JPH09293225A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｃｏ合金等の金属系磁性薄膜を採用した薄膜
型磁気記録媒体の、静磁気特性および短波長領域での電
磁変換特性を向上する。 【解決手段】 金属系磁性薄膜６を多層化し、中間層と
して炭素系薄膜７を介在させた積層構造とする。 【効果】 金属系磁性薄膜６中の磁性粒子が細分化さ
れ、磁性粒子間の磁気的な相互作用が低減する。また磁
性粒子はすべて成長初期の段階で炭素系薄膜７で分断さ
れ、配向性にも優れる。このため静磁気特性が向上し、
特にサブハーフミクロン領域での再生出力が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は非磁性支持体上に金
属系磁性薄膜が形成された磁気記録媒体に関し、さらに
詳しくは、静磁気特性および短波長での電磁変換特性が
改善された磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録の分野においては、記録する情
報量の増大や、磁気記録媒体／磁気ヘッド間の相対速度
の低減等の動向から、高密度記録化が要望されている。
これに伴い、磁気記録媒体においても磁性粒子を有機バ
インダ中に分散させた塗布型磁気記録媒体に代わり、金
属系磁性薄膜をめっきや真空薄膜形成技術、すなわち真
空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティング
等により成膜する薄膜型磁気記録媒体が主流となりつつ
ある。なかでも金属系磁性薄膜を採用する薄膜型磁気記
録媒体は、保持力、角型比あるいは残留磁束密度等の各
種静磁気特性に優れていることが知られている。また塗
布型磁気記録媒体のように磁性層中に非磁性の有機バイ
ンダを混入する必要がないので、必要とする磁束量を得
るための磁性層厚を薄くすることが可能であり、記録減
磁が小さいので、この面からも短波長領域における電磁
変換特性に優れた性質を有する。

【０００３】ヘリカルスキャン方式のビデオテープレコ
ーダ（ＶＴＲ）等に用いる薄膜型磁気記録媒体において
は、テープ長手方向の磁気異方性を高め、より短波長で
の高出力化を図るため、斜方蒸着による薄膜型磁気記録
媒体が提案され実用に供されている。この斜方蒸着は、
移動走行するポリエステル等の高分子材料からなる非磁
性支持体上に、走行方向に対し斜め方向からの電子ビー
ム蒸着等により磁性層を形成するものである。斜方蒸着
により形成された薄膜型磁気記録媒体は、その微細構造
において磁性粒子が非磁性支持体の表面に対して斜めに
配向している。したがって、磁性粒子を非磁性支持体の
面内長手方向に一軸配向した従来の磁気テープに比べ、
高密度記録が可能である。現在実用化されている斜方蒸
着による薄膜型磁気記録媒体の磁化容易軸は、非磁性支
持体表面に対し、およそ２０°傾斜しているものが一般
的である。

【０００４】斜方蒸着による薄膜型磁気記録媒体におい
は、金属系磁性薄膜材料として、一般にＣｏやＣｏ−Ｎ
ｉ合金系が採用される。これらの金属系磁性薄膜を非磁
性支持体上に形成するには、ＣｏやＣｏ−Ｎｉ合金を蒸
発源とし、移動する非磁性支持体上に酸素ガスを吹きつ
けながら斜方蒸着する製造法が通常である。この工程に
より、金属系磁性薄膜は、α−Ｃｏ（またはＣｏ−Ｎ
ｉ）の磁性粒子と、主としてその粒界に存在するＣｏ−
Ｏ（またはＣｏ−Ｎｉ−Ｏ）とが混在する構造となる。
酸素を金属系磁性薄膜中に導入する理由は、磁性粒子サ
イズを微細化して媒体ノイズを低減するとともに、金属
系磁性薄膜を柱状構造とすることで、斜め方向の形状異
方性を増大させるためである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
斜方蒸着の金属系磁性薄膜を磁気記録媒体として用いる
ＶＴＲ等の分野では、更なる高密度記録を目指して、磁
気記録媒体の大容量化とともに、小型軽量化が望まれて
いる。このためには、現行の最短記録波長よりも更に短
波長の記録を可能とする磁気記録媒体の開発が必要であ
る。しかしながら、記録波長が短波長化するほど、記録
された磁化パターンは自己減磁しやすく、見掛け上の残
留磁化が小さくなり、この結果満足な再生出力が得られ
ない。

【０００６】短波長における再生出力を増加する手段の
一つとして、磁気記録媒体の保磁力を高くすることが有
効である。高保磁力化により、自己減磁界に対抗しうる
磁化パターンを磁気記録層内に形成することができる。
したがって本発明の課題は、磁気記録層の保磁力を高
め、短波長での再生出力を向上することにより、更なる
高密度記録が可能な薄膜型磁気記録媒体を提供すること
である。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、上述した課題を達成するために提案するものであ
り、非磁性支持体上に形成された複数層の金属系磁性薄
膜と、この複数層の金属系磁性薄膜の層間に介在する複
数層の炭素系薄膜を具備することを特徴とする。

【０００８】本発明の磁気記録媒体の一実施態様とし
て、複数層の金属系磁性薄膜の磁化容易軸と、非磁性支
持体表面とのなす角度は、２０°以上９０°以下である
ことが望ましい。

【０００９】また本発明の磁気記録媒体の別の一実施態
様として、非磁性支持体と、最下層の金属系磁性薄膜と
の間に、さらに炭素系薄膜を具備することが望ましい。

【００１０】また本発明の磁気記録媒体のさらに別の実
施態様として、複数層の金属系磁性薄膜の一層あたりの
層厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが望ま
しい。同じくこの複数層の金属系磁性薄膜の合計の全層
厚は、記録最短波長をλ₀ としたときに、λ₀ ／５以上
３λ₀ ／５以下であることが望ましい。

【００１１】さらに炭素系薄膜の一層あたりの層厚は、
１０ｎｍ以下であることが好ましい。

【００１２】次に作用の説明に移る。磁気記録層の保磁
力を高めるためには、磁気記録層中の磁性粒子の磁気的
な相互作用を弱めることが有効である。本発明者らは、
この相互作用を低減するために鋭意検討を加えた結果、
磁気記録層を非磁性層によりその厚さ方向に複数層に分
断し、膜厚方向の磁気的な相互作用を遮断することが有
効なこと、およびこの非磁性層として炭素系薄膜が有効
であることを見出し、本発明を完成するにいたった。

【００１３】かかる構造を採用することにより、単層の
金属系磁性薄膜中の磁性粒子は微細化するとともに、そ
の表面の非磁性の金属酸化物薄膜により相互に隔離され
る。また異なる金属系磁性薄膜間の磁性粒子は炭素系薄
膜により隔離される。このように、個々の磁性粒子は非
磁性層により同じ金属系磁性薄膜内、および上下の金属
系磁性薄膜間ともに細分化されるので、磁気的な相互作
用が弱まり、このため保磁力は飛躍的に高まる。

【００１４】さらに、単層の金属系磁性薄膜はその膜厚
が薄く、個々の磁性粒子は成長の初期段階であるため、
粒子サイズが微細であるとともに、その磁化容易軸が非
磁性支持体表面となす角度は一般に小さい。すなわち、
面内配向性が高いので角型比にも優れる。

【００１５】さらにこれら磁気特性は、非磁性支持体と
最下層の金属系磁性薄膜との間に炭素系薄膜を介在させ
た場合に一層向上させることができる。

【００１６】磁気記録層を多層化する際、複数層の金属
系磁性薄膜の合計の全層厚を一定とすると、一般にその
層数が増える程、保磁力、角型比等の磁気特性は向上す
る。これは、上述した作用が増大することによるものと
考えられる。

【００１７】しかしながら、金属系磁性薄膜の一層あた
りの厚さが一般に１０ｎｍより薄くなると、斜方蒸着等
で薄膜形成する際に均一な連続膜とならない個所も発生
する。かかる不連続膜となる場合には、かえって磁気特
性の劣化が認められるので、金属系磁性薄膜の一層あた
りの厚さは１０ｎｍ以上が望ましい。また金属系磁性薄
膜の一層あたりの厚さが一般に１００ｎｍより厚くなる
と、結晶粒子の過度の成長により角型比、保磁力および
媒体ノイズともに劣化する傾向がある。したがって、金
属系磁性薄膜の一層あたりの厚さは１００ｎｍ以下が望
ましい。

【００１８】最下層の金属系磁性薄膜と非磁性支持体の
間に設ける炭素系薄膜およびその厚さは、本発明者が先
に出願した特許明細書において、単層の金属系磁性薄膜
の下地層として炭素系薄膜を採用する場合の膜厚を、多
層膜の磁気記録層に援用して同様の好結果を得たことに
よる。同様に、複数の金属系磁性薄膜の層間に介在する
炭素系薄膜の厚さも、１０ｎｍ以下とする場合に磁気特
性上の好結果が得られる。また磁気記録媒体の体積記録
密度の観点からも、その全厚は薄い方が好ましいので、
総磁束量に関与しない非磁性の炭素系薄膜の厚さは薄い
方が好ましい。炭素系薄膜は膜質が一般に緻密であり、
例えば数ｎｍ以下の膜厚でも連続膜として形成すること
が可能である。

【００１９】ところで従来より知られているように、Ｍ
ＩＧ(Metal in Gap)ヘッドを含めたリング状ヘッドによ
る磁気記録においては、磁気記録層が実際に記録磁化さ
れる部分は表面から１／４波長程度の厚さであり、磁気
記録層厚をこれより厚くしても特に短波長の再生出力は
あまり増加しない。また磁気記録層厚が１／４波長以下
の場合には全記録波長域での再生出力が低下する。した
がって、複数層の金属系磁性薄膜の合計の全層厚は、記
録最短波長をλ₀ とした場合にλ₀ ／５以上３λ₀ ／５
以下であることが望ましい。

【００２０】なお金属系磁性薄膜を斜方蒸着により成膜
する場合に、金属系磁性薄膜の磁化容易軸と非磁性支持
体のなす角度は２０°未満では蒸着金属の堆積効率が極
端に悪化するので、２０°以上が好ましい。特に短波長
記録にはこの角度を高角度とすることが有利である。こ
の角度は斜方蒸着の特性上、金属系磁性薄膜の膜厚を増
やすにつれ高角度に湾曲する性質がある。また本発明の
ように、一層の金属系磁性薄膜の厚さが薄い場合には、
非磁性支持体に対する金属系磁性材料の蒸着粒子入射角
を変化することにより、金属系磁性薄膜の磁化容易軸と
非磁性支持体のなす角度は任意に制御することができ
る。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体例につき図面
を参照しながら説明する。始めに本発明の磁気記録媒体
の構成を図１示す概略断面図および図２の断面拡大図を
参照して説明する。なお図１および図２に示す各層の厚
さは、説明の都合上、実際の磁気記録媒体の各層の厚さ
に比例したものではない。

【００２２】本発明の磁気記録媒体は、図１に示すよう
に非磁性支持体１上に磁気記録層２が形成されたものが
基本構造であり、必要に応じて磁気記録層２上に保護層
３およびトップコート層が順次形成されている。また非
磁性支持体１の裏面側には、これも必要に応じてバック
コート層５が形成されている。

【００２３】このうち、非磁性支持体１はＰＥＴ(Polye
thyleneterephthalate) 等のポリエステル樹脂をはじめ
として、ポリオレフィン樹脂、ビニル樹脂、ポリイミド
樹脂、ポリアミド樹脂あるいはポリカーボネート樹脂等
の有機高分子類や、アルミニウム系金属やガラス類ある
いはセラミックス類を用いることができる。保護層３と
しては、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＯおよびＡｌ₂ Ｏ₃ 等の酸化物
類、Ｓｉ₃Ｎ₄ 、ＴｉＮ等の窒化物類、ＳｉＯＮ、Ｔｉ
ＯＮ等の酸窒化物類、ＴｉＣ、ＭｏＣおよびＣｒＣ等の
炭化物類あるいはカーボン等の材料を任意に用いてよ
い。トップコート層４は、公知の潤滑剤、防錆剤等から
なる。またバックコート層５は、これも公知の帯電防止
剤と結合剤等からなるものである。バックコート層５
は、非磁性支持体がアルミニウム系金属等の導電材料か
らなる場合には不要である。

【００２４】磁気記録層２は本発明の磁気記録媒体の特
徴部分であり、この部分の詳細な拡大断面を図２を参照
して説明する。なお図２では保護層３およびトップコー
ト層４は図示を省略する。磁気記録層２は、非磁性支持
体１上に炭素系薄膜７と金属系磁性薄膜６とが交互に形
成されており、図２の例では最下層の金属系磁性薄膜６
と非磁性支持体１との間には炭素系薄膜７が形成されて
いる。この最下層の炭素系薄膜７は省略してもよい。こ
の図２の例では、金属系磁性薄膜６は４層の積層構造と
して例示されている。

【００２５】このうち金属系磁性薄膜６の材料として
は、Ｃｏ、ＦｅあるいはＮｉ等の単体強磁性金属や、Ｃ
ｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ
合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金等
のＣｏ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ
合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ合金
等のＦｅ系合金等や、これら強磁性材料中や粒界に酸化
物等が析出した構造からなるものが例示される。

【００２６】また炭素系薄膜７としては、炭素、あるい
は炭化珪素、炭化硼素等の炭素系化合物のうち、炭素リ
ッチな組成のものが挙げられるが、この他にも固体の無
機炭素化合物のうち炭素成分の多い材料を用いてもよ
い。また炭素材料としては、一般的にはアモルファスカ
ーボンが例示されるが、グラファイトカーボン、ダイア
モンドライクカーボン等であってもよい。

【００２７】以下、本発明の磁気記録媒体の製造方法に
つき詳述する。また得られた磁気記録媒体の各種特性に
つき、適宜比較例を参照しつつ説明する。 実施例１ 本実施例は、図１および図２に示した磁気記録媒体の４
層構造の磁気記録層２の製造方法を示すものである。回
転冷却ドラムを用いた通常の連続走行型電子ビーム蒸着
装置を用い、下記条件により金属系磁性薄膜６を蒸着し
た。なお金属系磁性薄膜６の一層当たりの膜厚は５０ｎ
ｍとした。なお図２中の金属系磁性薄膜６の層内に示し
た円弧状の曲線は、個々の磁性粒子の粒界に存在する金
属酸化物層を模式的に示したものである。 金属系磁性薄膜蒸着条件 インゴット Ｃｏ金属 １００％ 入射角度 ４５〜９０ ° Ｏ₂ 流量 ５５０ ｓｃｃｍ 蒸着時真空度 ２×１０^-2 Ｐａ また炭素系薄膜７は、一例としてダイオード型ＲＦスパ
ッタリング装置により下記スパッタリング条件により成
膜した。炭素系薄膜７の一層当たりの膜厚は５ｎｍとし
た。 炭素系薄膜スパッタリング条件 ターゲット カーボン １００％ Ａｒ流量 ７５ ｓｃｃｍ スパッタリング時圧力 ０．３ Ｐａ 以上の金属系磁性薄膜６の蒸着および炭素系薄膜７のス
パッタリングを４回ずつ反復し、図２に示す磁気記録層
２を形成した。この後、保護層３、トップコート層４お
よびバックコート層５を常法に準じて形成し、図１に示
す磁気記録媒体を完成した。本実施例における金属系磁
性薄膜６の全層厚は、炭素系薄膜７を含めないで合計２
００ｎｍである。

【００２８】比較例１ 本比較例は磁気記録層２を炭素系薄膜により多層化せ
ず、単層の金属系磁性薄膜６として形成した。金属系磁
性薄膜６の蒸着条件は実施例１と同様である。比較例の
磁気記録媒体の概略断面図を図９に示す。本比較例で
は、金属系磁性薄膜６の厚さを２００ｎｍとし、総磁束
量を実施例１の磁気記録媒体と合わせた。この後、実施
例１と同様に保護装置３、トップコート層４およびバッ
クコート層５を形成して比較例の磁気記録媒体を完成し
た。

【００２９】以上のように形成した実施例１および比較
例１の磁気記録媒体につき、それぞれ静磁気特性を測定
し、表１の結果を得た。いずれの磁気記録媒体も、磁化
容易軸の方向は面内長手方向から法線方向に２０〜３０
°立ち上がった方向であった。なお保磁力Ｈｃ、角型比
Ｓおよび保磁力角型比Ｓ^* 等の静磁気特性の測定は、す
べて磁気記録媒体の面内長手方向について行った。

【００３０】

【表１】

【００３１】表１から明らかなように、金属系磁性薄膜
６を炭素系薄膜７により多層化した磁気記録層２を有す
る本発明による磁気記録媒体は、単層の金属系磁性薄膜
６からなる磁気記録層に比較して、保磁力Ｈｃ、角型比
Ｓおよび保磁力角型比Ｓ^* 等の静磁気特性は著しく向上
していることが判る。

【００３２】つぎに、上述した実施例１および比較例１
の磁気記録媒体につき、それぞれの電磁変換特性を市販
の８ｍｍＶＴＲを改造した測定用ＶＴＲを用いて測定し
た。磁気ヘッド／磁気記録媒体間の相対速度は３．８ｍ
／ｓｅｃである。図３に再生出力の周波数特性を示す。
図３から明らかなように、本発明による磁気記録媒体は
全周波数帯域にわたり再生出力が増加する。特に注目さ
れることは、自己減磁界が大きく働く短波長領域での出
力増加が著しい点である。

【００３３】実施例２ 本実施例は、多層化した金属系磁性薄膜１層当たりの膜
厚について最適範囲を検討したものである。金属系磁性
薄膜６の合計の全層厚を２００ｎｍ一定とし、１層当た
りの膜厚を５ｎｍから１００ｎｍまで変化した磁気記録
媒体を作成した。本実施例においても炭素系薄膜７の１
層あたりの厚さは５ｎｍとし、最下層の金属系磁性薄膜
６と非磁性支持体１との間に同じく５ｎｍの厚さの炭素
系薄膜７を介在させた。金属系磁性薄膜６と炭素系薄膜
７の成膜条件は前実施例１と同様である。また保護層３
等もすべての試料について前実施例１と同様に形成し、
磁気記録媒体を完成した。

【００３４】以上のように形成した各磁気記録媒体およ
び比較例１の金属系磁性薄膜の厚さが２００ｎｍ、すな
わち単層の磁気記録媒体について、実施例１と同様に静
磁気特性を測定した。また記録波長λを０．５μｍ一定
としたときの再生出力を測定した。この再生出力は、比
較例１の磁気記録媒体の再生出力を基準とし、これを０
ｄｂに規格化して示した。以上の各測定値を表２にまと
めて示す。なお記録波長λ＝０．５μｍは、今後の高密
度磁気記録の分野で一般的に使用することが予想される
波長領域である。

【００３５】

【表２】

【００３６】この表２から明らかなように、金属系磁性
薄膜６の１層あたりの膜厚は、１０ｎｍから１００ｎｍ
の範囲で比較例１の磁気記録媒体よりも優れた静磁気特
性および電磁変換特性を共に示すことが明らかである。

【００３７】実施例３ 本実施例は、多層化した金属系磁性薄膜６の全膜厚の最
適値について検討を加えたものである。金属系磁性薄膜
６の１層あたりの膜厚は２５ｎｍ一定とした。なおここ
で金属系磁性薄膜６の全膜厚とは、中間層の炭素系薄膜
７の膜厚を含まない正味の金属系磁性薄膜６の合計膜厚
のことである。本実施例においても、炭素系薄膜７の厚
さは５ｎｍ一定とし、最下層の金属系磁性薄膜６と非磁
性支持体１との間には同じく５ｎｍの炭素系薄膜７を挿
入した。

【００３８】このようにして作成した各試料磁気記録媒
体につき、前実施例２と同じく記録波長λ＝０．５μｍ
の電磁変換特性を測定し、その結果を図４のグラフにま
とめて示した。

【００３９】図４から明らかなように、記録波長λ＝
０．５μｍにおいて、金属系磁性薄膜６の全膜厚が１０
０ｎｍ（λ／５に相当）以上では再生出力は殆ど変化し
ない。また金属系磁性薄膜６の全膜厚が１００ｎｍ未満
では、磁気記録層２の磁束量の不足から再生出力は低下
する。これは、磁気記録層２を多層にしても実際の記録
に関与する磁気記録層の厚さは表面からおよそλ／４の
厚さの範囲であるという、一般的な経験則が成り立って
いるためと考えられる。一方金属系磁性薄膜６の全層厚
が３００ｎｍ（３λ／５に相当）超では、全ての波長領
域の再生出力はさほど増加しない。また金属系磁性薄膜
６の全層厚を不必要に増やすことは、Ｃｏ等の材料の使
用効率や磁気記録媒体の体積記録密度、ヘッドタッチ等
の観点等からも得策ではない。

【００４０】実施例４ 本実施例は全実施例３の結果を他の記録波長について確
認したものである。測定に使用した磁気記録媒体は前実
施例３と同じものであり、それぞれの試料について記録
波長０．３μｍ、０．５μｍおよび１．０μｍでの電磁
変換特性を測定し、図５のグラフに示す結果を得た。な
お図５では金属系磁性薄膜６の全層厚は各記録波長λで
規格化して示してある。

【００４１】図５から明らかなように、記録波長λを
０．５μｍより短波長側、長波長側いずれに設定して
も、全金属系磁性薄膜の膜厚がλ／５未満では再生出力
が減少する傾向は共通である。また全金属系磁性薄膜の
膜厚が３λ／５を超えても再生出力が増加しない傾向も
同様であった。

【００４２】実施例５ 本実施例は炭素系薄膜の最適厚さについて検討を加えた
結果について示す。本実施例で採用した磁気記録媒体
は、非磁性支持体１上に５ｎｍから５０ｎｍまでの各種
厚さの炭素系薄膜７を形成し、この上に単層の金属系磁
性薄膜６を１００ｎｍ形成したものである。各層の形成
条件は実施例１と同様である。本実施例の磁気記録媒体
の概略断面図を図６に示す。なお比較例として、炭素系
薄膜７を形成しない磁気記録媒体も作成し、測定に供し
た。保護層３等、他の層の形成条件は全て共通とした。

【００４３】各試料の磁気記録媒体の静磁気特性を図７
のグラフに示す。図７は磁気記録媒体の飽和磁化Ｍｓと
保磁力Ｈｃの、下地炭素系薄膜の膜厚依存性を示すグラ
フである。図７から明らかなように、金属系磁性薄膜６
の飽和磁化Ｍｓは、炭素系薄膜７を非磁性支持体１との
間の下地層として設けることにより増大するが、その増
加量は炭素系薄膜７の膜厚にはあまり依存しない。一方
保磁力Ｈｃに関しては、炭素系薄膜７を設けることによ
り増加するが、その層厚が２０ｎｍ以上ではむしろ低下
する傾向が見られる。

【００４４】さらに、各試料の電磁変換特性のデータを
図８に示す。図８は記録波長０．５μｍについての再生
出力の、下地炭素系薄膜７の厚さ依存性を示すグラフで
ある。同図から明らかなように、再生出力は炭素系薄膜
７を下地として設けることにより飛躍的に増加するが、
炭素系薄膜７の層厚が１０ｎｍを超えるとその増加量は
減少気味となる。炭素系薄膜７の厚さは、磁気記録媒体
の体積記録密度の観点からは薄い方が好ましいので、本
実施例の結果よりその厚さは１０ｎｍ以下が実用的であ
ることが判る。なお本実施例は金属系磁性薄膜７は単層
の場合についてを示したが、磁気記録層２を多層化し、
中間層として炭素系薄膜７を介在させた多層構造におい
ても本実施例と同様の結果、すなわち炭素系薄膜７の厚
さは１０ｎｍ以下に設定することが静磁気特性、電磁変
換特性上優れた結果を与えることが確認された。

【００４５】以上、本発明の磁気記録媒体につき５例の
実施例により詳細な説明を加えたが、本発明はこれら実
施例以外にも種々の実施態様が可能である。例えば、金
属系磁性薄膜としてＣｏあるいはＣｏ−Ｏ系金属からな
るものを示したが、先述したように各種強磁性金属およ
びその合金系を用いても同様の好結果を納めることが可
能である。炭素系薄膜については、スパッタリング成膜
による純炭素の他に、プラズマＣＶＤ等によるアモルフ
ァスカーボン、ダイアモンドライクカーボン等を用いる
ことができる。また炭素リッチな組成であれば、ＳｉＣ
等の炭素系化合物を採用してもよい。また非磁性支持体
として例えばＡｌ系金属等を採用して、ハードディスク
型の磁気記録媒体を製造する際にも本発明を好適に実施
することが可能である。またＣｏ−Ｃｒ合金のごとく垂
直磁気異方性を利用する垂直磁気記録媒体に本発明の多
層磁気記録層を採用する場合にも好結果を得ることがで
きる。

【００４６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の磁気記録媒体の採用により、金属系磁性薄膜を採用す
る磁気記録媒体の静磁気特性ならびに電磁変換特性を飛
躍的に向上することができる。したがって、サブハーフ
ミクロンの記録波長を指向する次世代の高密度磁気記録
媒体を、安定に提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の概略断面図である。

【図２】本発明の磁気記録媒体の磁気記録層の断面拡大
図である。

【図３】実施例１の磁気記録媒体の電磁変換特性を、比
較例とともに示すグラフである。

【図４】実施例３の磁気記録媒体の電磁変換特性を示す
グラフである。

【図５】実施例４の磁気記録媒体の電磁変換特性を示す
グラフである。

【図６】実施例５の磁気記録媒体の概略断面図である。

【図７】実施例５の磁気記録媒体の静磁気特性を示すグ
ラフである。

【図８】実施例５の磁気記録媒体の電磁変換特性を示す
グラフである。

【図９】比較例の磁気記録媒体の概略断面図である。

【符号の説明】

１…非磁性支持体、２…磁気記録層、３…保護層、４…
トップコート層、５…バックコート層、６…金属系磁性
薄膜、７…炭素系薄膜

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上に形成された複数層の金
   属系磁性薄膜と、 前記は複数層の金属系磁性薄膜の層間に介在する、複数
   層の炭素系薄膜を具備することを特徴とする磁気記録媒
   体。
2. 【請求項２】 前記複数層の金属系磁性薄膜の磁化容易
   軸と、 前記非磁性支持体表面とのなす角度は、 ２０°以上９０°以下であることを特徴とする請求項１
   記載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 前記非磁性支持体と、最下層の前記金属
   系磁性薄膜との間に、さらに炭素系薄膜を具備すること
   を特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 前記複数層の金属系磁性薄膜の一層あた
   りの層厚は、 １０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請
   求項１記載の磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 前記複数層の金属系磁性薄膜の合計の全
   層厚は、 記録最短波長をλ₀ としたときに、 λ₀ ／５以上３λ₀ ／５以下であることを特徴とする請
   求項１記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 前記炭素系薄膜の一層あたりの層厚は、 １０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または３
   記載の磁気記録媒体。