JPH09306946A - テープキャリアおよびそれを用いたテープキャリア型半導体装置 - Google Patents

テープキャリアおよびそれを用いたテープキャリア型半導体装置

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JPH09306946A
JPH09306946A JP8122994A JP12299496A JPH09306946A JP H09306946 A JPH09306946 A JP H09306946A JP 8122994 A JP8122994 A JP 8122994A JP 12299496 A JP12299496 A JP 12299496A JP H09306946 A JPH09306946 A JP H09306946A
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JP
Japan
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tape carrier
inner lead
semiconductor device
tape
semiconductor chip
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JP8122994A
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English (en)
Inventor
Junichi Ueno
順一 上野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
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Publication of JPH09306946A publication Critical patent/JPH09306946A/ja
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/79Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
    • HELECTRICITY
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    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 テープキャリア型半導体装置において、イン
ナーリードが組立工程中のストレスによって断線してし
まう。 【解決手段】 テープキャリアのインナーリード5は、
半導体チップに形成したバンプと接合される付近以外に
比較的幅の細い部分を形成してある。このインナーリー
ド5とバンプとを接合し半導体チップを保持することに
よって、組立の際に、封止樹脂が硬化するまでの機械的
ストレス、熱的ストレスに対してインナーリード5の比
較的幅の細い部分が変形することによって、インナーリ
ード5が断線することを防ぐことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を搭載す
るためのテープキャリアと、それを用いたテープキャリ
ア型半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、テープオートボンディング工法
(以下、TAB工法と称す。)を用いたパッケージに
は、テープキャリア上に半導体チップを接合し樹脂封止
したテープキャリアパッケージや、セラミックパッケー
ジや、プラスチックパッケージがある。特に、液晶ドラ
イバー用半導体装置等、薄型の半導体装置が要求されて
いる分野においては、テープキャリアパッケージに半導
体チップを実装するのが一般的である。
【0003】以下、従来のテープキャリア型半導体装置
について説明する。図5〜図7は従来のテープキャリア
型半導体装置の構成を示し、図5は平面図であり、図5
(a)は封止前であり、図5(b)は封止後を示してい
る。図6は部分断面図である。また、図7は従来のテー
プキャリア型半導体装置に用いる絶縁テープの平面図で
ある。
【0004】図5〜図7において、1はテープキャリア
である。これは、絶縁テープ2に金属配線3を付着して
形成され、デバイスホール4が開口されている。5はイ
ンナーリードで、金属配線の延長上で、インナーリード
5はデバイスホール4の内部に露呈している。6は半導
体チップで、半導体チップ6の電極パッド7上に金属突
起であるバンプ8が形成されている。そして、インナー
リード5の先端部がバンプ8を介して半導体チップ6と
接続している。9は封止樹脂で、半導体チップ6とイン
ナーリード5とバンプ8の表面を少なくとも覆ってい
る。封止樹脂9は、半導体チップ6の表面およびインナ
ーリード5、インナーリード5とバンプ8の接合部の保
護や、テープキャリア1と半導体チップ6との一体固着
を目的としている。
【0005】次に、テープキャリア1の形成方法の一例
について説明する。まず、絶縁テープ2の表面に金属箔
膜を付着する。そして、金属薄膜をエッチング法により
所定のパターンに形成する。その後無電解メッキ法によ
り数百Å程度のSnメッキが施され、金属配線3および
インナーリード5が完成する。なお、絶縁テープと接し
ている部分を金属配線3と呼び、デバイスホール4に露
呈している部分をインナーリード5と呼ぶ。このように
テープキャリア1が完成する。
【0006】次に、テープキャリア1と半導体チップ6
の組立方法について説明する。まず絶縁テープ2のデバ
イスホール4付近の絶縁テープ2の裏面に、半導体チッ
プ6を配置する。ただし、半導体チップ6の表面に形成
されているバンプ8がデバイスホール4の内側に位置す
るように配置する。そして、その内側に露呈しているイ
ンナーリード5とバンプ8とを熱圧着し電気的に接合す
る。その後インナーリード5または、半導体チップ6の
上方から液状の封止樹脂9を塗布する。そして、封止樹
脂9を乾燥させて硬化させる。このようにしてテープキ
ャリア型半導体装置が完成する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このテープキャリア型
半導体装置は、組立工程中においてテープキャリアのイ
ンナーリードと半導体チップのバンプを接合して以降、
封止樹脂が硬化するまでの間はインナーリードによって
半導体チップを保持している。
【0008】しかしながら、セット機器の小型、薄型化
のためにパッケージの小型化の要求にともない半導体チ
ップの電極パッドの狭ピッチ化が要求されると共に、イ
ンナーリードの狭幅化が必須となってきている。これに
よりインナーリードが低強度となり、組立工程中の機械
的ストレスや熱的ストレスによってインナーリードが断
線するという問題があった。
【0009】本発明は前記従来の問題点を解決するもの
で、インナーリードが断線しにくいテープキャリアおよ
びそれを用いたテープキャリア型半導体装置を提供する
ことを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、インナーリードの幅を不均一にし比較的幅
の細いところを形成するようにしたことを特徴とする。
【0011】これにより、このインナーリードの半導体
チップに形成したバンプと接合してできる比較的脆弱な
部分へのストレスを、インナーリードに形成した比較的
細い部分が変形することにより緩和できる。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1,2に記載の発
明は、インナーリードの幅を不均一にし変形しやすい部
分を持ったテープキャリア型半導体装置に用いるテープ
キャリアであり、テープキャリア型半導体装置の組立
上、発生するインナーリードの比較的脆弱な部分へのス
トレスを緩和する作用を有する。
【0013】請求項3,4に記載の発明は、請求項1〜
2に記載のテープキャリアを用いたテープキャリア型半
導体装置であり、インナーリードの断線が起こりにくい
という作用を有する。
【0014】以下、本発明の実施の形態について、図1
〜図4を用いて説明する。まず第1の実施形態について
説明する。図1はテープキャリアを示している。
【0015】図1において、絶縁テープ2のデバイスホ
ール4に突出したインナーリード5は、そのインナーリ
ード5の比較的脆弱な部分へのストレスを比較的変形し
やすい部分が変形することにより緩和する作用を行うも
ので、デバイスホール4のインナーリード5の接合部以
外が細い幅によって構成されている。
【0016】次に第2の実施形態について説明する。図
2はテープキャリアを示している。図2において絶縁テ
ープ2のデバイスホール4に突出したインナーリード5
は、そのインナーリード5の比較的脆弱な部分へのスト
レスを比較的変形しやすい部分が変形することにより緩
和する作用を行うもので、部分的に細い幅によって構成
されている。
【0017】図3は図1に示したテープキャリアを用い
たテープキャリア型半導体装置を示し、図3において、
絶縁テープ2のデバイスホール4に突出したインナーリ
ード5は、そのインナーリード5の比較的脆弱な部分へ
のストレスを比較的変形しやすい部分が変形することに
より緩和する作用を行うもので、部分的に細い幅によっ
て構成されている。図3において、6は半導体チップで
あり、8は接合用のバンプである。
【0018】図4は図2に示したテープキャリアを用い
たテープキャリア型半導体装置を示し、図4において、
絶縁テープ2のデバイスホール4に突出したインナーリ
ード1は、インナーリードの比較的脆弱な部分へのスト
レスを比較的変形しやすい部分が変形することにより緩
和する作用を行うもので、部分的に細い幅によって構成
されている。図4において、6は半導体チップであり、
8は接合用のバンプである。
【0019】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、TAB式
半導体装置において断線を引き起こす低強度なインナー
リードにおいて、より脆弱な部分以外の部分が変形する
ことによりストレスを緩和しインナーリード断線が起こ
りにくくするという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態のテープキャリアを示す平
面図
【図2】本発明の一実施形態のテープキャリアを示す平
面図
【図3】本発明の一実施形態のテープキャリア型半導体
装置を示す平面図
【図4】本発明の一実施形態のテープキャリア型半導体
装置を示す平面図
【図5】従来のテープキャリア型半導体装置を示す平面
【図6】従来のテープキャリア型半導体装置を示す断面
【図7】従来のテープキャリアの絶縁テープを示す平面
【符号の説明】
1 テープキャリア 2 絶縁テープ 3 金属配線 4 デバイスホール 5 インナーリード 6 半導体チップ 7 電極パッド 8 バンプ 9 封止樹脂

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁テープのデバイスホールにインナー
    リードが突出してなるテープキャリアにおいて、前記イ
    ンナーリードに部分的に細い部分を設けたことを特徴と
    するテープキャリア。
  2. 【請求項2】 絶縁テープのデバイスホールにインナー
    リードが突出してなるテープキャリアにおいて、前記イ
    ンナーリードに部分的に細い部分を1箇所乃至複数箇所
    設けたことを特徴とする請求項1記載のテープキャリ
    ア。
  3. 【請求項3】 部分的に細い部分を有したインナーリー
    ドが絶縁テープのデバイスホールに突出してなるテープ
    キャリアの前記インナーリードに半導体チップをバンプ
    により接合したことを特徴とするテープキャリア型半導
    体装置。
  4. 【請求項4】 1箇所乃至複数箇所に細い部分を有した
    インナーリードが絶縁テープのデバイスホールに突出し
    てなるテープキャリアの前記インナーリードに半導体チ
    ップをバンプにより接合したことを特徴とする請求項3
    記載のテープキャリア型半導体装置。
JP8122994A 1996-05-17 1996-05-17 テープキャリアおよびそれを用いたテープキャリア型半導体装置 Pending JPH09306946A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7183660B2 (en) 2003-10-04 2007-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Tape circuit substrate and semicondutor chip package using the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7183660B2 (en) 2003-10-04 2007-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Tape circuit substrate and semicondutor chip package using the same

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