JPS60131863A - 電気絶縁性炭化けい素焼結体 - Google Patents
電気絶縁性炭化けい素焼結体Info
- Publication number
- JPS60131863A JPS60131863A JP58241288A JP24128883A JPS60131863A JP S60131863 A JPS60131863 A JP S60131863A JP 58241288 A JP58241288 A JP 58241288A JP 24128883 A JP24128883 A JP 24128883A JP S60131863 A JPS60131863 A JP S60131863A
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- Japan
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- silicon carbide
- boron
- sintered body
- sintered
- insulating silicon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は炭化けい素焼給体、特にはすぐれた電気絶縁性
、熱伝導性を示す炭化けい素に%給体の製造方法に関す
るものである。
、熱伝導性を示す炭化けい素に%給体の製造方法に関す
るものである。
各種電機、電子機器の小型−軽量化にニ伴い、大規模集
積回路等に使用される基板も晶密度化−高集棺化が要求
され、゛電気絶縁性で茜熱伝導性(熱放熱性)のよい材
料がめられている。
積回路等に使用される基板も晶密度化−高集棺化が要求
され、゛電気絶縁性で茜熱伝導性(熱放熱性)のよい材
料がめられている。
従来、こうした基板材料としてアルミナ焼結体が知られ
ているが、アルミナは安価ではあるが一熱伝導性が0.
’04calム9秒4℃と悪く−また。
ているが、アルミナは安価ではあるが一熱伝導性が0.
’04calム9秒4℃と悪く−また。
6
熱膨張係数が8X10 /℃であって一シリコン単結晶
(熱膨張係藪=3.5X 10−’ /℃ンと大きく異
るため一基板として満足できるものでなかっリヤ焼結体
、Si、N4焼結体などが提案されたが。
(熱膨張係藪=3.5X 10−’ /℃ンと大きく異
るため一基板として満足できるものでなかっリヤ焼結体
、Si、N4焼結体などが提案されたが。
ボロンナイトライド焼結体は熱膨張係数がシリコン単結
晶のそれと比二て−0,7X 1 o−’/cと小さく
−ベリリヤ焼結体は逆こ68 X 10−’/℃と大き
く、ま7.:Si3N4焼結体は熱伝導性が0.03c
al/副1秒0℃と悪いという欠点がある。
晶のそれと比二て−0,7X 1 o−’/cと小さく
−ベリリヤ焼結体は逆こ68 X 10−’/℃と大き
く、ま7.:Si3N4焼結体は熱伝導性が0.03c
al/副1秒0℃と悪いという欠点がある。
近年−炭化けい素粉末に熱伝導性のよいベリリウムを添
加して焼結する方法が提案(特開昭57−179,07
5号、同57−180.005号−同57−180,0
06号)されており−これは基数としてσ)要求特性値
−電気絶縁性が大きい、熱伝導性がよい一熱膨張係数が
シリコンチップと近似している、機械強度が大きい−を
満足するものの、ぺIJ 9ウムは人体に亘害であると
いう問題点があった。− また−炭化けい素の焼結助剤として、はう素(化合物)
及び炭素(化合物)、アルミニウム(化合物)や希±(
化合物)等を添加し、焼結する方法(特開昭50−78
,6L19号−同51−148.712号、同51−6
5.Il1号、同52−6,7.164L同55−85
,464号、同57−166.365号等ンも知られて
いるが−これらの方法は構造材を目的とするものであっ
て、熱伝導性にすぐれた絶縁性材料を提供するもσ]で
なかった。さら5二、アルミニウム化合物を使用した場
合には、この抵抗値が10”〜10’Ωαと低くなるし
−はう紮(化合物]を使用した場合Cニもほう累単独で
はおのずから限界があり、抵抗値を109Ω副以上とす
るためには絶縁性のすぐれた第2の添加助剤としてベリ
リウムを添加する必要があった(特開昭58−99,1
72号)、。
加して焼結する方法が提案(特開昭57−179,07
5号、同57−180.005号−同57−180,0
06号)されており−これは基数としてσ)要求特性値
−電気絶縁性が大きい、熱伝導性がよい一熱膨張係数が
シリコンチップと近似している、機械強度が大きい−を
満足するものの、ぺIJ 9ウムは人体に亘害であると
いう問題点があった。− また−炭化けい素の焼結助剤として、はう素(化合物)
及び炭素(化合物)、アルミニウム(化合物)や希±(
化合物)等を添加し、焼結する方法(特開昭50−78
,6L19号−同51−148.712号、同51−6
5.Il1号、同52−6,7.164L同55−85
,464号、同57−166.365号等ンも知られて
いるが−これらの方法は構造材を目的とするものであっ
て、熱伝導性にすぐれた絶縁性材料を提供するもσ]で
なかった。さら5二、アルミニウム化合物を使用した場
合には、この抵抗値が10”〜10’Ωαと低くなるし
−はう紮(化合物]を使用した場合Cニもほう累単独で
はおのずから限界があり、抵抗値を109Ω副以上とす
るためには絶縁性のすぐれた第2の添加助剤としてベリ
リウムを添加する必要があった(特開昭58−99,1
72号)、。
本発明はこのような不利を解決した炭化けい素焼給体に
関するものであ」ン一これは各金1m不純物量が15p
pm 以下で粒径が4μ以下である晶純度炭化けい素1
00重−耶と、はう素tlで0.04〜0.16重置部
のほう累または加熱ζ:よりほう素に変化するほう累化
合物との混合物を、不活性ガス雰囲気または真空中にお
いて1.700〜2.500℃で焼結し、ついで酸化処
理してなることを特徴とするものである。
関するものであ」ン一これは各金1m不純物量が15p
pm 以下で粒径が4μ以下である晶純度炭化けい素1
00重−耶と、はう素tlで0.04〜0.16重置部
のほう累または加熱ζ:よりほう素に変化するほう累化
合物との混合物を、不活性ガス雰囲気または真空中にお
いて1.700〜2.500℃で焼結し、ついで酸化処
理してなることを特徴とするものである。
これを説明すると1本発明者らは丁ぐれた電気絶縁性と
熱伝導性を有し、毒性Q〕問題もない材料についての研
究を事ねた結果、高純度の微粉状炭化けい素に微量のほ
う素を添加すると容易Cニ焼結し、ついでこれを酸化錫
m−fれば10 Ωcrn以上の電気抵抗値をもち、熱
伝導性もよい炭化けい素焼給体が得られることを見出し
一本発明を完成させた。
熱伝導性を有し、毒性Q〕問題もない材料についての研
究を事ねた結果、高純度の微粉状炭化けい素に微量のほ
う素を添加すると容易Cニ焼結し、ついでこれを酸化錫
m−fれば10 Ωcrn以上の電気抵抗値をもち、熱
伝導性もよい炭化けい素焼給体が得られることを見出し
一本発明を完成させた。
本発明で始発材料とされる高純度炭化けい素は。
これ区:含有される金−不純物1例えばA1.Oa。
Or −0u −Fe 、Mg 、Mn 、Ni −T
i 、Vなどσ】含装置がそれぞれ15ppm 以下で
あり。
i 、Vなどσ】含装置がそれぞれ15ppm 以下で
あり。
その粒度が4μ以下のものとする必要がある。これは上
記した各金属不純物置が15 ppm 以上(二なると
′電気抵抗が100画以上とならないという不利が生じ
、七〇粒径が4μ以上では酸洗による高純度化fニ限界
があるばかりかほう素の混合が均一とならず、かつ、強
度および熱伝導性にバラつきが生じるという欠点が与え
られるからであり。
記した各金属不純物置が15 ppm 以上(二なると
′電気抵抗が100画以上とならないという不利が生じ
、七〇粒径が4μ以上では酸洗による高純度化fニ限界
があるばかりかほう素の混合が均一とならず、かつ、強
度および熱伝導性にバラつきが生じるという欠点が与え
られるからであり。
これらは好ましくは10 ppm 以”F、 0.01
〜4μの範囲のも0)とすることがよい。このような炭
化けい素は式(OH3)aBibHoに\tニbは1〜
3σ)整数−2b+1≧a−a≧b−2b+l≧C1C
≧1− a+c=2 b+2 )で示されるメチルハイ
ドロジエンシラン化合物1例えばテトラメチルジシラン
をキャリヤーガス中において750〜1.600℃で気
相熱分解することによって得ることができる(特願昭5
8−155,912号明細書参照)が、このものは七σ
)平均粒子径が0.01〜1μの球状の超微粒子状β型
炭化げい累であるため微細化するための粉砕工程が不要
であるし、また始発原料のメチルハイドロジエンシラン
化合物は精留により高純度化できるので極めて純度の高
いものとして取得することができる。しかし−この高純
度炭化けい素は現在工業rBt二住産され、市欺されて
いる似粉末状の炭化けい素をフッ醗−硝酸などの混合液
でくり返し処理して、ごれに含まれていた金属不純$I
itを15ppm a)とした。
〜4μの範囲のも0)とすることがよい。このような炭
化けい素は式(OH3)aBibHoに\tニbは1〜
3σ)整数−2b+1≧a−a≧b−2b+l≧C1C
≧1− a+c=2 b+2 )で示されるメチルハイ
ドロジエンシラン化合物1例えばテトラメチルジシラン
をキャリヤーガス中において750〜1.600℃で気
相熱分解することによって得ることができる(特願昭5
8−155,912号明細書参照)が、このものは七σ
)平均粒子径が0.01〜1μの球状の超微粒子状β型
炭化げい累であるため微細化するための粉砕工程が不要
であるし、また始発原料のメチルハイドロジエンシラン
化合物は精留により高純度化できるので極めて純度の高
いものとして取得することができる。しかし−この高純
度炭化けい素は現在工業rBt二住産され、市欺されて
いる似粉末状の炭化けい素をフッ醗−硝酸などの混合液
でくり返し処理して、ごれに含まれていた金属不純$I
itを15ppm a)とした。
粘度4μ以下g】ものであってもよい。
この扁純度炭化けい素はついでほう素またはほう素化合
物を添加したのち焼結されるが、電気絶縁性の丁ぐれた
ものとするという見地からこのはうS添加1mは炭化け
い素100車量部に対し。
物を添加したのち焼結されるが、電気絶縁性の丁ぐれた
ものとするという見地からこのはうS添加1mは炭化け
い素100車量部に対し。
0.04〜0.16重量部とする必要がある。なお−こ
σ】焼結助剤としてのほう素は炭化はう素、各種有機は
う素化合物のように加熱gニよってほう素Cニ変化する
ものであってもよく、これらの添加量はほう泰換算によ
るほう素泊が前記した0、04〜0.16車雪部となる
量とすればよい。
σ】焼結助剤としてのほう素は炭化はう素、各種有機は
う素化合物のように加熱gニよってほう素Cニ変化する
ものであってもよく、これらの添加量はほう泰換算によ
るほう素泊が前記した0、04〜0.16車雪部となる
量とすればよい。
こσ1はう素またはほう素化合物を添加した炭化けい素
はその焼結(=先立って均−iニ混合され一ついで必要
に応じ成形されるが一混合に際して通常使用されている
アルミナ與ボールミルなどの粉砕個混合機では一ボット
、ボールの摩耗(二よる不純物の混入があるので、これ
はメノウー炭化けい素やポリウレタン、ポリアミドなど
σ)有機樹脂製の粉砕器を使用して?Tなう方がよく、
混合を充分2二行なうため(二浴媒を使用してもよい。
はその焼結(=先立って均−iニ混合され一ついで必要
に応じ成形されるが一混合に際して通常使用されている
アルミナ與ボールミルなどの粉砕個混合機では一ボット
、ボールの摩耗(二よる不純物の混入があるので、これ
はメノウー炭化けい素やポリウレタン、ポリアミドなど
σ)有機樹脂製の粉砕器を使用して?Tなう方がよく、
混合を充分2二行なうため(二浴媒を使用してもよい。
しかし、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの有機樹脂
製粉砕器はアルミニウムなどσ]金属元素が含ま・れて
いるので好ましいものではない。このようにして得られ
た混合粉体はついで所望の形状の成形体(二成形される
が−これは粉体を扱う業界で一般的に採用されている片
押しプレス、両押しブレス−静水圧プレスなどを用いて
打えばよい。また、こσ)成形は添加剤を使用せずにh
なっても、メチルセルロース、フェノール樹脂などの有
機樹脂、パラフィンなどを添加して行なってもよいが−
これらの樹脂を使用する場合にはその熱分解(二よって
炭素が発生するのでこの添加量は炭化けい素Cニ対し0
.5係以下とてるほか一子じめ800℃す、下の温度に
加熱して炭素を酸化除去したものを使用することがよい
。
製粉砕器はアルミニウムなどσ]金属元素が含ま・れて
いるので好ましいものではない。このようにして得られ
た混合粉体はついで所望の形状の成形体(二成形される
が−これは粉体を扱う業界で一般的に採用されている片
押しプレス、両押しブレス−静水圧プレスなどを用いて
打えばよい。また、こσ)成形は添加剤を使用せずにh
なっても、メチルセルロース、フェノール樹脂などの有
機樹脂、パラフィンなどを添加して行なってもよいが−
これらの樹脂を使用する場合にはその熱分解(二よって
炭素が発生するのでこの添加量は炭化けい素Cニ対し0
.5係以下とてるほか一子じめ800℃す、下の温度に
加熱して炭素を酸化除去したものを使用することがよい
。
この成形体はついで焼結されるが、簡単な形状のもQ)
はそのま\焼結してもよく、抜雑な形状品については焼
結前(ニアライスluなどの機械加工を施すことがよい
が、これを強度σ)大きいものとするためCニはこれを
酸化性、非酸化性のガス′#囲気下または具窄Fに50
0〜1,500℃の温度範囲で仮焼しておくことがよい
。この混合物成形体の焼結は常圧、加FJ:、−または
輿望下σ)いずれでもol能であり、そのときの焼結温
度は低すぎると焼結不足となるので一高密度品を得ると
いう月刊のためにはできるだけ高温とすることがよい。
はそのま\焼結してもよく、抜雑な形状品については焼
結前(ニアライスluなどの機械加工を施すことがよい
が、これを強度σ)大きいものとするためCニはこれを
酸化性、非酸化性のガス′#囲気下または具窄Fに50
0〜1,500℃の温度範囲で仮焼しておくことがよい
。この混合物成形体の焼結は常圧、加FJ:、−または
輿望下σ)いずれでもol能であり、そのときの焼結温
度は低すぎると焼結不足となるので一高密度品を得ると
いう月刊のためにはできるだけ高温とすることがよい。
しかし。
2.500℃以上とすると粒子の成長Cニよって焼結体
の強度が低下するし、さらfニは経済的にも不利となる
σ】で−1,70L1〜2,500℃の範囲好ましくは
1,800〜2,300℃σ)範囲とすることがよい。
の強度が低下するし、さらfニは経済的にも不利となる
σ】で−1,70L1〜2,500℃の範囲好ましくは
1,800〜2,300℃σ)範囲とすることがよい。
またこの焼結の雰囲気は通常使用されている不活性ガン
中または真室中で打なえばよい。
中または真室中で打なえばよい。
なお、このようにして碍られた焼結体は金型C1使用さ
れているカーボンがその設面に吸着ま几は付着している
ので、これを除去するため(ニーこの焼結体を窄気中に
おいて600〜800℃で加熱すること菖二より容易シ
ー遊離炭素のない一′屯気絶緋性gニすぐれ高熱伝導性
の基数2得ることができる。
れているカーボンがその設面に吸着ま几は付着している
ので、これを除去するため(ニーこの焼結体を窄気中に
おいて600〜800℃で加熱すること菖二より容易シ
ー遊離炭素のない一′屯気絶緋性gニすぐれ高熱伝導性
の基数2得ることができる。
なお、酸化処理をせすに表面を研削Cニよりカットする
ことも可能であるが経済的でない。
ことも可能であるが経済的でない。
本発明の炭化けい素焼給体は高純度炭化けい素に焼結助
剤としてはつ素σ1みを添加して焼結したものであり、
ここに得られた焼結体はその抵抗が10’ Ωの以上で
あり、またキセノンランプフラッシュ法による熱伝導率
が0.35 can /cm、秒。
剤としてはつ素σ1みを添加して焼結したものであり、
ここに得られた焼結体はその抵抗が10’ Ωの以上で
あり、またキセノンランプフラッシュ法による熱伝導率
が0.35 can /cm、秒。
℃以上であることから、特に放熱用IC基戦として好適
とされるが、これは密度が理嗣密度の85%以上のもの
が容J%(1得られるので1強度を必要とするガスター
ビン翼、自動車用部品としても奸適とされる。
とされるが、これは密度が理嗣密度の85%以上のもの
が容J%(1得られるので1強度を必要とするガスター
ビン翼、自動車用部品としても奸適とされる。
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例1゜
市販σ)α型炭化けい素・デンジツクA−1(昭相電工
←株)與商品名、平均粒径0.4μ〕を7ツ酸−硝酸の
l:1の混合液を使用し、オートクレーブ中において1
20℃で1時間処理し、処理後蒸留水で充分水洗し乾燥
したところ、このものの処理前後の金属不純量(発光分
析値)は第1表の通りであった。
←株)與商品名、平均粒径0.4μ〕を7ツ酸−硝酸の
l:1の混合液を使用し、オートクレーブ中において1
20℃で1時間処理し、処理後蒸留水で充分水洗し乾燥
したところ、このものの処理前後の金属不純量(発光分
析値)は第1表の通りであった。
ついでこのようにして篩た局純度炭化けい素9Jにほう
素粉床(メタリック社製)lとへキサン30gを添加し
て混合し、これを15s+521のメノウボール25個
を含む25ONのメノウ製ボールミルポットに入れて2
4時間混合してから乾燥してほう素入りマスターバッチ
を作成した。
素粉床(メタリック社製)lとへキサン30gを添加し
て混合し、これを15s+521のメノウボール25個
を含む25ONのメノウ製ボールミルポットに入れて2
4時間混合してから乾燥してほう素入りマスターバッチ
を作成した。
つぎに−このほう素入りマスターバッチと上記した高純
度炭化けい素とを第2表gニ示した比率で混合し、ヘキ
サンを添加してから上記のメノウボール(二人れて4時
間混合したのち収り出して乾燥した。この乾燥粉末15
gを40嬬戸のホットプレス用カーボンffJt−入れ
、アルゴン雰囲気中に200Kp/cJの加圧下に2,
300℃で50分間焼結し、冷却後カーボン型から収り
出して付着している炭素を除去後、中4+mmの試料片
を切り取ってその密度および超#[!!縁計による電気
抵抗値を測定した。測定後この試料片を横型管状炉に入
れ空気中(二800℃1時間保持して酸化処理を行ない
、冷却後−その電気抵抗値を測定すると共ζ二、キセノ
ンランプフラッシュ法でその熱伝導率を測定したところ
、第2表に併記したとおりの結果が得られた。
度炭化けい素とを第2表gニ示した比率で混合し、ヘキ
サンを添加してから上記のメノウボール(二人れて4時
間混合したのち収り出して乾燥した。この乾燥粉末15
gを40嬬戸のホットプレス用カーボンffJt−入れ
、アルゴン雰囲気中に200Kp/cJの加圧下に2,
300℃で50分間焼結し、冷却後カーボン型から収り
出して付着している炭素を除去後、中4+mmの試料片
を切り取ってその密度および超#[!!縁計による電気
抵抗値を測定した。測定後この試料片を横型管状炉に入
れ空気中(二800℃1時間保持して酸化処理を行ない
、冷却後−その電気抵抗値を測定すると共ζ二、キセノ
ンランプフラッシュ法でその熱伝導率を測定したところ
、第2表に併記したとおりの結果が得られた。
実施例2゜
光うt分析によるA1.Or、−、Ou −Fe−Mg
。
。
Mn 、N1−Ti−Vなどの金属不純物含有量がいず
れも10ppm 以上とされている高純度β型炭化けい
累・ナノファインβ0.2〔信越化学1朶(株)與曲品
名、平均粒径0.2μ〕を使用し、実施例1と同じ方法
でマスターパッチを作成し一ついでほう素を含まないも
のを混合してほう素含有輩を0.07市量部とした。つ
ぎに、これを実施例1と同じ方法で成形し、焼結したと
ころ、密度が3、15 g/ 0.0. CFJ論密度
の98.1%)−酸化処理後の゛電気抵抗値が2×10
Ω個、熱伝導度が0、52 cal/側、秒1℃ で
−JIS R,1601Sニよるファインセラミックの
曲げ強度が1lOK9/dである炭化けい素焼給体が得
られた。
れも10ppm 以上とされている高純度β型炭化けい
累・ナノファインβ0.2〔信越化学1朶(株)與曲品
名、平均粒径0.2μ〕を使用し、実施例1と同じ方法
でマスターパッチを作成し一ついでほう素を含まないも
のを混合してほう素含有輩を0.07市量部とした。つ
ぎに、これを実施例1と同じ方法で成形し、焼結したと
ころ、密度が3、15 g/ 0.0. CFJ論密度
の98.1%)−酸化処理後の゛電気抵抗値が2×10
Ω個、熱伝導度が0、52 cal/側、秒1℃ で
−JIS R,1601Sニよるファインセラミックの
曲げ強度が1lOK9/dである炭化けい素焼給体が得
られた。
なお−比較のために上記においてほう素粉束を添加せず
に同様にして得た炭化けい素焼給体の物性をしらべたと
ころ、これは密度が2.95 g /a、a。
に同様にして得た炭化けい素焼給体の物性をしらべたと
ころ、これは密度が2.95 g /a、a。
(理論密度の91,9チ)、酸化処理後の電気抵抗値が
3 X 10’ Ω画−熱伝導度は0.25 cal
/cm秒1℃であった。
3 X 10’ Ω画−熱伝導度は0.25 cal
/cm秒1℃であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、各金属不純空輸が15ppm以下で粒径が4μ以下
である高純度炭化けい素100重量部と。 はう素置で0.04〜0,16重量部のほう素または加
熱によりほう素gニ変化するほう素化合物との混合物を
、不活性ガス雰囲気または真窄中において1,700〜
2,500℃で焼結し、ついで酸化処理してなることを
特徴とする電気絶縁性炭化けい素焼給体。 2、高純度炭化けい素がAl −0a −Or 、Ou
。 Fe −Mg −Mn −Ni −Ti −V をそれ
ぞれ15ppm 以下含亘するものである特許請求の範
囲第1項記載の電気絶縁性炭化けい素焼給体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58241288A JPS60131863A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 電気絶縁性炭化けい素焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58241288A JPS60131863A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 電気絶縁性炭化けい素焼結体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60131863A true JPS60131863A (ja) | 1985-07-13 |
JPS6324952B2 JPS6324952B2 (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17072033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58241288A Granted JPS60131863A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 電気絶縁性炭化けい素焼結体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60131863A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0219933A2 (en) * | 1985-10-17 | 1987-04-29 | The Carborundum Company | Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity |
US4855263A (en) * | 1987-07-06 | 1989-08-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon carbide sintered body and method of producing the same |
JP2002060274A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-26 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 高周波透過材料およびその製造方法 |
JP2004131298A (ja) * | 2001-08-20 | 2004-04-30 | Ngk Insulators Ltd | 低誘電正接材料および炭化珪素焼結体の誘電正接を制御する方法 |
JP2012232863A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Kyocera Corp | 炭化珪素質焼結体およびこの炭化珪素質焼結体からなる静電吸着部材ならびに半導体製造装置用部材 |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP58241288A patent/JPS60131863A/ja active Granted
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6324952B2 (ja) | 1988-05-23 |
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