JPH0931635A - Ｂｉ系強誘電体薄膜形成用ターゲット材及びＢｉ系強誘電体薄膜の製造方法 - Google Patents
Ｂｉ系強誘電体薄膜形成用ターゲット材及びＢｉ系強誘電体薄膜の製造方法Info
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- JPH0931635A JPH0931635A JP7181780A JP18178095A JPH0931635A JP H0931635 A JPH0931635 A JP H0931635A JP 7181780 A JP7181780 A JP 7181780A JP 18178095 A JP18178095 A JP 18178095A JP H0931635 A JPH0931635 A JP H0931635A
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- film
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- ferroelectric substance
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリング法により、残留分極値が大き
く、膜疲労のない、良好な電気特性を有するＢｉ系強誘
電体薄膜を形成する。 【解決手段】 金属組成比が｛Ｓｒa （Ｂａb ，Ｐｂ
c ）｝x ＢｉY （Ｔａ及び／又はＮｂ）z （ただし、
０．４≦Ｘ＜１．０，１．５≦Ｙ≦３．５，Ｚ＝２，
０．７Ｘ≦ａ＜Ｘ，０＜ｂ＋ｃ≦０．３Ｘ）のＢｉ系強
誘電体薄膜形成用ターゲット材。このターゲット材を用
いて、スパッタリング法により成膜を行い、成膜中及び
／又は成膜後に熱処理を行って結晶化させる。 【効果】 ０．４≦Ｘ＜１とすることで、残留分極が大
きく、膜疲労の少ない強誘電体膜が提供される。Ｓｒの
Ｂａ置換で抗電界を小さくできる。ＳｒのＰｂ置換で残
留分極を大きくできる。ＴａのＮｂ置換で残留分極を多
少大きくできる。スパッタリング法により、強誘電性で
残留分極が大きく膜疲労の少ない強誘電体薄膜を製造で
きる。
く、膜疲労のない、良好な電気特性を有するＢｉ系強誘
電体薄膜を形成する。 【解決手段】 金属組成比が｛Ｓｒa （Ｂａb ，Ｐｂ
c ）｝x ＢｉY （Ｔａ及び／又はＮｂ）z （ただし、
０．４≦Ｘ＜１．０，１．５≦Ｙ≦３．５，Ｚ＝２，
０．７Ｘ≦ａ＜Ｘ，０＜ｂ＋ｃ≦０．３Ｘ）のＢｉ系強
誘電体薄膜形成用ターゲット材。このターゲット材を用
いて、スパッタリング法により成膜を行い、成膜中及び
／又は成膜後に熱処理を行って結晶化させる。 【効果】 ０．４≦Ｘ＜１とすることで、残留分極が大
きく、膜疲労の少ない強誘電体膜が提供される。Ｓｒの
Ｂａ置換で抗電界を小さくできる。ＳｒのＰｂ置換で残
留分極を大きくできる。ＴａのＮｂ置換で残留分極を多
少大きくできる。スパッタリング法により、強誘電性で
残留分極が大きく膜疲労の少ない強誘電体薄膜を製造で
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体メモリや光
スイッチ等に用いられるＢｉ系強誘電体薄膜形成用ター
ゲット材及びＢｉ系強誘電体薄膜の形成方法に関する。
スイッチ等に用いられるＢｉ系強誘電体薄膜形成用ター
ゲット材及びＢｉ系強誘電体薄膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｔａ，
Ｎｂを含む誘電体組成としてはＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 ，
ＢａＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 ，ＰｂＢｉ2 Ｎｂ2 Ｏ9 等が知ら
れている。これらのうち、特に、ＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9
材料は薄膜化した際に、ＰＺＴに見られるような分極反
転を繰り返すと分極が小さくなるという膜疲労が少ない
ことから、半導体メモリに組み込むことによって、その
ヒステリシス特性を利用した不揮発性メモリへ応用する
ことが考えられている。
Ｎｂを含む誘電体組成としてはＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 ，
ＢａＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 ，ＰｂＢｉ2 Ｎｂ2 Ｏ9 等が知ら
れている。これらのうち、特に、ＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9
材料は薄膜化した際に、ＰＺＴに見られるような分極反
転を繰り返すと分極が小さくなるという膜疲労が少ない
ことから、半導体メモリに組み込むことによって、その
ヒステリシス特性を利用した不揮発性メモリへ応用する
ことが考えられている。
【０００３】このＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 薄膜の形成方法
として、ＰＣＴ公開公報ＷＯ９４／１０７０２には、組
成比をＳｒ：Ｂｉ：Ｔａ＝１：２．４：２として前駆体
溶液を調製した後、成膜、乾燥、仮焼を繰り返して結晶
化を行う方法（ゾルゲル法）が記載されている。
として、ＰＣＴ公開公報ＷＯ９４／１０７０２には、組
成比をＳｒ：Ｂｉ：Ｔａ＝１：２．４：２として前駆体
溶液を調製した後、成膜、乾燥、仮焼を繰り返して結晶
化を行う方法（ゾルゲル法）が記載されている。
【０００４】なお、従来の（Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂ）−Ｂｉ
−（Ｔａ，Ｎｂ）系誘電体形成用組成物の組成は（Ｓ
ｒ，Ｂａ，Ｐｂ）：Ｂｉ：（Ｔａ，Ｎｂ）＝１：１．８
〜４：２であり（即ち、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂ）＝１）、
（Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂ）＜１の組成の報告例はない。
−（Ｔａ，Ｎｂ）系誘電体形成用組成物の組成は（Ｓ
ｒ，Ｂａ，Ｐｂ）：Ｂｉ：（Ｔａ，Ｎｂ）＝１：１．８
〜４：２であり（即ち、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂ）＝１）、
（Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂ）＜１の組成の報告例はない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＳｒＢｉ2 Ｔａ
2 Ｏ9 の分極値は、バルクの分極値でＰｒ＝５．８μＣ
／ｃｍ2 である。将来、強誘電体材料が高集積化された
時に必要とされる残留分極値は２５６Ｍｂで２Ｐｒ＝１
５μＣ／ｃｍ2 以上といわれており、従って、膜疲労が
より一層低減された薄膜を得るためにはこの材料の残留
分極値の改善が望まれる。なお、ＰｂＢｉ2 Ｎｂ2 Ｏ9
はバルクの分極値がＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9よりも大きい
が、Ｐｂを含むため、良好な疲労特性が得られない。
2 Ｏ9 の分極値は、バルクの分極値でＰｒ＝５．８μＣ
／ｃｍ2 である。将来、強誘電体材料が高集積化された
時に必要とされる残留分極値は２５６Ｍｂで２Ｐｒ＝１
５μＣ／ｃｍ2 以上といわれており、従って、膜疲労が
より一層低減された薄膜を得るためにはこの材料の残留
分極値の改善が望まれる。なお、ＰｂＢｉ2 Ｎｂ2 Ｏ9
はバルクの分極値がＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9よりも大きい
が、Ｐｂを含むため、良好な疲労特性が得られない。
【０００６】本発明は、上記従来の実情に鑑みてなされ
たものであり、残留分極値が大きく、膜疲労がない、良
好な電気特性を有するＢｉ系強誘電体薄膜をスパッタリ
ング法により形成することができるＢｉ系強誘電体薄膜
形成用ターゲット材及びＢｉ系強誘電体薄膜の形成方法
を提供することを目的とする。
たものであり、残留分極値が大きく、膜疲労がない、良
好な電気特性を有するＢｉ系強誘電体薄膜をスパッタリ
ング法により形成することができるＢｉ系強誘電体薄膜
形成用ターゲット材及びＢｉ系強誘電体薄膜の形成方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＢｉ系強誘電体
薄膜形成用ターゲット材は、金属組成比（モル比）が
Ａ：Ｂ：Ｃ＝Ｘ：Ｙ：Ｚで表され（ただし、ＡはＳｒと
Ｂａ及び／又はＰｂ，ＢはＢｉ，ＣはＴａ及び／又はＮ
ｂを示す。）、０．４≦Ｘ＜１．０，１．５≦Ｙ≦３．
５，Ｚ＝２であり、Ｓｒ：Ｂａ：Ｐｂ＝ａ：ｂ：ｃで表
したときに、０．７Ｘ≦ａ＜Ｘ，０＜ｂ＋ｃ≦０．３Ｘ
となるように金属酸化物粉末を混合し、得られた混合物
を焼結してなることを特徴とする。
薄膜形成用ターゲット材は、金属組成比（モル比）が
Ａ：Ｂ：Ｃ＝Ｘ：Ｙ：Ｚで表され（ただし、ＡはＳｒと
Ｂａ及び／又はＰｂ，ＢはＢｉ，ＣはＴａ及び／又はＮ
ｂを示す。）、０．４≦Ｘ＜１．０，１．５≦Ｙ≦３．
５，Ｚ＝２であり、Ｓｒ：Ｂａ：Ｐｂ＝ａ：ｂ：ｃで表
したときに、０．７Ｘ≦ａ＜Ｘ，０＜ｂ＋ｃ≦０．３Ｘ
となるように金属酸化物粉末を混合し、得られた混合物
を焼結してなることを特徴とする。
【０００８】本発明のＢｉ系強誘電体薄膜の形成方法
は、請求項１のターゲット材を用いて、スパッタリング
法により成膜を行い、成膜中及び／又は成膜後に熱処理
を行って結晶化させることを特徴とする。
は、請求項１のターゲット材を用いて、スパッタリング
法により成膜を行い、成膜中及び／又は成膜後に熱処理
を行って結晶化させることを特徴とする。
【０００９】本発明に係る金属組成は、従来提供されて
いるＳｒ−Ｂｉ−Ｔａ系の強誘電性を向上させるため
に、組成中のＳｒの一部をＢａ及び／又はＰｂで置換す
ると共に、更に場合により、Ｔａの一部又は全部をＮｂ
で置換したものであり、このような組成のターゲット材
を用いることにより、残留分極が大きく、膜疲労の少な
い高特性強誘電性Ｂｉ系強誘電体を製造することが可能
とされる。
いるＳｒ−Ｂｉ−Ｔａ系の強誘電性を向上させるため
に、組成中のＳｒの一部をＢａ及び／又はＰｂで置換す
ると共に、更に場合により、Ｔａの一部又は全部をＮｂ
で置換したものであり、このような組成のターゲット材
を用いることにより、残留分極が大きく、膜疲労の少な
い高特性強誘電性Ｂｉ系強誘電体を製造することが可能
とされる。
【００１０】即ち、本来、化学量論比は例えばＳｒ−Ｂ
ｉ−Ｔａ系ではＳｒ：Ｂｉ：Ｔａ＝１：２：２である
が、強誘電性を向上させるためターゲット材組成でＳｒ
の組成比Ｘを１より小さくかつ０．４以上とすること
で、残留分極が大きく、膜疲労の少ない強誘電体膜が提
供される。
ｉ−Ｔａ系ではＳｒ：Ｂｉ：Ｔａ＝１：２：２である
が、強誘電性を向上させるためターゲット材組成でＳｒ
の組成比Ｘを１より小さくかつ０．４以上とすること
で、残留分極が大きく、膜疲労の少ない強誘電体膜が提
供される。
【００１１】また、Ｓｒの一部をＢａで置き換えること
により、抗電界を小さくする作用が奏されるが、この割
合がＰｂとの合計でＸに対して０．３を超えると、残留
分極も低下してしまう。Ｓｒの一部をＰｂで置換した場
合は、残留分極を大きくする作用が奏されるが、抗電界
も大きくしてしまう他に、Ｐｂ系では膜疲労の問題が発
生する。このため、Ｐｂ及び／又はＢａの割合はＸに対
して０．３以下とする。
により、抗電界を小さくする作用が奏されるが、この割
合がＰｂとの合計でＸに対して０．３を超えると、残留
分極も低下してしまう。Ｓｒの一部をＰｂで置換した場
合は、残留分極を大きくする作用が奏されるが、抗電界
も大きくしてしまう他に、Ｐｂ系では膜疲労の問題が発
生する。このため、Ｐｂ及び／又はＢａの割合はＸに対
して０．３以下とする。
【００１２】Ｂｉは少ないと良好な特性が得られない
が、多くしすぎると膜がリーキーとなる。
が、多くしすぎると膜がリーキーとなる。
【００１３】更に、ＴａをＮｂで置換した場合には、残
留分極の若干の改善がみられる。
留分極の若干の改善がみられる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１５】本発明のＢｉ系強誘電体薄膜形成用ターゲ
ット材において、Ａ：Ｂ：Ｃ＝Ｘ：Ｙ：Ｚ（ただし、Ａ
はＳｒとＢａ及び／又はＰｂ，ＢはＢｉ，ＣはＴａ及び
／又はＮｂを示す。）で表される金属組成比（モル比）
で、Ｘが０．４以上１未満であるため、残留分極が大き
く、膜疲労の少ない強誘電体膜が得られる。Ｘが０．４
未満であると残留分極が著しく低下する。
ット材において、Ａ：Ｂ：Ｃ＝Ｘ：Ｙ：Ｚ（ただし、Ａ
はＳｒとＢａ及び／又はＰｂ，ＢはＢｉ，ＣはＴａ及び
／又はＮｂを示す。）で表される金属組成比（モル比）
で、Ｘが０．４以上１未満であるため、残留分極が大き
く、膜疲労の少ない強誘電体膜が得られる。Ｘが０．４
未満であると残留分極が著しく低下する。
【００１６】Ｙが１．５未満では良好な特性が得られ
ず、３．５を超えると膜がリーキーとなるため、１．５
≦Ｙ≦３．５とする。
ず、３．５を超えると膜がリーキーとなるため、１．５
≦Ｙ≦３．５とする。
【００１７】ＺはＳｒ−Ｂｉ−Ｔａ系の化学量論比でＺ
＝２とする。
＝２とする。
【００１８】Ｓｒの一部をＢａで置換することにより抗
電界を小さくする作用が得られるが、この置換割合が過
度に多いと残留分極の低下を引き起こす。また、Ｓｒの
一部をＰｂで置換することにより、残留分極の増大が図
れるが、この置換割合が過度に大きいと抗電界も増大す
る。このため、Ｂａ及び／又はＰｂの置換割合は、Ｓ
ｒ：Ｂａ：Ｐｂ＝ａ：ｂ：ｃで表したときに、０．７Ｘ
≦ａ＜Ｘ，０＜ｂ＋ｃ≦０．３Ｘとなるようにする。
電界を小さくする作用が得られるが、この置換割合が過
度に多いと残留分極の低下を引き起こす。また、Ｓｒの
一部をＰｂで置換することにより、残留分極の増大が図
れるが、この置換割合が過度に大きいと抗電界も増大す
る。このため、Ｂａ及び／又はＰｂの置換割合は、Ｓ
ｒ：Ｂａ：Ｐｂ＝ａ：ｂ：ｃで表したときに、０．７Ｘ
≦ａ＜Ｘ，０＜ｂ＋ｃ≦０．３Ｘとなるようにする。
【００１９】更に、Ｔａの一部又は全部をＮｂで置換す
ることにより残留分極を大きくすることができる。この
置換割合は、特に、Ｔａ：Ｎｂ＝ｍ：１−ｍで表したと
きに、ｍは０≦ｍ≦０．７の範囲であることが好まし
い。
ることにより残留分極を大きくすることができる。この
置換割合は、特に、Ｔａ：Ｎｂ＝ｍ：１−ｍで表したと
きに、ｍは０≦ｍ≦０．７の範囲であることが好まし
い。
【００２０】このような本発明のＢｉ系強誘電体薄膜形
成用ターゲット材は、上記金属組成比が得られるよう
に、金属酸化物粉末を混合し、混合物をホットプレス、
ＨＩＰ等により焼結することにより容易に調製すること
ができる。
成用ターゲット材は、上記金属組成比が得られるよう
に、金属酸化物粉末を混合し、混合物をホットプレス、
ＨＩＰ等により焼結することにより容易に調製すること
ができる。
【００２１】なお、焼結条件としては、例えば、ホット
プレス法の場合、温度８００〜１２００℃、圧力３０〜
４００ｋｇ／ｃｍ2 で、１×１０-1〜１×１０-5Ｔｏｒ
ｒの減圧ないし真空雰囲気下、３０分〜４時間とするの
が好ましい。
プレス法の場合、温度８００〜１２００℃、圧力３０〜
４００ｋｇ／ｃｍ2 で、１×１０-1〜１×１０-5Ｔｏｒ
ｒの減圧ないし真空雰囲気下、３０分〜４時間とするの
が好ましい。
【００２２】なお、本発明のＢｉ系強誘電体薄膜形成用
ターゲット材においては、上記金属元素の他、特性向上
のための添加剤として、イオン半径の近い希土類元素、
例えば、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，
Ｅｒ，Ｙｂ等の化合物を含有していても良い。この場
合、これらの添加元素の添加量は、Ｔａ或いはＮｂに対
して０〜０．１５倍モルとするのが好ましい。
ターゲット材においては、上記金属元素の他、特性向上
のための添加剤として、イオン半径の近い希土類元素、
例えば、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，
Ｅｒ，Ｙｂ等の化合物を含有していても良い。この場
合、これらの添加元素の添加量は、Ｔａ或いはＮｂに対
して０〜０．１５倍モルとするのが好ましい。
【００２３】本発明のＢｉ系強誘電体薄膜の製造方法で
は、このようなＢｉ系強誘電体薄膜形成用ターゲット材
を用いて常法に従ってスパッタリング法により基板表面
に成膜を行い、成膜中及び／又は成膜後に熱処理を行っ
て結晶化させる。
は、このようなＢｉ系強誘電体薄膜形成用ターゲット材
を用いて常法に従ってスパッタリング法により基板表面
に成膜を行い、成膜中及び／又は成膜後に熱処理を行っ
て結晶化させる。
【００２４】ここで、基板としては、Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ
Ｏ2 ／Ｓｉ基板、Ｐｔ／Ｔａ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板，Ｐ
ｔ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板、Ｉｒ／ＩｒＯ2 ／Ｓｉ基板、
Ｐｔ／ＴｉＮ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板、Ｐｔ／Ｉｒ／Ｓｉ
Ｏ2 ／Ｓｉ基板、（Ｐｔ−Ｉｒ合金）／ＩｒＯ2 ／Ｓｉ
基板、Ｐｔ／Ｉｒ／ＩｒＯ2 ／Ｓｉ基板等を用いること
ができる。
Ｏ2 ／Ｓｉ基板、Ｐｔ／Ｔａ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板，Ｐ
ｔ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板、Ｉｒ／ＩｒＯ2 ／Ｓｉ基板、
Ｐｔ／ＴｉＮ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板、Ｐｔ／Ｉｒ／Ｓｉ
Ｏ2 ／Ｓｉ基板、（Ｐｔ−Ｉｒ合金）／ＩｒＯ2 ／Ｓｉ
基板、Ｐｔ／Ｉｒ／ＩｒＯ2 ／Ｓｉ基板等を用いること
ができる。
【００２５】スパッタリング条件としては、下記のよう
な条件を採用するのが好ましい。
な条件を採用するのが好ましい。
【００２６】成膜温度 ：室温〜８００℃ ＲＦパワー：２０〜５００Ｗ ガス圧 ：１×１０-2〜１×１０-5Ｔｏｒｒ また、成膜中及び成膜後の熱処理は６００〜９００℃で
３０分〜３時間程度とするのが好ましい。
３０分〜３時間程度とするのが好ましい。
【００２７】なお、このようにして製造されるＢｉ系強
誘電体薄膜の膜厚は、１０ｎｍ〜１μｍ、特に８０〜８
００ｎｍであることが好ましい。この膜厚が１０ｎｍ未
満では薄すぎるため絶縁性を得にくく、１μｍを超える
と粒成長が激しく表面が粗れるため、１０ｎｍ〜１μｍ
の範囲とするのが好ましい。
誘電体薄膜の膜厚は、１０ｎｍ〜１μｍ、特に８０〜８
００ｎｍであることが好ましい。この膜厚が１０ｎｍ未
満では薄すぎるため絶縁性を得にくく、１μｍを超える
と粒成長が激しく表面が粗れるため、１０ｎｍ〜１μｍ
の範囲とするのが好ましい。
【００２８】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００２９】実施例１〜１６、比較例１〜２０ Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｒＯ，Ｂａ
Ｏ，ＰｂＯの各金属酸化物粉末を表１〜３に示す金属組
成となるように混合し、得られた混合物を下記条件にて
ホットプレス法により焼結して薄膜形成用ターゲット材
を製造した。
Ｏ，ＰｂＯの各金属酸化物粉末を表１〜３に示す金属組
成となるように混合し、得られた混合物を下記条件にて
ホットプレス法により焼結して薄膜形成用ターゲット材
を製造した。
【００３０】ホットプレス条件 温度 ：１１００℃ 加圧力：１５０ｋｇ／ｃｍ2 雰囲気：１０-4Ｔｏｒｒ 時間 ：２時間 得られたターゲット材を用いて、下記スパッタリング条
件にてＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に成膜を行っ
た。
件にてＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に成膜を行っ
た。
【００３１】スパッタリング条件 成膜温度 ：３５０℃ ＲＦパワー ：３００Ｗ ガス圧 ：１〜３×１０-2Ｔｏｒｒ Ｏ2 ／Ａｒ比：１（体積比） 成膜速度 ：１２０〜１５０Å／ｍｉｎ その後、表１〜３に示す温度で表１に示す時間熱処理し
て結晶化を行った。形成されたＢｉ系強誘電体薄膜の膜
厚は表１〜３に示す通りである。
て結晶化を行った。形成されたＢｉ系強誘電体薄膜の膜
厚は表１〜３に示す通りである。
【００３２】得られた薄膜上に上部電極としてＰｔ膜を
スパッタリングにより形成し、その後、８００℃で１０
分間アニール処理を行って試料とした。
スパッタリングにより形成し、その後、８００℃で１０
分間アニール処理を行って試料とした。
【００３３】各試料の残留分極、抗電界及び膜疲労特性
（１０10回反転後の残留分極の初期値に対する割合
（％））を調べ、結果を表１〜３に示した。
（１０10回反転後の残留分極の初期値に対する割合
（％））を調べ、結果を表１〜３に示した。
【００３４】表１〜３より、本発明により製造されるＢ
ｉ系強誘電体薄膜は、残留分極が大きく、抗電界も良好
な値であり、膜疲労が少ないことが明らかである。
ｉ系強誘電体薄膜は、残留分極が大きく、抗電界も良好
な値であり、膜疲労が少ないことが明らかである。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【表２】
【００３７】
【表３】
【００３８】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、ス
パッタリング法により、強誘電性で残留分極が大きく、
膜疲労の少ない高特性Ｂｉ系強誘電体薄膜を形成するこ
とができる。
パッタリング法により、強誘電性で残留分極が大きく、
膜疲労の少ない高特性Ｂｉ系強誘電体薄膜を形成するこ
とができる。
【００３９】本発明のＢｉ系強誘電体薄膜を半導体メモ
リ等に使用した場合には、膜疲労のない優れたデバイス
を作製することが可能である。
リ等に使用した場合には、膜疲労のない優れたデバイス
を作製することが可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 27/10 ４５１ Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｊ 27/108 Ｈ０１Ｌ 27/10 ６５１ 21/8242
Claims (2)
- 【請求項１】 金属組成比（モル比）がＡ：Ｂ：Ｃ＝
Ｘ：Ｙ：Ｚで表され（ただし、ＡはＳｒとＢａ及び／又
はＰｂ，ＢはＢｉ，ＣはＴａ及び／又はＮｂを示
す。）、０．４≦Ｘ＜１．０，１．５≦Ｙ≦３．５，Ｚ
＝２であり、Ｓｒ：Ｂａ：Ｐｂ＝ａ：ｂ：ｃで表したと
きに、０．７Ｘ≦ａ＜Ｘ，０＜ｂ＋ｃ≦０．３Ｘとなる
ように金属酸化物粉末を混合し、得られた混合物を焼結
してなるＢｉ系強誘電体薄膜形成用ターゲット材。 - 【請求項２】 請求項１のターゲット材を用いて、スパ
ッタリング法により成膜を行い、成膜中及び／又は成膜
後に熱処理を行って結晶化させることを特徴とするＢｉ
系強誘電体薄膜の形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7181780A JPH0931635A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | Ｂｉ系強誘電体薄膜形成用ターゲット材及びＢｉ系強誘電体薄膜の製造方法 |
| KR1019960017151A KR100381498B1 (ko) | 1995-05-22 | 1996-05-21 | 비스무스계유전체박막및그의형성방법및그박막형성용조성물 |
| US08/651,593 US5807495A (en) | 1995-05-22 | 1996-05-22 | Bi-based dielectric thin films, and compositions and method for forming them |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7181780A JPH0931635A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | Ｂｉ系強誘電体薄膜形成用ターゲット材及びＢｉ系強誘電体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0931635A true JPH0931635A (ja) | 1997-02-04 |
Family
ID=16106761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7181780A Pending JPH0931635A (ja) | 1995-05-22 | 1995-07-18 | Ｂｉ系強誘電体薄膜形成用ターゲット材及びＢｉ系強誘電体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0931635A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004077565A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Tdk Corporation | 薄膜容量素子ならびにそれを含んだ電子回路および電子機器 |
| WO2004077564A1 (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-10 | Tdk Corporation | 薄膜容量素子ならびにそれを含んだ電子回路および電子機器 |
-
1995
- 1995-07-18 JP JP7181780A patent/JPH0931635A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004077564A1 (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-10 | Tdk Corporation | 薄膜容量素子ならびにそれを含んだ電子回路および電子機器 |
| WO2004077565A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Tdk Corporation | 薄膜容量素子ならびにそれを含んだ電子回路および電子機器 |
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