JPH0982672A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
- Publication number
- JPH0982672A JPH0982672A JP26212995A JP26212995A JPH0982672A JP H0982672 A JPH0982672 A JP H0982672A JP 26212995 A JP26212995 A JP 26212995A JP 26212995 A JP26212995 A JP 26212995A JP H0982672 A JPH0982672 A JP H0982672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ultraviolet rays
- ultraviolet
- gas
- lamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に対し処理に最適な量の紫外線を照射す
ることのできる基板処理装置および基板処理方法を提供
することを目的とする。 【解決手段】 基板処理装置1は、基板3を収納する処
理室5と、基板を支持する支持ピン11と、低圧水銀ラ
ンプ7を覆うランプカバー9と、2枚の石英板17a、
17bより形成される気密室19と、開閉バルブ25を
介して酸素ガス供給源27と連結した導入口23と、開
閉バルブ31を介して真空ポンプ33に連結した排出口
29と、開閉バルブ25を駆動して気密室19への酸素
ガスの供給を制御する供給制御部37と、開閉バルブ3
1および真空ポンプ33を駆動して気密室19内のガス
の排出を制御する排出制御部39とを備える。
ることのできる基板処理装置および基板処理方法を提供
することを目的とする。 【解決手段】 基板処理装置1は、基板3を収納する処
理室5と、基板を支持する支持ピン11と、低圧水銀ラ
ンプ7を覆うランプカバー9と、2枚の石英板17a、
17bより形成される気密室19と、開閉バルブ25を
介して酸素ガス供給源27と連結した導入口23と、開
閉バルブ31を介して真空ポンプ33に連結した排出口
29と、開閉バルブ25を駆動して気密室19への酸素
ガスの供給を制御する供給制御部37と、開閉バルブ3
1および真空ポンプ33を駆動して気密室19内のガス
の排出を制御する排出制御部39とを備える。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
や液晶表示パネル製造装置などにおいて、半導体ウエハ
や液晶用ガラス基板(以下「基板」と総称する)に対し
紫外線を照射してその処理を行う基板処理装置および基
板処理方法に関する。
や液晶表示パネル製造装置などにおいて、半導体ウエハ
や液晶用ガラス基板(以下「基板」と総称する)に対し
紫外線を照射してその処理を行う基板処理装置および基
板処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の基板処理装置としては、基板を
水平姿勢で支持する支持手段の上方位置に低圧水銀ラン
プ等の紫外線ランプを配設し、この紫外線ランプを常時
点灯することにより、基板支持手段上に搬送された基板
の表面に紫外線を照射するものが知られている。このよ
うな装置においては、搬送装置により支持手段上に搬送
された基板は、所定のタクトタイムが終了するまで支持
手段上に載置され、その間連続して紫外線の照射を受け
る。
水平姿勢で支持する支持手段の上方位置に低圧水銀ラン
プ等の紫外線ランプを配設し、この紫外線ランプを常時
点灯することにより、基板支持手段上に搬送された基板
の表面に紫外線を照射するものが知られている。このよ
うな装置においては、搬送装置により支持手段上に搬送
された基板は、所定のタクトタイムが終了するまで支持
手段上に載置され、その間連続して紫外線の照射を受け
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
装置においては、支持手段上に搬送された基板はそこか
ら排出されるまで紫外線の照射を受け続ける構成である
ため、必要以上の紫外線の照射を受けてしまう場合があ
るという問題点がある。すなわち、基板のタクトタイム
は基板の処理全体のタクトにより定められるため一定で
あるのに対し、基板の紫外線照射処理に必要な紫外線の
照射時間は基板のレイヤー(膜種)によって異なること
から、基板の種類によっては基板に照射される紫外線が
必要以上に多くなってしまう。その結果、基板が白濁し
てしまう等のダメージを受ける場合がある。
装置においては、支持手段上に搬送された基板はそこか
ら排出されるまで紫外線の照射を受け続ける構成である
ため、必要以上の紫外線の照射を受けてしまう場合があ
るという問題点がある。すなわち、基板のタクトタイム
は基板の処理全体のタクトにより定められるため一定で
あるのに対し、基板の紫外線照射処理に必要な紫外線の
照射時間は基板のレイヤー(膜種)によって異なること
から、基板の種類によっては基板に照射される紫外線が
必要以上に多くなってしまう。その結果、基板が白濁し
てしまう等のダメージを受ける場合がある。
【0004】これを解決するためには、基板に必要量の
紫外線が照射された時点で紫外線ランプを消灯させるこ
とが考えられるが、低圧水銀ランプ等の紫外線ランプは
一旦消灯すると、再点灯後定常状態で安定するまで長い
時間が必要であることから、その間においては基板を安
定して処理することが不可能となる。
紫外線が照射された時点で紫外線ランプを消灯させるこ
とが考えられるが、低圧水銀ランプ等の紫外線ランプは
一旦消灯すると、再点灯後定常状態で安定するまで長い
時間が必要であることから、その間においては基板を安
定して処理することが不可能となる。
【0005】また、基板と紫外線ランプとの間にシャッ
ターを設け、紫外線ランプからの紫外線をシャッターに
より遮断することも考えられるが、基板上方でシャッタ
ーを移動させると基板上にパーティクルが降下すること
から現実的でない。
ターを設け、紫外線ランプからの紫外線をシャッターに
より遮断することも考えられるが、基板上方でシャッタ
ーを移動させると基板上にパーティクルが降下すること
から現実的でない。
【0006】この発明は、上記課題を解決するためにな
されたものであり、基板に対し処理に最適な量の紫外線
を照射することのできる基板処理装置および基板処理方
法を提供することを目的とする。
されたものであり、基板に対し処理に最適な量の紫外線
を照射することのできる基板処理装置および基板処理方
法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、紫外線を基板表面に照射して基板を処理する基板処
理装置であって、基板を支持する支持手段と、前記支持
手段に支持された基板に対し紫外線を照射する紫外線ラ
ンプと、前記支持手段に支持された基板と前記紫外線ラ
ンプとの間に配置された2枚の紫外線透過板を備える気
密室と、紫外線を減衰させる気体を供給する気体供給源
と、前記紫外線ランプによる基板への紫外線照射の開始
から一定時間経過後に、前記気体供給源から前記気密室
に気体を供給する気体供給手段とを備えている。このよ
うな構成により、基板の処理に必要な量の紫外線が照射
された後に気密室内に紫外線を減衰させる気体を供給す
ることによって、それ以降の基板への紫外線の照射を防
止できる。
は、紫外線を基板表面に照射して基板を処理する基板処
理装置であって、基板を支持する支持手段と、前記支持
手段に支持された基板に対し紫外線を照射する紫外線ラ
ンプと、前記支持手段に支持された基板と前記紫外線ラ
ンプとの間に配置された2枚の紫外線透過板を備える気
密室と、紫外線を減衰させる気体を供給する気体供給源
と、前記紫外線ランプによる基板への紫外線照射の開始
から一定時間経過後に、前記気体供給源から前記気密室
に気体を供給する気体供給手段とを備えている。このよ
うな構成により、基板の処理に必要な量の紫外線が照射
された後に気密室内に紫外線を減衰させる気体を供給す
ることによって、それ以降の基板への紫外線の照射を防
止できる。
【0008】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の発明において、さらに、気密室内より紫外線を
減衰させる気体を排出させる排出手段を備えている。こ
のような構成により、連続して基板を処理する場合に、
気密室内から紫外線を減衰するガスを速やかに排出して
次の基板の処理を行うことができる。
に記載の発明において、さらに、気密室内より紫外線を
減衰させる気体を排出させる排出手段を備えている。こ
のような構成により、連続して基板を処理する場合に、
気密室内から紫外線を減衰するガスを速やかに排出して
次の基板の処理を行うことができる。
【0009】さらに、請求項3に記載の発明は、紫外線
を基板表面に照射して基板を処理する基板処理方法であ
って、紫外線ランプを点灯する行程と、前記紫外線ラン
プと対向する位置に基板を搬送して、基板に紫外線を照
射する行程と、前記紫外線ランプと前記基板との間に配
置された2枚の紫外線透過板を備える気密室内に紫外線
を減衰させる気体を供給する行程と、前記基板を前記紫
外線ランプと対向する位置から搬出する行程と、前記気
密室内から紫外線を減衰させる気体を排気する行程とか
らなる。このような構成により、基板の処理に必要な量
の紫外線が照射された後に気密室内に紫外線を減衰させ
る気体を供給することによって、それ以降の基板への紫
外線の照射を防止でき、また、基板の搬出後に気密室内
から紫外線を減衰するガスを排出することによって、次
の基板の処理を連続して行うことができる。
を基板表面に照射して基板を処理する基板処理方法であ
って、紫外線ランプを点灯する行程と、前記紫外線ラン
プと対向する位置に基板を搬送して、基板に紫外線を照
射する行程と、前記紫外線ランプと前記基板との間に配
置された2枚の紫外線透過板を備える気密室内に紫外線
を減衰させる気体を供給する行程と、前記基板を前記紫
外線ランプと対向する位置から搬出する行程と、前記気
密室内から紫外線を減衰させる気体を排気する行程とか
らなる。このような構成により、基板の処理に必要な量
の紫外線が照射された後に気密室内に紫外線を減衰させ
る気体を供給することによって、それ以降の基板への紫
外線の照射を防止でき、また、基板の搬出後に気密室内
から紫外線を減衰するガスを排出することによって、次
の基板の処理を連続して行うことができる。
【0010】なお、この明細書で述べる紫外線を減衰さ
せる気体とは、紫外線ランプから出射される紫外線のう
ち、少なくとも、その波長と出射量との関係から過度の
露光により基板にダメージを与える波長の紫外線を吸収
して減衰させる紫外線の吸収帯を有する気体を指し、気
密室に供給された後に紫外線の照射を受けて紫外線を減
衰する気体に変換される気体をも含む。
せる気体とは、紫外線ランプから出射される紫外線のう
ち、少なくとも、その波長と出射量との関係から過度の
露光により基板にダメージを与える波長の紫外線を吸収
して減衰させる紫外線の吸収帯を有する気体を指し、気
密室に供給された後に紫外線の照射を受けて紫外線を減
衰する気体に変換される気体をも含む。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいてこの発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【0012】図1はこの発明に係る基板処理装置1の実
施形態を示す側断面図である。
施形態を示す側断面図である。
【0013】この基板処理装置1は、液晶用ガラス基板
に対し紫外線を照射してオゾンを発生させ、基板表面の
有機物を分解し、基板表面を親水化させて後段の処理に
おける洗浄効果を高めるために使用されるものであり、
処理を行うべき基板3を収納する処理室5と、8本の低
圧水銀ランプ7を覆うランプカバー9とを備える。
に対し紫外線を照射してオゾンを発生させ、基板表面の
有機物を分解し、基板表面を親水化させて後段の処理に
おける洗浄効果を高めるために使用されるものであり、
処理を行うべき基板3を収納する処理室5と、8本の低
圧水銀ランプ7を覆うランプカバー9とを備える。
【0014】処理室5の底面部には、複数の支持ピン1
1が突設されており、これらの支持ピン11により基板
3が支持される。これらの支持ピン11は、昇降駆動源
13により基板3を支持して昇降する。なお、処理室5
の底部外周には、処理室5内を排気するための排気口1
5が設けられている。
1が突設されており、これらの支持ピン11により基板
3が支持される。これらの支持ピン11は、昇降駆動源
13により基板3を支持して昇降する。なお、処理室5
の底部外周には、処理室5内を排気するための排気口1
5が設けられている。
【0015】低圧水銀ランプ7は、主として185nm
および254nmをピークとする波長の紫外線を照射す
るものであり、電源中継ボックス16を介してランプ電
源18に接続されている。また、ランプカバー9と低圧
水銀ランプ7との間には反射板21が配設されており、
低圧水銀ランプ7からの紫外線は効率よく基板3側に導
かれる。
および254nmをピークとする波長の紫外線を照射す
るものであり、電源中継ボックス16を介してランプ電
源18に接続されている。また、ランプカバー9と低圧
水銀ランプ7との間には反射板21が配設されており、
低圧水銀ランプ7からの紫外線は効率よく基板3側に導
かれる。
【0016】処理室5とランプカバー9との間には、互
いに平行に配置された2枚の石英板17a、17bが配
設されており、これらの石英板17a、17bにより気
密室19が形成される。
いに平行に配置された2枚の石英板17a、17bが配
設されており、これらの石英板17a、17bにより気
密室19が形成される。
【0017】低圧水銀ランプ7からの紫外線は、2枚の
石英板17a、17bを介して基板3に照射される。こ
のため、石英板17a、17bとしては、紫外線をでき
る限り減衰することなく透過させるものを採用すること
が必要となる。このような材質として、例えば無水合成
石英等を利用することができる。但し、紫外線を減衰さ
せない材質であれば、石英以外のものを使用してもよ
い。
石英板17a、17bを介して基板3に照射される。こ
のため、石英板17a、17bとしては、紫外線をでき
る限り減衰することなく透過させるものを採用すること
が必要となる。このような材質として、例えば無水合成
石英等を利用することができる。但し、紫外線を減衰さ
せない材質であれば、石英以外のものを使用してもよ
い。
【0018】図1に示す気密室19の左側部には酸素ガ
スの導入口23が設けられており、この導入口23は開
閉バルブ25を介して酸素ガス供給源27と連結してい
る。酸素ガス供給源27から供給された酸素ガスはこの
導入口23から気密室19内に導入される。
スの導入口23が設けられており、この導入口23は開
閉バルブ25を介して酸素ガス供給源27と連結してい
る。酸素ガス供給源27から供給された酸素ガスはこの
導入口23から気密室19内に導入される。
【0019】一方、気密室19の右側部には、ガスの排
出口29が設けられており、この排出口29は開閉バル
ブ31を介して真空ポンプ33と連結している。導入口
23から導入されたガスは、真空ポンプ33の作用によ
り、この排出口29から排出される。なお、真空ポンプ
33に換えて排気ブロアーを使用することもできる。こ
こで、後述するように、排出口29から排出される気体
にはオゾンが含まれることから、ガスの排出経路にオゾ
ンガス用のフィルタを設けることが好ましい。
出口29が設けられており、この排出口29は開閉バル
ブ31を介して真空ポンプ33と連結している。導入口
23から導入されたガスは、真空ポンプ33の作用によ
り、この排出口29から排出される。なお、真空ポンプ
33に換えて排気ブロアーを使用することもできる。こ
こで、後述するように、排出口29から排出される気体
にはオゾンが含まれることから、ガスの排出経路にオゾ
ンガス用のフィルタを設けることが好ましい。
【0020】さらに、この基板処理装置1は、装置全体
を制御する制御部35を備えている。この制御部35
は、開閉バルブ25を駆動して気密室19への酸素ガス
の供給を制御する供給制御部37と、開閉バルブ31お
よび真空ポンプ33を駆動して気密室19内のガスの排
出を制御する排出制御部39とを備える。また、制御部
35は、前述した昇降駆動源13およびランプ電源18
と電気的に接続されている。
を制御する制御部35を備えている。この制御部35
は、開閉バルブ25を駆動して気密室19への酸素ガス
の供給を制御する供給制御部37と、開閉バルブ31お
よび真空ポンプ33を駆動して気密室19内のガスの排
出を制御する排出制御部39とを備える。また、制御部
35は、前述した昇降駆動源13およびランプ電源18
と電気的に接続されている。
【0021】次に、この基板処理装置1における基板処
理工程について説明する。図2は、基板処理装置1にお
ける基板の処理工程を示すフローチャートである。
理工程について説明する。図2は、基板処理装置1にお
ける基板の処理工程を示すフローチャートである。
【0022】最初の基板3を処理するに先立ち、予め低
圧水銀ランプ7を点灯させる(ステップS1)。そし
て、低圧水銀ランプ7より照射される紫外線の光量が安
定するのを待つ(ステップS2)。通常、低圧水銀ラン
プ7の光量が安定するまでには、10〜30分程度の時
間を要する。なお、このとき気密室19内の気体は予め
排出されており、開閉バルブ25および31は閉じられ
ている。
圧水銀ランプ7を点灯させる(ステップS1)。そし
て、低圧水銀ランプ7より照射される紫外線の光量が安
定するのを待つ(ステップS2)。通常、低圧水銀ラン
プ7の光量が安定するまでには、10〜30分程度の時
間を要する。なお、このとき気密室19内の気体は予め
排出されており、開閉バルブ25および31は閉じられ
ている。
【0023】低圧水銀ランプ7の光量が安定すれば、図
示しない搬送装置により、最初に処理を行うべき基板3
を処理室5に搬入して、支持ピン11上に載置する(ス
テップS3)。そして、適切な照度を得るために、昇降
駆動源13により支持ピン11が上昇してそこに支持し
た基板3を石英板17bに近接させる。これにより、低
圧水銀ランプ7からの紫外線は、石英板17a、17b
を介して基板3に照射され、基板3の処理が行われる。
示しない搬送装置により、最初に処理を行うべき基板3
を処理室5に搬入して、支持ピン11上に載置する(ス
テップS3)。そして、適切な照度を得るために、昇降
駆動源13により支持ピン11が上昇してそこに支持し
た基板3を石英板17bに近接させる。これにより、低
圧水銀ランプ7からの紫外線は、石英板17a、17b
を介して基板3に照射され、基板3の処理が行われる。
【0024】基板3を処理室5に搬入することにより基
板3への紫外線の照射を開始してから基板3の処理に必
要な時間が経過すれば(ステップS4)、供給制御部3
7の指令により開閉バルブ25を開放し、酸素ガス供給
源27より気密室19内に酸素ガスを供給する。気密室
19内に所定量の酸素ガスが供給されれば、開閉バルブ
25を閉鎖する(ステップS5)。
板3への紫外線の照射を開始してから基板3の処理に必
要な時間が経過すれば(ステップS4)、供給制御部3
7の指令により開閉バルブ25を開放し、酸素ガス供給
源27より気密室19内に酸素ガスを供給する。気密室
19内に所定量の酸素ガスが供給されれば、開閉バルブ
25を閉鎖する(ステップS5)。
【0025】低圧水銀ランプ7から照射される紫外線
は、前述したようにその波長が185nmおよび254
nmにおいてピークを有するが、気密室19に供給され
た酸素ガス中の酸素分子は、これらの紫外線のうち波長
が185nmの紫外線を減衰させる。このため、基板3
にダメージを与える波長185nmの紫外線の基板3へ
の照射が防止される。また、気密室19に供給された酸
素ガス中の酸素分子は、波長185nmの紫外線により
オゾン分子に変換される。このオゾン分子は、波長が約
300nm以下の紫外線を減衰させる。このため、さら
に波長254nmの紫外線の基板3への照射も防止され
る。従って、基板3の処理に必要な時間の経過後に気密
室19内に酸素ガスを供給することによって、実質的に
低圧水銀ランプ7を消灯させた場合と同様の状態を作り
出すことができ、基板3への必要以上の紫外線照射によ
り基板3がダメージを受けることを防止できる。
は、前述したようにその波長が185nmおよび254
nmにおいてピークを有するが、気密室19に供給され
た酸素ガス中の酸素分子は、これらの紫外線のうち波長
が185nmの紫外線を減衰させる。このため、基板3
にダメージを与える波長185nmの紫外線の基板3へ
の照射が防止される。また、気密室19に供給された酸
素ガス中の酸素分子は、波長185nmの紫外線により
オゾン分子に変換される。このオゾン分子は、波長が約
300nm以下の紫外線を減衰させる。このため、さら
に波長254nmの紫外線の基板3への照射も防止され
る。従って、基板3の処理に必要な時間の経過後に気密
室19内に酸素ガスを供給することによって、実質的に
低圧水銀ランプ7を消灯させた場合と同様の状態を作り
出すことができ、基板3への必要以上の紫外線照射によ
り基板3がダメージを受けることを防止できる。
【0026】なお、2枚の石英板17a、17bは互い
に平行に配置されているため、紫外線は気密室19全面
において均一な状態で減衰される。このため、基板3へ
の紫外線の照射量は基板3の表面全体において均一とな
る。
に平行に配置されているため、紫外線は気密室19全面
において均一な状態で減衰される。このため、基板3へ
の紫外線の照射量は基板3の表面全体において均一とな
る。
【0027】その後、所定のタクトタイムが経過すれば
(ステップS6)、支持ピン11を下降させるととも
に、図示しない搬送装置により処理室5から基板3を搬
出する(ステップS7)。
(ステップS6)、支持ピン11を下降させるととも
に、図示しない搬送装置により処理室5から基板3を搬
出する(ステップS7)。
【0028】基板3が処理室5より搬出されれば、排気
制御部39の指令により、開閉バルブ31が開放される
とともに真空ポンプ33が作動する。そして、気密室1
9内に残存する酸素分子およびオゾン分子から成る気体
を排気部41に排出する(ステップS8)。気密室19
内の気体が排出されれば、排気制御部39の指令によ
り、真空ポンプ33を停止するとともに開閉バルブ31
を閉鎖する。そして、次に処理すべき基板3を処理室5
へ搬入し(ステップS3)、最初に処理を行った基板3
と同様の処理(ステップS4〜S8)を行う。処理を行
うべき基板3の処理がすべて終了すれば(ステップS
9)、低圧水銀ランプ7を消灯し(ステップS10)、
基板処理装置1を停止させる。
制御部39の指令により、開閉バルブ31が開放される
とともに真空ポンプ33が作動する。そして、気密室1
9内に残存する酸素分子およびオゾン分子から成る気体
を排気部41に排出する(ステップS8)。気密室19
内の気体が排出されれば、排気制御部39の指令によ
り、真空ポンプ33を停止するとともに開閉バルブ31
を閉鎖する。そして、次に処理すべき基板3を処理室5
へ搬入し(ステップS3)、最初に処理を行った基板3
と同様の処理(ステップS4〜S8)を行う。処理を行
うべき基板3の処理がすべて終了すれば(ステップS
9)、低圧水銀ランプ7を消灯し(ステップS10)、
基板処理装置1を停止させる。
【0029】なお、上記実施の形態においては、基板3
の処理に必要な時間の経過後に気密室19内に酸素ガス
を供給する場合について述べたが、基板3を処理室5に
搬入する前に予め気密室19内に酸素ガスを供給してお
き、タクトタイムT1と基板の処理に必要な時間T2と
の時間差T1−T2の経過後に処理室19内からガスを
排出して基板3への紫外線の照射を開始することによ
り、基板3に必要な時間T2だけ紫外線を照射する構成
としてもよい。
の処理に必要な時間の経過後に気密室19内に酸素ガス
を供給する場合について述べたが、基板3を処理室5に
搬入する前に予め気密室19内に酸素ガスを供給してお
き、タクトタイムT1と基板の処理に必要な時間T2と
の時間差T1−T2の経過後に処理室19内からガスを
排出して基板3への紫外線の照射を開始することによ
り、基板3に必要な時間T2だけ紫外線を照射する構成
としてもよい。
【0030】また、上記実施の形態においては、紫外線
を減衰させる気体として酸素ガスを使用し、酸素分子と
酸素分子より変換したオゾン分子とにより波長185n
mおよび254nmの紫外線を減衰させる場合について
説明したが、照射される紫外線の波長や気密室19を形
成する2枚の石英板17a、17b間の距離等に応じ
て、他の気体を採用することも可能である。
を減衰させる気体として酸素ガスを使用し、酸素分子と
酸素分子より変換したオゾン分子とにより波長185n
mおよび254nmの紫外線を減衰させる場合について
説明したが、照射される紫外線の波長や気密室19を形
成する2枚の石英板17a、17b間の距離等に応じ
て、他の気体を採用することも可能である。
【0031】例えば、上記実施の形態において、酸素ガ
スに換えて酸素濃度が約20%の空気を供給した場合、
空気中の酸素分子が紫外線によりオゾン分子に変換され
て気密室19内のオゾン濃度は約150〜250ppm
となる。この場合においても、300nm以下の波長の
紫外線の減衰により、2枚の石英板17a、17b間の
距離を20mm程度とすれば、紫外線による基板3への
ダメージの付与を実質的に防止することができる。ま
た、気密室19に数千PPM程度の濃度を有するオゾン
ガスを直接供給した場合には、2枚の石英板17a、1
7b間の距離を数mm程度とした場合であっても、紫外
線をほぼ完全に遮断することができる。
スに換えて酸素濃度が約20%の空気を供給した場合、
空気中の酸素分子が紫外線によりオゾン分子に変換され
て気密室19内のオゾン濃度は約150〜250ppm
となる。この場合においても、300nm以下の波長の
紫外線の減衰により、2枚の石英板17a、17b間の
距離を20mm程度とすれば、紫外線による基板3への
ダメージの付与を実質的に防止することができる。ま
た、気密室19に数千PPM程度の濃度を有するオゾン
ガスを直接供給した場合には、2枚の石英板17a、1
7b間の距離を数mm程度とした場合であっても、紫外
線をほぼ完全に遮断することができる。
【0032】さらに、紫外線ランプとして波長172n
mの紫外線を中心波長として照射する誘電体バリア放電
ランプ等を使用する場合には、気体として空気を使用し
た場合であっても、この波長の紫外線は空気中において
約10mmで減衰することおよび空気中の酸素分子がオ
ゾン分子に変換することより、2枚の石英板17a、1
7b間の距離を数mm程度としても、紫外線をほぼ完全
に遮断することができる。
mの紫外線を中心波長として照射する誘電体バリア放電
ランプ等を使用する場合には、気体として空気を使用し
た場合であっても、この波長の紫外線は空気中において
約10mmで減衰することおよび空気中の酸素分子がオ
ゾン分子に変換することより、2枚の石英板17a、1
7b間の距離を数mm程度としても、紫外線をほぼ完全
に遮断することができる。
【0033】また、上記実施の形態においては、真空ポ
ンプ33等により気密室19内の気体を排出するものに
ついて述べたが、導入口23から基板3の処理に利用す
る紫外線を減衰させない窒素ガス等の気体を供給して気
密室19内をパージすることにより、紫外線を減衰させ
る気体を気密室19から排出させる構成とすることもで
きる。
ンプ33等により気密室19内の気体を排出するものに
ついて述べたが、導入口23から基板3の処理に利用す
る紫外線を減衰させない窒素ガス等の気体を供給して気
密室19内をパージすることにより、紫外線を減衰させ
る気体を気密室19から排出させる構成とすることもで
きる。
【0034】さらに、上記実施の形態においては、紫外
線ランプとして低圧水銀ランプ7を使用した場合につい
て述べたが、他の紫外線ランプを使用した場合において
も、この発明は同様に適用することができる。
線ランプとして低圧水銀ランプ7を使用した場合につい
て述べたが、他の紫外線ランプを使用した場合において
も、この発明は同様に適用することができる。
【0035】また、上記実施の形態においては、基板3
に対し紫外線を照射してオゾンを発生させ、基板表面の
有機物を分解し、基板表面を親水化させて後段の処理に
おける洗浄効果を高めるために使用される基板処理装置
1にこの発明を適用したものについて説明したが、この
発明は、基板3に対し紫外線を照射するその他の基板処
理装置にも同様に適用することができる。
に対し紫外線を照射してオゾンを発生させ、基板表面の
有機物を分解し、基板表面を親水化させて後段の処理に
おける洗浄効果を高めるために使用される基板処理装置
1にこの発明を適用したものについて説明したが、この
発明は、基板3に対し紫外線を照射するその他の基板処
理装置にも同様に適用することができる。
【0036】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、紫外線
ランプによる基板への紫外線照射の開始から一定時間経
過後に気密室内に紫外線を減衰させる気体を供給するこ
とにより、パーティクル等を発生させることなく紫外線
を遮断して、過度の紫外線照射による基板へのダメージ
の付与を防止することができる。
ランプによる基板への紫外線照射の開始から一定時間経
過後に気密室内に紫外線を減衰させる気体を供給するこ
とにより、パーティクル等を発生させることなく紫外線
を遮断して、過度の紫外線照射による基板へのダメージ
の付与を防止することができる。
【0037】また、請求項2に記載の発明によれば、気
密室内より紫外線を減衰させる気体を排出することによ
り、次の基板を連続して処理することができる。
密室内より紫外線を減衰させる気体を排出することによ
り、次の基板を連続して処理することができる。
【0038】さらに、請求項3に記載の発明によれば、
基板の処理に必要な量の紫外線が照射された後に気密室
内に紫外線を減衰させる気体を供給することによって、
それ以降の基板への紫外線の照射を防止でき、また、基
板の搬出後に気密室内から紫外線を減衰するガスを排出
することによって、次の基板の処理を連続して行うこと
ができる。
基板の処理に必要な量の紫外線が照射された後に気密室
内に紫外線を減衰させる気体を供給することによって、
それ以降の基板への紫外線の照射を防止でき、また、基
板の搬出後に気密室内から紫外線を減衰するガスを排出
することによって、次の基板の処理を連続して行うこと
ができる。
【図1】この発明に係る基板処理装置の第1の実施形態
を示す側断面図である。
を示す側断面図である。
【図2】基板の処理を示すフローチャートである。
1 基板処理装置 3 基板 5 処理室 7 低圧水銀ランプ 11 支持ピン 17a、17b 石英板 19 気密室 23 導入口 25 開閉バルブ 27 酸素ガス供給源 29 排出口 31 開閉バルブ 33 真空ポンプ 37 供給制御部 39 排出制御部
Claims (3)
- 【請求項1】 紫外線を基板表面に照射して基板を処理
する基板処理装置であって、 基板を支持する支持手段と、 前記支持手段に支持された基板に対し紫外線を照射する
紫外線ランプと、 前記支持手段に支持された基板と前記紫外線ランプとの
間に配置された2枚の紫外線透過板を備える気密室と、 紫外線を減衰させる気体を供給する気体供給源と、 前記紫外線ランプによる基板への紫外線照射の開始から
一定時間経過後に、前記気体供給源から前記気密室に気
体を供給する気体供給手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項2】 気密室内より紫外線を減衰させる気体を
排出させる排出手段を備える請求項1に記載の基板処理
装置。 - 【請求項3】 紫外線を基板表面に照射して基板を処理
する基板処理方法であって、 紫外線ランプを点灯する行程と、 前記紫外線ランプと対向する位置に基板を搬送して、基
板に紫外線を照射する行程と、 前記紫外線ランプと前記基板との間に配置された2枚の
紫外線透過板を備える気密室内に紫外線を減衰させる気
体を供給する行程と、 前記基板を前記紫外線ランプと対向する位置から搬出す
る行程と、 前記気密室内から紫外線を減衰させる気体を排気する行
程と、 からなる基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26212995A JPH0982672A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26212995A JPH0982672A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0982672A true JPH0982672A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17371460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26212995A Pending JPH0982672A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0982672A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007240715A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
-
1995
- 1995-09-13 JP JP26212995A patent/JPH0982672A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007240715A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI608871B (zh) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, substrate processing system, and memory medium | |
JP3166065B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JP2001137800A (ja) | 基板処理装置及び処理方法 | |
JP3315843B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2016046515A (ja) | 疎水化処理方法、疎水化処理装置及び疎水化処理用記録媒体 | |
JP2001300451A (ja) | 紫外光照射装置 | |
JP2001332488A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH0982672A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6924661B2 (ja) | 露光装置、基板処理装置、露光方法および基板処理方法 | |
WO2018159006A1 (ja) | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 | |
JP4435542B2 (ja) | 絶縁膜形成装置 | |
JPH11347506A (ja) | Uv洗浄装置 | |
US11256172B2 (en) | Light irradiating device, light irradiating method and recording medium | |
JP3174691B2 (ja) | 基板交換装置 | |
JP3027686B2 (ja) | 紫外線照射装置 | |
JP3645031B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004162124A (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
JP3440170B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102136128B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 노즐 유닛 | |
JP2001176865A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JP4382190B2 (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
JP2001217216A (ja) | 紫外線照射方法及び装置 | |
JP2002158203A (ja) | 基板の紫外線処理方法及び装置 | |
JP2702697B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
KR100327880B1 (ko) | 자외선 조사장치 |