JPH0936077A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JPH0936077A
JPH0936077A JP18391095A JP18391095A JPH0936077A JP H0936077 A JPH0936077 A JP H0936077A JP 18391095 A JP18391095 A JP 18391095A JP 18391095 A JP18391095 A JP 18391095A JP H0936077 A JPH0936077 A JP H0936077A
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lamp
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illuminometer
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Koji Kizaki
幸治 木▲崎▼
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ランプ制御用の照度計の紫外線損傷を軽減す
る。 【解決手段】 照度計測時は紫外線照度計15を基板ボ
ックス1内の紫外線到達領域UR内に位置決めし、照度
計測を行わないときは、照度計昇降機構21によって紫
外線照度計15を紫外線到達領域URの外側に退避させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
や液晶表示器製造装置などにおいて、半導体ウエハ,液
晶用基板や各種ワークなどの被処理物(以下、「基板」
と総称する)に対し紫外線を照射することにより、オゾ
ン等を発生させて基板表面上の有機物を分解させたり、
基板表面を親水化させて後段の洗浄工程における水洗効
果を高めたり、あるいは光アッシング、光CVD等の各
種処理を施すために使用される基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】基板の表面に紫外線を照射してオゾンを
発生させることにより、基板表面上の有機物を分解させ
たり、基板表面を親水化させて後段の洗浄工程における
水洗効果を高めたりするために使用される基板処理装置
は、種々の型式のものが知られており、液晶表示器製造
装置のフォトリソ工程などにおいて用いられている。こ
の種の基板処理装置は、図7または図8の如く、具体的
には、基板31を支持するステージ32の上方位置に低
圧水銀ランプ33を配設しており、ステージ32に搭載
された基板31の表面に低圧水銀ランプ33からの紫外
線を、装置のタクトタイムに等しい所定時間だけ照射す
ることにより、適量の紫外線エネルギーを基板に与える
ように構成されている。
【0003】ここで、紫外線による基板処理を良好に行
うためには、紫外線の照度と照射時間によって決まる基
板31への紫外線照射量を高い精度で制御する必要があ
る。そこで、従来、基板31に対する紫外線の照度を安
定させる目的で、紫外線照射領域内の所定位置に紫外線
照度計34を固定配置し、ここでの測定結果を低圧水銀
ランプ33の照度検出部35に送信して、制御部36に
フィードバックして、低圧水銀ランプ33の照度を一定
に調整していた。なお、図7は紫外線照度計34を基板
31の近傍に配置した例、図8は紫外線照度計34を低
圧水銀ランプ33の近傍に配置した例であって、図7お
よび図8中の符号37はランプ電源調整部、符号38は
ランプ電源、符号39は電源中継ボックスを夫々示して
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の基板
処理装置では、紫外線照度計34には常に紫外線が照射
されるように構成されていた。このため、紫外線照度計
34を構成する結晶内の原子が玉突状に押されて結晶格
子内で局部的に空孔状の欠陥が生じる。すなわち、いわ
ゆる紫外線損傷といった現象が発生する。そうすると、
紫外線照度計34の劣化が比較的速く進行する。ここ
で、低圧水銀ランプ33の劣化に比較して紫外線照度計
34の劣化が相対的に速く進行してしまうと、紫外線照
度計34によって低圧水銀ランプ33の劣化を検知する
ことは不可能となってしまう。
【0005】この発明は、上記の問題を解決するために
なされたものであり、紫外線照度計の劣化を顕著に抑制
し得る基板処理装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、紫外線エネルギーを基板に照射して与える基板処理
装置であって、基板を支持する支持手段と、前記支持手
段に支持された基板に対向して配置され、当該基板に向
けて紫外線を照射する紫外線ランプと、紫外線ランプの
照度を測定する紫外線照度計と、前記紫外線照度計を移
動させることにより前記紫外線照度計の前記紫外線ラン
プに対する距離を変化させる駆動手段と、前記駆動手段
を制御し、前記紫外線ランプからの紫外線が実質的に到
達する紫外線到達領域内へ前記紫外線照度計を位置決め
し、且つ、基板への紫外線照射時間より少なく設定され
た紫外線照度測定時間の経過後、前記駆動手段を駆動さ
せて前記紫外線照度計を前記紫外線到達領域の外に退避
させる制御手段と、を備える。
【0007】ここで、請求項1では、紫外線ランプから
出射された紫外線が到達する範囲(紫外線到達領域)
が、基板周囲の雰囲気に応じて変化し、紫外線の波長と
雰囲気を適切に組合せることで紫外線到達領域を例えば
数mmないし数百mmに設定可能であることから、紫外
線照度測定時のみ、紫外線が実質的に到達する紫外線到
達領域内に紫外線照度計を位置決めし、紫外線照度測定
の終了後は紫外線到達領域から紫外線照度計を退避させ
る。これにより、紫外線照度計の紫外線損傷を軽減でき
る。
【0008】請求項2に記載の発明は、前記駆動手段は
前記紫外線照度計を空気雰囲気において紫外線到達領域
の外へ駆動するものであり、しかも前記紫外線ランプか
ら出射される紫外線の波長が160nmないし195n
mの紫外線を出射する紫外線ランプを用いている。
【0009】請求項2では、紫外線照度計は空気雰囲気
において紫外線到達領域の外へ待避する。この空気雰囲
気では、波長160nmの紫外線の到達距離はほぼゼロ
となり、紫外線到達領域が実質上存在しなくなる。そし
て、波長が160nmよりも長くなるにしたがって到達
距離は伸びて紫外線到達領域が存在する。しかしなが
ら、波長195nm以上では、紫外線の到達距離はほぼ
無限大となるため、紫外線照度計を紫外線ランプから離
隔しても紫外線到達領域の外に退避させることができな
い。このことを考慮し、空気雰囲気では、波長160n
mないし195nmの紫外線ランプを用いれば、紫外線
到達領域を所定の範囲に限定して設定することができ、
紫外線照度計の紫外線到達領域への出し入れを有効に行
うことができる。
【0010】請求項3に記載の発明は、前記紫外線ラン
プとして誘電体バリア放電ランプを用いている。この誘
電体バリア放電ランプから出射される紫外線の中心波長
はその放電ガスの種類によって設定できる。例えば放電
ガスとしてキセノンを用いると、中心波長は172nm
であり、空気雰囲気での到達距離は約10mmであり、
この紫外線到達領域の内外に基板が位置決めされて基板
への紫外線の照射および非照射が制御される。
【0011】
【発明の実施の形態】
{構成}図1はこの発明にかかる紫外線照射装置として
の基板処理装置の一の実施の形態を示す断面図であり、
図2はこの実施の形態の平面図である。この基板処理装
置は、図1に示すように、基板ボックス1内には、ステ
ージ部2が昇降自在に設けられている。このステージ部
2は、ステージ2aと、このステージ2aの上面から上
方向に突設された複数の支持ピン2bとで構成されてお
り、複数の支持ピン2bにより基板3を支持している。
このように、この実施の形態では、ステージ部2が支持
手段として機能する。
【0012】また、この基板ボックス1の側面部には、
図2の如く、基板3を出し入れするための開口19が形
成され、図示しないシャッタにより基板の搬入・搬出の
タイミングに応じて開閉される。また、基板ボックス1
の上面部には、支持ピン2bにより支持される基板3よ
りも大きなサイズの開口4が設けられている。
【0013】そして、図1の如く、この開口4とほぼ同
一サイズの開口5を底面部に有するランプボックス6
が、両開口4,5が対向するようにして、基板ボックス
1の上に配置されている。また、この開口5を塞ぐよう
に、ランプボックス6内に石英板7が配置され、ランプ
ボックス6側でランプ空間SPLが形成されるととも
に、基板ボックス1側で基板処理空間SPTが形成され
る。さらに、この石英板7の上方位置に8本の誘電体バ
リア放電ランプ9が一列に整列配置されている。したが
って、ランプ電源10から電力が送電されると、電源中
継ボックス11を介して誘電体バリア放電ランプ9に与
えられて誘電体バリア放電ランプ9が点灯する。この誘
電体バリア放電ランプ9はエキシマ発光を利用して紫外
線を出射するもので、ここでは放電ガスとしてキセノン
を用いた誘電体バリア放電ランプ9を使用する。これに
より、誘電体バリア放電ランプ9からの中心波長172
nmの紫外線が石英板7を介して支持ピン2bに支持さ
れた基板3側に向けて出射される。
【0014】このランプボックス6内には、ランプボッ
クス6の上面と誘電体バリア放電ランプ9との間に反射
板12が配置されており、誘電体バリア放電ランプ9か
ら紫外線を効率良く基板3側に導く。また、図1に示す
ように、ランプボックス6の左側部には窒素ガスの導入
口13が設けられており、図示を省略する窒素ガス供給
部からの窒素ガスをランプボックス6と石英板7とで形
成されるランプ空間SPLに導入可能となっている。一
方、ランプボックス6の右側部には窒素ガスの排気口1
4が設けられており、この排気口14と連結された排気
システムや排気ポンプなどの排気手段(図示省略)によ
りランプ空間SPLから外部に排気されるように構成さ
れている。したがって、ランプ空間SPL内では、誘電
体バリア放電ランプ9から出射される紫外線の吸収減衰
の主原因となる酸素が排除されるとともに、当該紫外線
を減衰させない窒素ガスが充満され、その結果、誘電体
バリア放電ランプ9からの紫外線を効率良く基板3側に
出射することができる。なお、この実施の形態ではラン
プ空間SPLを形成するために、石英板7を用いている
が、紫外線を透過する板材であれば他の素材、例えばフ
ッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、およびフッ化リ
チウム等の板材でもよく、石英板に限定されるものでは
ない。ただし、紫外線の減衰ができる限り少ないものが
望ましい。
【0015】一方、基板ボックス1側では、上記のよう
に基板ボックス1と石英板7とで基板処理空間SPTが
形成されており、空気雰囲気で誘電体バリア放電ランプ
9からの紫外線が基板3に向けて照射されて所定の基板
処理を行うことができるようになっている。この基板処
理空間SPTには、排気システムや排気ポンプなどの排
気手段(図示省略)が接続されており、基板処理空間S
PTで発生するオゾンや基板処理に生じたガスなどを排
出可能となっている。
【0016】また、この基板処理空間SPT内には、図
2に示すように、石英板7を介して基板3側に照射され
る紫外線を受光し、基板3への紫外線照度を測定するた
めの紫外線照度計15が設けられている。この紫外線照
度計15は、図1の如く、照度検出部16と電気的に接
続され、紫外線照度計15により測定された照度が照度
検出部16に与えられる。
【0017】この照度検出部16では、紫外線照度計1
5から与えられた照度の変化に基づき誘電体バリア放電
ランプ9の点灯・消灯タイミング(誘電体バリア放電ラ
ンプ9の点灯開始からの照射時間t1等)を求める。こ
の照度検出部16は装置全体を制御する制御部(CP
U)17と電気的に接続されており、上記のようにして
求められた点灯・消灯タイミングに関する信号が制御部
17に与えられる。そして、この信号を受けて、制御部
17は、誘電体バリア放電ランプ9の点灯・消灯を切り
替える切替手段として機能するランプ電源調整部18を
介してランプ電源10から誘電体バリア放電ランプ9へ
の電力供給を制御し、誘電体バリア放電ランプ9のON
・OFFを制御する。
【0018】そして、紫外線照度計15は、図1の如
く、駆動手段としての紫外線照度計昇降機構21が連結
されており、照度計測定タイミング制御装置22からの
指令に応じて基板処理空間SPT内で昇降方向(上下方
向)に位置決めされる。なお、紫外線照度計15の昇降
動作は、後述する紫外線到達領域URへの出入りを目的
とするものであって、制御部17による照度計昇降部2
2の制御に基づいて行われる。紫外線照度計15の昇降
タイミングについては、後で詳述する。
【0019】{動作}次に、上記のように構成された基
板処理装置の動作について図3を参照しながら説明す
る。
【0020】まず、装置の起動時に、制御部17からの
指令に応じてランプ電源10から誘電体バリア放電ラン
プ9に電力が供給されて誘電体バリア放電ランプ9が点
灯する。
【0021】ここで、紫外線ランプとして放電ガスにキ
セノンを使った誘電体バリア放電ランプ9を用いている
ので、誘電体バリア放電ランプ9から出射される紫外線
の中心波長は172nmであり、しかも基板3の周辺の
雰囲気は空気であるため、誘電体バリア放電ランプ9か
らの紫外線が実質的に到達する紫外線到達領域URは、
図3に示すように、石英板7から下方向に長さDの範囲
に限られる。その理由について図4を参照しながら説明
する。
【0022】図4は、塵埃等を含まない清浄な空気雰囲
気での、波長に対する紫外線の到達距離を示すグラフの
一例である。同図からわかるように、空気雰囲気では、
波長160nmの紫外線の到達距離はゼロとなり(D=
0)、紫外線到達領域が実質上存在しなくなる。そし
て、波長が160nmよりも長くなるにしたがって到達
距離は伸びて紫外線到達領域が存在する(D>0)。さ
らに、波長が長くなり、波長195nmとなると、紫外
線の到達距離はほぼ無限大となる。ここで、この実施の
形態の誘電体バリア放電ランプ9から出射される紫外線
についてみると、その中心波長は172nmであるた
め、紫外線到達距離は10mm程度、つまりD=10m
mとなる。したがって、この実施の形態では、石英板7
から下方向に紫外線到達距離D=10mmの紫外線到達
領域UR(図3の点線領域)が形成されている。
【0023】図3に戻って基板処理装置の動作の説明を
続ける。この実施の形態では、基板処理開始時点で、紫
外線照度計15を紫外線到達領域URの下端より下側に
配置しておく。この状態で、処理すべき基板3を開口1
9(図2)を介して基板処理空間SPT内に搬入し、ス
テージ部2の支持ピン2b上に載置して位置決めする
(図3)。これとほぼ同時に、制御部17からの処理開
始指令に応じて、照度計測定タイミング制御装置22に
よって紫外線照度計昇降機構21を駆動し、紫外線照度
計15を上昇させて紫外線到達領域UR内に位置決めす
る。
【0024】この状態で、誘電体バリア放電ランプ9か
らの紫外線が基板3に照射されて基板処理が実行され
る。一定時間(照度測定時間tx)が経過した時点で、
照度検出部16は、紫外線照度計15から与えられた照
度に応じて、所定量の紫外線を基板3に照射するため
の、誘電体バリア放電ランプ9の消灯のタイミングを算
出し、その結果を制御部17に与える。もしその照度が
変化していた場合には、その照度の変化に基づき誘電体
バリア放電ランプ9の消灯タイミングを求め、求められ
た消灯タイミングに関する信号を制御部17に与える。
なお、照度計15での測定は1回だけでも差し支えない
が、測定精度を向上するため、複数回の測定を行ってそ
の平均値を求めても良い。この場合、紫外線照度計15
の照度測定時間txは、当該複数回の測定に必要な時間
である。
【0025】これと同時に、制御部17から照度計測定
タイミング制御装置22に指令が与えられ、これに応じ
て照度計測定タイミング制御装置22が紫外線照度計昇
降機構21を駆動し、紫外線照度計15を降下させて紫
外線到達領域URの下端より下側に退避させる。これに
より、紫外線照度計15に紫外線が届かなくなり、故に
紫外線照度計15の紫外線損傷による劣化を軽減でき
る。なお、紫外線照度計15を紫外線到達領域URから
退避させるタイミングは、紫外線照度計15による測定
が安定するのに適切なタイミングとして、予め制御部1
7のメモリ(図示省略)に記憶しておく。
【0026】そして、誘電体バリア放電ランプ9の点灯
開始から、照度検出部16によって求められた照射時間
t1(ただしt1>>tx)が経過して基板3に必要量の
紫外線エネルギーが与えられた時点で、先に照度検出部
16によって求められた点灯タイミングに基づいて、制
御部17は、ランプ電源調整部18を介してランプ電源
10からの誘電体バリア放電ランプ9への電力供給を停
止し、誘電体バリア放電ランプ9を消灯する。しかる
後、開口19(図2)のシャッタを開き、開口19を介
して基板3を装置外部に搬出する。そして、次に処理す
べき基板3を搬入する前には、再び誘電体バリア放電ラ
ンプ9を点灯させるのである。
【0027】以上のように、この実施の形態によれば、
照度測定に必要な時間だけ紫外線照度計15を上昇させ
て紫外線到達領域UR内に位置決めし、予め設定した適
当な時間が経過すると、紫外線照度計15を降下させて
紫外線到達領域URから退避させているので、紫外線照
度計15に対して与える紫外線エネルギーを抑制でき
る。紫外線照度計15としてフォトダイオード等の一般
的素子を用いた場合、照度測定時間txは長くても1秒
以下であり、他方、基板3への紫外線照射時間t1は一
般に数秒〜数分であり、紫外線照度計15が紫外線にさ
らされる時間txは時間t1と比べてきわめて短いもので
すむ。したがって、紫外線照度計15の紫外線損傷によ
る劣化を顕著に軽減でき、その耐用時間を延長させるこ
とができる。
【0028】なお、図3(b)に示す状態では紫外線照
度計15の外殻上面は基板3の上面よりも上方にある
が、このとき紫外線照度計15の受光面は基板3の上面
と同じ高さにあるよう構成されており、基板3表面での
照度を正確に検出できるようになっている。
【0029】{変形例} (1) 上記実施の形態では、処理すべき基板3の搬入
とほぼ同時に紫外線照度計15を紫外線到達領域UR内
に位置決めしていたが、これに限るものではなく、誘電
体バリア放電ランプ9が点灯してから消灯するまでの間
の途中段階であれば、いつでもよい。この場合、誘電体
バリア放電ランプ9の照射時間t1は、照度計15の測
定完了時点で既にある程度経過してしまっているので、
かかる経過時間を考慮しながら、継続して照射すべき残
りの適正照射時間を求めればよい。
【0030】(2) 上記実施の形態では、紫外線照度
計15による照度測定を行わないときは照度計昇降機構
21によって紫外線照度計15を紫外線到達領域URの
下側に待避させていたが、図5の破線で示すように、紫
外線到達領域URの上側に退避させてもよく、またある
いは側方に退避させてもよい。要するに、照度測定を行
うときには紫外線照度計15が紫外線到達領域UR内へ
入り、行わないときには外へ退避するものであればよ
い。図5においては、紫外線照度計昇降機構21は、照
度測定を行うときには紫外線照度計15を窒素ガスが充
満したランプ空間SPL内へ入れ、退避時においては紫
外線照度計15をランプボックス6の上面に形成した開
口6Aからランプ空間SPL外の空気雰囲気であって紫
外線が到達しない位置へ駆動するものである。窒素ガス
は波長172nmの紫外線を減衰させないので、紫外線
照度計15はかかるランプ空間SPL内の紫外線到達領
域UR内で紫外線の照度を正確に測定でき、また、退避
時においては、紫外線照度計15は空気雰囲気にあり、
かかる空気雰囲気で紫外線が減衰されることで紫外線が
到達しなくなる領域へ退避できる。
【0031】(3) 上記実施の形態では、被処理物で
ある基板3を1枚処理する毎に紫外線照度計15による
照度測定を行っているが、誘電体バリア放電ランプ9の
経時的変化による照度の低下は比較的長時間の間にゆっ
くりと起こるものであるので、例えば50枚の基板の組
からなる1ロットの処理の最初だけに測定を行って紫外
線照射時間t1を設定し、そのロットの処理の間は照度
変化はないものとしてそのロットの全てを同じ条件で処
理をしてもよく、あるいは1日に1回のみ照度測定を行
うといったものでもよい。また、かかる照度測定は、誘
電体バリア放電ランプ9が点灯している状態であれば必
ずしも基板処理空間SPTに基板3が存する時に限ら
ず、例えば基板3の搬入前に行ってもよい。なお、上記
実施の形態のように基板3を1枚処理する毎に、すなわ
ち比較的短い周期で紫外線照度計15による照度測定を
行ってその度に紫外線照射時間t1を設定する構成であ
れば、例えば午前と午後における電源電圧の変動など比
較的短時間の間に起こる照度変化に対しても、基板への
照射光量を一定に保つことができるという効果がある。
【0032】(4) 上記実施の形態では、ステージ部
2を基板ボックス1内の所定位置に固定し、1枚の基板
ごとに誘電体バリア放電ランプ9の点灯・消灯をランプ
電源10によって切り換えていたが、図示しないステー
ジ昇降機構によりステージ2aを昇降駆動するよう構成
してもよい。この場合、所定量の紫外線エネルギーが基
板3に与えられた時点、すなわち、基板処理開始時点か
ら前述の照射時間t1が経過した時点で、ステージ昇降
機構によってステージ2aを降下させて基板3を紫外線
到達領域外乱に待避させれば、紫外線ランプを消灯させ
ることなく、適量の紫外線エネルギーを基板に与えるこ
とができる。
【0033】(5) 上記実施の形態では、紫外線照度
計15を上昇させて紫外線到達領域UR内に位置決めす
る前に誘電体バリア放電ランプ9を点灯しているが、誘
電体バリア放電ランプ9は通電後短時間(1秒以下)に
安定化するので、紫外線照度計15の紫外線到達領域U
R内への位置決め後に誘電体バリア放電ランプ9を点灯
させるようにしてもよい。
【0034】(6) 上記実施の形態では、基板を空気
雰囲気に置き、紫外線ランプとして中心波長172nm
の誘電体バリア放電ランプ9を用いているが、これ以外
の紫外線ランプ、例えば低圧水銀ランプを用いてもよ
い。中心波長が160nmないし195nmの紫外線を
発する紫外線ランプの例としては、誘電体バリア放電ラ
ンプであれば、上述したものの他、放電ガスとしてAr
Br,ArCl,ArFを用いたもの等があげられる。
これらはそれぞれ、中心波長が165nm,175n
m,193nmの紫外線を発するものであり、基板処理
空間SPTを空気雰囲気として、基板の処理と紫外線照
度計15による照度測定とを空気雰囲気において行う場
合に適している。また、基板処理空間SPTを空気以外
の雰囲気にして処理する場合においては、波長と紫外線
到達距離との関係が雰囲気の種類によって大きく異な
り、各種雰囲気中におけるこの関係を図6に示す。窒素
ガス(N2)や水素ガス(H2)雰囲気では、100nm
以下の波長で上記実施の形態(空気雰囲気)と同様の減
衰が始まる。また、オゾン(O3)雰囲気では200n
mないし300nmで同様の減衰が始まる。さらに、ヘ
リウム(He)雰囲気、ネオン(Ne)雰囲気およびア
ルゴン(Ar)雰囲気では、それぞれ58.4nm以
下、74.3nm以下および106.6nm以下で同様
の減衰が始まる。したがって、雰囲気と紫外線の波長と
を総合的に判断して紫外線ランプを選択する必要があ
る。
【0035】(7) さらにまた、上記実施の形態で
は、8本の誘電体バリア放電ランプ9により基板に紫外
線を照射するようにしているが、誘電体バリア放電ラン
プ9の本数は任意であり、1本あるいは複数であっても
よい。
【0036】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、紫外
線ランプから出射された紫外線が到達する範囲(紫外線
到達領域)が、基板周囲の雰囲気に応じて変化し、紫外
線の波長と雰囲気を適切に組合せることで紫外線到達領
域を数mmないし数百mmに設定可能であることを利用
し、紫外線照度測定時のみ、紫外線が実質的に到達する
紫外線到達領域内に紫外線照度計を位置決めし、紫外線
照度測定の終了後は紫外線到達領域から紫外線照度計を
退避させるので、紫外線照度計の紫外線損傷を軽減でき
る。したがって、紫外線ランプの劣化より紫外線照度計
の劣化を遅くすることができ、紫外線照度計によって紫
外線ランプの劣化を有効に検知できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明にかかる基板処理装置の一の実施の形
態を示す断面図である。
【図2】図1の基板処理装置を示す平面図である。
【図3】図1の基板処理装置の動作を示す断面図であ
る。
【図4】空気雰囲気での波長に対する紫外線の到達距離
を示すグラフである。
【図5】この発明にかかる基板処理装置の変形例を示す
断面図である。
【図6】種々の雰囲気での波長に対する紫外線の到達距
離を示すグラフである。
【図7】従来の基板処理装置の一例を示す断面図であ
る。
【図8】従来の基板処理装置の他の例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
1 基板 2 ステージ部(支持手段) 2a ステージ 2b 支持ピン 3 基板 9 誘電体バリア放電ランプ 10 ランプ電源 15 紫外線照度計 16 照度検出部 17 制御部 18 ランプ電源調整部 20 ランプ調整部 21 紫外線照度計昇降機構 22 照度計測定タイミング制御装置 UR 紫外線到達領域

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 紫外線エネルギーを基板に照射して与え
    る基板処理装置であって、 基板を支持する支持手段と、 前記支持手段に支持された基板に対向して配置され、当
    該基板に向けて紫外線を照射する紫外線ランプと、 紫外線ランプの照度を測定する紫外線照度計と、 前記紫外線照度計を移動させることにより前記紫外線照
    度計の前記紫外線ランプに対する距離を変化させる駆動
    手段と、 前記駆動手段を制御し、前記紫外線ランプからの紫外線
    が実質的に到達する紫外線到達領域内へ前記紫外線照度
    計を位置決めし、且つ、基板への紫外線照射時間より少
    なく設定された紫外線照度測定時間の経過後、前記駆動
    手段を駆動させて前記紫外線照度計を前記紫外線到達領
    域の外に退避させる制御手段と、を備えることを特徴と
    する基板処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置であっ
    て、前記駆動手段は前記紫外線照度計を空気雰囲気にお
    いて紫外線到達領域の外へ駆動するものであり、しかも
    前記紫外線ランプから出射される紫外線の波長が160
    nmないし195nmであることを特徴とする、基板処
    理装置。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の基板処理装置であっ
    て、前記紫外線ランプが誘電体バリア放電ランプである
    ことを特徴とする基板処理装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000068330A1 (fr) * 1999-05-10 2000-11-16 Shunichi Haruyama Film organique-inorganique, composition liquide de depart afferente et son procede de preparation et ses applications et leur procede de preparation
JP2005271582A (ja) * 2004-02-27 2005-10-06 Konica Minolta Holdings Inc 画像記録装置
JP2010214294A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Ushio Inc 紫外線照射装置
JP2016155245A (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 リョービMhiグラフィックテクノロジー株式会社 印刷機

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000068330A1 (fr) * 1999-05-10 2000-11-16 Shunichi Haruyama Film organique-inorganique, composition liquide de depart afferente et son procede de preparation et ses applications et leur procede de preparation
JP2005271582A (ja) * 2004-02-27 2005-10-06 Konica Minolta Holdings Inc 画像記録装置
JP4710349B2 (ja) * 2004-02-27 2011-06-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 画像記録装置
JP2010214294A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Ushio Inc 紫外線照射装置
JP2016155245A (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 リョービMhiグラフィックテクノロジー株式会社 印刷機

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