などが用いられる。これらの可塑剤
の中では、相溶性が良好で可塑剤の添加効果が高い点
で、多価アルコール又はフタル酸エステルが好ましく、
エチレングリコール又はフタル酸エステルがより好まし
く、エチレングリコール又はフタル酸ジ−ｎ−ブチルが
さらに好ましい。
脂組成物に可塑剤を含ませることが重要であり、これに
よりガラス状炭素の組織中に発生する気孔を抑制する効
果がある。用いられる可塑剤としては、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジプロピル等のフタル
酸ジアルキルなどのフタル酸エステル、グリセリン、エ
チレングリコール、トリアセチン等の多価アルコール又
はその誘導体、ナフタレン、アニリンなどから選ばれた
１種又はその混合物などが用いられる。これらの可塑剤
の中では、相溶性が良好で可塑剤の添加効果が高い点
で、多価アルコール又はフタル酸エステルが好ましく、
エチレングリコール又はフタル酸エステルがより好まし
く、エチレングリコール又はフタル酸ジ−ｎ−ブチルが
さらに好ましい。
【０００８】その量は熱硬化性樹脂に対して０．１〜３
０重量％が好ましく、０．２〜１０重量％がより好まし
く、０．３〜５重量％がさらに好ましい。０．１重量％
未満では気孔抑制の効果が不十分となる傾向にあり、３
０重量％を超えると組織中の気孔が多くなり絶縁層とし
て樹脂フィルム等を形成した際にボイドの発生を招く傾
向にある。
０重量％が好ましく、０．２〜１０重量％がより好まし
く、０．３〜５重量％がさらに好ましい。０．１重量％
未満では気孔抑制の効果が不十分となる傾向にあり、３
０重量％を超えると組織中の気孔が多くなり絶縁層とし
て樹脂フィルム等を形成した際にボイドの発生を招く傾
向にある。
【０００９】上記熱硬化性樹脂組成物には、必要に応じ
て、硬化触媒、溶剤等を混合しても良い。硬化触媒は樹
脂の種類により異なるが、フェノール樹脂又はフラン樹
脂の場合はパラトルエンスルホン酸、硫酸等の酸が好ま
しいものとして挙げられる。硬化触媒を用いる場合は、
樹脂に対して０．３〜３重量％用いるのが成形性の点で
好ましい。溶剤としてはフルフリルアルコール等が挙げ
られる。溶剤を用いる場合は、樹脂に対して、５〜２０
重量％用いるのが硬化性の点で好ましい。
て、硬化触媒、溶剤等を混合しても良い。硬化触媒は樹
脂の種類により異なるが、フェノール樹脂又はフラン樹
脂の場合はパラトルエンスルホン酸、硫酸等の酸が好ま
しいものとして挙げられる。硬化触媒を用いる場合は、
樹脂に対して０．３〜３重量％用いるのが成形性の点で
好ましい。溶剤としてはフルフリルアルコール等が挙げ
られる。溶剤を用いる場合は、樹脂に対して、５〜２０
重量％用いるのが硬化性の点で好ましい。
【００１０】上記熱硬化性樹脂組成物は、硬化前に目的
とする電気回路用基板の形状に応じて各種の成形方法で
成形されるが特に制限はない。例えば、均一な肉厚の平
板状、丸棒状等の形状に成形する。その後、硬化処理を
する。成形と硬化は、縮合水等が外部に抜け易い加熱条
件及び昇温速度で行なうか又は硬化の為の触媒量を適正
な量に設定して行うことができる。硬化のための加熱温
度は１３０〜２００℃が好ましい。また昇温温度は３〜
１０℃／時間で行うことが好ましい。
とする電気回路用基板の形状に応じて各種の成形方法で
成形されるが特に制限はない。例えば、均一な肉厚の平
板状、丸棒状等の形状に成形する。その後、硬化処理を
する。成形と硬化は、縮合水等が外部に抜け易い加熱条
件及び昇温速度で行なうか又は硬化の為の触媒量を適正
な量に設定して行うことができる。硬化のための加熱温
度は１３０〜２００℃が好ましい。また昇温温度は３〜
１０℃／時間で行うことが好ましい。
【００１１】次いで、非酸化雰囲気（通常、ヘリウム、
アルゴン等の不活性ガスや窒素、水素、ハロゲンガス等
の非酸化性ガスの少なくとも一種の気体からなり、酸素
を含まない雰囲気、減圧下又は真空下）で、好ましくは
８００〜１２００℃の温度、より好ましくは９００〜１
１００℃の温度で焼成し炭化する。次いで、予め高純度
に処理した黒鉛化炉及び治具を用いて、好ましくは１５
００℃以上の温度、より好ましくは２０００℃以上の温
度で高温処理しガラス状炭素とする。上限は特にない
が、一般に２６００℃以下である。
アルゴン等の不活性ガスや窒素、水素、ハロゲンガス等
の非酸化性ガスの少なくとも一種の気体からなり、酸素
を含まない雰囲気、減圧下又は真空下）で、好ましくは
８００〜１２００℃の温度、より好ましくは９００〜１
１００℃の温度で焼成し炭化する。次いで、予め高純度
に処理した黒鉛化炉及び治具を用いて、好ましくは１５
００℃以上の温度、より好ましくは２０００℃以上の温
度で高温処理しガラス状炭素とする。上限は特にない
が、一般に２６００℃以下である。
【００１２】本発明では、以上の方法により、熱伝導率
が５W/mK以上であるガラス状炭素の基材を得る。ここで
熱伝導率が５W/mK未満では、高熱伝導性の電気回路用基
板とはならない。熱伝導率は基板に搭載した半導体等を
冷却する点で７W/mK以上であるのが好ましい。熱伝導率
は、レーザーフラッシュ法により測定できる。また、上
記基材の見掛け密度は絶縁層を形成する際の樹脂塗布を
安定させる点で、１．４８〜１．５５g/cm3であるのが
好ましい。前記見掛け密度は、基材の重量を基材の体積
で割ることにより算出できる。また、基材の組織中には
気孔が全く発生しないのが好ましいが、それは困難であ
り、実際には発生する気孔の気孔径が５μｍ以下である
のが、熱伝導性及び熱膨張性が良好な基板となるので好
ましい。気孔径は用いる基材のサンプルを切断し断面に
現われる気孔の大きさを走査型電子顕微鏡等で観察して
測定することができる。基材の厚さは特に制限されない
が、強度等の点で１〜３mmが好ましい。
が５W/mK以上であるガラス状炭素の基材を得る。ここで
熱伝導率が５W/mK未満では、高熱伝導性の電気回路用基
板とはならない。熱伝導率は基板に搭載した半導体等を
冷却する点で７W/mK以上であるのが好ましい。熱伝導率
は、レーザーフラッシュ法により測定できる。また、上
記基材の見掛け密度は絶縁層を形成する際の樹脂塗布を
安定させる点で、１．４８〜１．５５g/cm3であるのが
好ましい。前記見掛け密度は、基材の重量を基材の体積
で割ることにより算出できる。また、基材の組織中には
気孔が全く発生しないのが好ましいが、それは困難であ
り、実際には発生する気孔の気孔径が５μｍ以下である
のが、熱伝導性及び熱膨張性が良好な基板となるので好
ましい。気孔径は用いる基材のサンプルを切断し断面に
現われる気孔の大きさを走査型電子顕微鏡等で観察して
測定することができる。基材の厚さは特に制限されない
が、強度等の点で１〜３mmが好ましい。
【００１３】本発明の電気回路用基板は、熱伝導性に優
れているが、導電性を有するガラス状炭素を基材とする
ため、電気回路を形成する面に電気絶縁層を形成する。
形成する電気絶縁層の種類に特に制限はないが、窒化ア
ルミニュウム層、樹脂層等が好ましく、接着強度の点で
樹脂層がより好ましい。窒化アルミニュウム層は、例え
ば、反応ガスとしてＡｌＢｒ3、窒素、水素及びアルゴ
ンを使用し、反応管内圧力を２〜１００トールとし、誘
導コイルを使用してプラズマ放電を発生させ、基材温度
を６００〜８００℃にして生成させることができる。樹
脂層を形成する樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリイ
ミドイソインドロキナゾリンジオン樹脂等が好ましいも
のとしてあげられる。これらはスピンコート、スプレー
コートなどの公知の方法で塗布することができる。形成
する電気絶縁層の厚さは、その種類によっても異なる
が、一般に電気絶縁性、電気絶縁層の密着性等の点か
ら、１〜５０μｍが好ましく、１〜２０μｍがより好ま
しい。
れているが、導電性を有するガラス状炭素を基材とする
ため、電気回路を形成する面に電気絶縁層を形成する。
形成する電気絶縁層の種類に特に制限はないが、窒化ア
ルミニュウム層、樹脂層等が好ましく、接着強度の点で
樹脂層がより好ましい。窒化アルミニュウム層は、例え
ば、反応ガスとしてＡｌＢｒ3、窒素、水素及びアルゴ
ンを使用し、反応管内圧力を２〜１００トールとし、誘
導コイルを使用してプラズマ放電を発生させ、基材温度
を６００〜８００℃にして生成させることができる。樹
脂層を形成する樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリイ
ミドイソインドロキナゾリンジオン樹脂等が好ましいも
のとしてあげられる。これらはスピンコート、スプレー
コートなどの公知の方法で塗布することができる。形成
する電気絶縁層の厚さは、その種類によっても異なる
が、一般に電気絶縁性、電気絶縁層の密着性等の点か
ら、１〜５０μｍが好ましく、１〜２０μｍがより好ま
しい。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ フラン樹脂であるフルフリルアルコール−フルフラール
共縮合物（商品名 ＶＦ−３０３、日立化成工業(株)
製）１００重量部にパラトルエンスルホン酸０．６重量
部及びエチレングリコール０．６重量部を添加し、充分
混合した後、得られた樹脂組成物を型に注入し、５０℃
で３日、７０℃で３日、９０℃で３日乾燥硬化した後、
１６０℃まで５℃／時間で昇温し、１６０℃で３日間保
持し硬化処理を行ない、厚さ４mmで１００mm角の円盤状
樹脂成形体を得た。前記成形体を環状炉に入れ窒素気流
中で１３００℃の温度で焼成炭化した後、高純度に処理
した治具及び雰囲気炉を用い不活性雰囲気下で２０００
℃の温度で高温処理を行ないガラス状炭素を得た。前記
ガラス状炭素を５０mm角に切断し、さらに厚み２mmに加
工し鏡面仕上げを行い電気回路用基板とした。前記電気
回路用基板表面に、電気絶縁層としてポリイミドイソイ
ンドロキナゾリンジオン樹脂（商品名 ＰＩＱ、日立化
成工業(株)製）をスピンコート法で塗布した後、３５０
℃の温度で処理し高熱伝導性電気回路用基板を作成し
た。電気絶縁層の膜厚は、１０μｍであった。表１にそ
の特性を示す。
共縮合物（商品名 ＶＦ−３０３、日立化成工業(株)
製）１００重量部にパラトルエンスルホン酸０．６重量
部及びエチレングリコール０．６重量部を添加し、充分
混合した後、得られた樹脂組成物を型に注入し、５０℃
で３日、７０℃で３日、９０℃で３日乾燥硬化した後、
１６０℃まで５℃／時間で昇温し、１６０℃で３日間保
持し硬化処理を行ない、厚さ４mmで１００mm角の円盤状
樹脂成形体を得た。前記成形体を環状炉に入れ窒素気流
中で１３００℃の温度で焼成炭化した後、高純度に処理
した治具及び雰囲気炉を用い不活性雰囲気下で２０００
℃の温度で高温処理を行ないガラス状炭素を得た。前記
ガラス状炭素を５０mm角に切断し、さらに厚み２mmに加
工し鏡面仕上げを行い電気回路用基板とした。前記電気
回路用基板表面に、電気絶縁層としてポリイミドイソイ
ンドロキナゾリンジオン樹脂（商品名 ＰＩＱ、日立化
成工業(株)製）をスピンコート法で塗布した後、３５０
℃の温度で処理し高熱伝導性電気回路用基板を作成し
た。電気絶縁層の膜厚は、１０μｍであった。表１にそ
の特性を示す。
【００１５】実施例２ フラン樹脂であるフルフリルアルコール−フルフラール
共縮合物（商品名 ＶＦ−３０３、日立化成工業(株)
製）１００重量部にパラトルエンスルホン酸０．６重量
部、フタル酸−ｎ−ブチル１重量部及びエチレングリコ
ール１重量部を添加し、充分混合した後、実施例１と同
じ条件下にてガラス状炭素を得、実施例１と同様にして
高熱伝導電気回路用基板を得た。表１に特性を示す。
共縮合物（商品名 ＶＦ−３０３、日立化成工業(株)
製）１００重量部にパラトルエンスルホン酸０．６重量
部、フタル酸−ｎ−ブチル１重量部及びエチレングリコ
ール１重量部を添加し、充分混合した後、実施例１と同
じ条件下にてガラス状炭素を得、実施例１と同様にして
高熱伝導電気回路用基板を得た。表１に特性を示す。
【００１６】実施例３ フラン樹脂であるフルフリルアルコール−フルフラール
共縮合物（商品名 ＶＦ−３０３、日立化成工業(株)
製）７０重量部、フェノール樹脂（商品名 ＶＰ−１１
２Ｎ、日立化成工業(株)製）３０重量部を５０℃の温度
で充分混合した後、３０℃まで冷却した。前記混合物１
００重量部に対し、パラトルエンスルホン酸０．６重量
部、フタル酸−ｎ−ブチル２重量部、エチレングリコー
ル２重量部を添加し、充分混合した後、実施例１と同様
の条件下にてガラス状炭素を得、実施例１と同様にして
高熱伝導性電気回路用基板を得た。表１に特性を示す。
共縮合物（商品名 ＶＦ−３０３、日立化成工業(株)
製）７０重量部、フェノール樹脂（商品名 ＶＰ−１１
２Ｎ、日立化成工業(株)製）３０重量部を５０℃の温度
で充分混合した後、３０℃まで冷却した。前記混合物１
００重量部に対し、パラトルエンスルホン酸０．６重量
部、フタル酸−ｎ−ブチル２重量部、エチレングリコー
ル２重量部を添加し、充分混合した後、実施例１と同様
の条件下にてガラス状炭素を得、実施例１と同様にして
高熱伝導性電気回路用基板を得た。表１に特性を示す。
【００１７】実施例４ フラン樹脂であるフルフリルアルコール−フルフラール
共縮合物（商品名 ＶＦ−３０３、日立化成工業(株)
製）７０重量部、フェノール樹脂（商品名 ＶＰ−１１
２Ｎ、日立化成工業(株)製）３０重量部を５０℃の温度
で充分混合した後、３０℃まで冷却した。前記混合物１
００重量部に対し、パラトルエンスルホン酸０．６重量
部、フタル酸−ｎ−ブチル１重量部、エチレングリコー
ル２重量部を添加し、充分混合した後、実施例１と同様
の条件下にてガラス状炭素を得、実施例１と同様にして
高熱伝導性電気回路用基板を得た。表１に特性を示す。
共縮合物（商品名 ＶＦ−３０３、日立化成工業(株)
製）７０重量部、フェノール樹脂（商品名 ＶＰ−１１
２Ｎ、日立化成工業(株)製）３０重量部を５０℃の温度
で充分混合した後、３０℃まで冷却した。前記混合物１
００重量部に対し、パラトルエンスルホン酸０．６重量
部、フタル酸−ｎ−ブチル１重量部、エチレングリコー
ル２重量部を添加し、充分混合した後、実施例１と同様
の条件下にてガラス状炭素を得、実施例１と同様にして
高熱伝導性電気回路用基板を得た。表１に特性を示す。
【００１８】比較例１ フラン樹脂であるフルフリルアルコール−フルフラール
共縮合物（商品名 ＶＦ−３０３、日立化成工業(株)
製）１００重量部にパラトルエンスルホン酸５０重量％
水溶液１重量部を加え、充分に混合した後、以下実施例
１と同様の条件下にて高熱伝導性電気回路用基板を得
た。表１に特性を示す。比較例２９６％アルミナ基板を
用いて特性を評価した。表１にその特性を示す。
共縮合物（商品名 ＶＦ−３０３、日立化成工業(株)
製）１００重量部にパラトルエンスルホン酸５０重量％
水溶液１重量部を加え、充分に混合した後、以下実施例
１と同様の条件下にて高熱伝導性電気回路用基板を得
た。表１に特性を示す。比較例２９６％アルミナ基板を
用いて特性を評価した。表１にその特性を示す。
【００１９】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】請求項１記載の電気回路用基板は、高熱
伝導性及び低熱膨張の特性を有し、絶縁層の状態も良好
なため、極めて高密度の素子実装が可能である。請求項
２記載の電気回路用基板は、請求項１記載の電気回路用
基板の効果を奏し、さらに安定な絶縁層が形成できる。
請求項３記載の電気回路用基板の製造法は、高熱伝導性
及び低熱膨張の特性を有し、絶縁層の状態も良好な、極
めて高密度の素子実装が可能な電気回路用基板が得られ
る。請求項４記載の電気回路用基板の製造法は、請求項
３記載の電気回路用基板の製造法の効果を奏し、さらに
気孔発生の少ない製造法である。
伝導性及び低熱膨張の特性を有し、絶縁層の状態も良好
なため、極めて高密度の素子実装が可能である。請求項
２記載の電気回路用基板は、請求項１記載の電気回路用
基板の効果を奏し、さらに安定な絶縁層が形成できる。
請求項３記載の電気回路用基板の製造法は、高熱伝導性
及び低熱膨張の特性を有し、絶縁層の状態も良好な、極
めて高密度の素子実装が可能な電気回路用基板が得られ
る。請求項４記載の電気回路用基板の製造法は、請求項
３記載の電気回路用基板の製造法の効果を奏し、さらに
気孔発生の少ない製造法である。
Claims (4)
- 【請求項１】 可塑剤を含む熱硬化性樹脂組成物を原料
とする、熱伝導率が５W/mK以上であるガラス状炭素を基
材とし、電気回路を形成する面に電気絶縁層を形成して
なる電気電気回路用基板。 - 【請求項２】 基材とするガラス状炭素の見掛け密度が
１．４８〜１．５５g/cm3、気孔径が５μｍ以下である
請求項１記載の電気回路用基板。 - 【請求項３】 可塑剤を含む熱硬化性樹脂組成物を、成
形硬化後、非酸化性雰囲気で炭化し、次いでガラス状炭
素化したガラス状炭素を基材とすることを特徴とする電
気回路用基板の製造法。 - 【請求項４】 可塑剤がエチレングリコール又はフタル
酸エステルである請求項３記載の電気回路用基板の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7198838A JPH0946011A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 電気回路用基板及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7198838A JPH0946011A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 電気回路用基板及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0946011A true JPH0946011A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16397764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7198838A Pending JPH0946011A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 電気回路用基板及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0946011A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001019145A1 (en) * | 1999-09-06 | 2001-03-15 | Suzuki Sogyo Co., Ltd. | Substrate of circuit board |
-
1995
- 1995-08-03 JP JP7198838A patent/JPH0946011A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001019145A1 (en) * | 1999-09-06 | 2001-03-15 | Suzuki Sogyo Co., Ltd. | Substrate of circuit board |
| US6479136B1 (en) | 1999-09-06 | 2002-11-12 | Suzuki Sogyo Co., Ltd. | Substrate of circuit board |
| KR100740276B1 (ko) * | 1999-09-06 | 2007-07-18 | 스즈키소교 가부시키가이샤 | 배선판용기판 |
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