JPH09326447A - 弾性表面波素子又はｉｃ封入パッケージ - Google Patents
弾性表面波素子又はｉｃ封入パッケージInfo
- Publication number
- JPH09326447A JPH09326447A JP8140442A JP14044296A JPH09326447A JP H09326447 A JPH09326447 A JP H09326447A JP 8140442 A JP8140442 A JP 8140442A JP 14044296 A JP14044296 A JP 14044296A JP H09326447 A JPH09326447 A JP H09326447A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base plate
- acoustic wave
- surface acoustic
- package
- cover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Abstract
(57)【要約】
【課題】弾性表面波素子又はＩＣのチップの封入パッケ
ージにおける厳しい気密条件を満足し、酸素や水分に対
する酸化から確実に保護できる健全なる弾性表面波素子
又はＩＣ封入パッケージを提供する。 【解決手段】ベース板３にカバー４を閉合して成る筺体
内に弾性表面波素子又はＩＣ２を封入し、該弾性表面波
素子又はＩＣ２の外部端子たるピン端子６が上記ベース
板３を貫通し植設された弾性表面波素子又はＩＣ封入パ
ッケージであって、上記ベース板３が熱可塑性樹脂で形
成され、上記ピン端子６が上記熱可塑性樹脂の熱可塑性
によりベース板３に圧入されて圧入界面における気密保
持構造が形成されている。
ージにおける厳しい気密条件を満足し、酸素や水分に対
する酸化から確実に保護できる健全なる弾性表面波素子
又はＩＣ封入パッケージを提供する。 【解決手段】ベース板３にカバー４を閉合して成る筺体
内に弾性表面波素子又はＩＣ２を封入し、該弾性表面波
素子又はＩＣ２の外部端子たるピン端子６が上記ベース
板３を貫通し植設された弾性表面波素子又はＩＣ封入パ
ッケージであって、上記ベース板３が熱可塑性樹脂で形
成され、上記ピン端子６が上記熱可塑性樹脂の熱可塑性
によりベース板３に圧入されて圧入界面における気密保
持構造が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はフィルタ又は共振
子として使用される弾性表面波素子の封入パッケージ構
造、又はＩＣの封入パッケージ構造に関する。
子として使用される弾性表面波素子の封入パッケージ構
造、又はＩＣの封入パッケージ構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波素子には表面波フィルタ素子
と表面波共振子が存し、これらはテレビ受像機、ＶＴ
Ｒ、ＶＩＤＥＯ、パソコンなどに幅広く使われている。
近年のマルチメディア時代の突入により携帯電話に見ら
れるような電波電子機器が急増しており、上記弾性表面
波素子の需要は益々高まっている。
と表面波共振子が存し、これらはテレビ受像機、ＶＴ
Ｒ、ＶＩＤＥＯ、パソコンなどに幅広く使われている。
近年のマルチメディア時代の突入により携帯電話に見ら
れるような電波電子機器が急増しており、上記弾性表面
波素子の需要は益々高まっている。
【０００３】表面波フィルタ素子１は図１に示す如く、
タンタル酸リチウム単結晶やニオブ酸リチウム単結晶等
の圧電板１ａの表面に一対の櫛形電極１ｂが設けられた
構造となっている。
タンタル酸リチウム単結晶やニオブ酸リチウム単結晶等
の圧電板１ａの表面に一対の櫛形電極１ｂが設けられた
構造となっている。
【０００４】他方表面波共振子は櫛形電極の配置と端子
数が異なっているが圧電板表面に櫛形電極を設け弾性表
面波を利用している原理は同じである。
数が異なっているが圧電板表面に櫛形電極を設け弾性表
面波を利用している原理は同じである。
【０００５】このような弾性表面波素子はその特性上、
櫛形電極側表面が空間内にあり、且つこの空間は酸素や
水分の浸入を厳しく防ぐ気密空間でなければならない。
酸素は圧電板表面の電極を酸化し、水分は該酸化を助長
し、圧電板に付着してその特性を悪化するからである。
櫛形電極側表面が空間内にあり、且つこの空間は酸素や
水分の浸入を厳しく防ぐ気密空間でなければならない。
酸素は圧電板表面の電極を酸化し、水分は該酸化を助長
し、圧電板に付着してその特性を悪化するからである。
【０００６】図２は従来のピン端子タイプ（スルーホー
ル実装タイプ）の表面波共振子１の密封パッケージ構造
例である。これは金属製のベース板３とこれに閉合され
る金属製のカバー４とにより気密空間を有する筺体を構
成し、圧電板１ａの表面に櫛形電極１ｂを有する表面波
共振子を上記ベース板３の上面に接着剤５を介して接着
する。
ル実装タイプ）の表面波共振子１の密封パッケージ構造
例である。これは金属製のベース板３とこれに閉合され
る金属製のカバー４とにより気密空間を有する筺体を構
成し、圧電板１ａの表面に櫛形電極１ｂを有する表面波
共振子を上記ベース板３の上面に接着剤５を介して接着
する。
【０００７】ピン端子６は上記ベース板３を厚み方向に
貫いて筺体内部から外部へ共振子の電極を電気的に導出
するもので、図示のように該ピン端子６はベース板３を
貫通する部位をガラス製絶縁スリーブ７に挿通し該ガラ
スの融着により界面における気密性を確保すると同時に
ベース板３との絶縁を図る構成としている。
貫いて筺体内部から外部へ共振子の電極を電気的に導出
するもので、図示のように該ピン端子６はベース板３を
貫通する部位をガラス製絶縁スリーブ７に挿通し該ガラ
スの融着により界面における気密性を確保すると同時に
ベース板３との絶縁を図る構成としている。
【０００８】上記ピン端子６の一端は筺体内部において
上記電極１ｂとボンディングワイヤ８で接続され、同他
端はベース板３の下方へ突出され配線回路基板のスルー
ホールとの接続に供される。又アース用ピン端子６′は
ベース板３に絶縁せずに植設されている。
上記電極１ｂとボンディングワイヤ８で接続され、同他
端はベース板３の下方へ突出され配線回路基板のスルー
ホールとの接続に供される。又アース用ピン端子６′は
ベース板３に絶縁せずに植設されている。
【０００９】次に図３は最近急速にその需要が増してい
る表面実装タイプの表面波フィルタ素子１の密封構造例
である。このフィルタ素子１は機能的にはピン端子タイ
プと変わらないが、同素子を配線回路基板に実装する場
合、該回路基板にスルーホール穿孔加工を要せず、回路
基板表面のパターンに直接半田付けし搭載できるように
なっている。
る表面実装タイプの表面波フィルタ素子１の密封構造例
である。このフィルタ素子１は機能的にはピン端子タイ
プと変わらないが、同素子を配線回路基板に実装する場
合、該回路基板にスルーホール穿孔加工を要せず、回路
基板表面のパターンに直接半田付けし搭載できるように
なっている。
【００１０】詳述すると、セラミック製ベース板３′を
用い、このセラミック製ベース板３′には印刷等によ
り、筺体内部から外部へ導出される配線９が施されてお
り、この配線９の一端に接続された筺体内部のベース板
上面の電極１０とフィルタ素子１の電極１ｂとはボンデ
ィングワイヤ８にて接続され、配線９の他端に接続され
たベース板下面の電極１１を配線回路基板への表面実装
に供する。
用い、このセラミック製ベース板３′には印刷等によ
り、筺体内部から外部へ導出される配線９が施されてお
り、この配線９の一端に接続された筺体内部のベース板
上面の電極１０とフィルタ素子１の電極１ｂとはボンデ
ィングワイヤ８にて接続され、配線９の他端に接続され
たベース板下面の電極１１を配線回路基板への表面実装
に供する。
【００１１】上記ベース板３に閉合された金属製カバー
４はコバールリング等の金属製接着剤５′を介してベー
ス板３とシーム溶接等で溶接され筺体内部に気密空間を
形成する気密保持構造が採られている。
４はコバールリング等の金属製接着剤５′を介してベー
ス板３とシーム溶接等で溶接され筺体内部に気密空間を
形成する気密保持構造が採られている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図２、図３の何れの例
も、ベース板３，３′とカバー４は高温で溶接し、密閉
するというプロセス上の困難があり、その気密性につい
ても信頼性に欠ける問題を有している。
も、ベース板３，３′とカバー４は高温で溶接し、密閉
するというプロセス上の困難があり、その気密性につい
ても信頼性に欠ける問題を有している。
【００１３】又図２のピン端子タイプの弾性表面波素子
ではベース板３とピン端子６をガラス製スリーブ７の融
着を介して気密を図るため、その組立と製造プロセス等
により非常に高価となる。
ではベース板３とピン端子６をガラス製スリーブ７の融
着を介して気密を図るため、その組立と製造プロセス等
により非常に高価となる。
【００１４】更に図３における表面実装タイプの弾性表
面波素子では、セラミック製ベース板３′を用いるた
め、配線後に高温に焼成しセラミック配線板を形成しな
ければならないと同時に、ベース板３′に形成される配
線パターンは高耐熱性の導電材を選択せねばならない。
従ってベース板３は高価となる。
面波素子では、セラミック製ベース板３′を用いるた
め、配線後に高温に焼成しセラミック配線板を形成しな
ければならないと同時に、ベース板３′に形成される配
線パターンは高耐熱性の導電材を選択せねばならない。
従ってベース板３は高価となる。
【００１５】そこで、この問題を改善するために、金属
との密着性に優れた絶縁材料として樹脂系の絶縁材料、
即ちポリイミドやポリフェニレンサルファイド樹脂の使
用の可能性について検討すると、これらは樹脂そのもの
の気体透過性が大きく、酸素や水分に対する遮断性が低
く、気密性の要求に応えることができない。
との密着性に優れた絶縁材料として樹脂系の絶縁材料、
即ちポリイミドやポリフェニレンサルファイド樹脂の使
用の可能性について検討すると、これらは樹脂そのもの
の気体透過性が大きく、酸素や水分に対する遮断性が低
く、気密性の要求に応えることができない。
【００１６】他方特開平７−１６２２５８号公報では筺
体を形成するベース板又はベース板とカバーを液晶ポリ
マーで形成し、該筺体内に圧電片を封入した表面実装タ
イプの圧電振動子を提供している。
体を形成するベース板又はベース板とカバーを液晶ポリ
マーで形成し、該筺体内に圧電片を封入した表面実装タ
イプの圧電振動子を提供している。
【００１７】この圧電振動子は筺体内部と外部のベース
板上の電極を印刷等によるベース板の表面配線によって
接続するか、又はベース板に貫通穴を設けて配線し内外
電極を接続する構造としており、何れの場合も接合面、
即ちカバーの閉合面を半田等の接着剤で密着封止する気
密構造としており、封止の信頼性を低下する問題点を有
している。
板上の電極を印刷等によるベース板の表面配線によって
接続するか、又はベース板に貫通穴を設けて配線し内外
電極を接続する構造としており、何れの場合も接合面、
即ちカバーの閉合面を半田等の接着剤で密着封止する気
密構造としており、封止の信頼性を低下する問題点を有
している。
【００１８】殊に前者においてはベース板とカバーの閉
合面に接合条件が異なる配線部が介在するため、接合瑕
疵を招来する問題を内在しており、又後者においてはベ
ース板に貫通穴を設ける加工を要することに加えて、こ
の貫通穴における気密保持構造に関しては有効な解決策
を示しておらず、ベース板を貫通するピン端子タイプに
おける気密保持構造に関しては全く予期していない。又
上記特開平７−１６２２５８号に開示されたものは圧電
振動子であり、弾性表面波素子とは使用目的と基本構造
（前者はベース板から浮かし支持、後者はベース板に接
着する構造等）が相違する。
合面に接合条件が異なる配線部が介在するため、接合瑕
疵を招来する問題を内在しており、又後者においてはベ
ース板に貫通穴を設ける加工を要することに加えて、こ
の貫通穴における気密保持構造に関しては有効な解決策
を示しておらず、ベース板を貫通するピン端子タイプに
おける気密保持構造に関しては全く予期していない。又
上記特開平７−１６２２５８号に開示されたものは圧電
振動子であり、弾性表面波素子とは使用目的と基本構造
（前者はベース板から浮かし支持、後者はベース板に接
着する構造等）が相違する。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記ピン端子タ
イプ（スルーホール実装タイプ）又は表面実装タイプの
弾性表面波素子又はＩＣの封入パッケージが適正に形成
でき、且つ各タイプの気密構造が適正に確保できる、上
記弾性表面波素子又はＩＣ封入パッケージを提供し、前
記課題を解決するものである。
イプ（スルーホール実装タイプ）又は表面実装タイプの
弾性表面波素子又はＩＣの封入パッケージが適正に形成
でき、且つ各タイプの気密構造が適正に確保できる、上
記弾性表面波素子又はＩＣ封入パッケージを提供し、前
記課題を解決するものである。
【００２０】ベース板にカバーを閉合して成る筺体内に
弾性表面波素子又はＩＣを封入し、その外部端子たるピ
ン端子を上記ベース板に貫通させるスルーホール実装タ
イプとする場合に、上記ベース板を熱可塑性液晶ポリマ
ー等の熱可塑性樹脂で形成し、上記ピン端子を上記熱可
塑性液晶ポリマー等の熱可塑性によりベース板に圧入し
て圧入界面における気密保持構造を形成する弾性表面波
素子又はＩＣ封入パッケージを構成したものである。
弾性表面波素子又はＩＣを封入し、その外部端子たるピ
ン端子を上記ベース板に貫通させるスルーホール実装タ
イプとする場合に、上記ベース板を熱可塑性液晶ポリマ
ー等の熱可塑性樹脂で形成し、上記ピン端子を上記熱可
塑性液晶ポリマー等の熱可塑性によりベース板に圧入し
て圧入界面における気密保持構造を形成する弾性表面波
素子又はＩＣ封入パッケージを構成したものである。
【００２１】又表面実装タイプにおいては、上記ベース
板を熱可塑性液晶ポリマー等で形成すると共に、該液晶
ポリマー等から成るベース板の筺体内上面に上記弾性表
面波素子又はＩＣと接続する内部電極を、同外面に外部
電極を夫々設け、該内部電極と外部電極とをベース板を
貫通する短絡材で接続し、該短絡材の貫通部外周面を液
晶ポリマー等の熱可塑性によりベース板と接着する共
に、短絡材の両端をベース板表面において上記両電極又
は電極を形成するリードパターンで覆い上記貫通部にお
ける気密保持構造を形成した弾性表面波素子又はＩＣ封
入パッケージを構成したものである。
板を熱可塑性液晶ポリマー等で形成すると共に、該液晶
ポリマー等から成るベース板の筺体内上面に上記弾性表
面波素子又はＩＣと接続する内部電極を、同外面に外部
電極を夫々設け、該内部電極と外部電極とをベース板を
貫通する短絡材で接続し、該短絡材の貫通部外周面を液
晶ポリマー等の熱可塑性によりベース板と接着する共
に、短絡材の両端をベース板表面において上記両電極又
は電極を形成するリードパターンで覆い上記貫通部にお
ける気密保持構造を形成した弾性表面波素子又はＩＣ封
入パッケージを構成したものである。
【００２２】上記短絡材は上記内部電極と外部電極とに
融着する導電ペーストから構成することができる。又上
記カバーとベースとは両者の閉合面において上記液晶ポ
リマー等の熱可塑性により接着し気密構造とする。
融着する導電ペーストから構成することができる。又上
記カバーとベースとは両者の閉合面において上記液晶ポ
リマー等の熱可塑性により接着し気密構造とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明における弾性表面波素子は
表面波フィルタ素子又は表面波共振子であり、本発明は
これら弾性表面波素子封入パッケージ又はＩＣ封入パッ
ケージを対象としている。図４は上記弾性表面波素子、
殊に表面波フィルタ素子の封入パッケージに関して、本
発明の実施形態例を示したものである。尚以下の説明に
用いる符号は従来例とは無関係に使用する。
表面波フィルタ素子又は表面波共振子であり、本発明は
これら弾性表面波素子封入パッケージ又はＩＣ封入パッ
ケージを対象としている。図４は上記弾性表面波素子、
殊に表面波フィルタ素子の封入パッケージに関して、本
発明の実施形態例を示したものである。尚以下の説明に
用いる符号は従来例とは無関係に使用する。
【００２４】この表面波フィルタ素子は図４Ａ，Ｂに示
すように、ベース板３を熱可塑性液晶ポリマーにて形成
し、このベース板３上面の略全面を覆うように、銅箔等
の金属箔から成る導電座１２が接着剤層を介することな
く接着されており、このベース板３にはこれを厚み方向
に貫通する四本のピン端子６が気密性を保つように保持
されている。
すように、ベース板３を熱可塑性液晶ポリマーにて形成
し、このベース板３上面の略全面を覆うように、銅箔等
の金属箔から成る導電座１２が接着剤層を介することな
く接着されており、このベース板３にはこれを厚み方向
に貫通する四本のピン端子６が気密性を保つように保持
されている。
【００２５】上記ピン端子６の上端は導電座１２に設け
た絶縁孔１３にその孔壁に接しないように遊挿され、導
電座１２との絶縁が保たれる。又上記ベース板３を形成
する熱可塑性液晶ポリマーの特徴を生かし、この液晶ポ
リマーを溶融或いは軟化状態として、上記ピン端子６を
突き刺して圧入し冷却硬化する。
た絶縁孔１３にその孔壁に接しないように遊挿され、導
電座１２との絶縁が保たれる。又上記ベース板３を形成
する熱可塑性液晶ポリマーの特徴を生かし、この液晶ポ
リマーを溶融或いは軟化状態として、上記ピン端子６を
突き刺して圧入し冷却硬化する。
【００２６】即ち、液晶ポリマーの熱可塑性によりベー
ス板３を溶融又は軟化してピン端子６を圧入し、冷却硬
化によりピン端子６の外周面に液晶ポリマーを接着して
圧入界面における気密保持構造を形成する。同様に、上
記導電座１２とベース板３間には接着剤層を介さずにベ
ース板３を形成する液晶ポリマーの熱可塑性により貼り
合せられる。
ス板３を溶融又は軟化してピン端子６を圧入し、冷却硬
化によりピン端子６の外周面に液晶ポリマーを接着して
圧入界面における気密保持構造を形成する。同様に、上
記導電座１２とベース板３間には接着剤層を介さずにベ
ース板３を形成する液晶ポリマーの熱可塑性により貼り
合せられる。
【００２７】図４Ｃは上記ピン端子６を熱可塑性液晶ポ
リマーから成るベース板３の厚み方向に圧入し保持せし
める方法を示しており、図示のようにピン端子６と対応
する貫通孔１５を有する平板形の治具１４を用意し、こ
の治具１４を加熱テーブル１６上面に設置して加熱状態
に置く。該治具１４の上面に前記絶縁孔１３を有する導
電座１２を貼り合せたベース板３を設置し、ピン端子６
をガイド板１７で案内しつつ上記絶縁孔１３を通しベー
ス板３へ圧入する。
リマーから成るベース板３の厚み方向に圧入し保持せし
める方法を示しており、図示のようにピン端子６と対応
する貫通孔１５を有する平板形の治具１４を用意し、こ
の治具１４を加熱テーブル１６上面に設置して加熱状態
に置く。該治具１４の上面に前記絶縁孔１３を有する導
電座１２を貼り合せたベース板３を設置し、ピン端子６
をガイド板１７で案内しつつ上記絶縁孔１３を通しベー
ス板３へ圧入する。
【００２８】ベース板３は治具１４で加熱され、液晶ポ
リマーの熱可塑性により溶融又は軟化状態にされてお
り、ピン端子６はこの溶融又は軟化状態で上記圧入を行
ない、ベース板３を貫通する下端が治具１４の貫通孔１
５内へ挿入される。ピン端子６はベース板３の冷却硬化
により上記圧入界面において液晶ポリマーと強固に接着
し気密構造が形成される。
リマーの熱可塑性により溶融又は軟化状態にされてお
り、ピン端子６はこの溶融又は軟化状態で上記圧入を行
ない、ベース板３を貫通する下端が治具１４の貫通孔１
５内へ挿入される。ピン端子６はベース板３の冷却硬化
により上記圧入界面において液晶ポリマーと強固に接着
し気密構造が形成される。
【００２９】図４Ｃは上記ベース板３にピン端子６を圧
入する孔を形成せずに、同圧入を行なう例を示したが、
このベース板３にピン端子６よりも小径の圧入孔をピン
端子の配置に対応して設けて置き、この圧入孔に図４Ｃ
の治具１４を使用してピン端子６を圧入することができ
る。
入する孔を形成せずに、同圧入を行なう例を示したが、
このベース板３にピン端子６よりも小径の圧入孔をピン
端子の配置に対応して設けて置き、この圧入孔に図４Ｃ
の治具１４を使用してピン端子６を圧入することができ
る。
【００３０】次に図４Ａに示すように、上記ベース板３
の導電座１２の上面に圧電体から成る表面波フィルタ素
子（又は表面波共振子又はＩＣ）２を接着剤を介し接着
した後、上記ピン端子６の上端、即ちベース板３上面に
おける露出端と表面波フィルタ素子（又は表面波共振子
又はＩＣ）２の本体２ａ表面に形成した電極２ｂ間をボ
ンディングワイヤ８で接続すると共に、ピン端子（アー
ス用ピン端子）６′の上端、即ちベース板３上面におけ
る露出端と導電座１２とをボンディングワイヤ８で接続
する。
の導電座１２の上面に圧電体から成る表面波フィルタ素
子（又は表面波共振子又はＩＣ）２を接着剤を介し接着
した後、上記ピン端子６の上端、即ちベース板３上面に
おける露出端と表面波フィルタ素子（又は表面波共振子
又はＩＣ）２の本体２ａ表面に形成した電極２ｂ間をボ
ンディングワイヤ８で接続すると共に、ピン端子（アー
ス用ピン端子）６′の上端、即ちベース板３上面におけ
る露出端と導電座１２とをボンディングワイヤ８で接続
する。
【００３１】そして金属製のカバー４をベース板３の上
面を覆うように閉合し、即ち、カバー４の周縁部に形成
したフランジ部４ａをカバー４の周縁部上面に閉合し、
この閉合面を熱ブレスにより接着剤を介さずに接合す
る。液晶ポリマーは上記熱プレスにより溶融又は軟化さ
れ、ブレス圧によりフランジ部４ａを溶融又は軟化され
た液晶ポリマーに押し付けて接着し気密構造とする。
面を覆うように閉合し、即ち、カバー４の周縁部に形成
したフランジ部４ａをカバー４の周縁部上面に閉合し、
この閉合面を熱ブレスにより接着剤を介さずに接合す
る。液晶ポリマーは上記熱プレスにより溶融又は軟化さ
れ、ブレス圧によりフランジ部４ａを溶融又は軟化され
た液晶ポリマーに押し付けて接着し気密構造とする。
【００３２】上記により、弾性表面波素子又はＩＣをベ
ース板３とカバー４とにより形成された気密空間内に封
入する。上記ベース板３とカバー４により形成した筺体
のシールド構造を高める場合、図４Ａに示すように、金
属製カバー４の周縁部を上記の通り液晶ポリマーの熱可
塑性によりベース板３の周縁部上面に貼り合せつつ、カ
バー周縁部を導電座１２の周縁部に押し付けて電気的接
触部１８を形成する。この導電性のカバー４と導電座１
２との接触部１８は上記例示のように導電座１２とカバ
ー４の周縁部の一部分において形成することができる。
ース板３とカバー４とにより形成された気密空間内に封
入する。上記ベース板３とカバー４により形成した筺体
のシールド構造を高める場合、図４Ａに示すように、金
属製カバー４の周縁部を上記の通り液晶ポリマーの熱可
塑性によりベース板３の周縁部上面に貼り合せつつ、カ
バー周縁部を導電座１２の周縁部に押し付けて電気的接
触部１８を形成する。この導電性のカバー４と導電座１
２との接触部１８は上記例示のように導電座１２とカバ
ー４の周縁部の一部分において形成することができる。
【００３３】上記カバー４と導電座１２を接触させシー
ルド構造を形成する場合、銅箔から成る導電座１２とカ
バー４の一方又は双方表面にスズ（Ｓｎ）等の低融点金
属によるメッキを施し、上記導電座１２とカバー４とを
接合する熱プレスの熱とプレス圧により導電座１２とカ
バー４とを融着（金属結合）することができる。
ルド構造を形成する場合、銅箔から成る導電座１２とカ
バー４の一方又は双方表面にスズ（Ｓｎ）等の低融点金
属によるメッキを施し、上記導電座１２とカバー４とを
接合する熱プレスの熱とプレス圧により導電座１２とカ
バー４とを融着（金属結合）することができる。
【００３４】上記弾性表面波素子又はＩＣ封入パッケー
ジは図４Ａに示すように、ピン端子６を以って配線回路
基板２０にスルーホール実装される。
ジは図４Ａに示すように、ピン端子６を以って配線回路
基板２０にスルーホール実装される。
【００３５】次に図５は本発明の表面実装タイプの表面
波フィルタ素子（又は表面波共振子又はＩＣ）の封入パ
ッケージに関する実施形態例を示している。
波フィルタ素子（又は表面波共振子又はＩＣ）の封入パ
ッケージに関する実施形態例を示している。
【００３６】又この実施形態例においてはベース板３を
液晶ポリマーから成る両面配線基板３ａを用いた場合を
示している。この両面配線基板３ａは図５Ａに示すよう
に、液晶ポリマーから成るベース板３の上面と下面に銅
箔から成るリードパターン３ｂ，３ｃが密着し形成され
ており、両リードパターン３ｂ，３ｃはベース板３を貫
く導電ペーストから成る短絡材１９にて電気的に接続さ
れ、各リードパターン３ｂ，３ｃの端部には電極３ｄ，
３ｅを形成する。
液晶ポリマーから成る両面配線基板３ａを用いた場合を
示している。この両面配線基板３ａは図５Ａに示すよう
に、液晶ポリマーから成るベース板３の上面と下面に銅
箔から成るリードパターン３ｂ，３ｃが密着し形成され
ており、両リードパターン３ｂ，３ｃはベース板３を貫
く導電ペーストから成る短絡材１９にて電気的に接続さ
れ、各リードパターン３ｂ，３ｃの端部には電極３ｄ，
３ｅを形成する。
【００３７】ベース板３の外表面たる下面には外部電極
３ｅを除き、リードパターン３ｄを覆う絶縁樹脂による
カバーコート２１が施され、外部電極３ｅの表面にはニ
ッケル、金等によるメッキ処理が施されている。
３ｅを除き、リードパターン３ｄを覆う絶縁樹脂による
カバーコート２１が施され、外部電極３ｅの表面にはニ
ッケル、金等によるメッキ処理が施されている。
【００３８】又ベース板３の上面の略中央部には銅箔等
による導電座１２が液晶ポリマーの熱可塑性により貼り
付けられており、この導電座１２の周囲に前記リードパ
ターン３ｂ及び電極３ｄを配し、前記導電ペーストによ
るリードパターン３ｃとの接続を行なうと共に、この導
電座１２もベース板（両面配線基板）３を貫く導電ペー
ストから成る短絡材１９を介し、ベース板３下面のアー
ス用リードパターン３ｃに接続され、このリードパター
ン３ｃの端部のアース用電極に接続されている。
による導電座１２が液晶ポリマーの熱可塑性により貼り
付けられており、この導電座１２の周囲に前記リードパ
ターン３ｂ及び電極３ｄを配し、前記導電ペーストによ
るリードパターン３ｃとの接続を行なうと共に、この導
電座１２もベース板（両面配線基板）３を貫く導電ペー
ストから成る短絡材１９を介し、ベース板３下面のアー
ス用リードパターン３ｃに接続され、このリードパター
ン３ｃの端部のアース用電極に接続されている。
【００３９】このアース用電極及び信号用電極３ｅはベ
ース板３の周縁部下面に列状に配置され、配線基板２０
との表面実装に供させる。
ース板３の周縁部下面に列状に配置され、配線基板２０
との表面実装に供させる。
【００４０】上記導電座１２の上面に弾性表面波素子
（又はＩＣ）を接着剤を介して接着し、電極３ｄと弾性
表面波素子（又はＩＣ）表面の電極２ｂとをボンディン
グワイヤ８にて接続し、次で金属製のカバー４周縁のフ
ランジ部４ａをベース板（両面配線基板３ａ）３の周縁
部上面に閉合し、この閉合面においてベース板３を形成
する液晶ポリマーの熱可塑性により接着剤を介さずに接
着し、気密構造を形成する。
（又はＩＣ）を接着剤を介して接着し、電極３ｄと弾性
表面波素子（又はＩＣ）表面の電極２ｂとをボンディン
グワイヤ８にて接続し、次で金属製のカバー４周縁のフ
ランジ部４ａをベース板（両面配線基板３ａ）３の周縁
部上面に閉合し、この閉合面においてベース板３を形成
する液晶ポリマーの熱可塑性により接着剤を介さずに接
着し、気密構造を形成する。
【００４１】上記図５Ａに示すベース板３を形成する両
面配線基板３ａは、図５Ｂのａ図に示す如く、銅箔３
ｃ′の表面に短絡材１９を形成する導電ペーストによる
バンプ１９′を形成する。このバンプ１９′は銅箔３
ｃ′上の所定位置に導電ペーストを印刷やディスペンス
法で尖鋭突起形に盛り上げることにより形成する。
面配線基板３ａは、図５Ｂのａ図に示す如く、銅箔３
ｃ′の表面に短絡材１９を形成する導電ペーストによる
バンプ１９′を形成する。このバンプ１９′は銅箔３
ｃ′上の所定位置に導電ペーストを印刷やディスペンス
法で尖鋭突起形に盛り上げることにより形成する。
【００４２】上記導電ペーストとしてはニッケル粉又は
銅粉又はこれらの混合粉を合成樹脂ペーストで混練した
ものを用いる。又は半田粉を混練した半田ペースト、そ
の他の金属粉を混練した樹脂系ペーストを用いることが
できる。
銅粉又はこれらの混合粉を合成樹脂ペーストで混練した
ものを用いる。又は半田粉を混練した半田ペースト、そ
の他の金属粉を混練した樹脂系ペーストを用いることが
できる。
【００４３】次に図５Ｂのｂ図に示すように、上記バン
プ１９′を付設した銅箔３ｃ′に熱可塑性液晶ポリマー
から成るベース板３と銅箔３ｂ′とをベース板３を間に
して重ね、次で図５Ｂのｃに示すように、上記三者３
ｃ′，３，３ｂ′を熱プレスにより熱圧着すると、上記
バンプ１９′が軟化又は溶融したベース板３に圧入され
て貫き、バンプ１９′が軟化又は溶融されて先端部が銅
箔３ｂ′により押しつぶされつつ同銅箔３ｂ′に金属間
結合する。よって銅箔３ｂ′，３ｃ′間を導電ペースト
により電気的に接続する。
プ１９′を付設した銅箔３ｃ′に熱可塑性液晶ポリマー
から成るベース板３と銅箔３ｂ′とをベース板３を間に
して重ね、次で図５Ｂのｃに示すように、上記三者３
ｃ′，３，３ｂ′を熱プレスにより熱圧着すると、上記
バンプ１９′が軟化又は溶融したベース板３に圧入され
て貫き、バンプ１９′が軟化又は溶融されて先端部が銅
箔３ｂ′により押しつぶされつつ同銅箔３ｂ′に金属間
結合する。よって銅箔３ｂ′，３ｃ′間を導電ペースト
により電気的に接続する。
【００４４】よって銅箔３ａ′と３ｂ′とは接着剤層を
介することなく電気的に接続する。上記液晶ポリマーは
銅箔と富親和性を有し、上記加熱により良好に金属結合
することができる。
介することなく電気的に接続する。上記液晶ポリマーは
銅箔と富親和性を有し、上記加熱により良好に金属結合
することができる。
【００４５】次で図５Ｂのｄ図に示すように、銅箔３
ｂ′，３ｃ′に既知のエッチング法等を用いてリードパ
ターン３ｂ，３ｃと各端部に電極３ｄ，３ｅを持った両
面配線基板を形成する。上記導電ペーストはその性質上
通気性を有するが、この導電ペーストから成る短絡材１
９のベース板３の表面における露出端（上端面と下端
面）は上記リードパターン３ｂ，３ｃ又は電極３ｄ，３
ｅにより覆われ、このリードパターン３ｂ，３ｃ又は電
極３ｄ，３ｅに金属結合している。
ｂ′，３ｃ′に既知のエッチング法等を用いてリードパ
ターン３ｂ，３ｃと各端部に電極３ｄ，３ｅを持った両
面配線基板を形成する。上記導電ペーストはその性質上
通気性を有するが、この導電ペーストから成る短絡材１
９のベース板３の表面における露出端（上端面と下端
面）は上記リードパターン３ｂ，３ｃ又は電極３ｄ，３
ｅにより覆われ、このリードパターン３ｂ，３ｃ又は電
極３ｄ，３ｅに金属結合している。
【００４６】図６に示すように、上記表面実装タイプの
パッケージを形成する場合、上記ベース板３下面の外部
電極３ｅには低融点金属から成る球面形バンプ２２を付
設し、この球面形バンプ２２を配線回路基板２０に融着
して表面実装する構造を採る。この場合、ベース板３は
図６から明らかなように、三層以上の配線基板にて形成
し、内部電極３ｄを中間配線層のリードパターン３ｆを
介して外部リードパターン３ｃに導くようにしてその外
部電極３ｅを再配置する。
パッケージを形成する場合、上記ベース板３下面の外部
電極３ｅには低融点金属から成る球面形バンプ２２を付
設し、この球面形バンプ２２を配線回路基板２０に融着
して表面実装する構造を採る。この場合、ベース板３は
図６から明らかなように、三層以上の配線基板にて形成
し、内部電極３ｄを中間配線層のリードパターン３ｆを
介して外部リードパターン３ｃに導くようにしてその外
部電極３ｅを再配置する。
【００４７】次に図７は前記したスルーホール実装タイ
プ又は表面実装タイプのパッケージにおいて該パッケー
ジを形成する熱可塑性液晶ポリマーから成るベース板３
内に金属製又はセラミック製の補強板２３を埋設又は外
表面に貼り合せて積層板とし、液晶ポリマー等の熱可塑
性樹脂を補強し、非透過性を向上することができる。
プ又は表面実装タイプのパッケージにおいて該パッケー
ジを形成する熱可塑性液晶ポリマーから成るベース板３
内に金属製又はセラミック製の補強板２３を埋設又は外
表面に貼り合せて積層板とし、液晶ポリマー等の熱可塑
性樹脂を補強し、非透過性を向上することができる。
【００４８】上記三層以上の配線基板をベース板３とし
て用いる例は、図６に示すように、ベース板３の上面に
複数の弾性表面波素子又はＩＣを接着し封入する場合の
如き、電極密度の高い封止構造として有利に実施され
る。
て用いる例は、図６に示すように、ベース板３の上面に
複数の弾性表面波素子又はＩＣを接着し封入する場合の
如き、電極密度の高い封止構造として有利に実施され
る。
【００４９】上記各実施形態例のベース板３を形成する
液晶ポリマーとしては既知のサーモトロピック液晶ポリ
エステル又はサーモトロピック液晶ポリエステルアミド
の高分子液晶材をあげることができる。又上記各実施形
態例ではカバー４を金属製の導電性カバーで形成した場
合を示したが、このカバー４をベース板３と同様の液晶
ポリマー等の熱可塑性樹脂で形成し、前記気密構造とす
ることができ、このベース板３とカバー４とによって形
成された筺体内はＮ２等の不活性ガス雰囲気にし、この
気体内に弾性表面波素子又はＩＣを存置する。
液晶ポリマーとしては既知のサーモトロピック液晶ポリ
エステル又はサーモトロピック液晶ポリエステルアミド
の高分子液晶材をあげることができる。又上記各実施形
態例ではカバー４を金属製の導電性カバーで形成した場
合を示したが、このカバー４をベース板３と同様の液晶
ポリマー等の熱可塑性樹脂で形成し、前記気密構造とす
ることができ、このベース板３とカバー４とによって形
成された筺体内はＮ２等の不活性ガス雰囲気にし、この
気体内に弾性表面波素子又はＩＣを存置する。
【００５０】上記液晶ポリマーはその他の熱可塑性樹脂
を用いることができる。例えば熱可塑性樹脂と金属板又
は同樹脂とセラミック板の積層板を用い、非透過性ベー
ス板又はカバーを形成することができる。本発明はこれ
ら複合板を用いる場合を含むものである。
を用いることができる。例えば熱可塑性樹脂と金属板又
は同樹脂とセラミック板の積層板を用い、非透過性ベー
ス板又はカバーを形成することができる。本発明はこれ
ら複合板を用いる場合を含むものである。
【００５１】
【発明の効果】弾性表面波素子又はＩＣのチップの封入
パッケージにおいては厳しい気密条件が求められるが、
本発明によればこの要求を満足し、酸素や水分に対する
酸化から確実に保護できる健全なる弾性表面波素子又は
ＩＣ封入パッケージを提供できる。
パッケージにおいては厳しい気密条件が求められるが、
本発明によればこの要求を満足し、酸素や水分に対する
酸化から確実に保護できる健全なる弾性表面波素子又は
ＩＣ封入パッケージを提供できる。
【００５２】例えばベース板を貫通するスルーホール実
装タイプのパッケージにおいては、導電性ピン端子を液
晶ポリマー等の熱可塑性樹脂の熱可塑性により直に圧入
することにより簡単にピン端子圧入部における気密構造
が形成でき、且つ強固な植込みが図れる。又ベース板の
内部電極と外部電極間（又は両電極を有する各リードパ
ターン間）を導電ペーストを介し金属結合することによ
り高信頼の接続と気密性が確保できる。同様にカバーは
ベース板を形成する液晶ポリマー等の熱可塑性により良
好に接着してカバー閉合面における良好な気密構造を形
成することができる。
装タイプのパッケージにおいては、導電性ピン端子を液
晶ポリマー等の熱可塑性樹脂の熱可塑性により直に圧入
することにより簡単にピン端子圧入部における気密構造
が形成でき、且つ強固な植込みが図れる。又ベース板の
内部電極と外部電極間（又は両電極を有する各リードパ
ターン間）を導電ペーストを介し金属結合することによ
り高信頼の接続と気密性が確保できる。同様にカバーは
ベース板を形成する液晶ポリマー等の熱可塑性により良
好に接着してカバー閉合面における良好な気密構造を形
成することができる。
【図１】従来の表面波フィルタ素子を示す斜視図。
【図２】従来の表面波共振子のパッケージ構造を一部断
面して示す斜視図。
面して示す斜視図。
【図３】従来の表面波フィルタ素子の封入パッケージの
断面図。
断面図。
【図４】本発明の一実施形態例を示し、Ａはスルーホー
ル実装タイプの弾性表面波素子又はＩＣ封入パッケージ
の断面図、Ｂは同パッケージを形成するベース板の斜視
図、Ｃはベース板にピン端子を圧入する方法を例示する
断面図。
ル実装タイプの弾性表面波素子又はＩＣ封入パッケージ
の断面図、Ｂは同パッケージを形成するベース板の斜視
図、Ｃはベース板にピン端子を圧入する方法を例示する
断面図。
【図５】本発明の他の実施形態例を示し、Ａは表面実装
タイプの弾性表面波素子又はＩＣ封入パッケージの断面
図、Ｂは該パッケージを形成するベース板の製造法を工
程を追って説明する断面図。
タイプの弾性表面波素子又はＩＣ封入パッケージの断面
図、Ｂは該パッケージを形成するベース板の製造法を工
程を追って説明する断面図。
【図６】本発明の更に他の実施形態例を説明する表面実
装タイプの弾性表面波素子又はＩＣ封入パッケージの断
面図。
装タイプの弾性表面波素子又はＩＣ封入パッケージの断
面図。
【図７】本発明の更に他の実施形態例を説明する弾性表
面波素子又はＩＣ封入パッケージの断面図。
面波素子又はＩＣ封入パッケージの断面図。
２ 弾性表面波素子又はＩＣ ２ａ 弾性表面波素子又はＩＣ本体 ２ｂ 同電極 ３ ベース板 ３ａ 両面配線基板 ３ｂ リードパターン ３ｃ リードパターン ３ｄ 内部電極 ３ｅ 外部電極 ４ カバー ６ ピン端子 ６′ ピン端子中のアース端子 ８ ボンディングワイヤ １２ 導電座 １３ 絶縁孔 １４ 治具 １５ 貫通孔 １６ 加熱テーブル １７ ガイド板 １８ シールド用の接触部 １９ 短絡材 １９′ 導電ペーストから成るバンプ ２０ 配線回路基板 ２１ カバーコート ２２ 球面形バンプ ２３ 補強板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 秀久 東京都大田区中馬込３丁目28番７号 山一 電機株式会社内 (72)発明者 間 和彦 岡山県倉敷市酒津1621番地 株式会社クラ レ内 (72)発明者 佐藤 敏昭 岡山県倉敷市酒津1621番地 株式会社クラ レ内 (72)発明者 田中 善喜 岡山県倉敷市酒津1621番地 株式会社クラ レ内
Claims (4)
- 【請求項１】ベース板にカバーを閉合して成る筺体内に
弾性表面波素子又はＩＣを封入し、該弾性表面波素子又
はＩＣの外部端子たるピン端子が上記ベース板を貫通し
植設された弾性表面波素子又はＩＣ封入パッケージであ
って、上記ベース板が熱可塑性樹脂で形成され、上記ピ
ン端子が上記熱可塑性樹脂の熱可塑性によりベース板に
圧入されて圧入界面における気密保持構造が形成されて
いることを特徴とする弾性表面波素子又はＩＣ封入パッ
ケージ。 - 【請求項２】ベース板にカバーを閉合して成る筺体内に
弾性表面波素子又はＩＣが封入され、上記ベース板が熱
可塑性樹脂で形成され、上記熱可塑性樹脂から成るベー
ス板の筺体内上面に上記弾性表面波素子又はＩＣと接続
する内部電極が設けられ、同外面に外部電極が設けら
れ、該内部電極と外部電極とがベース板を貫通する短絡
材で接続され、該短絡材の貫通部外周面が熱可塑性樹脂
の熱可塑性によりベース板と接着していると共に、短絡
材の両端がベース板表面において上記両電極又は電極を
形成するリードパターンで覆われ上記貫通部における気
密保持構造が形成されていることを特徴とする弾性表面
波素子又はＩＣ封入パッケージ。 - 【請求項３】上記短絡材の両端が内部電極と外部電極と
に融着する導電ペーストから成ることを特徴とする請求
項２記載の弾性表面波素子又はＩＣ封入パッケージ。 - 【請求項４】上記カバーとベースとが両者の閉合面にお
いて上記熱可塑性樹脂の熱可塑性により接着し気密構造
を形成していることを特徴とする請求項１又は２記載の
弾性表面波素子又はＩＣ封入パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8140442A JP2798375B2 (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 弾性表面波素子又はｉｃ封入パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8140442A JP2798375B2 (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 弾性表面波素子又はｉｃ封入パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09326447A true JPH09326447A (ja) | 1997-12-16 |
| JP2798375B2 JP2798375B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=15268742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8140442A Expired - Fee Related JP2798375B2 (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 弾性表面波素子又はｉｃ封入パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2798375B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002164587A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Kinseki Ltd | 圧電部品容器 |
| JP2003110160A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置 |
| JP2006211612A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sony Corp | Ｓａｗデバイス、通信モジュール及びｓａｗデバイスの製造方法 |
| JP2008281570A (ja) * | 2008-05-19 | 2008-11-20 | Panasonic Electric Works Co Ltd | ３次元成形回路基板を備えた回路装置 |
| US8729776B2 (en) | 2011-09-08 | 2014-05-20 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Electronic component with metal ceiling |
| US8732923B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-05-27 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method for manufacturing acoustic wave device |
| US8748755B2 (en) | 2011-03-22 | 2014-06-10 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Electronic component, electronic device, and method for manufacturing the electronic component |
| US9148118B2 (en) | 2012-11-01 | 2015-09-29 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave filter and module |
| CN107481974A (zh) * | 2017-07-14 | 2017-12-15 | 岳西县吉奥电子器件有限公司 | 一种便于取放和安装的集成电路 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0319416A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH03173215A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JPH04109540U (ja) * | 1991-03-12 | 1992-09-22 | 松下電器産業株式会社 | 収納容器 |
-
1996
- 1996-06-03 JP JP8140442A patent/JP2798375B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0319416A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH03173215A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JPH04109540U (ja) * | 1991-03-12 | 1992-09-22 | 松下電器産業株式会社 | 収納容器 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002164587A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Kinseki Ltd | 圧電部品容器 |
| JP2003110160A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置 |
| JP2006211612A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sony Corp | Ｓａｗデバイス、通信モジュール及びｓａｗデバイスの製造方法 |
| JP2008281570A (ja) * | 2008-05-19 | 2008-11-20 | Panasonic Electric Works Co Ltd | ３次元成形回路基板を備えた回路装置 |
| US8748755B2 (en) | 2011-03-22 | 2014-06-10 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Electronic component, electronic device, and method for manufacturing the electronic component |
| US8732923B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-05-27 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method for manufacturing acoustic wave device |
| US8729776B2 (en) | 2011-09-08 | 2014-05-20 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Electronic component with metal ceiling |
| US9148118B2 (en) | 2012-11-01 | 2015-09-29 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave filter and module |
| CN107481974A (zh) * | 2017-07-14 | 2017-12-15 | 岳西县吉奥电子器件有限公司 | 一种便于取放和安装的集成电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2798375B2 (ja) | 1998-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6531022B1 (en) | Mounting method of semiconductor element | |
| JPH06314538A (ja) | 回路保護用素子 | |
| KR100455058B1 (ko) | 전자회로장치가 밀봉된 전자부품 및 그 제조방법 | |
| JP2001196488A (ja) | 電子部品装置及びその製造方法 | |
| JP2798375B2 (ja) | 弾性表面波素子又はｉｃ封入パッケージ | |
| JPS5985123A (ja) | 圧電振動子用気密ベ−ス | |
| EP0665642B1 (en) | An electronic component device and its manufacturing method | |
| JP3911838B2 (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
| JP4232190B2 (ja) | 圧電発振器、及びその製造方法、並びに圧電発振器を利用した携帯電話装置、電子機器 | |
| JP5026016B2 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
| JP2000068777A (ja) | 圧電振動子 | |
| JP2002343827A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP4227460B2 (ja) | 圧電装置及びその製造方法 | |
| JPH04222109A (ja) | 電子部品の接続構造およびその構造を用いた水晶発振器 | |
| JPS58215812A (ja) | 水晶振動子等の密封容器 | |
| JP3377850B2 (ja) | 表面実装型水晶発振器及びその製造方法 | |
| JPH10215139A (ja) | 圧電部品及びその製造方法 | |
| JPH08130432A (ja) | 圧電振動子の保持構造 | |
| JP3865243B2 (ja) | 電子部品用セラミックパッケージ及び電子装置 | |
| JP2001094380A (ja) | 圧電振動デバイス用パッケージ | |
| JPH06326153A (ja) | チップデバイス | |
| JPH0851333A (ja) | Ｓａｗ装置 | |
| JP2003110398A (ja) | 圧電デバイス | |
| JP2004063960A (ja) | 電子装置 | |
| JP3934739B2 (ja) | 差込み型電子制御ユニット、および配線基板とプラグ部材との接続構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080703 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080703 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090703 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |