JPH0940614A - ダイマー型光学活性化合物 - Google Patents

ダイマー型光学活性化合物

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JPH0940614A
JPH0940614A JP7212624A JP21262495A JPH0940614A JP H0940614 A JPH0940614 A JP H0940614A JP 7212624 A JP7212624 A JP 7212624A JP 21262495 A JP21262495 A JP 21262495A JP H0940614 A JPH0940614 A JP H0940614A
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coo
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JP7212624A
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English (en)
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Tadaaki Isozaki
忠昭 磯崎
Giichi Suzuki
義一 鈴木
Tamejirou Hiyama
爲次郎 檜山
Tetsuo Kusumoto
哲生 楠本
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Showa Shell Sekiyu KK
Sagami Chemical Research Institute
Original Assignee
Showa Shell Sekiyu KK
Sagami Chemical Research Institute
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 新規なダイマー型光学活性化合物の提供、
および電気光学素子や液晶ディスプレイなどに応用が
期待できるダイマー型光学活性化合物を含有する液晶組
成物の提供。 【解決手段】 一般式〔Ｉ〕 【化１】 で示される化合物であることを特徴とするダイマー型光
学活性化合物およびそれを含有する液晶組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイマー型の光学活性
化合物およびそれを用いた液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来技術】液晶表示素子は、１）低電圧作動性、２）
低消費電力性、３）薄型表示、４）受光型などの優れた
特徴を有するため、ＴＮ形、ＳＴＮ形などのネマチック
液晶を用いた電気光学装置が数多く開発されている。ネ
マチック液晶では図１のＡで示される三角波として電圧
を印加したとき、図１のＢで示されるような光学応答を
示す。しかし、これら現在、広い範囲で利用されている
ネマチック液晶を用いたものは、いずれも応答速度が、
数ｍｓｅｃ〜数百ｍｓｅｃと極めて遅いため、その応用
分野に制限がある。ネマチック液晶を用いた素子の応答
速度が遅いのは、分子を動かすトルクが基本的に誘電率
の異方性に基づいているが、その力があまり強くないた
めである。
【０００３】このため、応答性のすぐれた新しい液晶表
示方式の開発が進められており、光学応答時間がμｓｅ
ｃオーダーという、極めて短い超高速デバイスが可能に
なる強誘電性液晶の開発が試みられている。
【０００４】強誘電性液晶は、１９７５年、Ｍｅｙｅｒ
等によりＤＯＢＡＭＢＣ（ｐ−デシルオキシ ベンジリ
デン−ｐ−アミノ−２−メチルブチルシンナメート）が
初めて合成された（Ｌｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｄｅ Ｐｈ
ｙｓｉｑｕｅ， ３６巻 １９７５ Ｌ−６９．）。さ
らに、１９８０年ＣｌａｒｋとＬａｇｅｒｗａｌｌによ
り、ＤＯＢＡＭＢＣのサブマイクロ秒の高速応答、メモ
リー特性などの表示デバイス上の特性が報告されて以
来、強誘電性液晶は、大きな注目を集めるようになった
〔Ｎ．Ａ．Ｃｌａｒｋ， ｅｔａｌ．， Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ３６． ８９９（１９８
０）〕。そして、強誘電性液晶では、図１のＡで示され
る三角波電圧を印加したとき、図１のＣで示されるよう
な光学応答を示すことが理想とされている。
【０００５】しかし、彼らの方式には、実用化に向けて
多くの技術的課題があり、表示ディスプレーに不可欠な
液晶分子の配向制御に有効かつ実用的な方法も確立され
ていなかった。
【０００６】この報告以来、液晶材料／デバイス両面か
らの様々な試みがなされ、ツイスト二状態間のスイッチ
ングを利用した表示デバイスが試作され、それを用いた
高速電気光学装置も例えば特開昭５６−１０７２１６号
などで提案されているが、高いコントラストや適正なし
きい値特性は得られていない。
【０００７】このような視点から他のスイッチング方式
についても探索され、過渡的な散乱方式が提案された。
その後、１９８８年に萩原らによる三安定状態を有する
液晶の三状態スイッチング方式が報告された〔Ａ．Ｄ．
Ｌ．Ｃｈａｎｄａｎｉ，Ｔ．Ｈａｇｉｗａｒａ，Ｙ．Ｓ
ｕｚｕｋｉ ｅｔａｌ．，Ｊａｐａｎ．Ｊ．ｏｆ Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．，２７，（５），Ｌ７２９−Ｌ７３２
（１９８８）〕。
【０００８】前記「三状態を有する」とは、第一の電極
基板と所定の間隙を隔てて配置されている第二の電極基
板の間に強誘電性液晶が挟まれてなる液晶電気光学装置
において、前記第一及び第二の電極基板に電界形成用の
電圧が印加されるよう構成されており、図１Ａで示され
る三角波として電圧を印加したとき、図１Ｄのように前
記強誘電性液晶が、無電界時に分子配向が第一の安定状
態（図１Ｄの１）を有し、かつ、電界印加時に一方の電
界方向に対し分子配向が前記第一の安定状態とは異なる
第二の安定状態（図１Ｄの２）を有し、さらに他方の電
界方向に対し前記第一及び第二の安定状態とは異なる第
三の分子配向安定状態（図１Ｄの３）を有することを意
味する。なお、この三安定状態、すなわち三状態を利用
する液晶電気光学装置については、本出願人は特願昭６
３−７０２１２号として出願し、特開平２−１５３３２
２号として公開されている。
【０００９】三安定状態を示す反強誘電性液晶の特徴を
さらに詳しく説明する。クラーク／ラガウェル（Ｃｌａ
ｒｋ−Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案された表面安定
化強誘電性液晶素子では、キラルスメクチックＣ（Ｓｍ
Ｃ＊）相において強誘電性液晶分子が図２Ａ（ａ），
（ｂ）のように一方向に均一配向した２つの安定状態を
示し、印加電界の方向により、どちらか一方の状態に安
定化され、電界を切ってもその状態が保持される。
【００１０】しかしながら実際には、強誘電性液晶分子
の配向状態は、液晶分子のダイレクターが捩れたツイス
ト二状態を示したり、層がくの字に折れ曲ったシエブロ
ン構造を示す。シエブロン層構造では、スイッチング角
が小さくなり低コントラストの原因になるなど、実用化
へ向けて大きな障害になっている。一方、三安定状態を
示す“反”強誘電性液晶では、上記液晶電気光学装置に
おいて、無電界時には、図２Ｂ（ａ）に示すごとく隣り
合う層毎に分子は逆方向に傾き反平行に配列し、液晶分
子の双極子はお互に打ち消し合っている。したがって、
液晶層全体として自発分極は打ち消されている。この分
子配列を示す液晶相は、図１Ｄのに対応している。
【００１１】さらに、（＋）又は（−）のしきい値より
充分大きい電圧を印加すると、図２Ｂ（ｂ）および
（ｃ）に示す液晶分子が同一方向に傾き、平行に配列す
る。この状態では、分子の双極子も同一方向に揃うため
自発分極が発生し、強誘電相となる。すなわち、“反”
強誘電性液晶においては、無電界時の“反”強誘電相と
印加電界の極性による２つの強誘電相が安定になり、
“反”強誘電相と２つの強誘電相間を直流的しきい値を
持って三安定状態間スイッチングを行うものである。こ
のスイッチングに伴う液晶分子配列の変化により図３に
示すダブル・ヒステリシスを描いて光透過率が変化す
る。このダブル・ヒステリシスに、図３の（ｂ）に示す
ようにバイアス電圧を印加して、さらにパルス電圧を重
畳することによりメモリー効果を実現できる特徴を有す
る。
【００１２】さらに、電界印加により強誘電相は層がス
トレッチされ、ブックシエルフ構造となる。一方、第三
安定状態の“反”強誘電相では類似ブックシエルフ構造
となる。この電界印加による層構造スイッチングが液晶
層に動的シエアーを与えるため駆動中に配向欠陥が改善
され、良好な分子配向が実現できる。そして、“反”強
誘電性液晶では、プラス側とマイナス側の両方のヒステ
リシスを交互に使い画像表示を行なうため、自発分極に
基づく内部電界の蓄積による画像の残像現象を防止する
ことができる。
【００１３】以上のように、“反”強誘電性液晶は、
１）高速応答が可能で、２）高いコントラストと広い視
野角および３）良好な配向特性とメモリー効果が実現で
きる、非常に有用な液晶化合物と言える。
【００１４】三安定状態を示す液晶相については、１）
Ａ．Ｄ．Ｌ．Ｃｈａｎｄａｎｉ ｅｔａｌ.，Ｊａｐａ
ｎ Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ.，２８，Ｌ−１２６５
（１９８９）、２）Ｈ．Ｏｒｉｈａｒａ ｅｔａｌ.，
Ｊａｐａｎ Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ.，２９，Ｌ−３
３３（１９９０）に報告されており、“反”強誘電的性
質にちなみＳｍＣ＊Ａ相（Ａｎｔｉｆｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃ ＳｍｅｃｔｉｃＣ＊相）と命名している。
【００１５】三安定状態を示す“反”強誘電相を相系列
に有する液晶化合物は、本発明者の出願した特開平１−
３１６３６７号、特開平１−３１６３７２号、特開平１
−３１６３３９号、特開平２−２８１２８号及び市橋等
の特開平１−２１３３９０号公報があり、また三安定状
態を利用した液晶電気光学装置としては本出願人は特開
平２−４０６２５号、特開平２−１５３３２２号、特開
平２−１７３７２４号において新しい提案を行ってい
る。
【００１６】“反”強誘電性液晶を液晶ディスプレイへ
応用する場合、１）動作温度範囲、２）応答速度、３）
自発分極、４）ヒステリシス特性等を単一液晶で全て満
足させることは困難であり、通常十数種類の混合液晶と
して調製される。
【００１７】しかしながら、１）駆動温度範囲、２）ヒ
ステリシス特性、３）駆動特性の温度依存性など、実用
上に必要な駆動性能を満足する反強誘電性液晶材料はま
だ開発されておらず、高精細な画像を表示するディスプ
レイの実用化が遅れている。特に、三安定状態を示す反
強誘電性液晶表示素子の性能は、反強誘電性液晶固有の
物性であるヒステリシスの形状に大きく依存する。図３
に示すように、実用上十分な画像保持特性の指標となる
メモリーマージン〔Ｍ＝（Ｖ3−Ｖ2）／（Ｖ4−Ｖ3）〕
と急峻性〔α＝Ｖ4／Ｖ3〕を示す材料は、現在のところ
未だ報告されていない。実用上必要とされるヒステリシ
ス形状を有する反強誘電性液晶材料の開発およびその改
善技術の提供が強く要望されている。
【００１８】一方、１つの分子中に不斉炭素を二つ有す
るダブルキラル型液晶は、１９９１年のＰｈｙｓ．Ｒｅ
ｖ．Ｌｅｔｔ．６６（１９９１）２８９１において、１
−メチル−ヘプチル−テレフタリデン−ビス−アンモシ
アネート（ＭＨＴＡＣ）に関する報告があるが、本発明
のような光学活性部位をアルキレン鎖により直接結合し
たダイマー型光学活性化合物は全く未知の化合物であ
る。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
なダイマー型光学活性化合物およびそれを含む液晶組成
物を提供する点にある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の第一は、下記一
般式〔Ｉ〕
【化２】 〔式中、Ｒ1、Ｒ3は置換基をそれぞれ有することもある
炭素数１〜１８のアルキル基よりなる群からそれぞれ独
立して選ばれた基であるが、炭素数６〜１４のアルキル
基が好ましい。Ｒ2、Ｒ4は炭素数２〜６のアルキル基よ
りなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。
Ｘ1、Ｘ2は単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−お
よび−ＯＣＯＯ−よりなる群からそれぞれ独立して選ば
れた基である。Ｙ1、Ｙ2およびＺ1、Ｚ2は単結合、−Ｃ
ＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−Ｃ
≡Ｃ−よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であ
るが、単結合または−ＣＯＯ−が好ましい。環Ａ1、環
Ａ2、環Ｂ1、環Ｂ2、環Ｃ1および環Ｃ2は１個または２
個のフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニ
レン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、ピリ
ミジン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル
基および２，６−ナフチレン基よりなる群からそれぞれ
独立して選ばれた基であるが、Ｙ1が単結合の場合には
環Ａ1または環Ｂ1の少なくとも一方が１，４−フェニレ
ン基であることが好ましく、Ｙ2が単結合の場合には環
Ａ2または環Ｂ2の少なくとも一方が１，４−フェニレン
基であることが好ましく、Ｚ1が単結合の場合には環Ｂ1
または環Ｃ1の少なくとも一方が１，４−フェニレン基
であることが好ましく、Ｚ2が単結合の場合には環Ｂ2ま
たは環Ｃ2の少なくとも一方が１，４−フェニレン基で
あることが好ましい。ｍは７〜２０の整数であるが、特
に奇数が好ましい。ｎ1、ｎ2は１および０よりなる群か
らそれぞれ独立して選ばれた整数である。＊は不斉炭素
を示し、その絶対配置は（Ｒ，Ｒ）、（Ｓ，Ｓ）、
（Ｒ，Ｓ）または（Ｓ，Ｒ）であるが、Ｒ2とＲ3が等し
い場合はその絶対配置は（Ｒ，Ｒ）または（Ｓ，Ｓ）で
あることが好ましい。〕で示される化合物であることを
特徴とするダイマー型光学活性化合物に関する。
【００２１】本発明の第二は、前記ダイマー型光学活性
化合物を含有することを特徴とする液晶組成物に関す
る。
【００２２】ダイマー型液晶では分子の中央部分にある
アルキル鎖の長さに応じて、分子全体の形が規定され
る。すなわちアルキル鎖を形成する炭素数が奇数個のと
きには一つの分子のまん中で折れ曲がる、“くの字構
造”をとる。このため隣接する層をまたがって分子が逆
方向を向くことになり、結果として反強誘電的な分子の
配列構造をとることになる。ダイマー型液晶において
“くの字構造”をとる場合には双極子モーメントの対形
成ではなく、共有結合により反強誘電的な分子の配列構
造をとるわけであるから、その構造は非常に安定であ
る。
【００２３】本発明の一般式〔Ｉ〕の化合物は、下記一
般式で示される光学活性ジオール化合物〔II〕
【化３】 （式中、Ｒ2、Ｒ4、ｍおよび＊は、式〔Ｉ〕におけるも
のと同一の内容を表わす。）と、下記一般式で示される
カルボン酸誘導体〔III−１〕
【化４】 （前記２つの式中、Ｒ1、Ｒ3、ｎ1、ｎ2、環Ａ1、環
Ａ2、環Ｂ1、環Ｂ2、環Ｃ1、環Ｃ2、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ1、Ｙ
2、Ｚ1およびＺ2は、式〔Ｉ〕におけるものと同一の内
容を表わす。）をポリリン酸エチルやジシクロヘキシル
カルボジイミド等の脱水縮合剤を用いて反応させるか、
または前記カルボン酸誘導体〔III−１〕および／また
は〔III−２〕を酸ハロゲン化物に変換した後、塩基の
存在下、前記光学活性ジオール化合物〔II〕と反応させ
ることにより製造することができる。なお、前記カルボ
ン酸誘導体〔III−１〕と〔III−２〕は同一化合物であ
ることができ、また、前記光学活性ジオール化合物〔I
I〕のＲ2とＲ4は同一であることができる。〔III−１〕
と〔III−２〕および〔II〕のＲ2とＲ4のすべてが同一
のときの生成物〔Ｉ〕は、（ＣＨ2）ｍを中心として左
右対称の化合物となる。
【００２４】ここで、前記〔II〕の光学活性ジオール
は、下記一般式〔IV〕
【化５】 （式中、ｍは、式〔Ｉ〕におけるものと同一の内容を表
わす。）で表わされるジブロモアルカン化合物をリチウ
ムやマグネシウムを用いて有機金属化合物とした後、ヨ
ウ化銅などの銅反応剤を触媒として光学活性なエピクロ
ロヒドリンと反応させ、下記一般式で示す光学活性ジオ
ール〔Ｖ〕
【化６】 を得る。この光学活性ジオール〔Ｖ〕を水素化ナトリウ
ムと反応させ、下記一般式で示される光学活性ジオキシ
ド〔VI〕
【化７】 を得る。これにヨウ化銅などの銅反応剤を触媒として、
臭化アルキルマグネシウムと反応させ、一般式〔II〕で
示す光学活性ジオールを得る。前記光学活性なエピクロ
ロヒドリンは市販されている。また、前記一般式〔III
−１〕、〔III−２〕で表されるカルボン酸誘導体は、
液晶化合物の合成中間体としてよく知られており、製造
および入手は容易である。
【００２５】一方、一般式〔Ｉ〕において、Ｚ1および
Ｚ2が−ＣＯＯ−の場合には、以下の方法によっても製
造することができる。すなわち、前記光学活性ジオール
〔II〕と下記一般式で示されるカルボン酸〔VI−１〕
【化８】 （前記２つの式中、環Ｃ1、環Ｃ2は、式〔Ｉ〕における
ものと同一の内容を表わす。）を脱水縮合剤を用いて反
応させるか、または、光学活性ジオールとカルボン酸
〔VII−１〕
【化９】 （前記２つの式中、環Ｃ1、環Ｃ2は、式〔Ｉ〕における
ものと同一の内容を表わし、Ｒは水酸基の保護基であ
り、例えばベンジル基などのアリールメチル基、メチル
基、エチル基などの低級アルキル基、メトキシメチル基
などの低級アルコキシメチル基、アセチル基などのアル
キル基、メトキシカルボニル基などの低級アルコキシカ
ルボニル基、テトラピラニル基などを表わす。）を脱水
縮合剤を用いて反応させるか、酸ハロゲン化物に変換し
たのち塩基存在下反応させ、さらに保護基を除去して、
化合物〔VIII〕
【化１０】 （式中、環Ｃ1、環Ｃ2、Ｒ2、Ｒ4、ｍおよび＊は、式
〔Ｉ〕におけるものと同一の内容を表わす。）を製造す
る。
【００２６】この化合物〔VIII〕と下記一般式で示され
るカルボン酸〔IX−１〕
【化１１】 （前記２つの式中、Ｒ1、Ｒ3、ｎ1、ｎ2、環Ａ1、環
Ａ2、環Ｂ1、環Ｂ2、Ｘ1、 Ｘ2、Ｙ1およびＹ2は、
式〔Ｉ〕におけるものと同一の内容を表わす。）をポリ
リン酸エチルやジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱
水縮合剤を用いて反応させるか、または前記カルボン酸
〔IX−１〕および〔IX−２〕を酸ハロゲン化物に変換し
た後、塩基存在下、光学活性ジオール化合物〔VIII〕と
反応させることにより、Ｚ1およびＺ2が−ＣＯＯ−の場
合の一般式〔Ｉ〕の化合物を得ることができる。
【００２７】一般式〔IX−１〕、〔IX−２〕で表わされ
るカルボン酸は、液晶化合物の合成中間体としてよく知
られており、製造および入手は容易である。
【００２８】本発明の化合物におけるＲ1、Ｒ3、−（環
Ａ1−Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、および−（環Ａ
2−Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環Ｃ2−の具体例を挙げる
が、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２９】Ｒ1およびＲ3としては、置換基を有するこ
ともあるメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノ
ニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデ
シル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシ
ル基、ヘプタデシル基およびオクタデシル基などが挙げ
られる。その置換基としては、メチル基、エチル基およ
びプロピル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘ
キシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ
基、ノニルオキシ基およびデシルオキシ基などのアルコ
キシル基、ビニル基、１−プロペニル基および１−ブテ
ニル基などのアルケニル基、エチニル基および１−プロ
ピニル基などのアルキニル基、アセトキシ基、エタノイ
ルオキシ基、プロパノイルオキシ基、ブタノイルオキシ
基、ペンタノイルオキシ基およびヘキサノイルオキシ基
などのアルカノイル基、フッ素および塩素のハロゲン基
などが挙げられる。ただし、Ｘ1が−Ｏ−、−ＯＣＯ−
または−ＯＣＯＯ−の場合のＲ1の１位およびＸ2が−Ｏ
−、−ＯＣＯ−または−ＯＣＯＯ−の場合のＲ3の１位
にアルコキシ基、アルカノイル基およびハロゲン基が置
換しないことが好ましい。
【００３０】−（環Ａ1−Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1
−、および−（環Ａ2−Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環Ｃ2−
としては、以下のものが挙げられる。ｎ1が１、Ｙ1が単
結合、Ｚ1が−ＣＯＯ−の−（環Ａ1−Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1
−Ｚ1−環Ｃ1−、およびｎ2が１、Ｙ2が単結合、Ｚ2が
−ＣＯＯ−の−（環Ａ2−Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環Ｃ2
−としては、
【化１２】 などが挙げられる。
【００３１】ｎ1が１、Ｙ1が単結合、Ｚ1が−ＯＣＯ−
の−（環Ａ1−Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、および
ｎ2が１、Ｙ2が単結合、Ｚ2が−ＯＣＯ−の−（環Ａ2−
Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環Ｃ2−としては、
【化１３】 などが挙げられる。
【００３２】ｎ1が１、Ｙ1が−ＣＯＯ−、Ｚ1が単結合
の−（環Ａ1−Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、および
ｎ2が１、Ｙ2が−ＣＯＯ−、Ｚ2が単結合の−（環Ａ2−
Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環Ｃ2−としては、
【化１４】 などが挙げられる。
【００３３】ｎ1が１、Ｙ1が−ＯＣＯ−、Ｚ1が単結合
の−（環Ａ1−Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、および
ｎ2が１、Ｙ2が−ＯＣＯ−、Ｚ2が単結合の−（環Ａ2−
Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環Ｃ2−としては、
【化１５】 などが挙げられる。
【００３４】ｎ1が１、Ｙ1が単結合、Ｚ1が−ＣＨ2Ｏ−
の−（環Ａ1−Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、および
ｎ2が１、Ｙ2が単結合、Ｚ2が−ＣＨ2Ｏ−の−（環Ａ2
−Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環Ｃ2−としては、
【化１６】 などが挙げられる。
【００３５】ｎ1が１、Ｙ1が単結合、Ｚ1が−ＯＣＨ2−
の−（環Ａ1−Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、および
ｎ2が１、Ｙ2が単結合、Ｚ2が−ＯＣＨ2−の−（環Ａ2
−Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環Ｃ2−としては、
【化１７】 などが挙げられる。
【００３６】ｎ1が１、Ｙ1が−ＣＨ2Ｏ−、Ｚ1が単結合
の−（環Ａ1−Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、および
ｎ2が１、Ｙ2が−ＣＨ2Ｏ−、Ｚ2が単結合の−（環Ａ2
−Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環Ｃ2−としては、
【化１８】 などが挙げられる。
【００３７】ｎ1が１、Ｙ1が−ＯＣＨ2−、Ｚ1が単結合
の−（環Ａ1−Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、および
ｎ2が１、Ｙ2が−ＯＣＨ2−、Ｚ2が単結合の−（環Ａ2
−Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環Ｃ2−としては、
【化１９】 などが挙げられる。
【００３８】ｎ1が１、Ｙ1およびＺ1が単結合の−（環
Ａ1−Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、およびｎ2が
１、Ｙ2およびＺ2が単結合の−（環Ａ2−Ｙ2）ｎ2−環
Ｂ2−Ｚ2−環Ｃ2−としては、
【化２０】 などが挙げられる。
【００３９】ｎ1が１、Ｙ1およびＺ1が−ＣＯＯ−の−
（環Ａ1−Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、およびｎ2
が１、Ｙ2およびＺ2が−ＣＯＯ−の−（環Ａ2−Ｙ2）ｎ
2−環Ｂ2−Ｚ2−環Ｃ2−としては、
【化２１】 などが挙げられる。
【００４０】ｎ1が１、Ｙ1およびＺ1のいずれかが−Ｃ
≡Ｃ−の−（環Ａ1−Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、
およびｎ2が１、Ｙ2およびＺ2のいずれかが−Ｃ≡Ｃ−
の−（環Ａ2−Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環Ｃ2−として
は、
【化２２】 などが挙げられる。
【００４１】ｎ1が０、Ｚ1が単結合の−（環Ａ1−Ｙ1）
ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、およびｎ2が０、Ｚ2が単結
合の−（環Ａ2−Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環Ｃ2−として
は、
【化２３】 などが挙げられる。
【００４２】ｎ1が０、Ｚ1が−ＣＯＯ−の−（環Ａ1−
Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、およびｎ2が０、Ｚ2
が−ＣＯＯ−の−（環Ａ2−Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環
Ｃ2−としては、
【化２４】 などが挙げられる。
【００４３】ｎ1が０、Ｚ1が−ＯＣＯ−の−（環Ａ1−
Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、およびｎ2が０、Ｚ2
が−ＯＣＯ−の−（環Ａ2−Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環
Ｃ2−としては、
【化２５】 などが挙げられる。
【００４４】ｎ1が０、Ｚ1が−ＣＨ2Ｏ−の−（環Ａ1−
Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、およびｎ2が０、Ｚ2
が−ＣＨ2Ｏ−の−（環Ａ2−Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環
Ｃ2−としては、
【化２６】 などが挙げられる。
【００４５】ｎ1が０、Ｚ1が−ＯＣＨ2−の−（環Ａ1−
Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、およびｎ2が０、Ｚ2
が−ＯＣＨ2−の−（環Ａ2−Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環
Ｃ2−としては、
【化２７】 などが挙げられる。
【００４６】ｎ1が０、Ｚ1が−Ｃ≡Ｃ−の−（環Ａ1−
Ｙ1）ｎ1−環Ｂ1−Ｚ1−環Ｃ1−、およびｎ2が０、Ｚ2
が−Ｃ≡Ｃ−の−（環Ａ2−Ｙ2）ｎ2−環Ｂ2−Ｚ2−環
Ｃ2−としては、
【化２８】 などが挙げられる。
【００４７】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれにより何ら限定するものではない。
【００４８】実施例１ （１）（Ｒ，Ｒ）−１，１５−ジクロロ−２，１４−ペ
ンタデカンジオールの合成
【化２９】 ヨウ化銅（Ｉ）（４７６ｍｇ，２．５ｍｍｏｌ）のエー
テル（４０ｍｌ）懸濁液に、１，９−ジブロモノナンと
マグネシウムから調製したグリニャール反応剤〔ＢｒＭ
ｇ（ＣＨ2）9−ＭｇＢｒ，０．８８Ｍ，ＴＨＦ溶液，２
０ｍｌ，１７．５ｍｍｏｌ〕を−３０℃で加え、３０分
間撹拌した。さらに、（Ｒ）−エピクロロヒドリン（＞
９８％ｅ．ｅ．，１．９６ｍｌ，２５ｍｍｏｌ）のジエ
チルエーテル（１０ｍｌ）溶液を加え、０℃で４時間撹
拌した。反応液を１Ｍ塩酸で処理し、セライトろ過後、
酢酸エチル抽出、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）で
精製し、さらに、ヘキサンを用いて再結晶し、（Ｒ，
Ｒ）−１，１５−ジクロロ−２，１４−ペンタデカンジ
オール（３．３ｇ）を得た。
【００４９】（Ｒ，Ｒ）−１，１５−ジクロロ−２，１
４−ペンタデカンジオールの性状と物性 無色板状晶 融点 ５２℃1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．２５〜１．３６（ｍ，
１８ Ｈ）、１．４２〜１．５８（ｍ，６ Ｈ）、２．１
３（ｄ，Ｊ＝４．９ Ｈｚ，２ Ｈ）、３．４８（ｄｄ，
Ｊ＝１１ ａｎｄ ７．２ Ｈｚ，２ Ｈ）、３．６４（ｄ
ｄ，Ｊ＝１１ ａｎｄ ３．２ Ｈｚ，２ Ｈ）、３．７７
〜３．８８（ｍ，２ Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）３４４０，２９２５，２８５５，１７２
０，１４６５，１４３０，１２６５，１０５５，７４５
ｃｍ-1
【００５０】（２）（Ｒ，Ｒ）−１，１４−ペンタデカ
ジエンジオキシドの合成
【化３０】 （Ｒ，Ｒ）−１，１５−ジクロロ−２，１４−ペンタデ
カンジオール（３．１ｍｇ，１０ｍｍｏｌ）のテトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）（２０ｍｌ）溶液に、０℃で水素
化ナトリウム（６０％油性，０．８ｇ，２０ｍｌ）を加
え、室温で１２時間撹拌した。反応液を水で処理し、エ
ーテル抽出、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）で精製
し、さらに、ヘキサンを用いて再結晶し、（Ｒ，Ｒ）−
１，１４−ペンタデカジエンジオキシド（２．１８ｇ，
収率９１％）を得た。
【００５１】（Ｒ，Ｒ）−１，１４−ペンタデカジエン
ジオキシドの性状と物性 無色板状晶 融点 ３７℃1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．３２〜１．４２（ｍ，
１４ Ｈ）、１．４４〜１．６１（ｍ，８ Ｈ）、２．５
２（ｄｄ，Ｊ＝５．０ ａｎｄ ２．７ Ｈｚ，２ Ｈ）、
２．８０（ｄｄ，Ｊ＝５．０ ａｎｄ ４．０ Ｈｚ，２
Ｈ）、２．９４〜２．９８（ｍ，２ Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）３４３５，２９２０，２８４５，１６３
０，１４６０，１１４５，９１０，８４５ｃｍ-1
【００５２】（３）（Ｓ，Ｓ）−３，１５−ヘプタデカ
ンジオールの合成
【化３１】 ヨウ化銅（Ｉ）（５０ｍｇ，０．２６ｍｍｏｌ）のテト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ）（５ｍｌ）懸濁液に臭化メチ
ルマグネシウム（１．８Ｍ，ＴＨＦ溶液，３．５ｍｌ，
６．３ｍｍｏｌ〕を０℃で加え、３０分間撹拌した。さ
らに、（Ｒ，Ｒ）−１，１４−ペンタデカジエンジオキ
シド（５００ｍｇ，２．１ｍｍｏｌ）のエーテル（１０
ｍｌ）溶液を加え、室温で６時間撹拌したのち、２Ｍ塩
酸で処理し、エーテル抽出、濃縮した。残渣をヘキサン
／ジエチルエーテル／酢酸エチル＝１０／２／１混合溶
媒で再結晶し、（Ｓ，Ｓ）−３，１５−ヘプタデカンジ
オール（３９８ｍｇ，収率７０％）を得た。
【００５３】（Ｓ，Ｓ）−３，１５−ヘプタデカンジオ
ールの性状と物性 無色粉末 融点 ７１℃ ［α］D 20＋１１．３゜（ｃ＝１．０４，ＣＨＣｌ3）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．９４（ｔ，Ｊ＝７．５
Ｈｚ，６ Ｈ）、１．２４〜１．５８（ｍ，２８
Ｈ）、３．４８〜３．５７（ｂｒｏａｄ ｍ，２ Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）３３５０，２９２０，２８５０，１４７
０，１１２０，９８０，９３５ｃｍ-1
【００５４】（４）（Ｓ，Ｓ）−３，１５−ビス（４−
ベンジルオキシフェニルカルボキシ）ヘプタデカンの合
成
【化３２】 （Ｓ，Ｓ）−３，１５−ヘプタデカンジオール（３００
ｍｇ，１．１ｍｍｏｌ）、４−ベンジルオキシ安息香酸
（５００ｍｇ，２．２ｍｍｏｌ）、ＤＣＣ（４５０ｍ
ｇ，２．２ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン
（８０ｍｇ，０．６５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（２
０ｍｌ）溶液を室温で１日撹拌した。反応溶液をセライ
トろ過、濃縮後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９／１）で精製し、
（Ｓ，Ｓ）−３，１５−ビス（４−ベンジルオキシフェ
ニルカルボキシ）ヘプタデカン（２６０ｍｇ，収率３４
％）を得た。
【００５５】（Ｓ，Ｓ）−３，１５−ビス（４−ベンジ
ルオキシフェニルカルボキシ）ヘプタデカンの性状と物
性 無色粘稠油状物質 ［α］D 20＋１４．２゜（ｃ＝１．０４，ＣＨＣｌ3）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．９３（ｔ，Ｊ＝７．５
Ｈｚ，６ Ｈ）、１．１８〜１．４０（ｍ，１８
Ｈ）、１．５４〜１．７２（ｍ，８ Ｈ）、５．０３
（ｂｒｏａｄ ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝６．３ Ｈｚ，２
Ｈ）、５．１２（ｓ，４ Ｈ）、６．９９（ｄ，Ｊ＝
８．９ Ｈｚ，４ Ｈ）、７．３１〜７．４５（ｍ，１０
Ｈ）、８．００（ｄ，Ｊ＝８．９ Ｈｚ，４ Ｈ） ＩＲ（ｎｅａｔ）２９２０，２８５０，１７００，１６
００，１５０５，１２７０，１２５０，１１６５，１１
００，１０２０，８４５，７７０，６９５ｃｍ-1
【００５６】（５）（Ｓ，Ｓ）−３，１５−ビス（４−
ヒドロキシフェニルカルボキシ）ヘプタデカンの合成
【化３３】 （Ｓ，Ｓ）−３，１５−ビス（４−ベンジルオキシフェ
ニルカルボキシ）ヘプタデカン（２６０ｍｇ，０．３８
ｍｍｏｌ）、１０％パラジウム−炭素（８０ｍｇ）の酢
酸エチル（１５ｍｌ）懸濁液を水素雰囲気下、室温で５
時間反応した。反応液をセライトろ過後、濃縮し、残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢
酸エチル＝３／１）で精製し、（Ｓ，Ｓ）−３，１５−
ビス（４−ヒドロキシフェニルカルボキシ）ヘプタデカ
ン（１１６ｍｇ，収率６０％）を得た。
【００５７】（Ｓ，Ｓ）−３，１５−ビス（４−ヒドロ
キシフェニルカルボキシ）ヘプタデカンの性状と物性 無色粘稠油状物質 ［α］D 20＋０．７゜（ｃ＝１．０５，ＣＨＣｌ3）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．９４（ｔ，Ｊ＝７．５
Ｈｚ，６ Ｈ）、１．１３〜１．３８（ｍ，１８
Ｈ）、１．５５〜１．７２（ｍ，８ Ｈ）、５．０１〜
５．０９（ｍ，２ Ｈ）、６．２〜７．２（ｂｒｏａ
ｄ，２ Ｈ）、６．８９（ｄ，Ｊ＝８．８ Ｈｚ，４
Ｈ）、７．９５（ｄ，Ｊ＝８．８ Ｈｚ，４ Ｈ） ＩＲ（ｎｅａｔ）３３５０，２９２０，２８５０，１６
８０，１６０５，１５９０，１５１０，１４４０，１３
６０，１３１０，１２８０，１２３０，１１６５，１１
１０，１１００，８５０，７６０，７００ｃｍ-1
【００５８】（６）（Ｓ，Ｓ）−３，１５−ビス｛４−
〔４−（４−オクチルオキシフェニル）フェニルカルボ
キシ〕フェニルカルボキシ｝ヘプタデカンの合成
【化３４】 （Ｓ，Ｓ）−３，１５−ビス（４−ヒドロキシフェニル
カルボキシ）ヘプタデカン（１１６ｍｇ，０．２３ｍｍ
ｏｌ）、４−（４−オクチルオキシフェニル）息香酸
（１５５ｍｇ，０．２４ｍｍｏｌ）、ＤＣＣ（１０５ｍ
ｇ，０．５１ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン
（３０ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（８
ｍｌ）溶液を室温で１日撹拌した。反応溶液をセライト
ろ過、濃縮後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（ヘキサン／ジクロロメタン＝１／２）で精製し、
さらに再結晶（ヘキサン／ジクロロメタン＝４／１）し
て、（Ｓ，Ｓ）−３，１５−ビス｛４−〔４−（４−オ
クチルオキシフェニル）フェニルカルボキシ〕フェニル
カルボキシ｝ヘプタデカン（１８０ｍｇ，収率７０％）
を得た。
【００５９】（Ｓ，Ｓ）−３，１５−ビス｛４−〔４−
（４−オクチルオキシフェニル）フェニルカルボキシ〕
フェニルカルボキシ｝ヘプタデカンの性状と物性 無色粉末 相転位温度 Ｃｒｙ ９８℃ ＳｍＣA * １６
５℃ Ｉｓｏ ［α］D 20＋１３．２゜（ｃ＝１．０１，ＣＨＣｌ3）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．９０（ｔ，Ｊ＝８．０
Ｈｚ，６ Ｈ）、０．９６（ｔ，Ｊ＝７．５ Ｈｚ，６
Ｈ）、１．２１〜１．５２（ｍ，３８ Ｈ）、１．５８
〜１．７４（８ Ｈ）、１．７７〜１．８６（ｍ，４
Ｈ）、１．８２（ｂｒｏａｄ ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝
６．６ Ｈｚ，４ Ｈ）、４．０２（ｔ，Ｊ＝６．６ Ｈ
ｚ，４ Ｈ）、５．０８（ｂｒｏａｄ ｑｕｉｎｔｅｔ，
Ｊ＝６．０ Ｈｚ，２ Ｈ）、７．０１（ｄ，Ｊ＝８．８
Ｈｚ，４ Ｈ）、７．３２（ｄ，Ｊ＝８．８ Ｈｚ，４
Ｈ）、７．６０（ｄ，Ｊ＝８．８ Ｈｚ，４ Ｈ）、７．
７０（ｄ，Ｊ＝８．５ Ｈｚ，４ Ｈ）、８．１５（ｄ，
Ｊ＝８．８ Ｈｚ，４ Ｈ）、８．２４（ｄ，Ｊ＝８．５
Ｈｚ，４ Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）２９２０，２８５０，１７４０，１７１
０，１６００，１２６５，１２００，１１６０，１１１
０，１０７０，１０１０，８３０，７７０ｃｍ-1
【００６０】実施例２ （１）（Ｒ，Ｒ）−４，１６−ノナデカンジオールの合
成
【化３５】 ヨウ化銅（Ｉ）（１２０ｍｇ，０．６３ｍｍｏｌ）のＴ
ＨＦ（１０ｍｌ）懸濁液に、臭化エチルマグネシウム
（１．０Ｍ，ＴＨＦ溶液，２０ｍｌ，２０ｍｍｏｌ）を
０℃で加え、３０分間撹拌した。さらに、実施例１
（１）ないし（２）において（Ｒ）−エピクロロヒドリ
ンの代わりに（Ｓ）−エピクロロヒドリンを等量用いる
ことにより、同様の反応を行うことで得られた（Ｓ，
Ｓ）−１，１４−ペンタデカジエンジオキシド（１．０
ｍｇ，４．２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１０ｍｌ）溶液を加
え、室温で８時間撹拌したのち、２Ｍ塩酸で処理し、エ
ーテル抽出、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）で精製
し、さらに、再結晶（ヘキサン／ジエチルエーテル＝３
／１）して、（Ｒ，Ｒ）−４，１６−ノナデカンジオー
ル（０．８ｇ，収率６４％）を得た。
【００６１】（Ｒ，Ｒ）−４，１６−ノナデカンジオー
ルの性状と物性 無色粉末 融点 ７９℃ ［α］D 20−１．２゜（ｃ＝１．０１，ＣＨＣｌ3）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．９３（ｔ，Ｊ＝６．８
Ｈｚ，６ Ｈ）、１．２４〜１．５２（ｍ，３２
Ｈ）、３．５６〜３．６４（ｂｒｏａｄ ｍ，２ Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）３３５０，２９００，２８５０，１４６
５，１１２５，１０６５，１０２０，９１０，８４０ｃ
ｍ-1
【００６２】（２）（Ｒ，Ｒ）−４，１６−ビス（４−
ベンジルオキシフェニルカルボキシ）ノナデカンの合成
【化３６】 （Ｒ，Ｒ）−４，１６−ノナデカンジオール（５０５ｍ
ｇ，１．７ｍｍｏｌ）、４−ベンジルオキシ安息香酸
（８３５ｍｇ，３．７ｍｍｏｌ）、ＤＣＣ（４５０ｍ
ｇ，３．８ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン
（１０００ｍｇ，０．８２ｍｍｏｌ）のジクロロメタン
（２０ｍｌ）溶液を室温で１日撹拌した。反応溶液をセ
ライトろ過、濃縮後、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９／１）で精製
し、（Ｒ，Ｒ）−４，１６−ビス（４−ベンジルオキシ
フェニルカルボキシ）ノナデカン（７０５ｍｇ，収率５
８％）を得た。
【００６３】（Ｒ，Ｒ）−４，１６−ビス（４−ベンジ
ルオキシフェニルカルボキシ）ノナデカンの性状と物性 無色粘稠油状物質 ［α］D 20−９．６゜（ｃ＝１．０２，ＣＨＣｌ3）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．９２（ｔ，Ｊ＝７．３
Ｈｚ，６ Ｈ）、１．１８〜１．４５（ｍ，２２
Ｈ）、１．５３〜１．７２（ｍ，８ Ｈ）、５．０７〜
５．１４（ｍ，２ Ｈ）、５．１２（ｓ，４ Ｈ）、６．
９９（ｄ，Ｊ＝８．９ Ｈｚ，４ Ｈ）、７．３１〜７．
４５（ｍ，１０ Ｈ）、７．９９（ｄ，Ｊ＝８．９ Ｈ
ｚ，４ Ｈ） ＩＲ（ｎｅａｔ）２９２０，２８５０，１７１０，１６
００，１５１０，１４５０，１３８０，１２７５，１２
５０，１１６５，１１００，１０１０，８５０，７７
０，７３５，７００ｃｍ-1
【００６４】（３）（Ｒ，Ｒ）−４，１６−ビス（４−
ヒドロキシフェニルカルボキシ）ノナデカンの合成
【化３７】 （Ｒ，Ｒ）−４，１６−ビス（４−ベンジルオキシフェ
ニルカルボキシ）ノナデカン（５００ｍｇ，０．６９ｍ
ｍｏｌ）、１０％パラジウム−炭素（１００ｍｇ）の酢
酸エチル（２０ｍｌ）懸濁液を水素雰囲気下、室温で１
０時間反応した。反応液をセライトろ過後、濃縮し、残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／
酢酸エチル＝３／１）で精製し、（Ｒ，Ｒ）−４，１６
−ビス（４−ヒドロキシフェニルカルボキシ）ノナデカ
ン（２４０ｍｇ，収率６４％）を得た。
【００６５】（Ｒ，Ｒ）−４，１６−ビス（４−ヒドロ
キシフェニルカルボキシ）ノナデカンの性状と物性 無色粘稠油状物質 ［α］D 20＋１．２゜（ｃ＝１．０４，ＣＨＣｌ3）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．９２（ｔ，Ｊ＝７．３
Ｈｚ，６ Ｈ）、１．１３〜１．４５（ｍ，２２
Ｈ）、１．５３〜１．７２（ｍ，８ Ｈ）、５．０９〜
５．１７（ｍ，２ Ｈ）、６．５〜７．４（ｂｒｏａｄ,
２ Ｈ）、６．８９（ｄ，Ｊ＝８．８ Ｈｚ，４ Ｈ）、
７．９５（ｄ，Ｊ＝８．８ Ｈｚ，４ Ｈ） ＩＲ（ｎｅａｔ）３３５０，２９００，２８５０，１６
７０，１６００，１５９０，１５１０，１４３５，１３
５５，１３１０，１２８０，１２３０，１１６０，１１
１０，１１００，８５０，７７０，７００，６１０ｃｍ
-1
【００６６】（４）（Ｒ，Ｒ）−４，１６−ビス｛４−
〔４−（４−オクチルオキシフェニル）フェニルカルボ
キシ〕フェニルカルボキシ｝ノナデカンの合成
【化３８】 （Ｒ，Ｒ）−４，１６−ビス（４−ヒドロキシフェニル
カルボキシ）ノナデカン（２００ｍｇ，０．３７ｍｍｏ
ｌ）、４−（４−オクチルオキシフェニル）安息香酸
（２６５ｍｇ，０．８１ｍｍｏｌ）、ＤＣＣ（１７６ｍ
ｇ，０．８５ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン
（６０ｍｇ，０．４９ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（１
０ｍｌ）溶液を室温で１日撹拌した。反応溶液をセライ
トろ過、濃縮後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（ヘキサン／ジクロロメタン＝１／２）で精製
し、さらに再結晶（ヘキサン／ジクロロメタン＝１０／
１）して、（Ｒ，Ｒ）−４，１６−ビス｛４−〔４−
（４−オクチルオキシフェニル）フェニルカルボキシ〕
フェニルカルボキシ｝ノナデカン（３６０ｍｇ，収率８
４％）を得た。
【００６７】（Ｒ，Ｒ）−４，１６−ビス｛４−〔４−
（４−オクチルオキシフェニル）フェニルカルボキシ〕
フェニルカルボキシ｝ノナデカンの性状と物性 無色粉末 相転位温度 Ｃｒｙ ９１℃ ＳｍＣA * １３
６℃ Ｉｓｏ ［α］D 20−９．２゜（ｃ＝１．００，ＣＨＣｌ3）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．９０（ｔ，Ｊ＝６．９
Ｈｚ，６ Ｈ）、０．９４（ｔ，Ｊ＝７．３ Ｈｚ，６
Ｈ）、１．２１〜１．５３（ｍ，４２ Ｈ）、１．５６
〜１．７３（ｍ，８ Ｈ）、１．８２（ｂｒｏａｄ ｑｕ
ｉｎｔｅｔ，Ｊ＝６．６ Ｈｚ, ４ Ｈ）、４．０１
（ｔ，Ｊ＝６．６ Ｈｚ，４ Ｈ）、５．１２〜５．２０
（ｍ，２ Ｈ）、７．０１（ｄ，Ｊ＝８．８ Ｈｚ，４
Ｈ）、７．３１（ｄ，Ｊ＝８．７ Ｈｚ，２ Ｈ）、７．
６０（ｄ，Ｊ＝８．８ Ｈｚ，４ Ｈ）、７．７０（ｄ，
Ｊ＝８．４ Ｈｚ，４ Ｈ）、８．１４（ｄ，Ｊ＝８．７
Ｈｚ，４ Ｈ）、８．２４（ｄ，Ｊ＝８．４ Ｈｚ，４
Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）２９２０，２８５０，１７３５，１７１
０，１６００，１５００，１４７０，１２６０，１２０
０，１１６０，１１１５，１０７０，１０１０，８３
０，７６５，６９０ｃｍ-1
【００６８】
【発明の効果】前述のとおりダイマー型液晶はかなり安
定な反強誘電的な分子配列構造をとるものと考えられ
る。従って、反強誘電性が弱くヒステリシスの形状が悪
い液晶あるいは強誘電性液晶に添加することにより、反
強誘電性を強くしてヒステリシスの形状をより望ましい
方向に改善することが期待される。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａが印加される三角波を、Ｂが市販ネマチツク
液晶の、Ｃは理想的な強誘電性液晶の、Ｄは反強誘電性
液晶の、それぞれの光学応答特性を示す。
【図２】電界印加時、無電界時の液晶分子の三つの安定
した配列状態を（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。
【図３】三状態液晶のヒステリシスを示すものであり、
横軸は印加電圧を、縦軸は透過率（％）を示す。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 69/92 Ｃ０７Ｃ 69/92 Ｃ０７Ｄ 239/26 Ｃ０７Ｄ 239/26 Ｃ０９Ｋ 19/20 9279−4Ｈ Ｃ０９Ｋ 19/20 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ // Ｃ０７Ｍ 7:00 (72)発明者 檜山 爲次郎 神奈川県相模原市上鶴間４−29−３−101 (72)発明者 楠本 哲生 神奈川県相模原市南台１−９−２−102

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記一般式〔Ｉ〕 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ3は置換基をそれぞれ有することもある
    炭素数１〜１８のアルキル基よりなる群からそれぞれ独
    立して選ばれた基であり、Ｒ2、Ｒ4は炭素数２〜６のア
    ルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基で
    あり、Ｘ1、Ｘ2は単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣ
    Ｏ−および−ＯＣＯＯ−よりなる群からそれぞれ独立し
    て選ばれた基であり、Ｙ1、Ｙ2およびＺ1、Ｚ2は単結
    合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2
    −、−Ｃ≡Ｃ−よりなる群からそれぞれ独立して選ばれ
    た基であり、環Ａ1、環Ａ2、環Ｂ1、環Ｂ2、環Ｃ1およ
    び環Ｃ2は１個または２個のフッ素原子で置換されてい
    てもよい１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シ
    クロヘキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピ
    リジン−２，５−ジイル基および２，６−ナフチレン基
    よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、ｍ
    は７〜２０の整数、ｎ1、ｎ2は１および０よりなる群か
    らそれぞれ独立して選ばれた整数であり、＊は不斉炭素
    を示す。）で示される化合物であることを特徴とするダ
    イマー型光学活性化合物。
  2. 【請求項２】 前記一般式〔Ｉ〕において、Ｙ1および
    Ｙ2が単結合である請求項１記載のダイマー型光学活性
    化合物。
  3. 【請求項３】 前記一般式〔Ｉ〕において、Ｚ1および
    Ｚ2が−ＣＯＯ−である請求項２記載のダイマー型光学
    活性化合物。
  4. 【請求項４】 前記一般式〔Ｉ〕において、環Ｃ1およ
    び環Ｃ2が１個または２個のフッ素原子により置換され
    てもよい、１，４−フェニレン基または２，６−ナフチ
    レン基である請求項３記載のダイマー型光学活性化合
    物。
  5. 【請求項５】 反強誘電性キラルスメクチック相を示す
    請求項１記載のダイマー型光学活性化合物。
  6. 【請求項６】 請求項１、２、３、４または５記載のダ
    イマー型光学活性化合物を含有することを特徴とする液
    晶組成物。
  7. 【請求項７】 反強誘電性キラルスメクチック相を示す
    請求項６記載の液晶組成物。
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