JPH0944834A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0944834A JPH0944834A JP19326195A JP19326195A JPH0944834A JP H0944834 A JPH0944834 A JP H0944834A JP 19326195 A JP19326195 A JP 19326195A JP 19326195 A JP19326195 A JP 19326195A JP H0944834 A JPH0944834 A JP H0944834A
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- Japan
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- magnetic film
- column
- magnetic
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 周波数特性や耐久性に優れた磁気記録媒体を
提供することである。 【解決手段】 コラムが斜めに成長した金属薄膜型の磁
性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であっ
て、下層磁性膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直線よ
り上側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラム
であり、上層磁性膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直
線より下側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコ
ラムであり、かつ、下層磁性膜のコラムと上層磁性膜の
コラムとが連続模様である磁気記録媒体。
提供することである。 【解決手段】 コラムが斜めに成長した金属薄膜型の磁
性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であっ
て、下層磁性膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直線よ
り上側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラム
であり、上層磁性膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直
線より下側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコ
ラムであり、かつ、下層磁性膜のコラムと上層磁性膜の
コラムとが連続模様である磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関
する。
する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】高記録密度のビデオ用
テープとして、所謂、蒸着テープが有望視されている。
特に、Ｃ／Ｎを向上させる為に、多層蒸着テープが有望
視されている。この観点から、各種の多層蒸着テープが
提案されている。しかし、これまでの多層蒸着テープ
は、周波数特性が良くなかったり、耐久性に問題があ
る。
テープとして、所謂、蒸着テープが有望視されている。
特に、Ｃ／Ｎを向上させる為に、多層蒸着テープが有望
視されている。この観点から、各種の多層蒸着テープが
提案されている。しかし、これまでの多層蒸着テープ
は、周波数特性が良くなかったり、耐久性に問題があ
る。
【０００３】ところで、多層蒸着テープにおける周波数
特性や耐久性に蒸着磁性膜のコラム構造が大きな影響を
与えることは誰も気付いていなかった。すなわち、周波
数特性や耐久性に関するコラム構造についての考察が全
く行われていなかった。この点について、本発明者によ
る研究が鋭意押し進められて行った結果、積層磁性膜に
おける上層磁性膜のコラムが起点と終点とを結ぶ直線よ
り下側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラム
であり、下層磁性膜のコラムが起点と終点とを結ぶ直線
より上側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラ
ムの場合には、周波数特性が良く、かつ、耐久性に優れ
たものであることが判って来た。
特性や耐久性に蒸着磁性膜のコラム構造が大きな影響を
与えることは誰も気付いていなかった。すなわち、周波
数特性や耐久性に関するコラム構造についての考察が全
く行われていなかった。この点について、本発明者によ
る研究が鋭意押し進められて行った結果、積層磁性膜に
おける上層磁性膜のコラムが起点と終点とを結ぶ直線よ
り下側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラム
であり、下層磁性膜のコラムが起点と終点とを結ぶ直線
より上側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラ
ムの場合には、周波数特性が良く、かつ、耐久性に優れ
たものであることが判って来た。
【０００４】このような知見を基にして本発明が達成さ
れたものであり、本発明は、周波数特性や耐久性に優れ
た磁気記録媒体を提供することを目的とする。
れたものであり、本発明は、周波数特性や耐久性に優れ
た磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、コ
ラムが斜めに成長した金属薄膜型の磁性膜が支持体上に
複数層積層された磁気記録媒体であって、下層磁性膜の
コラムが、起点と終点とを結ぶ直線より上側に出っ張っ
た曲線を有する斜めに成長したコラムであり、上層磁性
膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直線より下側に出っ
張った曲線を有する斜めに成長したコラムであり、か
つ、下層磁性膜のコラムと上層磁性膜のコラムとが連続
模様であることを特徴とする磁気記録媒体によって達成
される。
ラムが斜めに成長した金属薄膜型の磁性膜が支持体上に
複数層積層された磁気記録媒体であって、下層磁性膜の
コラムが、起点と終点とを結ぶ直線より上側に出っ張っ
た曲線を有する斜めに成長したコラムであり、上層磁性
膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直線より下側に出っ
張った曲線を有する斜めに成長したコラムであり、か
つ、下層磁性膜のコラムと上層磁性膜のコラムとが連続
模様であることを特徴とする磁気記録媒体によって達成
される。
【０００６】又、コラムが斜めに成長した金属薄膜型の
磁性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であ
って、下層の磁性膜が低入射角核生成法により成膜さ
れ、引き続き同方向にて、上層の磁性膜が高入射角核生
成法により成膜されてなることを特徴とする磁気記録媒
体によって達成される。
磁性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であ
って、下層の磁性膜が低入射角核生成法により成膜さ
れ、引き続き同方向にて、上層の磁性膜が高入射角核生
成法により成膜されてなることを特徴とする磁気記録媒
体によって達成される。
【０００７】尚、下層磁性膜のコラムの起点と終点とを
結ぶ直線の傾斜角θ1 は２０〜６０°が好ましく、上層
磁性膜のコラムの起点と終点とを結ぶ直線の傾斜角θ2
は３０〜８０°が好ましい。上記のように構成させた磁
気記録媒体の耐久性が良い理由は次の通りと考えられ
る。先ず、支持体上に堆積させる下層磁性膜の成膜に際
して、下側ほど高エネルギーの磁性粒子が付着・堆積し
ていく。この為、支持体に対する結着強度が大きい。従
って、磁性膜は支持体に強固に結合しており、剥離し難
く、耐久性に富む。
結ぶ直線の傾斜角θ1 は２０〜６０°が好ましく、上層
磁性膜のコラムの起点と終点とを結ぶ直線の傾斜角θ2
は３０〜８０°が好ましい。上記のように構成させた磁
気記録媒体の耐久性が良い理由は次の通りと考えられ
る。先ず、支持体上に堆積させる下層磁性膜の成膜に際
して、下側ほど高エネルギーの磁性粒子が付着・堆積し
ていく。この為、支持体に対する結着強度が大きい。従
って、磁性膜は支持体に強固に結合しており、剥離し難
く、耐久性に富む。
【０００８】又、上記のように構成させた磁気記録媒体
の周波数特性が良い（高周波領域においても高出力）理
由は次の通りと考えられる。上記磁性膜の構造である
と、上層磁性膜の保磁力が大きいのに対して、下層磁性
膜の保磁力は小さく、結果的に厚み損失が少なく、高周
波領域においても高出力が得られる。
の周波数特性が良い（高周波領域においても高出力）理
由は次の通りと考えられる。上記磁性膜の構造である
と、上層磁性膜の保磁力が大きいのに対して、下層磁性
膜の保磁力は小さく、結果的に厚み損失が少なく、高周
波領域においても高出力が得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、コラムが斜めに成長し
た金属薄膜型の磁性膜が支持体上に複数層積層された磁
気記録媒体であって、下層磁性膜のコラムが、起点と終
点とを結ぶ直線より上側に出っ張った曲線を有する斜め
に成長したコラムであり、上層磁性膜のコラムが、起点
と終点とを結ぶ直線より下側に出っ張った曲線を有する
斜めに成長したコラムであり、かつ、下層磁性膜のコラ
ムと上層磁性膜のコラムとが連続模様（同一方向を向い
ている）をしたものである。
た金属薄膜型の磁性膜が支持体上に複数層積層された磁
気記録媒体であって、下層磁性膜のコラムが、起点と終
点とを結ぶ直線より上側に出っ張った曲線を有する斜め
に成長したコラムであり、上層磁性膜のコラムが、起点
と終点とを結ぶ直線より下側に出っ張った曲線を有する
斜めに成長したコラムであり、かつ、下層磁性膜のコラ
ムと上層磁性膜のコラムとが連続模様（同一方向を向い
ている）をしたものである。
【００１０】又、コラムが斜めに成長した金属薄膜型の
磁性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であ
って、下層の磁性膜が低入射角核生成法により成膜さ
れ、引き続き同方向にて、上層の磁性膜が高入射角核生
成法により成膜されてなるものである。尚、下層磁性膜
のコラムの起点と終点とを結ぶ直線の傾斜角θ1 は２０
〜６０°であり、上層磁性膜のコラムの起点と終点とを
結ぶ直線の傾斜角θ2 は３０〜８０°である。
磁性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であ
って、下層の磁性膜が低入射角核生成法により成膜さ
れ、引き続き同方向にて、上層の磁性膜が高入射角核生
成法により成膜されてなるものである。尚、下層磁性膜
のコラムの起点と終点とを結ぶ直線の傾斜角θ1 は２０
〜６０°であり、上層磁性膜のコラムの起点と終点とを
結ぶ直線の傾斜角θ2 は３０〜８０°である。
【００１１】上記特長を有する本発明の磁気記録媒体
は、次のようにして得られる。先ず、図１の斜め蒸着装
置を用意する。尚、図１では、蒸着を連続して行わせて
いるが、連続タイプのものでなくても良い。図１中、１
は支持体であり、磁性あるいは非磁性いずれのものでも
良いが、一般的には非磁性のものである。このような支
持体はＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化
ビニル系の樹脂といった有機材料が主として用いられ
る。尚、支持体の表面には、磁性膜との密着性を向上さ
せる為のアンダーコート層が適宜設けられる。２ａは支
持体１の供給側ロール、２ｂは支持体１の巻取側ロール
であり、支持体１は供給側ロール２ａからガイドローラ
３を経て冷却キャンロール４ａに導かれ、そしてガイド
ローラ３を経て冷却キャンロール４ｂに導かれ、最終的
に巻取側ロール２ｂに導かれる。この走行経路におい
て、すなわち冷却キャンロール４ａ，４ｂに沿って走行
する際、ルツボ５ａ，５ｂからの磁性材料の粒子が飛来
し、付着・堆積する。金属磁性膜を形成する磁性粒子の
材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ
ｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の金
属を含有させたもの、若しくはＦｅ4 ＮやＦｅ3 Ｃ5 の
ような窒化物や炭化物等が用いられる。冷却キャンロー
ル４ａに沿って走行する際の斜め蒸着は、低入射角核生
成法（ＬＩＮ法）が採用される。冷却キャンロール４ｂ
に沿って走行する際の斜め蒸着は、高入射角核生成法
（ＨＩＮ法）が採用される。この為、遮蔽板６ａ，６ｂ
は図示の通り設けられる。又、酸素ガス供給ノズル７
ａ，７ｂも図示の通り設けられる。尚、８ａ，８ｂは電
子銃、９ａ，９ｂは真空槽、１０はボンバード処理装置
である。
は、次のようにして得られる。先ず、図１の斜め蒸着装
置を用意する。尚、図１では、蒸着を連続して行わせて
いるが、連続タイプのものでなくても良い。図１中、１
は支持体であり、磁性あるいは非磁性いずれのものでも
良いが、一般的には非磁性のものである。このような支
持体はＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化
ビニル系の樹脂といった有機材料が主として用いられ
る。尚、支持体の表面には、磁性膜との密着性を向上さ
せる為のアンダーコート層が適宜設けられる。２ａは支
持体１の供給側ロール、２ｂは支持体１の巻取側ロール
であり、支持体１は供給側ロール２ａからガイドローラ
３を経て冷却キャンロール４ａに導かれ、そしてガイド
ローラ３を経て冷却キャンロール４ｂに導かれ、最終的
に巻取側ロール２ｂに導かれる。この走行経路におい
て、すなわち冷却キャンロール４ａ，４ｂに沿って走行
する際、ルツボ５ａ，５ｂからの磁性材料の粒子が飛来
し、付着・堆積する。金属磁性膜を形成する磁性粒子の
材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ
ｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の金
属を含有させたもの、若しくはＦｅ4 ＮやＦｅ3 Ｃ5 の
ような窒化物や炭化物等が用いられる。冷却キャンロー
ル４ａに沿って走行する際の斜め蒸着は、低入射角核生
成法（ＬＩＮ法）が採用される。冷却キャンロール４ｂ
に沿って走行する際の斜め蒸着は、高入射角核生成法
（ＨＩＮ法）が採用される。この為、遮蔽板６ａ，６ｂ
は図示の通り設けられる。又、酸素ガス供給ノズル７
ａ，７ｂも図示の通り設けられる。尚、８ａ，８ｂは電
子銃、９ａ，９ｂは真空槽、１０はボンバード処理装置
である。
【００１２】このような装置を用い、先ず、真空槽９
ａ，９ｂ内の所定の走行経路を支持体１が走行できるよ
う準備すると共に、真空槽９ａ，９ｂ内を１０-4〜１０
-6Ｔｏｒｒ程度の真空度に排気する。そして、電子銃８
ａからの電子ビーム加熱によりルツボ５ａ内の磁性金属
を溶融、蒸発させ、冷却キャンロール４ａの位置におい
てＬＩＮ法により支持体１上に厚さが３００〜１５００
Åで、図２に示す如く、起点と終点とを結ぶ直線（直線
の傾きθ1 ＝２０〜６０°）より上側に出っ張った曲線
を有する斜めに成長したコラムの下層磁性膜１１ａを形
成する。この下層磁性膜１１ａが形成された後、冷却キ
ャンロール４ｂに沿って走行させ、電子銃８ｂからの電
子ビーム加熱によりルツボ５ｂ内の磁性金属を溶融、蒸
発させ、ＨＩＮ法により下層磁性膜１１ａ上に厚さが６
００〜３０００Åで、図２に示す如く、起点と終点とを
結ぶ直線（直線の傾きθ2 ＝３０〜８０°）より下側に
出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラムの上層磁
性膜１１ｂを形成する。
ａ，９ｂ内の所定の走行経路を支持体１が走行できるよ
う準備すると共に、真空槽９ａ，９ｂ内を１０-4〜１０
-6Ｔｏｒｒ程度の真空度に排気する。そして、電子銃８
ａからの電子ビーム加熱によりルツボ５ａ内の磁性金属
を溶融、蒸発させ、冷却キャンロール４ａの位置におい
てＬＩＮ法により支持体１上に厚さが３００〜１５００
Åで、図２に示す如く、起点と終点とを結ぶ直線（直線
の傾きθ1 ＝２０〜６０°）より上側に出っ張った曲線
を有する斜めに成長したコラムの下層磁性膜１１ａを形
成する。この下層磁性膜１１ａが形成された後、冷却キ
ャンロール４ｂに沿って走行させ、電子銃８ｂからの電
子ビーム加熱によりルツボ５ｂ内の磁性金属を溶融、蒸
発させ、ＨＩＮ法により下層磁性膜１１ａ上に厚さが６
００〜３０００Åで、図２に示す如く、起点と終点とを
結ぶ直線（直線の傾きθ2 ＝３０〜８０°）より下側に
出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラムの上層磁
性膜１１ｂを形成する。
【００１３】尚、下層磁性膜１１ａの成膜に際しては、
上流側から下流側に向けて酸素ガスが流されているか
ら、下層磁性膜１１ａは下側ほど酸素含有量が多い。こ
れに対して、上層磁性膜１１ｂの成膜に際しては、下流
側から酸素ガスが流されているから、上層磁性膜１１ｂ
は上側ほど酸素含有量が多い。上記のようにしてＬＩＮ
法磁性膜（下層磁性膜１１ａ）、ＨＩＮ法磁性膜（上層
磁性膜１１ｂ）が順に積層された磁性膜の上に、必要に
応じて、ダイヤモンドライクカーボン、炭化ホウ素、窒
化珪素などからなる５０〜２００Å程度の厚さの保護膜
が設けられる。又、パーフルオロポリエーテル等のフッ
素系の潤滑剤が２０〜７０Å程度の厚さ設けられる。
上流側から下流側に向けて酸素ガスが流されているか
ら、下層磁性膜１１ａは下側ほど酸素含有量が多い。こ
れに対して、上層磁性膜１１ｂの成膜に際しては、下流
側から酸素ガスが流されているから、上層磁性膜１１ｂ
は上側ほど酸素含有量が多い。上記のようにしてＬＩＮ
法磁性膜（下層磁性膜１１ａ）、ＨＩＮ法磁性膜（上層
磁性膜１１ｂ）が順に積層された磁性膜の上に、必要に
応じて、ダイヤモンドライクカーボン、炭化ホウ素、窒
化珪素などからなる５０〜２００Å程度の厚さの保護膜
が設けられる。又、パーフルオロポリエーテル等のフッ
素系の潤滑剤が２０〜７０Å程度の厚さ設けられる。
【００１４】
【実施例１】本実施例の磁気記録媒体は、図１に示した
斜め蒸着装置により得られる。すなわち、非磁性の支持
体（６μｍ厚さのＰＥＴフィルム）１を供給側ロール２
ａから冷却キャンロール４ａ、冷却キャンロール４ｂを
経て巻取側ロール２ｂに導かれるように掛け渡し、真空
槽９ａ，９ｂ内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空度
に排気する。そして、２．５ｍ／ｍｉｎの速度で走行す
るＰＥＴフィルム１に対して１０ｋＷの電子銃８ａから
の電子ビーム加熱によりルツボ５ａ内の磁性金属（Ｃ
ｏ）を溶融、蒸発させ、冷却キャンロール４ａの位置に
おいてＬＩＮ法によりＰＥＴフィルム１上に厚さが５０
０Åで、図２に示す如く、起点と終点とを結ぶ直線（直
線の傾きθ1 ＝３５°）より上側に出っ張った曲線を有
する斜めに成長したコラムの下層磁性膜１１ａを形成す
る。この下層磁性膜１１ａの形成に際して、酸素ガス供
給ノズル７ａから６０ｓｃｃｍの割合で酸素ガスが上流
側から下流側向けて供給されている。
斜め蒸着装置により得られる。すなわち、非磁性の支持
体（６μｍ厚さのＰＥＴフィルム）１を供給側ロール２
ａから冷却キャンロール４ａ、冷却キャンロール４ｂを
経て巻取側ロール２ｂに導かれるように掛け渡し、真空
槽９ａ，９ｂ内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空度
に排気する。そして、２．５ｍ／ｍｉｎの速度で走行す
るＰＥＴフィルム１に対して１０ｋＷの電子銃８ａから
の電子ビーム加熱によりルツボ５ａ内の磁性金属（Ｃ
ｏ）を溶融、蒸発させ、冷却キャンロール４ａの位置に
おいてＬＩＮ法によりＰＥＴフィルム１上に厚さが５０
０Åで、図２に示す如く、起点と終点とを結ぶ直線（直
線の傾きθ1 ＝３５°）より上側に出っ張った曲線を有
する斜めに成長したコラムの下層磁性膜１１ａを形成す
る。この下層磁性膜１１ａの形成に際して、酸素ガス供
給ノズル７ａから６０ｓｃｃｍの割合で酸素ガスが上流
側から下流側向けて供給されている。
【００１５】下層磁性膜１１ａが形成された後、１５ｋ
Ｗの電子銃８ｂからの電子ビーム加熱によりルツボ５ｂ
内の磁性金属（Ｃｏ）を溶融、蒸発させ、冷却キャンロ
ール４ｂの位置において、ＨＩＮ法により下層磁性膜１
１ａ上に厚さが１２００Åで、図２に示す如く、起点と
終点とを結ぶ直線（直線の傾きθ2 ＝４５°）より下側
に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラムの上層
磁性膜１１ｂを形成する。この上層磁性膜１１ｂの形成
に際して、酸素ガス供給ノズル７ｂから７０ｓｃｃｍの
割合で酸素ガスが上流側から供給されている。
Ｗの電子銃８ｂからの電子ビーム加熱によりルツボ５ｂ
内の磁性金属（Ｃｏ）を溶融、蒸発させ、冷却キャンロ
ール４ｂの位置において、ＨＩＮ法により下層磁性膜１
１ａ上に厚さが１２００Åで、図２に示す如く、起点と
終点とを結ぶ直線（直線の傾きθ2 ＝４５°）より下側
に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラムの上層
磁性膜１１ｂを形成する。この上層磁性膜１１ｂの形成
に際して、酸素ガス供給ノズル７ｂから７０ｓｃｃｍの
割合で酸素ガスが上流側から供給されている。
【００１６】上記のようにしてＬＩＮ法磁性膜（下層磁
性膜１１ａ）及びＨＩＮ法磁性膜（上層磁性膜１１ｂ）
を形成した後、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりダイヤモ
ンドライクカーボン膜を５０Å厚さ形成し、この後パー
フルオロポリエーテル等のフッ素系の潤滑剤（商品名Ｆ
ＯＭＢＬＩＮ ＡＭ２００１）を２０Å厚さ形成した。
又、ＰＥＴフィルム１の磁性膜形成面側とは反対側の面
にＡｌ蒸着膜（バックコート膜）を０．２μｍ厚さ設
け、この後８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填して８ｍ
ｍＶＴＲ用磁気テープを作製した。
性膜１１ａ）及びＨＩＮ法磁性膜（上層磁性膜１１ｂ）
を形成した後、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりダイヤモ
ンドライクカーボン膜を５０Å厚さ形成し、この後パー
フルオロポリエーテル等のフッ素系の潤滑剤（商品名Ｆ
ＯＭＢＬＩＮ ＡＭ２００１）を２０Å厚さ形成した。
又、ＰＥＴフィルム１の磁性膜形成面側とは反対側の面
にＡｌ蒸着膜（バックコート膜）を０．２μｍ厚さ設
け、この後８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填して８ｍ
ｍＶＴＲ用磁気テープを作製した。
【００１７】
【実施例２】実施例１において、ＰＥＴフィルム１の走
行速度２．０ｍ／ｍｉｎ、電子銃８ａの出力１５ｋＷ、
酸素ガス供給ノズル７ａからの酸素ガス供給量９０ｓｃ
ｃｍ、電子銃８ｂの出力１０ｋＷ、酸素ガス供給ノズル
７ｂからの酸素ガス供給量６５ｓｃｃｍとし、θ1 ＝５
０°で、１５００Å厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝７０
°で、１０００Å厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は
実施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作
製した。
行速度２．０ｍ／ｍｉｎ、電子銃８ａの出力１５ｋＷ、
酸素ガス供給ノズル７ａからの酸素ガス供給量９０ｓｃ
ｃｍ、電子銃８ｂの出力１０ｋＷ、酸素ガス供給ノズル
７ｂからの酸素ガス供給量６５ｓｃｃｍとし、θ1 ＝５
０°で、１５００Å厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝７０
°で、１０００Å厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は
実施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作
製した。
【００１８】
【実施例３】実施例１において、ＰＥＴフィルム１の走
行速度２．５ｍ／ｍｉｎ、電子銃８ａの出力１０ｋＷ、
酸素ガス供給ノズル７ａからの酸素ガス供給量０ｓｃｃ
ｍ（酸素ガス供給ノズル７ａから酸素ガスを流さず）、
電子銃８ｂの出力１５ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７ｂか
らの酸素ガス供給量７０ｓｃｃｍとし、θ1 ＝２０°
で、４００Å厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝４０°で、
１２００Å厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は実施例
１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作製し
た。
行速度２．５ｍ／ｍｉｎ、電子銃８ａの出力１０ｋＷ、
酸素ガス供給ノズル７ａからの酸素ガス供給量０ｓｃｃ
ｍ（酸素ガス供給ノズル７ａから酸素ガスを流さず）、
電子銃８ｂの出力１５ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７ｂか
らの酸素ガス供給量７０ｓｃｃｍとし、θ1 ＝２０°
で、４００Å厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝４０°で、
１２００Å厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は実施例
１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作製し
た。
【００１９】
【実施例４】実施例１において、ＰＥＴフィルム１の走
行速度２．５ｍ／ｍｉｎ、電子銃８ａの出力１０ｋＷ、
酸素ガス供給ノズル７ａからの酸素ガス供給量６０ｓｃ
ｃｍ（但し、酸素ガスは下流側から上流側向けて供給。
実施例１とは酸素ガス供給ノズル７ａの向きが逆）、電
子銃８ｂの出力１５ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７ｂから
の酸素ガス供給量７０ｓｃｃｍとし、θ1 ＝３０°で、
４５０Å厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝３０°で、１２
００Å厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は実施例１に
準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作製した。
行速度２．５ｍ／ｍｉｎ、電子銃８ａの出力１０ｋＷ、
酸素ガス供給ノズル７ａからの酸素ガス供給量６０ｓｃ
ｃｍ（但し、酸素ガスは下流側から上流側向けて供給。
実施例１とは酸素ガス供給ノズル７ａの向きが逆）、電
子銃８ｂの出力１５ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７ｂから
の酸素ガス供給量７０ｓｃｃｍとし、θ1 ＝３０°で、
４５０Å厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝３０°で、１２
００Å厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は実施例１に
準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作製した。
【００２０】
【比較例１】図３に示す装置を用意した。図１と図３と
の相違点は、遮蔽板６ａと酸素ガス供給ノズル７ａの位
置や向きのみである。そして、ＰＥＴフィルム１の走行
速度２．５ｍ／ｍｉｎ、電子銃８ａの出力１５ｋＷ、酸
素ガス供給ノズル７ａからの酸素ガス供給量７０ｓｃｃ
ｍ、電子銃８ｂの出力１５ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７
ｂからの酸素ガス供給量７０ｓｃｃｍとし、θ1 ＝５０
°で、１２００Å厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝７０°
で、１２００Å厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は実
施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作製
した。
の相違点は、遮蔽板６ａと酸素ガス供給ノズル７ａの位
置や向きのみである。そして、ＰＥＴフィルム１の走行
速度２．５ｍ／ｍｉｎ、電子銃８ａの出力１５ｋＷ、酸
素ガス供給ノズル７ａからの酸素ガス供給量７０ｓｃｃ
ｍ、電子銃８ｂの出力１５ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７
ｂからの酸素ガス供給量７０ｓｃｃｍとし、θ1 ＝５０
°で、１２００Å厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝７０°
で、１２００Å厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は実
施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作製
した。
【００２１】
【特性】上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープの磁
気特性（保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ、Ｂｒ／Ｂ
ｓ）、表面粗さＲａ、出力特性（５ＭＨｚ，１０ＭＨｚ
での出力）、及びスチル耐久性（３時間の繰り返し走行
後の出力低下）について調べたので、その結果を表−１
に示す。又、実施例１〜実施例４及び比較例１の磁性膜
についてオージェ電子分光分析を行ったので、その結果
を図４〜図７及び図８に示す。
気特性（保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ、Ｂｒ／Ｂ
ｓ）、表面粗さＲａ、出力特性（５ＭＨｚ，１０ＭＨｚ
での出力）、及びスチル耐久性（３時間の繰り返し走行
後の出力低下）について調べたので、その結果を表−１
に示す。又、実施例１〜実施例４及び比較例１の磁性膜
についてオージェ電子分光分析を行ったので、その結果
を図４〜図７及び図８に示す。
【００２２】 表−１ Ｈｃ(Oe)Ｂｓ(G) Br/Bs Ｒａ(nm)出 力 特 性(dB)スチル耐久性 5MHz 10MHz 差 (dB) 実施例１ 1540 6200 0.84 2.1 +0.4 +1.8 +1.4 -0.5 実施例２ 1520 6300 0.73 2.4 +0.6 +0.7 +0.1 -0.2 実施例３ 1480 6800 0.81 2.0 +0.8 +1.3 +0.5 -0.9 実施例４ 1500 6300 0.82 2.1 +0.6 +1.2 +0.6 -1.3 比較例１ 1550 5600 0.84 2.3 0 0 0 -1.8 ＊出力特性は比較例１を基準にした相対値 これから判る通り、本発明のものは、スチル耐久性に優
れたものであり、かつ、高周波領域においても高い出力
が得られたものであり、高密度記録に適している。
れたものであり、かつ、高周波領域においても高い出力
が得られたものであり、高密度記録に適している。
【００２３】
【効果】高周波領域においても出力が高く、高密度記録
に適し、かつ、耐久性にも富む。
に適し、かつ、耐久性にも富む。
【図１】本発明の磁気記録媒体を製造する為の斜め蒸着
装置の概略図
装置の概略図
【図２】本発明の磁気記録媒体の概略図
【図３】比較例の磁気記録媒体を製造する為の斜め蒸着
装置の概略図
装置の概略図
【図４】実施例１の磁気記録媒体のオージェ電子分光分
析のグラフ
析のグラフ
【図５】実施例２の磁気記録媒体のオージェ電子分光分
析のグラフ
析のグラフ
【図６】実施例３の磁気記録媒体のオージェ電子分光分
析のグラフ
析のグラフ
【図７】実施例４の磁気記録媒体のオージェ電子分光分
析のグラフ
析のグラフ
【図８】比較例１の磁気記録媒体のオージェ電子分光分
析のグラフ
析のグラフ
１ 支持体 １１ａ ＬＩＮ法磁性膜（下層磁性膜） １１ｂ ＨＩＮ法磁性膜（上層磁性膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 コラムが斜めに成長した金属薄膜型の磁
性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であっ
て、 下層磁性膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直線より上
側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラムであ
り、 上層磁性膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直線より下
側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラムであ
り、 かつ、下層磁性膜のコラムと上層磁性膜のコラムとが連
続模様であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 コラムが斜めに成長した金属薄膜型の磁
性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であっ
て、 下層の磁性膜が低入射角核生成法により成膜され、 引き続き同方向にて、上層の磁性膜が高入射角核生成法
により成膜されてなることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上層磁性膜の厚さが下層磁性膜の厚さよ
り厚いことを特徴とする請求項１又は請求項２の磁気記
録媒体。 - 【請求項４】 上層磁性膜は、 その上側における酸素含有量と下側における酸素含有量
とを比べた場合、上側の酸素含有量が多く、 下層磁性膜は、 その上側における酸素含有量と下側における酸素含有量
とを比べた場合、下側の酸素含有量が多いことを特徴と
する請求項１〜請求項３いずれかの磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19326195A JPH0944834A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19326195A JPH0944834A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0944834A true JPH0944834A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16305009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19326195A Pending JPH0944834A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0944834A (ja) |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP19326195A patent/JPH0944834A/ja active Pending
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