JPH09312440A - 光素子搭載モジュールの製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は光通信等に用いる光素子搭載モジュー
ルの基板に光素子を正確に歩留まり高く搭載し、固定す
る方法及びその装置を提供することを目的とする。 【解決手段】基板上に既に搭載されている光素子に対し
一定の位置関係に、あるいは基板の一定の位置に光素子
を搭載し、この素子と基板の間に有る半田等接着材にこ
の接着位置に限定し、接着のためのエネルギを照射し、
固定する。また上記アライメント検出光学系と接着のた
めの赤外線等のエネルギを供給する光学系を共通にする
ことにより、アライメント後即座に接着することを可能
にする。本発明により、これらの問題が解決し、高い歩
留まりで、光特性バラツキの少ない、高品質なモジュー
ルを安価に生産することが可能になった。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ、光
受光素子、光導波路等の、光素子を基板上に搭載した光
素子搭載モジュールの製造方法及び製造装置に係り、特
に搭載モジュールを精度高く、効率良く基板に搭載する
ことを可能とする光素子搭載モジュールの製造方法及び
製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年光通信を各家庭やオフィスにまで適
用することが急速に進められている。このような光通信
の広範な適用発展は情報化社会実現の鍵を握ることにな
る。このような光通信の発展には光通信技術の中心の１
つである光素子搭載モジュールを如何に高精度に歩留ま
り高く、高効率で安価に生産できるかが光通信の広範な
普及に不可欠となる。

【０００３】従来、例えば半導体レーザ素子をこれを搭
載する基板上に形成された光導波路に対し位置合わせ
し、半導体レーザ出射光を光導波路に導入可能にした光
素子搭載モジュールを生産するには図１０のフローチャ
ートに示す方法が採用されていた。半導体レーザを生産
する段階で発光部に対して一定の位置関係にある合わせ
マーク２３（Ａ２）を形成しておき、また光導波路を基
板上に形成する際にも導波路に対し一定の位置関係にあ
る合わせマーク１３（Ａ１）を形成しておく。これら半
導体レーザ及び基板上にそれぞれ形成されるマークをそ
れぞれ２つにし、図６に示すように互いに寸法の異なる
例えば「口」の字状にしておき、それぞれの２つのマー
クの間隔は等しくしておく。基板がＳｉのように赤外光
を通過する材料の場合、半導体レーザをＳｉ基板に搭載
し、裏から赤外線顕微鏡で２つの１対のマーク検出する
ことができるので、この左右のマーク共一致するように
例えば半導体レーザを回転と平行移動により位置合わせ
し、一致した段階で搭載する。一旦搭載したの後半導体
レーザが搭載光素子の場合には導電性と、熱伝導性を得
るために、基板面と半導体レーザの底面に予め形成され
ている半田蒸着膜を、加熱炉に入れて溶かすことにより
接合、接着する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来の光素子搭
載モジュールの製作法では半導体レーザと光導波路の相
対的な位置合わせを１対の２つのアライメントマークを
用いて行う。このマークの形成されている基板面内の２
方向に対しては正確なアライメント検出及び位置合わせ
制御が実行される。上記面内２方向のアライメント検
出、並びに合わせ調整の精度はほぼ目標の±０．１〜
０．２μｍを達成できているが、光素子は単に基板に搭
載するだけで加熱炉に入れて溶かすため加熱の際に位置
ずれが生じ、最終的に加熱後固定された段階で、位置合
わせ精度が±０．５μｍ以上になることがしばしばあ
り、不良品となっていた。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するため、以下に示す手段を講じている。

【０００６】すなわち、基板上の基準位置に対して一定
の関係にするか、もしくは基板上に搭載する少なくとも
１個の第１の光素子とこの基板上にある第２の光素子、
またはこの基板と一定位置関係にある基板上にない第２
の光素子との位置を所望の一定の関係にして、第１の光
素子を固定する際に、第１の光素子の裏面の少なくとも
一部を含む所望の部分に限定し、基板もしくは第１の光
素子を通してこの固定に必要なエネルギを供給すること
によってこの基板に第１の光素子を固定する。またこの
際上記所望の部分は第１の光素子の裏面内の領域に限定
する。さらに、上記所望の部分は上記第２の光素子或い
は上記基板上の第３の光素子を含まない部分で有るよう
にする。

【０００７】上記所望部分の第１の光学素子の裏面、も
しくは上記所望部分に対向する基板面には上記固定に必
要なエネルギを吸収する部材を配置し、光素子もしくは
基板を通過した固定に必要なエネルギを吸収することに
より部分加熱され、固定する。この固定には半田材もし
くは高分子接着剤を用い、上記エネルギは赤外光もしく
は遠赤外光等の電磁波とする。またこのエネルギは音波
とする。

【０００８】上記の第１の光素子と該基板上の第２の光
素子、もしくは該基板と一定位置関係にある基板上にな
い第２の光素子との位置を所望の一定の関係にする方法
として、基板上に形成された第１のアライメントマーク
Ａ１、あるいは基板上の第２の光素子または基板と一定
関係に有る基板上にない第３の光素子に有るアライメン
トマークＡ１と第１の光素子の裏面上に形成されたそれ
ぞれのアライメントマークＡ２を基板或いは第１の光素
子を通してアライメント検出光学系で検出し、位置合わ
せする。

【０００９】上記第１の光素子を固定する際に、第１の
光素子の裏面の少なくとも一部を含む所望の部分に限定
し、基板もしくは第１の光素子を通してこの固定に必要
なエネルギを供給する方法は、上記エネルギは光であ
り、この光エネルギを上記アライメント検出光学系を通
して供給する。この際上記光は赤外光もしくは遠赤外光
とする。

【００１０】上記アライメント検出光学系で検出し、位
置合わせする第１の光素子を固定する際に、第１の光素
子の裏面の少なくとも一部を含む所望の部分に限定し、
基板もしくは第１の光素子を通して該固定に必要なエネ
ルギを供給することによって該基板に第１の光素子を固
定し、固定後上記基板と第１の光素子とのアライメント
状態をこのアライメント検出光学系を用いて検査する。
この検査の結果アライメントずれが生じている場合、再
度所望のエネルギを供給して固定を解除し、再びアライ
メントし、再び位置合わせをし、再固定する。また、上
記アライメント検出光学系による検出、並びに位置合わ
せと上記固定のための光エネルギの供給とをほぼ同時に
行う。

【００１１】第１の光素子は２つ以上の異なる光素子Ｏ
１、Ｏ２、…であり、該２つ以上の光素子を上記基板に
搭載後、それぞれの搭載光素子の固定に必要な量の個別
のエネルギ供給を行うことにより、光素子Ｏ１、Ｏ２、
…を基板に固定する。さらにこの個別のエネルギ供給は
同時、並行的に行われる。

【００１２】基板とこの上に搭載する少なくとも１つの
光素子をアライメントした後加熱炉に入れて全体を加熱
することにより生じていた位置ずれは、上記手段を講じ
ることにより固定する部分に限定して加熱することによ
り生じなくなる。

【００１３】即ち、基板上の光素子を所望の位置に設定
した後、基板もしくは光素子を通して固定部に限定して
固定に必要なエネルギを供給することにより、固定部分
のみを加熱し、全体の変位を生じることなく、固定でき
る。このエネルギとして電磁波または音波を利用するこ
とにより、基板または光素子中をこれらの波のエネルギ
を伝播させ、基板と光素子の間に挟まれた位置に有る固
定部の固定部剤を集中的に加熱することにより、全体の
変位を生じることなく、固定できる。

【００１４】この固定は光素子と基板或いは基板上の第
２の光素子等とを一定の位置関係に設定し、この位置設
定が成立している時に固定されるべきであるが、本発明
ではこの設定を実現するアライメント検出光学系を通し
て上記の光エネルギを供給することにより、アライメン
ト実現直後に、固定が可能になり、従来の固定加熱に伴
う位置ずれの問題はほとんどなくなる。またこのよう
に、アライメント検出系を通して固定のためのエネルギ
供給が可能になれば、固定直後に、固定位置状態を即座
にチェックでき、万が一固定時に位置ずれが生じても、
即座に再度所望のエネルギを供給し、固定を解除し、再
アライメント、再固定が可能となる。 更に固定箇所が
複数箇所あり、例えば固定対象が異なり、固定のための
材料が異なっていても、個々の固定箇所に対して最適な
エネルギを選択し、エネルギを照射することによって、
各個所を順次もしくは、同時に確実に固定することが可
能になる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下本発明を実施例により説明す
る。

【００１６】図１は本発明の実施例であり、１は基板、
２は基板上に搭載する第１の光素子、２点鎖線で示した
ものはエネルギ供給手段３であり、破線で示したものは
アライメント光学系４である。基板１は例えば真空吸着
チャック等の基板保持手段１０１に固定され、光素子２
はやはり真空吸着チャック等の光素子保持手段２０１に
固定され、後に詳細に説明するアライメント光学系４と
位置調整手段１０２と２０２により相対的な位置合わせ
が行われる。

【００１７】即ち、基板１が位置調整手段により、アラ
イメント光学系４を用い、この光学系の所望の視野位置
に固定される。この位置では基板上に予め形成されてい
るアライメントマーク１３がアライメント検出系の視野
の所望の位置に来るようにする。次に第１の光素子を真
空チャック等の光素子保持手段２０１で吸着させた状態
で、この光素子の固定面に予め描画されていたアライメ
ントマーク２３および２３’の中心位置がアライメント
光学系で検出されている基板上のアライメントマーク１
３および１３’の中心位置と一致するように、光素子保
持手段２０１を位置調整手段２０２によりｘｙ方向に制
御し、また必要に応じてＺ軸を中心とする回転制御を行
い、位置調整し、ｚ方向にも半田付け面であるＣｒとＮ
ｉの薄い膜とその上にＡｕとＳｎの半田材が乗せられた
パターン１２と２２が接触する程度まで近付ける。

【００１８】中心位置が一致すればエネルギ供給手段３
の光源である半導体レーザ３１を点灯する。エネルギ供
給手段３は光源３１と光源より出射したレーザ光をレン
ズ３２により平行光、もしくは収束光にし、光素子の固
定に用いる光素子の裏面の少なくとも一部を含む所望の
部分に相似な図２に示す開口３３１と遮光部３３２を有
するマスク３３に照射する。このマスク３３はレンズ３
４と４６およびビームスプリッタ３５および偏光ビーム
スプリッタ４４により基板上面のアライメントマークあ
るいは半田付け面１２と結像関係になっている。従って
マスク３３の開口３３１を通ったレーザ光は開口３３１
の像を半田付け面１２に結像する。この結果、ＣｒとＮ
ｉの薄い膜が赤外光を良く吸収することにより、加熱し
たい半田付け面１２のみが加熱され、その上に乗ったＡ
ｕとＳｎの半田剤が溶けて接着固定する。

【００１９】次にアライメント検出系について説明す
る。４１はアライメント検出のための照明光源であり、
ハロゲンランプである。ハロゲンランプ４１を出射した
光はファイバ４２で導かれ、ファイバを出射した光はレ
ンズ４３によりファイバ４２の出射端がレンズ４６の瞳
に結像するようにレンズ４３を位置付ける。レンズ４３
を通った光は偏光ビームスプリッタ４４、１／４波長板
４５を通り基板１及び光素子２のアライメントマーク１
３および２３を照明する。基板及び光素子にはそれぞれ
２個ずつ視野内に入る程度の間隔で描画されている。照
明されたアライメントマークは照明光を反射し、反射光
はレンズ４６、１／４波長板４５、偏光ビームスプリッ
タ４４、ビームスプリッタ３５、レンズ４７を通り、Ｃ
ＣＤ撮像素子４８に入射する。４９はこの撮像パターン
のモニタであり、アライメントが終了した段階では、図
１に示すようにモニタには基板及び光素子のアライメン
トマーク１３’と２３’が２個ずつ上記の間隔でそれぞ
れの中心が一致する状態で表示されている。この時基板
の半田付け面１２と光素子の半田付け面２２はモニタ上
では１２’及び２２’（但し、２２’は１２’に隠れて
見えない）となっている。このようにアライメントが正
確にできていることを目視或いは自動で検出した後、レ
ーザ光を出射し、半田付け面のみにレーザ光を照射し、
半田付けを行う。

【００２０】図１の実施例では常にアライメントマーク
が検出できているので、半田付け後に、正しく半田付け
が実行されたか否かをモニタによって目視或いは自動で
検出することが可能である。万一ずれていれば、レーザ
光を再び所望の量だけ照射し、ハンダによる固定を解除
し、再びアライメントを行い、再度所望の量のレーザ照
射で固定する。

【００２１】マスク３３の開口の形状やアライメントマ
ーク１３、２３に対する位置は機種が代われば変更が必
要な場合が生じる。このような場合にはマスク駆動機構
３３０によりマスクの開口３３１の位置を変えること、
或いはマスク３３を変更すれば良い。またある程度大き
なマスク開口にしておき、半田付け面１２や２２の位置
や形状が変わって、マスク開口の結像が半田付け面１２
や２２を含むようにしておけば、このようなマスクの変
更や位置の変更を行わなくても半田付けが可能となる。
しかし、あまり大きな領域を照射すると熱変形が発生す
るため光素子の裏面内の領域に限定する。 特に既
に基板上に第１の光素子以外の光素子が搭載されている
場合にはこの光素子にまで光を照射すると、せっかく固
定されているものが外れる可能性が有るため、この第１
の光素子以外の光素子を含まない部分を照射する。

【００２２】マスク３３は液晶ディスプレイのような空
間変調器を用いれば、任意のパターンをソフトで製作す
ることが可能となる。また半田の材料や接着面積、被接
着物の熱伝導率や熱容量に応じて、レーザ光の強度や照
射時間を制御回路５で制御する。

【００２３】図３は本発明の実施例であり、図１の部品
番号と同じ番号は同一物或いは同一機能を有するものを
表す。光素子２の基板への接着は基板の下方にある赤外
光半導体レ−ザによって行われる。半田のパターン１２
とほぼ相似の開口パターンを有するマスク３３の赤外線
像がパターン１２部分に限定されて照射されることによ
り、周辺部をほとんど加熱することなく前述のように半
田が加熱、溶融され、接着される。図３ではアライメン
ト光学系が照射光学系とは別に上方にあり、透明なガラ
スからできている光素子吸着ホルダ２０１’および赤外
線光を透過する半導体レーザ等の光素子２３を通して、
赤外光でアライメント検出される。４１はハロゲンラン
プであり、ファイバ４２を通った光はレンズ４３を通過
し、赤外光透過フィルタを通り、ビームスプリッタ４４
を通過し、対物レンズ４６で光素子及び基板上のアライ
メントパターン２３及び１３を照射する。反射光は対物
レンズを通りＣＣＤ撮像素子４８に結像される。この信
号を元に制御回路５で両パターンの位置ずれが求めら
れ、光素子、及び基板を相対的に位置決めする機構２０
２と１０２により正しい位置に位置決めされる。

【００２４】図４は２つの光素子をほぼ同時に平行に接
着する本発明の実施例である。点線で示した矩形は図１
の点線部分或いは図２のアライメント光学系の構成、機
能を有するアライメント光学系であり、１点鎖線はその
光軸を表している。

【００２５】２は半導体レーザ、２’はフォトダイオー
ドであり、これら光素子を基板１に搭載し、接着する。
光導波路６に対し、半導体レーザ２は０．１μｍ程度の
精度で位置合わせする必要があるが、フォトダイオード
は１桁以上精度が緩い。そのためフォトダイオードはそ
の保持、制御機構である２０１’および２０２’により
基板上の基準位置に搭載可能である。他方半導体レーザ
はアライメント検出系４を用いて位置合わせがなされ
る。

【００２６】半導体レーザの接着部の基板上および素子
下面にはＣｒとＮｉの薄い膜１２および２２があらかじ
め蒸着されており、その間にはガラスもしくは高融点の
樹脂から成る一定の径を有するビーズを含んだＡｕとＳ
ｎの半田３０がある。他方フォトダイオードの接着部の
基板及び素子下面には半導体レーザど同様の材料と構成
の半田用の部材が有る。但しフォトダイオードの場合に
は高さ精度が厳しくないため、ビーズは含まれていな
い。フォトダイオードの場合には半田に変えて熱硬化性
の接着剤を用いても良い。これら２か所の接着部に対応
する位置に赤外線レーザ３１と３１’が有り、出射した
赤外線（熱線）は赤外線透過レンズ３２、３４’及び３
６を通り、接着すべき２か所を基板を通して照射され
る。この際２つの光素子の所望の接着部のみに赤外線が
照射されるように、赤外線透過のマスク３３’を用い
る。このマスクは遮光部３３２と赤外線透過部３３１お
よび３３１’を有し、この透過部がレンズ３６により基
板上の接着部１２及び１２’に結像するようになってい
る。このため、加熱される部分は１２及び１２’に限定
される。

【００２７】次に２か所の接着方法を説明する。まず、
制御回路５’を用いて、半導体レーザの基板への位置合
わせを上記アライメント系４で行い、またフォトダイオ
ードの基板への正確な位置出しをチャック２０１’及び
搬送微調機構２０２’により行う。両素子の位置合わせ
はほぼ並行して行われ、それが終了すると、制御回路の
制御により、半導体レーザ３１および３１’がほぼ同時
に発光される。接着する２つの光素子の接着材料、面
積、また各光素子の耐熱特性を考慮して、加熱用の半導
体レーザ３１、３１’の発光波長を変えたり、発光時
間、或いは発光強度が制御回路５’により、制御され
る。

【００２８】上記実施例では同時に位置合わせ及び加熱
が行われているが、時間は遅くなるが、時系列で行った
方が有利な場合も有る。また２か所への光（熱）供給量
が著しく異なる場合にはマスク３３’の光透過部３３１
と３３１’の一方を入射光の一部を反射したり透過する
ようにして、光量バランスを採ると良い。またマスク３
３’の開口部３３１、３３１’は一定の位置に固定され
ているが、製造製品の品種が多い場合には多種類のマス
クを自動的に高速に交換可能にしたり、マスクに変わっ
て液晶等を用いた２次元光変調器を用いて任意の照射パ
ターンや照射箇所数の変動に対応することも可能であ
る。この場合加熱用の半導体レーザは複数個用意し、あ
る程度の場所の移動を可能にすることは云うまでもな
い。

【００２９】図５は本発明の実施例であり、図１で説明
したアライメント光学系と接着のための加熱の光学系を
同一の光学系で行うものの拡大説明図である。また図４
で説明したビーズ入りの半田方法を更に詳細に説明する
図である。

【００３０】基板１に搭載する半導体レーザ２の接着す
る底面には図８に詳細を示すアライメント用パターン２
５及び２５’が凹凸もしくは、赤外線吸収材で構成され
ている。またこのパターン２５と一定の位置関係にある
接着用のＮｉ−Ｃｒパターン２２が形成されている。ま
たこのＮｉ−Ｃｒパターンの上にはＡｕ−Ｓｎ半田材と
ビーズが付着されている。他方基板１には同様にアライ
メントパターン１５および１５’と接着用のＮｉ−Ｃｒ
パターン１２が形成されている。Ｎｉ−Ｃｒパターンは
比較的赤外線を吸収するが、更に赤外線吸収効率を向上
するために基板への接着性が良く赤外線を良く吸収する
材料１２０を基板１とパターン１２の間に構成しても良
い。

【００３１】このように構成された搭載素子と基板に、
基板を透過する赤外線のアライメント光４００を照射
し、前述のアライメント検出し、位置制御系で面内方向
を位置合わせしつつ、搭載光素子を下方に下し、基板と
接触する程度にする。位置合わせした後、前述したよう
に接着用の赤外線３００を照射すれば、パターン１２
（１３）が加熱され、接触している、Ａｕ−Ｓｎ３０１
が溶けだし、上方から若干加圧しながらこの加熱をすれ
ば、ビーズ３０２の径で決まるギャップを保って接着さ
れる。接着のためのパターン２２、１２、（１２０）は
あらかじめ厚さが０．０１μｍ程度の精度で分かってい
るため、基板面内の方向同様、基板面に垂直な方向にも
正確に位置合わせされて接着することができる。

【００３２】図７は本発明の実施例であり、基板１上の
光導波路６に位置合わせした後、光素子２Ｄを基板１に
超音波加熱により接着するものである。超音波発生源１
０３、超音波レンズ３８、および水等の超音波伝播媒材
３８１を用いて、搭載光素子の接着部に限定して超音波
を集中照射する。搭載光素子２Ｄと基板１の間には超音
波を吸収して加熱し硬化接着する材料があらかじめ付着
されているので、超音波の加熱により、接着、固定され
る。

【００３３】図８は本発明の光素子製造方法である。１
Ａは光素子搭載基板であり、紫外線を透過するガラス等
の材料から成っている。この基板には半導体レーザ２及
び光導波路６が搭載されている。半導体レーザを出射し
た光は屈折率分布型のレンズ２Ｌを透過して光導波路に
導入される。このためレンズ２Ｌは基板の面内と基板に
垂直な方向に位置合わせされて基板に接着する必要があ
る。レンズ２Ｌの底面には図９に示すように接着剤３０
１Ａと一定の径を有するビーズ３０２が接着されてお
り、基板面内方向のアライメント（図示せず）を実施
後、面と直角方向に上から加圧しながら、基板下方から
紫外線を照射し、接着剤を紫外線硬化させる。この紫外
線硬化は水銀ランプ３１’から出射した紫外線をレンズ
３４”で集め、マスク３３”に当て、透過光がマスクの
パタ−ンが搭載屈折率分布型レンズ２３Ｌの底面にレン
ズ３２Ａにより結像するようにする。このようにするこ
とにより、接着部以外に紫外線を当てず、他の部品にダ
メージを与えることなく、所望の搭載光素子を基板に固
定することができる。

【００３４】以上説明した実施例では光モジュール基板
に搭載した光素子として、半導体レーザ、フォトダイオ
ード、屈折率分布型レンズを例として説明したが、本発
明はこのような光素子に限定されるものではなく、光フ
ァイバ、光スイッチ、光分波素子、光合波素子、波長
板、偏光器、バンドパスフィルタ、或いは波長分離ミラ
ー等如何なる光素子にも適用できることは云うまでもな
い。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば基板
上に半導体レーザ、半導体受光素子、光ファイバ、光ス
イッチ等の光素子を搭載し、光モジュールを製作する際
に、搭載した素子間、或いはこれら搭載した素子と基板
上に製作された光導波路等の光素子間の光軸を正確にか
つ安定に位置合わせし、固定することが可能になった。

【００３６】特に光素子を基板等に固定するときに行う
アライメントとこれに続いて行う固定の間に時間を設け
ないため、また従来問題となっていたアライメントした
位置関係を接着のための全体加熱により崩すようなこと
がなくなったため、正確に安定に搭載光素子を固定する
ことが可能になった。

【００３７】その結果、歩留まりが高く、安価に、光モ
ジュールを製作することが可能になり、光通信技術等の
発展に寄与する。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体レーザを搭載する光搭載モジュールの製
造装置の実施例

【図２】図１の実施例に用いるマスクの実施例

【図３】アライメント系と赤外照射系を別にした光搭載
モジュールの製造装置の実施例

【図４】半導体レーザとフォトダイオードを固定する光
搭載モジュールの製造装置の実施例

【図５】微小粒子を介した固定を行う光搭載モジュール
の製造装置の実施例

【図６】アライメントパターンの実施例

【図７】超音波を用いて固定する実施例

【図８】紫外線を用いて固定する実施例

【図９】ビーズを介在させ紫外線硬化型接着剤で固定す
る実施例

【図１０】従来の光素子搭載、固定方法を示すフローチ
ャート図

【符号の説明】

１…基板、２…半導体レーザからなる光素子、３…固定
用赤外線照射手段、４…アライメント検出系、５…制御
回路、６…光導波路、１０１、２０１…チャック、１０
２、２０２…駆動機構、４９…モニタ

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に少なくとも１個の光素子を搭載し
   た光素子モジュールの製造方法において、 所定の基準位置に対して前記光素子を設置し、 前記光素子を固定する際、前記光素子の裏面の少なくと
   も一部を含む所望の部分に前記基板あるいは前記光素子
   を通して必要なエネルギを供給することによって前記基
   板に前記光素子を固定することを特徴とする光素子搭載
   モジュールの製造方法。
2. 【請求項２】請求項１記載の光素子搭載モジュールの製
   造方法において、前記基板あるいは前記光素子を通して
   必要なエネルギを供給する光素子の裏面の部分は、前記
   基板と前記光素子を固定する部分にほぼ限定されること
   を特徴とする光素子搭載モジュールの製造方法。
3. 【請求項３】請求項１記載の光素子搭載モジュールの製
   造方法において、前記基板あるいは前記光素子を通して
   必要なエネルギを供給する光素子の裏面の部分あるいは
   該光素子の裏面に対向する基板面に、エネルギを吸収す
   る部材を用いたことを特徴とする請求項１記載の光素子
   搭載モジュールの製造方法。
4. 【請求項４】前記基板と前記光素子との固定には半田材
   もしくは高分子接着剤を用い、前記エネルギは電磁波で
   あることを特徴とする請求項１記載の光素子搭載モジュ
   ールの製造方法。
5. 【請求項５】前記電磁波は、赤外光もしくは遠赤外光で
   あることを特徴とする請求項４記載の光素子搭載モジュ
   ールの製造方法。
6. 【請求項６】前記基板と前記光素子との固定には半田材
   もしくは高分子接着剤を用い、前記エネルギは音波であ
   ることを特徴とする請求項１記載の光素子搭載モジュー
   ルの製造方法。
7. 【請求項７】請求項１記載の光素子搭載モジュールの製
   造方法において、 前記所定の基準位置に対して、前記光素子を設置する方
   法として、前記基準位置を表すアライメントマークＡ１
   と前記光素子の裏面上に形成されたアライメントマーク
   Ａ２とを基板あるいは光素子を通してアライメント検出
   系で検出し、位置合わせする方法を用いたことを特徴と
   する光素子搭載モジュールの製造方法。
8. 【請求項８】請求項７記載の光素子搭載モジュールの製
   造方法において、 前記エネルギを電磁波とし、前記アライメント検出系を
   通して供給することを特徴とする光素子搭載モジュール
   の製造方法。
9. 【請求項９】請求項７又は８いずれか記載の光素子搭載
   モジュールの製造方法において、 必要なエネルギを供給して前記光素子を前記基板に固定
   し、 前記光素子と前記基板とのアライメント状態を前記アラ
   イメント検出系を用いて検査することを特徴とする光素
   子搭載モジュールの製造方法。
10. 【請求項１０】請求項９記載の光素子搭載モジュールの
    製造方法において、 前記アライメント状態を前記アライメント検出系を用い
    て検査した結果、光素子と基板とにずれが生じている場
    合、再度所定のエネルギを供給して再度位置合わせする
    ことを特徴とする光素子搭載モジュールの製造方法。
11. 【請求項１１】請求項７記載の光素子搭載モジュールの
    製造方法において、 前記アライメント検出系、基板と光素子との位置合わ
    せ、及びエネルギの供給とをほぼ同時に行なうことを特
    徴とする光素子搭載モジュールの製造方法。
12. 【請求項１２】請求項１記載の光素子搭載モジュールの
    製造方法において、 複数の光素子を基板上に搭載し、それぞれに必要なエネ
    ルギを供給することを特徴とする光素子搭載モジュール
    の製造方法。
13. 【請求項１３】光素子を保持する光素子保持手段と、 基板を保持する基板保持手段と、 前記保持手段で保持された光素子と基板の相対的な位置
    関係を変化させ、所定の関係にする位置調整手段と、 前記光素子の裏面の少なくとも一部に前記光素子あるい
    は基板を通して必要なエネルギを供給するエネルギ供給
    手段とを備えたことを特徴とする光素子搭載モジュール
    の製造装置。