JPH09298137A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JPH09298137A JPH09298137A JP9069217A JP6921797A JPH09298137A JP H09298137 A JPH09298137 A JP H09298137A JP 9069217 A JP9069217 A JP 9069217A JP 6921797 A JP6921797 A JP 6921797A JP H09298137 A JPH09298137 A JP H09298137A
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- substrate processing
- lock chamber
- substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
Abstract
(57)【要約】
【課題】移動機構から発生するパーティクルがウェーハ
等を汚染しないようにしたロードロック室を備える基板
処理装置を提供する。 【解決手段】ロードロック室１は移動機構２とボート１
０とを収容する。ロードロック室１の側壁６１側にＮ2
ガス供給ライン１１を接続し、側壁６３側には真空排気
ライン１２および大気圧ベントライン１４を設ける。ベ
アリング６、７、移動ブロック３の発塵部を局所的に排
気する局所排気ライン２０〜２２を設け、流量計２０
１、２１１、２２１をそれぞれ接続し、その先を真空排
気ライン１２１に接続する。局所排気ライン２０〜２２
により発塵部を強制的に排気する。この際、大気圧ベン
トライン１４からパーティクルが逆流しないように、流
量計１１８、２０１、２１１、２２１により流量を調整
して、ロードロック室１内を大気圧よりも若干陽圧に保
つ。
等を汚染しないようにしたロードロック室を備える基板
処理装置を提供する。 【解決手段】ロードロック室１は移動機構２とボート１
０とを収容する。ロードロック室１の側壁６１側にＮ2
ガス供給ライン１１を接続し、側壁６３側には真空排気
ライン１２および大気圧ベントライン１４を設ける。ベ
アリング６、７、移動ブロック３の発塵部を局所的に排
気する局所排気ライン２０〜２２を設け、流量計２０
１、２１１、２２１をそれぞれ接続し、その先を真空排
気ライン１２１に接続する。局所排気ライン２０〜２２
により発塵部を強制的に排気する。この際、大気圧ベン
トライン１４からパーティクルが逆流しないように、流
量計１１８、２０１、２１１、２２１により流量を調整
して、ロードロック室１内を大気圧よりも若干陽圧に保
つ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板処理装置に関
し、特に半導体装置や液晶表示装置を製造する際に使用
される基板処理装置に関する。
し、特に半導体装置や液晶表示装置を製造する際に使用
される基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の基板処理装置において
は、基板処理室に連結してロードロック室が設けられる
ことが多く、このようなロードロック室においては、半
導体ウェーハやガラス基板等の被処理基板を移動させる
ための移動機構をロードロック室内に備えることが一般
に行われている。
は、基板処理室に連結してロードロック室が設けられる
ことが多く、このようなロードロック室においては、半
導体ウェーハやガラス基板等の被処理基板を移動させる
ための移動機構をロードロック室内に備えることが一般
に行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな内部に移動機構を有するロードロック室を備える基
板処理装置においては、移動機構から発生したパーティ
クルによって半導体ウェーハやガラス基板等が汚染され
てしまうという問題があった。
うな内部に移動機構を有するロードロック室を備える基
板処理装置においては、移動機構から発生したパーティ
クルによって半導体ウェーハやガラス基板等が汚染され
てしまうという問題があった。
【０００４】従って、本発明の主な目的は、移動機構を
内部に有するロードロック室において移動機構から発生
したパーティクルが半導体ウェーハ等の基板を汚染して
しまうという問題を解決し、高清浄な領域を形成できる
ロードロック室を備える基板処理装置を提供することに
ある。
内部に有するロードロック室において移動機構から発生
したパーティクルが半導体ウェーハ等の基板を汚染して
しまうという問題を解決し、高清浄な領域を形成できる
ロードロック室を備える基板処理装置を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、基板
の処理を行う基板処理室と、ロードロック室と、前記ロ
ードロック室内にガスを供給するガス供給手段と、前記
ロードロック室内を排気する排気手段と、前記ロードロ
ック室内に設けられた移動機構であって、前記基板を移
動可能な前記移動機構と、前記移動機構の発塵部を局所
的に排気可能な局所排気手段と、前記ガス供給手段、前
記排気手段および前記局所排気手段のうちの少なくとも
１つに設けられた流量制御装置と、を備えたことを特徴
とする基板処理装置が提供される。
の処理を行う基板処理室と、ロードロック室と、前記ロ
ードロック室内にガスを供給するガス供給手段と、前記
ロードロック室内を排気する排気手段と、前記ロードロ
ック室内に設けられた移動機構であって、前記基板を移
動可能な前記移動機構と、前記移動機構の発塵部を局所
的に排気可能な局所排気手段と、前記ガス供給手段、前
記排気手段および前記局所排気手段のうちの少なくとも
１つに設けられた流量制御装置と、を備えたことを特徴
とする基板処理装置が提供される。
【０００６】このようにすれば、パーティクルの発生源
であるベアリングやナット部分等の移動機構の発塵部か
ら発生するパーティクルを局所排気手段によって強制的
に効率よく排気することができる。
であるベアリングやナット部分等の移動機構の発塵部か
ら発生するパーティクルを局所排気手段によって強制的
に効率よく排気することができる。
【０００７】そして、局所排気手段を設けることによっ
てロードロック室内が排気されやすくなってロードロッ
ク室内の圧力が下がりやすくなったとしても、流量制御
装置によりガス供給手段、排気手段および局所排気手段
のうちの少なくとも１つの流量を制御することによりロ
ードロック室内の圧力を制御して所定の圧力に保つこと
ができるようになり、その結果、排気手段からの逆流を
防止できる。
てロードロック室内が排気されやすくなってロードロッ
ク室内の圧力が下がりやすくなったとしても、流量制御
装置によりガス供給手段、排気手段および局所排気手段
のうちの少なくとも１つの流量を制御することによりロ
ードロック室内の圧力を制御して所定の圧力に保つこと
ができるようになり、その結果、排気手段からの逆流を
防止できる。
【０００８】また、請求項２によれば、前記基板処理装
置が制御装置と前記ロードロック室内の圧力を検出する
圧力検出装置とをさらに備え、前記流量制御装置が少な
くとも前記ガス供給手段に設けられ、前記制御装置が前
記圧力検出装置からの信号に応じて、前記流量制御装置
を制御可能であることを特徴とする請求項１記載の基板
処理装置が提供される。
置が制御装置と前記ロードロック室内の圧力を検出する
圧力検出装置とをさらに備え、前記流量制御装置が少な
くとも前記ガス供給手段に設けられ、前記制御装置が前
記圧力検出装置からの信号に応じて、前記流量制御装置
を制御可能であることを特徴とする請求項１記載の基板
処理装置が提供される。
【０００９】また、請求項３によれば、前記流量制御装
置が少なくとも前記局所排気手段に設けられていること
を特徴とする請求項１記載の基板処理装置が提供され
る。
置が少なくとも前記局所排気手段に設けられていること
を特徴とする請求項１記載の基板処理装置が提供され
る。
【００１０】また、請求項４によれば、前記流量制御装
置が少なくとも前記排気手段に設けられていることを特
徴とする請求項１記載の基板処理装置が提供される。
置が少なくとも前記排気手段に設けられていることを特
徴とする請求項１記載の基板処理装置が提供される。
【００１１】また、請求項５によれば、前記排気手段が
大気圧ベントラインを備え、前記大気圧ベントラインの
一端は実質的に大気圧であり他端は前記ロードロック室
内に連通し、前記流量制御装置が少なくとも前記大気圧
ベントラインに設けられていることを特徴とする請求項
４記載の基板処理装置が提供される。
大気圧ベントラインを備え、前記大気圧ベントラインの
一端は実質的に大気圧であり他端は前記ロードロック室
内に連通し、前記流量制御装置が少なくとも前記大気圧
ベントラインに設けられていることを特徴とする請求項
４記載の基板処理装置が提供される。
【００１２】また、請求項６によれば、前記基板処理装
置が制御装置と前記ロードロック室内の圧力を検出する
圧力検出装置とをさらに備え、前記制御装置が前記圧力
検出装置からの信号に応じて、前記流量制御装置を制御
可能であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか
に記載の基板処理装置が提供される。
置が制御装置と前記ロードロック室内の圧力を検出する
圧力検出装置とをさらに備え、前記制御装置が前記圧力
検出装置からの信号に応じて、前記流量制御装置を制御
可能であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか
に記載の基板処理装置が提供される。
【００１３】また、請求項７によれば、前記排気手段が
大気圧ベントラインと真空ポンプに接続される真空排気
ラインとを備え、前記大気圧ベントラインの一端は実質
的に大気圧であり他端は前記ロードロック室内に連通
し、前記局所排気手段が前記真空排気ラインに接続され
ていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記
載の基板処理装置が提供される。
大気圧ベントラインと真空ポンプに接続される真空排気
ラインとを備え、前記大気圧ベントラインの一端は実質
的に大気圧であり他端は前記ロードロック室内に連通
し、前記局所排気手段が前記真空排気ラインに接続され
ていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記
載の基板処理装置が提供される。
【００１４】また、請求項８によれば、前記排気手段が
大気圧ベントラインと真空ポンプに接続される真空排気
ラインとを備え、前記大気圧ベントラインの一端は実質
的に大気圧であり他端は前記ロードロック室内に連通
し、前記基板処理装置が、前記真空排気ラインの途中に
設けられた第１のバルブと、前記大気ベントラインの途
中に設けられた第２のバルブと、制御装置とをさらに備
え、前記移動機構を利用して前記基板が移動中は、前記
第１のバルブが閉じられており前記第２のバルブが開か
れているように前記第１および第２のバルブが前記制御
装置によって制御されることを特徴とする請求項１、
３、４または５記載の基板処理装置が提供される。
大気圧ベントラインと真空ポンプに接続される真空排気
ラインとを備え、前記大気圧ベントラインの一端は実質
的に大気圧であり他端は前記ロードロック室内に連通
し、前記基板処理装置が、前記真空排気ラインの途中に
設けられた第１のバルブと、前記大気ベントラインの途
中に設けられた第２のバルブと、制御装置とをさらに備
え、前記移動機構を利用して前記基板が移動中は、前記
第１のバルブが閉じられており前記第２のバルブが開か
れているように前記第１および第２のバルブが前記制御
装置によって制御されることを特徴とする請求項１、
３、４または５記載の基板処理装置が提供される。
【００１５】このようにすれば、移動機構を利用して基
板が移動中は、ガス供給手段により供給されたガスは大
気ベントラインおよび局所排気手段により排気される。
板が移動中は、ガス供給手段により供給されたガスは大
気ベントラインおよび局所排気手段により排気される。
【００１６】また、請求項９によれば、前記局所排気手
段が前記第１のバルブよりも下流側において前記真空排
気ラインに接続されていることを特徴とする請求項８記
載の基板処理装置が提供される。
段が前記第１のバルブよりも下流側において前記真空排
気ラインに接続されていることを特徴とする請求項８記
載の基板処理装置が提供される。
【００１７】また、請求項１０によれば、前記基板処理
装置が前記ロードロック室内の圧力を検出する圧力検出
装置をさらに備え、前記流量制御装置が少なくとも前記
ガス供給手段および前記局所排気手段にそれぞれ設けら
れ、前記移動機構を利用して前記基板が移動中は、前記
流量制御装置によって前記局所排気手段の排気量よりも
大きいガス供給量で前記ガス供給手段により前記ロード
ロック室内にガスを供給するように制御し、前記ガス供
給手段により供給されたガスを前記局所排気手段および
前記排気手段により排気するようにしたことを特徴とす
る請求項８または９記載の基板処理装置が提供される。
装置が前記ロードロック室内の圧力を検出する圧力検出
装置をさらに備え、前記流量制御装置が少なくとも前記
ガス供給手段および前記局所排気手段にそれぞれ設けら
れ、前記移動機構を利用して前記基板が移動中は、前記
流量制御装置によって前記局所排気手段の排気量よりも
大きいガス供給量で前記ガス供給手段により前記ロード
ロック室内にガスを供給するように制御し、前記ガス供
給手段により供給されたガスを前記局所排気手段および
前記排気手段により排気するようにしたことを特徴とす
る請求項８または９記載の基板処理装置が提供される。
【００１８】また、請求項１１によれば、前記基板処理
装置が前記ロードロック室内の圧力を検出する圧力検出
装置をさらに備え、前記移動機構を利用して前記基板が
移動中は、前記制御装置が前記圧力検出装置からの信号
に応じて前記流量制御装置を制御して、前記ロードロッ
ク室内を大気圧よりも高い圧力に保つことを特徴とする
請求項８乃至１０のいずれかに記載の基板処理装置が提
供される。
装置が前記ロードロック室内の圧力を検出する圧力検出
装置をさらに備え、前記移動機構を利用して前記基板が
移動中は、前記制御装置が前記圧力検出装置からの信号
に応じて前記流量制御装置を制御して、前記ロードロッ
ク室内を大気圧よりも高い圧力に保つことを特徴とする
請求項８乃至１０のいずれかに記載の基板処理装置が提
供される。
【００１９】このようすれば、ガス供給手段により供給
されたガスを大気ベントラインおよび局所排気手段によ
り排気する場合に、大気ベントラインからの逆流を防止
できる。
されたガスを大気ベントラインおよび局所排気手段によ
り排気する場合に、大気ベントラインからの逆流を防止
できる。
【００２０】また、請求項１２によれば、基板の処理を
行う基板処理室と、ロードロック室と、前記ロードロッ
ク室内にガスを供給するガス供給手段と、前記ロードロ
ック室内を排気する排気手段と、前記ロードロック室内
に設けられた移動機構であって、前記基板を移動可能な
前記移動機構と、前記移動機構の発塵部を局所的に排気
可能な局所排気手段と、前記局所排気手段の排気量を測
定する流量測定装置と、を備えたことを特徴とする基板
処理装置が提供される。
行う基板処理室と、ロードロック室と、前記ロードロッ
ク室内にガスを供給するガス供給手段と、前記ロードロ
ック室内を排気する排気手段と、前記ロードロック室内
に設けられた移動機構であって、前記基板を移動可能な
前記移動機構と、前記移動機構の発塵部を局所的に排気
可能な局所排気手段と、前記局所排気手段の排気量を測
定する流量測定装置と、を備えたことを特徴とする基板
処理装置が提供される。
【００２１】また、請求項１３によれば、前記局所排気
手段が複数設けられ、前記複数の局所排気手段のそれぞ
れに前記流量測定装置が設けられていることを特徴とす
る請求項１２記載の基板処理装置が提供される。
手段が複数設けられ、前記複数の局所排気手段のそれぞ
れに前記流量測定装置が設けられていることを特徴とす
る請求項１２記載の基板処理装置が提供される。
【００２２】また、請求項１４によれば、前記局所排気
手段が可撓性のある排気管を備えていることを特徴とす
る請求項１２または１３記載の基板処理装置が提供され
る。
手段が可撓性のある排気管を備えていることを特徴とす
る請求項１２または１３記載の基板処理装置が提供され
る。
【００２３】局所排気中に局所排気ラインが折れ曲がっ
たり詰まったりした場合には、そのような折れ曲がった
り詰まったりした部分から上流側に存在するパーティク
ルがロードロック室内に飛散してしまう場合もあり、放
っておくと歩留まりが大幅に低下してしまうが、局所排
気手段の排気量を測定することにより、そのような異常
をすぐに検出でき、歩留まりの低下を抑制できるように
なる。そして、複数の局所排気手段が設けられている場
合には、各局所排気手段の流量をそれぞれ測定できるこ
とが好ましく、また、局所排気手段にテフロンチューブ
等の可撓性のある排気管が使用されている場合には折れ
曲がったりすることが起こりやすいので、特に局所排気
手段の流量を測定することが重要となる。
たり詰まったりした場合には、そのような折れ曲がった
り詰まったりした部分から上流側に存在するパーティク
ルがロードロック室内に飛散してしまう場合もあり、放
っておくと歩留まりが大幅に低下してしまうが、局所排
気手段の排気量を測定することにより、そのような異常
をすぐに検出でき、歩留まりの低下を抑制できるように
なる。そして、複数の局所排気手段が設けられている場
合には、各局所排気手段の流量をそれぞれ測定できるこ
とが好ましく、また、局所排気手段にテフロンチューブ
等の可撓性のある排気管が使用されている場合には折れ
曲がったりすることが起こりやすいので、特に局所排気
手段の流量を測定することが重要となる。
【００２４】また、請求項１５によれば、基板の処理を
行う基板処理室と、ロードロック室と、前記ロードロッ
ク室内にガスを供給するガス供給手段と、前記ロードロ
ック室内を排気する排気手段と、前記ロードロック室内
に設けられた移動機構であって、前記基板を移動可能な
前記移動機構と、真空ポンプに接続される第１の真空排
気ラインと、前記基板処理室に連通する第２の真空排気
ラインであって前記第１の真空排気ラインと連通する前
記第２の真空排気ラインと、前記移動機構の発塵部を局
所的に排気可能な局所排気手段であって前記第１の真空
排気ラインと連通する前記局所排気手段と、前記局所排
気手段の途中に接続されたバルブと、前記バルブを制御
可能な制御手段とを備え、前記基板処理室において前記
基板を処理している間は、前記制御手段によって前記バ
ルブが閉じられているように制御することを特徴とする
基板処理装置が提供される。
行う基板処理室と、ロードロック室と、前記ロードロッ
ク室内にガスを供給するガス供給手段と、前記ロードロ
ック室内を排気する排気手段と、前記ロードロック室内
に設けられた移動機構であって、前記基板を移動可能な
前記移動機構と、真空ポンプに接続される第１の真空排
気ラインと、前記基板処理室に連通する第２の真空排気
ラインであって前記第１の真空排気ラインと連通する前
記第２の真空排気ラインと、前記移動機構の発塵部を局
所的に排気可能な局所排気手段であって前記第１の真空
排気ラインと連通する前記局所排気手段と、前記局所排
気手段の途中に接続されたバルブと、前記バルブを制御
可能な制御手段とを備え、前記基板処理室において前記
基板を処理している間は、前記制御手段によって前記バ
ルブが閉じられているように制御することを特徴とする
基板処理装置が提供される。
【００２５】このようにすれば、真空ポンプを共通にし
てコストを低減し装置を簡略化できる一方、基板処理中
は基板処理室のみが真空ポンプによって排気されること
になるので、基板処理中における基板処理室の圧力制御
が厳密に制御できるようになる。このことは、次のよう
に、ロードロック室に連通する排気ラインを同じ真空ポ
ンプで排気可能な構造となっている場合も同様である。
てコストを低減し装置を簡略化できる一方、基板処理中
は基板処理室のみが真空ポンプによって排気されること
になるので、基板処理中における基板処理室の圧力制御
が厳密に制御できるようになる。このことは、次のよう
に、ロードロック室に連通する排気ラインを同じ真空ポ
ンプで排気可能な構造となっている場合も同様である。
【００２６】また、請求項１６によれば、前記ロードロ
ック室に連通する第３の真空排気ラインであって前記第
１の真空排気ラインと連通する前記第３の真空排気ライ
ンと、前記第３の真空排気ラインの途中に設けられた第
２のバルブとをさらに備え、前記制御手段が前記第２の
バルブも制御可能であり、前記基板処理室において前記
基板を処理している間は、前記制御手段によって前記第
２のバルブが閉じられているように制御することを特徴
とする請求項１５記載の基板処理装置が提供される。
ック室に連通する第３の真空排気ラインであって前記第
１の真空排気ラインと連通する前記第３の真空排気ライ
ンと、前記第３の真空排気ラインの途中に設けられた第
２のバルブとをさらに備え、前記制御手段が前記第２の
バルブも制御可能であり、前記基板処理室において前記
基板を処理している間は、前記制御手段によって前記第
２のバルブが閉じられているように制御することを特徴
とする請求項１５記載の基板処理装置が提供される。
【００２７】また、請求項１７によれば、前記ガス供給
手段は、前記ロードロック室内において前記基板が移動
する領域側に連通し、前記排気手段は前記ロードロック
室内において前記移動機構が設けられている領域側に連
通していることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれ
かに記載の基板処理装置が提供される。
手段は、前記ロードロック室内において前記基板が移動
する領域側に連通し、前記排気手段は前記ロードロック
室内において前記移動機構が設けられている領域側に連
通していることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれ
かに記載の基板処理装置が提供される。
【００２８】このようにすれば、基板が移動する領域を
より清浄な状態に保つことができる。
より清浄な状態に保つことができる。
【００２９】また、請求項１８によれば、前記ロードロ
ック室内に設けられた仕切板であって、前記基板が移動
する領域と前記移動機構が設けられている領域とを仕切
る前記仕切板と、前記仕切板に設けられたスリットと、
をさらに備え、前記ガス供給手段により前記基板が移動
する領域に供給されたガスが前記スリットを介して前記
移動機構が設けられている領域に流入するようにしたこ
とを特徴とする請求項１７記載の基板処理装置が提供さ
れる。
ック室内に設けられた仕切板であって、前記基板が移動
する領域と前記移動機構が設けられている領域とを仕切
る前記仕切板と、前記仕切板に設けられたスリットと、
をさらに備え、前記ガス供給手段により前記基板が移動
する領域に供給されたガスが前記スリットを介して前記
移動機構が設けられている領域に流入するようにしたこ
とを特徴とする請求項１７記載の基板処理装置が提供さ
れる。
【００３０】また、請求項１９によれば、前記ロードロ
ック室が前記基板処理室に連結して設けられていること
を特徴とする請求項１乃至１８のいずれかに記載の基板
処理装置が提供される。
ック室が前記基板処理室に連結して設けられていること
を特徴とする請求項１乃至１８のいずれかに記載の基板
処理装置が提供される。
【００３１】また、請求項２０によれば、基板の処理を
行う基板処理室と、ロードロック室と、前記ロードロッ
ク室内にガスを供給するガス供給手段と、前記ロードロ
ック室内を排気する排気手段と、前記ロードロック室内
に設けられた移動機構であって、前記基板を移動可能な
前記移動機構と、前記移動機構の発塵部を局所的に排気
可能な局所排気手段と、前記ガス供給手段、前記排気手
段および前記局所排気手段のうちの少なくとも１つに設
けられた流量制御装置と、を備える基板処理装置を用い
て、前記ガス供給手段から前記ロードロック室内にガス
を供給し、前記局所排気手段により前記発塵部を局所排
気し、前記排気手段により前記ロードロック室内の前記
ガスを排気すると共に、前記流量制御装置により前記ガ
ス供給手段、前記排気手段および前記局所排気手段のう
ちの少なくとも１つの流量を制御することにより前記ロ
ードロック室内の圧力を制御しつつ前記移動機構を利用
して前記基板を移動する工程と、前記基板処理室で前記
基板を処理する工程と、を備えることを特徴とする基板
処理方法が提供される。
行う基板処理室と、ロードロック室と、前記ロードロッ
ク室内にガスを供給するガス供給手段と、前記ロードロ
ック室内を排気する排気手段と、前記ロードロック室内
に設けられた移動機構であって、前記基板を移動可能な
前記移動機構と、前記移動機構の発塵部を局所的に排気
可能な局所排気手段と、前記ガス供給手段、前記排気手
段および前記局所排気手段のうちの少なくとも１つに設
けられた流量制御装置と、を備える基板処理装置を用い
て、前記ガス供給手段から前記ロードロック室内にガス
を供給し、前記局所排気手段により前記発塵部を局所排
気し、前記排気手段により前記ロードロック室内の前記
ガスを排気すると共に、前記流量制御装置により前記ガ
ス供給手段、前記排気手段および前記局所排気手段のう
ちの少なくとも１つの流量を制御することにより前記ロ
ードロック室内の圧力を制御しつつ前記移動機構を利用
して前記基板を移動する工程と、前記基板処理室で前記
基板を処理する工程と、を備えることを特徴とする基板
処理方法が提供される。
【００３２】このようにすれば、パーティクルの発生源
であるベアリングやナット部分等の移動機構の発塵部か
ら発生するパーティクルを局所排気手段によって強制的
に効率よく排気しつつ基板を移動することができる。
であるベアリングやナット部分等の移動機構の発塵部か
ら発生するパーティクルを局所排気手段によって強制的
に効率よく排気しつつ基板を移動することができる。
【００３３】そして、局所排気手段を設けることによっ
てロードロック室内が排気されやすくなってロードロッ
ク室内の圧力が下がりやすくなったとしても、流量制御
装置によりガス供給手段、排気手段および局所排気手段
のうちの少なくとも１つの流量を制御することによりロ
ードロック室内の圧力を制御して基板を移動するから、
排気手段からの逆流を防止しつつ基板を移動できる。
てロードロック室内が排気されやすくなってロードロッ
ク室内の圧力が下がりやすくなったとしても、流量制御
装置によりガス供給手段、排気手段および局所排気手段
のうちの少なくとも１つの流量を制御することによりロ
ードロック室内の圧力を制御して基板を移動するから、
排気手段からの逆流を防止しつつ基板を移動できる。
【００３４】また、請求項２１によれば、前記ロードロ
ック室が前記基板処理室に連結して設けられており、前
記基板を移動する工程が、前記基板処理室と前記ロード
ロック室との間で前記移動機構を利用して前記基板を移
動する工程であることを特徴とする請求項２０記載の基
板処理方法が提供される。
ック室が前記基板処理室に連結して設けられており、前
記基板を移動する工程が、前記基板処理室と前記ロード
ロック室との間で前記移動機構を利用して前記基板を移
動する工程であることを特徴とする請求項２０記載の基
板処理方法が提供される。
【００３５】また、請求項２２によれば、前記排気手段
が、一端が実質的に大気圧であり他端が前記ロードロッ
ク室内に連通する大気圧ベントラインを備え、前記基板
を移動する工程が、前記ロードロック室内の圧力を大気
圧よりも高く制御しつつ前記基板を移動する工程である
ことを特徴とする請求項２０または２１記載の基板処理
方法が提供される。
が、一端が実質的に大気圧であり他端が前記ロードロッ
ク室内に連通する大気圧ベントラインを備え、前記基板
を移動する工程が、前記ロードロック室内の圧力を大気
圧よりも高く制御しつつ前記基板を移動する工程である
ことを特徴とする請求項２０または２１記載の基板処理
方法が提供される。
【００３６】このようすれば、ガス供給手段により供給
されたガスを大気ベントラインおよび局所排気手段によ
り排気する場合に、大気ベントラインからの逆流を防止
できる。
されたガスを大気ベントラインおよび局所排気手段によ
り排気する場合に、大気ベントラインからの逆流を防止
できる。
【００３７】また、請求項２３によれば、前記基板を移
動する工程が、前記局所排気手段の流量を測定しつつ前
記基板を移動する工程であることを特徴とする請求項２
０乃至２２のいずれかに記載の基板処理方法が提供され
る。
動する工程が、前記局所排気手段の流量を測定しつつ前
記基板を移動する工程であることを特徴とする請求項２
０乃至２２のいずれかに記載の基板処理方法が提供され
る。
【００３８】また、請求項２４によれば、前記局所排気
手段が複数設けられ、前記複数の局所排気手段のそれぞ
れに前記流量測定装置が設けられ、前記基板を移動する
工程が、前記複数の局所排気手段のすべての流量を測定
しつつ前記基板を移動する工程であることを特徴とする
請求項２３記載の基板処理方法が提供される。
手段が複数設けられ、前記複数の局所排気手段のそれぞ
れに前記流量測定装置が設けられ、前記基板を移動する
工程が、前記複数の局所排気手段のすべての流量を測定
しつつ前記基板を移動する工程であることを特徴とする
請求項２３記載の基板処理方法が提供される。
【００３９】また、請求項２５によれば、前記局所排気
手段が可撓性のある排気管を備えていることを特徴とす
る請求項２０乃至２４のいずれかに記載の基板処理方法
が提供される。
手段が可撓性のある排気管を備えていることを特徴とす
る請求項２０乃至２４のいずれかに記載の基板処理方法
が提供される。
【００４０】局所排気中に局所排気ラインが折れ曲がっ
たり詰まったりした場合には、そのような折れ曲がった
り詰まったりした部分から上流側のパーティクルがロー
ドロック室内に飛散してしまう場合もあり、放っておく
と歩留まりが大幅に低下してしまうが、局所排気手段の
排気量を測定しつつ基板を移動することにより、そのよ
うな異常をすぐに検出でき、歩留まりの低下を抑制でき
るようになる。そして、複数の局所排気手段が設けられ
ている場合には、各局所排気手段の流量をそれぞれ測定
しつつ基板を移動できることが好ましく、また、局所排
気手段にテフロンチューブ等の可撓性のある排気管が使
用されている場合には折れ曲がったりすることが起こり
やすいので、特に局所排気手段の流量を測定することが
重要となる。
たり詰まったりした場合には、そのような折れ曲がった
り詰まったりした部分から上流側のパーティクルがロー
ドロック室内に飛散してしまう場合もあり、放っておく
と歩留まりが大幅に低下してしまうが、局所排気手段の
排気量を測定しつつ基板を移動することにより、そのよ
うな異常をすぐに検出でき、歩留まりの低下を抑制でき
るようになる。そして、複数の局所排気手段が設けられ
ている場合には、各局所排気手段の流量をそれぞれ測定
しつつ基板を移動できることが好ましく、また、局所排
気手段にテフロンチューブ等の可撓性のある排気管が使
用されている場合には折れ曲がったりすることが起こり
やすいので、特に局所排気手段の流量を測定することが
重要となる。
【００４１】また、請求項２６によれば、前記基板処理
装置が真空ポンプに接続される第１の真空排気ライン
と、前記基板処理室に連通する第２の真空排気ラインで
あって前記第１の真空排気ラインと連通する前記第２の
真空排気ラインとをさらに備え、前記局所排気手段が前
記第１の真空排気ラインと連通し、前記基板処理室で前
記基板を処理する工程が、前記局所排気手段から前記真
空ポンプを介して排気を行わず、前記第１および前記第
２の真空排気ラインによって前記基板処理室を排気しつ
つ前記基板処理室内の圧力を制御して前記基板処理室で
前記基板を処理する工程であることを特徴とする請求項
２０乃至２５のいずれかに記載の基板処理方法が提供さ
れる。
装置が真空ポンプに接続される第１の真空排気ライン
と、前記基板処理室に連通する第２の真空排気ラインで
あって前記第１の真空排気ラインと連通する前記第２の
真空排気ラインとをさらに備え、前記局所排気手段が前
記第１の真空排気ラインと連通し、前記基板処理室で前
記基板を処理する工程が、前記局所排気手段から前記真
空ポンプを介して排気を行わず、前記第１および前記第
２の真空排気ラインによって前記基板処理室を排気しつ
つ前記基板処理室内の圧力を制御して前記基板処理室で
前記基板を処理する工程であることを特徴とする請求項
２０乃至２５のいずれかに記載の基板処理方法が提供さ
れる。
【００４２】このようにすれば、真空ポンプを共通にし
てコストを低減し装置を簡略化できる一方、基板処理室
のみを真空ポンプによって排気して基板処理を行うこと
になるので、基板処理中における基板処理室の圧力制御
が厳密に制御できる。
てコストを低減し装置を簡略化できる一方、基板処理室
のみを真空ポンプによって排気して基板処理を行うこと
になるので、基板処理中における基板処理室の圧力制御
が厳密に制御できる。
【００４３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００４４】図１、図２は、本発明の一実施の形態の半
導体製造装置を説明するための図であり、図１は、図２
のＸ１−Ｘ１線横断面図であり、図２は図１のＹ１ーＹ
１線縦断面図である。図３、図４および図５は、それぞ
れ、図２のＢ部、Ａ部およびＣ部の拡大縦断面図であ
る。図６は、本発明の一実施の形態の半導体製造装置の
操作シーケンスを説明するためのシーケンス図である。
導体製造装置を説明するための図であり、図１は、図２
のＸ１−Ｘ１線横断面図であり、図２は図１のＹ１ーＹ
１線縦断面図である。図３、図４および図５は、それぞ
れ、図２のＢ部、Ａ部およびＣ部の拡大縦断面図であ
る。図６は、本発明の一実施の形態の半導体製造装置の
操作シーケンスを説明するためのシーケンス図である。
【００４５】この半導体製造装置１００は、Ｓｉ等の半
導体ウェーハ１０１を搭載するボート１０を収容するロ
ードロック室１を備え、そのロードロック室１内にボー
ト１０を昇降させる移動機構２を有している。ロードロ
ック室１内には仕切板１６が設けられ、この仕切板１６
によりロードロック室１を、移動機構２を収容する移動
機構室５２と、ボート１０を収容するボート室５１とに
分離している。
導体ウェーハ１０１を搭載するボート１０を収容するロ
ードロック室１を備え、そのロードロック室１内にボー
ト１０を昇降させる移動機構２を有している。ロードロ
ック室１内には仕切板１６が設けられ、この仕切板１６
によりロードロック室１を、移動機構２を収容する移動
機構室５２と、ボート１０を収容するボート室５１とに
分離している。
【００４６】ロードロック室１の側壁６２のボート室５
１側には、開口９１が設けられており、開口９１にはゲ
ートバルブ１７が取り付けられている。この開口９１お
よびゲートバルブ１７を介して、ウェーハ１０１をボー
ト１０に搭載し、またボート１０から取り出す。ロード
ロック室１上にはウェーハ１０１に成膜処理をする反応
炉１９が設けられ、反応炉１９とボート室５１との間の
天井壁６５には開口９２が設けられ、開口９２にはゲー
トバルブ１８が取り付けられている。開口９２およびゲ
ートバルブ１８を介してボート１０をロードロック室１
から反応炉１９内に導入し、また反応炉１９から取り出
す。
１側には、開口９１が設けられており、開口９１にはゲ
ートバルブ１７が取り付けられている。この開口９１お
よびゲートバルブ１７を介して、ウェーハ１０１をボー
ト１０に搭載し、またボート１０から取り出す。ロード
ロック室１上にはウェーハ１０１に成膜処理をする反応
炉１９が設けられ、反応炉１９とボート室５１との間の
天井壁６５には開口９２が設けられ、開口９２にはゲー
トバルブ１８が取り付けられている。開口９２およびゲ
ートバルブ１８を介してボート１０をロードロック室１
から反応炉１９内に導入し、また反応炉１９から取り出
す。
【００４７】このボート１０の上下方向の移動は移動機
構２により行われる。移動機構２は、移動ブロック３、
ボールネジ４、ガイド５、ベアリング６、７、モータ
８、磁気シールユニット９を主な構成部品として構成さ
れている。ボールネジ４およびガイド５は、底壁６６に
取り付けられた基台７１および天井壁６５に取り付けら
れた基台７２間に垂直に設けられている。ボールネジ４
の下端は基台７１内に取り付けられたベアリング７によ
って回転可能に支持されており、ボールネジ４の上端は
基台７２内に取り付けられたベアリング６によって回転
可能に支持されると共に、その先端は磁気シールユニッ
ト９に取り付けられている。ボールネジ４は磁気シール
ユニット９を介してモータ８により回転させられる。ボ
ールネジ４が回転すると、それとかみ合って取り付けら
れているナット（軸受け）３１および移動ブロック３が
上下し、それによって移動ブロック３に取り付けられて
いるアーム８１が上下してボート１０も上下する。な
お、ボート１０はアーム８１上に取り付けられたボート
載置部８２上に載置されており、アーム８１は、仕切板
１６の中央に垂直に設けられたスリット１６１を水平方
向に貫通して設けられている。また、移動ブロック３に
は、ナット３１に加えてナット（軸受け）３２も設けら
れており、このナット３２はガイド５と共働して移動ブ
ロック３の垂直移動の案内をする。
構２により行われる。移動機構２は、移動ブロック３、
ボールネジ４、ガイド５、ベアリング６、７、モータ
８、磁気シールユニット９を主な構成部品として構成さ
れている。ボールネジ４およびガイド５は、底壁６６に
取り付けられた基台７１および天井壁６５に取り付けら
れた基台７２間に垂直に設けられている。ボールネジ４
の下端は基台７１内に取り付けられたベアリング７によ
って回転可能に支持されており、ボールネジ４の上端は
基台７２内に取り付けられたベアリング６によって回転
可能に支持されると共に、その先端は磁気シールユニッ
ト９に取り付けられている。ボールネジ４は磁気シール
ユニット９を介してモータ８により回転させられる。ボ
ールネジ４が回転すると、それとかみ合って取り付けら
れているナット（軸受け）３１および移動ブロック３が
上下し、それによって移動ブロック３に取り付けられて
いるアーム８１が上下してボート１０も上下する。な
お、ボート１０はアーム８１上に取り付けられたボート
載置部８２上に載置されており、アーム８１は、仕切板
１６の中央に垂直に設けられたスリット１６１を水平方
向に貫通して設けられている。また、移動ブロック３に
は、ナット３１に加えてナット（軸受け）３２も設けら
れており、このナット３２はガイド５と共働して移動ブ
ロック３の垂直移動の案内をする。
【００４８】ロードロック室１の側壁６１側にはＮ2 ガ
ス供給ライン１１が接続されている。Ｎ2 ガス供給ライ
ン１１は、Ｎ2 ガス供給管１１１〜１１５を備えてお
り、Ｎ2 ガス供給管１１１が２本の水平方向のＮ2 ガス
供給管１１２、１１３に分岐し、Ｎ2 ガス供給管１１
２、１１３は側壁６１を貫通した後それぞれ垂直方向の
Ｎ2 ガス供給管１１４、１１５に連通している。Ｎ2 ガ
ス供給管１１４、１１５にはそれぞれ複数の孔１１６が
垂直方向に設けられている。Ｎ2 ガス供給管１１１の途
中には流量計１１８が設けられており、Ｎ2 ガス供給量
を調整できるようになっている。
ス供給ライン１１が接続されている。Ｎ2 ガス供給ライ
ン１１は、Ｎ2 ガス供給管１１１〜１１５を備えてお
り、Ｎ2 ガス供給管１１１が２本の水平方向のＮ2 ガス
供給管１１２、１１３に分岐し、Ｎ2 ガス供給管１１
２、１１３は側壁６１を貫通した後それぞれ垂直方向の
Ｎ2 ガス供給管１１４、１１５に連通している。Ｎ2 ガ
ス供給管１１４、１１５にはそれぞれ複数の孔１１６が
垂直方向に設けられている。Ｎ2 ガス供給管１１１の途
中には流量計１１８が設けられており、Ｎ2 ガス供給量
を調整できるようになっている。
【００４９】Ｎ2 ガスは、Ｎ2 ガス供給ライン１１のＮ
2 ガス供給管１１４、１１５に垂直方向に複数設けられ
た孔１１６からシャワー方式でボート１０およびウェー
ハ１０１に向かって供給され、その後、仕切板１６に設
けられたスリット１６１を通って移動機構室５２内に流
入する。そして、移動機構室５２に連通する局所排気ラ
イン２０、２１、２２および大気圧ベントライン１４か
らＮ2 ガスを排気する。このように被搬送物であるウェ
ーハ１０１が搬入／搬出され、移動する領域側にガス供
給ラインを接続し、排気ラインを移動機構が設けられて
いる領域側に接続することにより、ウェーハ１０１が移
動する領域をより清浄な状態に保つことができる。
2 ガス供給管１１４、１１５に垂直方向に複数設けられ
た孔１１６からシャワー方式でボート１０およびウェー
ハ１０１に向かって供給され、その後、仕切板１６に設
けられたスリット１６１を通って移動機構室５２内に流
入する。そして、移動機構室５２に連通する局所排気ラ
イン２０、２１、２２および大気圧ベントライン１４か
らＮ2 ガスを排気する。このように被搬送物であるウェ
ーハ１０１が搬入／搬出され、移動する領域側にガス供
給ラインを接続し、排気ラインを移動機構が設けられて
いる領域側に接続することにより、ウェーハ１０１が移
動する領域をより清浄な状態に保つことができる。
【００５０】ロードロック室１の側壁６３を貫通して、
真空排気ライン１２１が設けられている。真空排気ライ
ン１２１の途中にはエアバルブ１３が設けられている。
真空排気ライン１２１のエアバルブ１３の手前側には大
気圧ベントライン１４が接続されている。大気圧ベント
ラインの先端は実質的に大気圧となっている。大気圧ベ
ントライン１４の途中にはエアバルブ１５が設けられて
おり、エアバルブ１３、１５により真空排気ライン１２
１と大気圧ベントライン１４との間で排気を切り換える
ようになっている。
真空排気ライン１２１が設けられている。真空排気ライ
ン１２１の途中にはエアバルブ１３が設けられている。
真空排気ライン１２１のエアバルブ１３の手前側には大
気圧ベントライン１４が接続されている。大気圧ベント
ラインの先端は実質的に大気圧となっている。大気圧ベ
ントライン１４の途中にはエアバルブ１５が設けられて
おり、エアバルブ１３、１５により真空排気ライン１２
１と大気圧ベントライン１４との間で排気を切り換える
ようになっている。
【００５１】真空排気ライン１２１は真空排気ライン１
２０に接続され、真空排気ライン１２０には真空ポンプ
８０が接続されている。真空排気ライン１２０の途中に
は、真空排気ライン１２２の一端が接続され、真空排気
ライン１２２の他端は反応炉１９に接続されている。真
空排気ライン１２２の途中には、Ｎ2 バラスト配管１３
１が接続している。Ｎ2 バラスト配管１３１の途中には
流量計１３２が設けられており、Ｎ2 バラスト配管１３
１へのＮ2 ガス供給量を調整できるようになっている。
Ｎ2 バラスト配管１３１の上流側の真空排気ライン１２
２にはエアバルブ１２３が設けられている。
２０に接続され、真空排気ライン１２０には真空ポンプ
８０が接続されている。真空排気ライン１２０の途中に
は、真空排気ライン１２２の一端が接続され、真空排気
ライン１２２の他端は反応炉１９に接続されている。真
空排気ライン１２２の途中には、Ｎ2 バラスト配管１３
１が接続している。Ｎ2 バラスト配管１３１の途中には
流量計１３２が設けられており、Ｎ2 バラスト配管１３
１へのＮ2 ガス供給量を調整できるようになっている。
Ｎ2 バラスト配管１３１の上流側の真空排気ライン１２
２にはエアバルブ１２３が設けられている。
【００５２】ロードロック室１の底壁６６を貫通して移
動機構室５２内に連通する圧力計４１が設けられてお
り、ロードロック室１内、そのなかでも特に移動機構室
５２内の圧力を測定できるようになっている。
動機構室５２内に連通する圧力計４１が設けられてお
り、ロードロック室１内、そのなかでも特に移動機構室
５２内の圧力を測定できるようになっている。
【００５３】ベアリング７、移動ブロック３およびベア
リング６がある部分をそれぞれ局所的に排気できるよう
に局所排気ライン２０、２１、２２が設けられている。
局所排気ライン２０、２１、２２にはそれぞれ流量計２
０１、２１１、２２１が接続されており、それぞれの局
所排気量を各々調整および測定できるようになってい
る。流量計２０１、２１１、２２１の後方において、局
所排気ライン２０、２１、２２は１本の局所排気ライン
２３となり、その先端はエアバルブ１３の後方の真空排
気ライン１２１に接続されている。なお、局所排気ライ
ン２３の途中には排気オン−オフ用のエアバルブ２４が
設けられている。局所排気ライン２０、２１、２２およ
び２３は、テフロンチューブから構成されている。
リング６がある部分をそれぞれ局所的に排気できるよう
に局所排気ライン２０、２１、２２が設けられている。
局所排気ライン２０、２１、２２にはそれぞれ流量計２
０１、２１１、２２１が接続されており、それぞれの局
所排気量を各々調整および測定できるようになってい
る。流量計２０１、２１１、２２１の後方において、局
所排気ライン２０、２１、２２は１本の局所排気ライン
２３となり、その先端はエアバルブ１３の後方の真空排
気ライン１２１に接続されている。なお、局所排気ライ
ン２３の途中には排気オン−オフ用のエアバルブ２４が
設けられている。局所排気ライン２０、２１、２２およ
び２３は、テフロンチューブから構成されている。
【００５４】エアバルブ１３、１５、２４、１２３、流
量計１１８、１３２、２０１、２１１、２２１および圧
力計４１は、制御装置１５０に接続されている。制御装
置１５０には、表示装置１５１が接続され、流量計１１
８、１３２、２０１、２１１、２２１からの各流量情報
および圧力計４１からの圧力情報を表示するようにして
いる。
量計１１８、１３２、２０１、２１１、２２１および圧
力計４１は、制御装置１５０に接続されている。制御装
置１５０には、表示装置１５１が接続され、流量計１１
８、１３２、２０１、２１１、２２１からの各流量情報
および圧力計４１からの圧力情報を表示するようにして
いる。
【００５５】図３に示すように、移動ブロック３を覆っ
てカバー２６が設けられており、カバー２６により覆わ
れた空間２６１に連通して局所排気ライン２１が設けら
れている。なお、カバー２６には、ボールネジ４との間
に隙間２６２が形成され、ガイド５との間に隙間２６３
が形成されている。ロードロック室１内のＮ2 ガスが、
これらの隙間２６２および２６３を介してカバー２６に
より覆われた空間２６１に流入し、局所排気ライン２１
によって排気される。
てカバー２６が設けられており、カバー２６により覆わ
れた空間２６１に連通して局所排気ライン２１が設けら
れている。なお、カバー２６には、ボールネジ４との間
に隙間２６２が形成され、ガイド５との間に隙間２６３
が形成されている。ロードロック室１内のＮ2 ガスが、
これらの隙間２６２および２６３を介してカバー２６に
より覆われた空間２６１に流入し、局所排気ライン２１
によって排気される。
【００５６】図４に示すように、基台７１には凹部２５
１が形成されており、凹部２５１内にはベアリング７が
取り付けられている。凹部２５１の開放端側の基台７１
には凹部２５１およびベアリング７を覆ってカバー２５
が設けられており、カバー２５により覆われた空間２５
２に連通して局所排気ライン２０が設けられている。カ
バー２５には、ボールネジ４との間に隙間２５３が形成
されている。
１が形成されており、凹部２５１内にはベアリング７が
取り付けられている。凹部２５１の開放端側の基台７１
には凹部２５１およびベアリング７を覆ってカバー２５
が設けられており、カバー２５により覆われた空間２５
２に連通して局所排気ライン２０が設けられている。カ
バー２５には、ボールネジ４との間に隙間２５３が形成
されている。
【００５７】図５に示すように、基台７２には凹部２７
１が形成されており、凹部２７１内にはベアリング６が
取り付けられている。凹部２７１の開放端側の基台７２
には凹部２７１およびベアリング６を覆ってカバー２７
が設けられており、カバー２７により覆われた空間２７
２に連通して局所排気ライン２２が設けられている。カ
バー２７には、ボールネジ４との間に隙間２７３が形成
されている。
１が形成されており、凹部２７１内にはベアリング６が
取り付けられている。凹部２７１の開放端側の基台７２
には凹部２７１およびベアリング６を覆ってカバー２７
が設けられており、カバー２７により覆われた空間２７
２に連通して局所排気ライン２２が設けられている。カ
バー２７には、ボールネジ４との間に隙間２７３が形成
されている。
【００５８】ベアリング７、６の局所排気部分では、隙
間２５３、隙間２７３を介してＮ2ガスが、カバー２５
により覆われた空間２５２、カバー２７により覆われた
空間２７２にそれぞれ流入し、局所排気ライン２０、２
２によってそれぞれ排気される。
間２５３、隙間２７３を介してＮ2ガスが、カバー２５
により覆われた空間２５２、カバー２７により覆われた
空間２７２にそれぞれ流入し、局所排気ライン２０、２
２によってそれぞれ排気される。
【００５９】ここで、移動ブロック３の局所排気部分に
おけるカバー２６とボールネジ４との間の隙間２６２の
クリアランスおよびガイド５との間の隙間２６３のクリ
アランス、ベアリング７、６の局所排気部分におけるカ
バー２５とボールネジ４との間の隙間２５３のクリアラ
ンス、カバー２７とボールネジ４との間の隙間２７３の
クリアランスをできるだけ小さくすることにより、カバ
ー２５、２６、２７でそれぞれ覆われた空間２５２、２
６１、２７２に流入するＮ2 ガスの流速を上げることが
でき、その結果、ベアリング６、７やナット３１、３２
から発生したパーティクルがカバー２５、２６、２７の
外に流出するのを効果的に防止することができると共に
局所排気ライン２０、２１、２２により強制的にロード
ロック室１外に容易に排出することができる。なお、本
実施の形態においては、隙間２６２のクリアランス、隙
間２６３のクリアランス、隙間２５３のクリアランスお
よび隙間２７３のクリアランスを約１．５ｍｍとした。
おけるカバー２６とボールネジ４との間の隙間２６２の
クリアランスおよびガイド５との間の隙間２６３のクリ
アランス、ベアリング７、６の局所排気部分におけるカ
バー２５とボールネジ４との間の隙間２５３のクリアラ
ンス、カバー２７とボールネジ４との間の隙間２７３の
クリアランスをできるだけ小さくすることにより、カバ
ー２５、２６、２７でそれぞれ覆われた空間２５２、２
６１、２７２に流入するＮ2 ガスの流速を上げることが
でき、その結果、ベアリング６、７やナット３１、３２
から発生したパーティクルがカバー２５、２６、２７の
外に流出するのを効果的に防止することができると共に
局所排気ライン２０、２１、２２により強制的にロード
ロック室１外に容易に排出することができる。なお、本
実施の形態においては、隙間２６２のクリアランス、隙
間２６３のクリアランス、隙間２５３のクリアランスお
よび隙間２７３のクリアランスを約１．５ｍｍとした。
【００６０】このように局所排気を行えば、パーティク
ルの発生源であるベアリング６、７やナット３１、３２
等の移動機構の発塵部から発生するパーティクルを強制
的に効率よく排気することができる。また、このような
発塵部を覆うカバー２５、２６、２７を設け、このカバ
ー２５、２６、２７によって覆われた空間２５２、２６
１、２７２を局所排気ライン２０、２１、２２により局
所的に排気すれば、カバーという簡単な構造で発塵部か
ら発生するパーティクルを容易に強制的に排気できる。
ルの発生源であるベアリング６、７やナット３１、３２
等の移動機構の発塵部から発生するパーティクルを強制
的に効率よく排気することができる。また、このような
発塵部を覆うカバー２５、２６、２７を設け、このカバ
ー２５、２６、２７によって覆われた空間２５２、２６
１、２７２を局所排気ライン２０、２１、２２により局
所的に排気すれば、カバーという簡単な構造で発塵部か
ら発生するパーティクルを容易に強制的に排気できる。
【００６１】また、このように、移動機構が軸と軸受け
とを備えている場合には、この軸受けを覆うと共に、軸
との間に隙間を有するカバーを設けることにより、軸受
けの移動動作を妨げることもなく、しかも、その隙間を
通ってカバーによって覆われた空間に流入するガスの流
速を上げることができ、その結果、軸受け等の発塵部か
ら発生したパーティクルがカバーの外に流出するのを効
果的に防止することができると共に局所排気ラインによ
り容易に強制的に排出することができるようになる。
とを備えている場合には、この軸受けを覆うと共に、軸
との間に隙間を有するカバーを設けることにより、軸受
けの移動動作を妨げることもなく、しかも、その隙間を
通ってカバーによって覆われた空間に流入するガスの流
速を上げることができ、その結果、軸受け等の発塵部か
ら発生したパーティクルがカバーの外に流出するのを効
果的に防止することができると共に局所排気ラインによ
り容易に強制的に排出することができるようになる。
【００６２】また、本実施の形態においては、局所排気
ライン２３用の真空ポンプ、ロードロック室１排気用の
真空ポンプおよび反応炉１９排気用の真空ポンプを１つ
の真空ポンプ８０で兼用しているので、コストを低減
し、装置を簡略化等することができる。
ライン２３用の真空ポンプ、ロードロック室１排気用の
真空ポンプおよび反応炉１９排気用の真空ポンプを１つ
の真空ポンプ８０で兼用しているので、コストを低減
し、装置を簡略化等することができる。
【００６３】次に、このような構成の半導体製造装置１
００を用いて半導体ウェーハ１０１に成膜処理を行う方
法について、図６を参照しながら説明する。なお、エア
バルブ１３、１５、２４、１２３および流量計１１８、
１３２、２０１、２１１、２２１の制御は制御装置１５
０よって行われ、流量計１１８、１３２、２０１、２１
１、２２１からの各流量情報および圧力計４１からの圧
力情報は制御装置１５０を介して表示装置１５１によっ
て表示される。
００を用いて半導体ウェーハ１０１に成膜処理を行う方
法について、図６を参照しながら説明する。なお、エア
バルブ１３、１５、２４、１２３および流量計１１８、
１３２、２０１、２１１、２２１の制御は制御装置１５
０よって行われ、流量計１１８、１３２、２０１、２１
１、２２１からの各流量情報および圧力計４１からの圧
力情報は制御装置１５０を介して表示装置１５１によっ
て表示される。
【００６４】（ステップＳ１）まず、ゲートバルブ１８
を閉じた状態で反応炉１９内を所定の温度と雰囲気に保
っておく。ゲートバルブ１７を開放状態にする。このと
き、エアバルブ１３、１５は閉じておく。エアバルブ２
４は開いた状態としておき、流量計２０１、２１１、２
２１によって各局所排気ライン２０、２１、２２の流量
をそれぞれ所定の値に制御しながら局所排気を行いつ
つ、開口９１およびゲートバルブ１７を介して、ロード
ロック室１外部の大気圧雰囲気からボート１０上に複数
の半導体ウェーハ１０１を搭載する。
を閉じた状態で反応炉１９内を所定の温度と雰囲気に保
っておく。ゲートバルブ１７を開放状態にする。このと
き、エアバルブ１３、１５は閉じておく。エアバルブ２
４は開いた状態としておき、流量計２０１、２１１、２
２１によって各局所排気ライン２０、２１、２２の流量
をそれぞれ所定の値に制御しながら局所排気を行いつ
つ、開口９１およびゲートバルブ１７を介して、ロード
ロック室１外部の大気圧雰囲気からボート１０上に複数
の半導体ウェーハ１０１を搭載する。
【００６５】（ステップＳ２）その後、ゲートバルブ１
７を閉じ、エアバルブ２４を閉じて局所排気ライン２
０、２１、２２による局所排気を止め、エアバルブ１５
を閉じたままとし、エアバルブ１３を開いてロードロッ
ク室１内を真空排気ライン１２１、１２０を介して真空
引きする。
７を閉じ、エアバルブ２４を閉じて局所排気ライン２
０、２１、２２による局所排気を止め、エアバルブ１５
を閉じたままとし、エアバルブ１３を開いてロードロッ
ク室１内を真空排気ライン１２１、１２０を介して真空
引きする。
【００６６】（ステップＳ３）その後、エアバルブ１３
を閉じ、Ｎ2 ガス供給ライン１１からＮ2 ガスをロード
ロック室１内が大気圧以上になるまで供給してロードロ
ック室１内をＮ2 ガス雰囲気にし、その後、Ｎ2 ガス供
給ライン１１からＮ2 ガスを供給した状態で、エアバル
ブ１５を開き、大気圧ベントライン１４からＮ2 ガスを
排気する。
を閉じ、Ｎ2 ガス供給ライン１１からＮ2 ガスをロード
ロック室１内が大気圧以上になるまで供給してロードロ
ック室１内をＮ2 ガス雰囲気にし、その後、Ｎ2 ガス供
給ライン１１からＮ2 ガスを供給した状態で、エアバル
ブ１５を開き、大気圧ベントライン１４からＮ2 ガスを
排気する。
【００６７】この際、大気圧ベントライン１４からのパ
ーティクルや酸素の逆流を防止するため、ロードロック
室１内が大気圧より若干陽圧（０．０５ｋｆｇ／ｃｍ2
Ｇ程度）となるように、流量計１１８によりＮ2 ガス供
給ライン１１から供給するＮ2 ガスの流量を制御する。
この流量計１１８の流量の制御は、圧力計４１から入力
されたロードロック室１内の圧力情報に応じて制御装置
１５０によって行われる。
ーティクルや酸素の逆流を防止するため、ロードロック
室１内が大気圧より若干陽圧（０．０５ｋｆｇ／ｃｍ2
Ｇ程度）となるように、流量計１１８によりＮ2 ガス供
給ライン１１から供給するＮ2 ガスの流量を制御する。
この流量計１１８の流量の制御は、圧力計４１から入力
されたロードロック室１内の圧力情報に応じて制御装置
１５０によって行われる。
【００６８】（ステップＳ４）その後、局所排気ライン
２０、２１、２２による局所排気を開始し、Ｎ2 ガス供
給ライン１１からＮ2 ガスを供給しつつ局所排気ライン
２０、２１、２２および大気圧ベントライン１４からＮ
2 ガスを排気する。この状態でゲートバルブ１８を開
き、移動機構２によりボート１０を上昇させて反応炉１
９内に導入する。
２０、２１、２２による局所排気を開始し、Ｎ2 ガス供
給ライン１１からＮ2 ガスを供給しつつ局所排気ライン
２０、２１、２２および大気圧ベントライン１４からＮ
2 ガスを排気する。この状態でゲートバルブ１８を開
き、移動機構２によりボート１０を上昇させて反応炉１
９内に導入する。
【００６９】このように、Ｎ2 ガス供給ライン１１から
Ｎ2 ガスを供給しつつ局所排気ライン２０、２１、２２
および大気圧ベントライン１４からＮ2 ガスを排気する
場合には、大気圧ベントライン１４からのパーティクル
や酸素の逆流を防止するため、ロードロック室１内をベ
ント側（略大気圧）より若干陽圧（０．０５ｋｆｇ／ｃ
ｍ2 Ｇ程度）となるように設定することが望まれる。
Ｎ2 ガスを供給しつつ局所排気ライン２０、２１、２２
および大気圧ベントライン１４からＮ2 ガスを排気する
場合には、大気圧ベントライン１４からのパーティクル
や酸素の逆流を防止するため、ロードロック室１内をベ
ント側（略大気圧）より若干陽圧（０．０５ｋｆｇ／ｃ
ｍ2 Ｇ程度）となるように設定することが望まれる。
【００７０】しかしながら、ロードロック室１内は局所
排気ライン２０、２１、２２によって引かれているの
で、局所排気ライン２０、２１、２２で引き過ぎるとロ
ードロック室１内の圧力が大気圧よりも下がり大気圧ベ
ント側からの逆流が生じてしまいロードロック室１内が
パーティクルや酸素等で汚染されてしまうことにもなり
かねない。
排気ライン２０、２１、２２によって引かれているの
で、局所排気ライン２０、２１、２２で引き過ぎるとロ
ードロック室１内の圧力が大気圧よりも下がり大気圧ベ
ント側からの逆流が生じてしまいロードロック室１内が
パーティクルや酸素等で汚染されてしまうことにもなり
かねない。
【００７１】そのため、局所排気を行うにあたり、ロー
ドロック室１内の圧力を大気圧よりも若干高めに調整す
る。ロードロック室１内の圧力調整方法としては、局所
排気ライン２３に流量計を設け、局所排気ライン２３の
流量を調整する方法が良く、さらに、Ｎ2 ガス供給ライ
ン１１にも流量計を設けて、Ｎ2 ガス供給ライン１１お
よび局所排気ライン２３両方の流量を調整する方法がさ
らに良い。
ドロック室１内の圧力を大気圧よりも若干高めに調整す
る。ロードロック室１内の圧力調整方法としては、局所
排気ライン２３に流量計を設け、局所排気ライン２３の
流量を調整する方法が良く、さらに、Ｎ2 ガス供給ライ
ン１１にも流量計を設けて、Ｎ2 ガス供給ライン１１お
よび局所排気ライン２３両方の流量を調整する方法がさ
らに良い。
【００７２】なお、大気ベントライン１４に流量計１４
０を設けて大気ベントライン１４の流量を調整すること
によってロードロック室１内の圧力を調整することもで
きる。
０を設けて大気ベントライン１４の流量を調整すること
によってロードロック室１内の圧力を調整することもで
きる。
【００７３】このように、ロードロック室１内の圧力の
調整は、局所排気ライン２３、Ｎ2ガス供給ライン１
１、および大気ベントライン１４の少なくともいずれか
１つの流量を調整することにより行うことができるが、
例えば本実施の形態のようにＮ2 ガス供給ライン１１お
よび局所排気ライン２３両方の流量を調整するように、
３つのラインのうちの２つの流量を調整してもよく、３
つのラインすべての流量を調整しても良い。
調整は、局所排気ライン２３、Ｎ2ガス供給ライン１
１、および大気ベントライン１４の少なくともいずれか
１つの流量を調整することにより行うことができるが、
例えば本実施の形態のようにＮ2 ガス供給ライン１１お
よび局所排気ライン２３両方の流量を調整するように、
３つのラインのうちの２つの流量を調整してもよく、３
つのラインすべての流量を調整しても良い。
【００７４】また、局所排気箇所が複数あり、複数の局
所排気箇所にそれぞれ対応させて複数の局所排気ライン
が設けられている場合には、各局所排気ラインの長さや
排気抵抗の違い等により排気量が異なるため、本実施の
形態のように、局所排気ライン２０、２１、２２毎にマ
スフローコントローラー等の流量計２０１、２１１、２
２１をそれぞれ配置すれば、複数の局所排気ライン２
０、２１、２２の排気量をそれぞれ独立して調整および
測定できるようになり、確実な排気が可能となる。
所排気箇所にそれぞれ対応させて複数の局所排気ライン
が設けられている場合には、各局所排気ラインの長さや
排気抵抗の違い等により排気量が異なるため、本実施の
形態のように、局所排気ライン２０、２１、２２毎にマ
スフローコントローラー等の流量計２０１、２１１、２
２１をそれぞれ配置すれば、複数の局所排気ライン２
０、２１、２２の排気量をそれぞれ独立して調整および
測定できるようになり、確実な排気が可能となる。
【００７５】さらに、局所排気実行中に、駆動部の動作
または外部からの影響等によって、局所排気ライン２
０、２１、２２のいずれかが途中で折れ曲がったりした
場合、その局所排気ラインは局所排気することができな
いようになり、折れ曲がった部分より上流側に存在する
パーティクルがロードロック室１内に飛散し、放ってお
くと歩留まりが大幅に低下してしまうので、局所排気ラ
イン２０、２１、２２の排気量を流量計２０１、２１
１、２２１によりそれぞれ測定し、予め定められた所定
の排気量とそれぞれ比較し、局所排気ライン２０、２
１、２２のそれぞれの流量だけでなく、局所排気ライン
２０、２１、２２のそれぞれの排気量が正常であるまた
は低下している等の情報も表示装置１５１に表示させ常
に局所排気状態もモニタするようにしている。
または外部からの影響等によって、局所排気ライン２
０、２１、２２のいずれかが途中で折れ曲がったりした
場合、その局所排気ラインは局所排気することができな
いようになり、折れ曲がった部分より上流側に存在する
パーティクルがロードロック室１内に飛散し、放ってお
くと歩留まりが大幅に低下してしまうので、局所排気ラ
イン２０、２１、２２の排気量を流量計２０１、２１
１、２２１によりそれぞれ測定し、予め定められた所定
の排気量とそれぞれ比較し、局所排気ライン２０、２
１、２２のそれぞれの流量だけでなく、局所排気ライン
２０、２１、２２のそれぞれの排気量が正常であるまた
は低下している等の情報も表示装置１５１に表示させ常
に局所排気状態もモニタするようにしている。
【００７６】このようにすることにより、局所排気ライ
ン２０、２１、２２の異常を局所排気ライン毎にすぐに
検出できる。本実施の形態では、局所排気ライン２０、
２１、２２に可撓性のあるテフロンチューブが用いられ
ており、折れ曲がったりしやすいので、局所排気ライン
２０、２１、２２の流量をモニタすることは特に重要で
ある。
ン２０、２１、２２の異常を局所排気ライン毎にすぐに
検出できる。本実施の形態では、局所排気ライン２０、
２１、２２に可撓性のあるテフロンチューブが用いられ
ており、折れ曲がったりしやすいので、局所排気ライン
２０、２１、２２の流量をモニタすることは特に重要で
ある。
【００７７】上述のように、本実施の形態においては、
流量計２０１、２１１、２２１による排気量の調整、お
よびＮ2 ガス供給ライン１１の流量制御により効果的な
Ｎ2ガスフローが実現できる。この際、一般的には、流
量計２０１、２１１、２２１により局所排気ライン２
０、２１、２２をそれぞれ一定の排気量に設定してお
き、局所排気ライン２０、２１、２２のそれぞれの排気
量の総和以上の流量のＮ2ガスをＮ2 ガス供給ライン１
１より供給し、局所排気ライン２０、２１、２２および
大気圧ベントライン１４により排気する。本実施の形態
では、ロードロック室１内がＮ2 雰囲気となった後にお
いては、Ｎ2 ガス供給ライン１１からのＮ2ガス供給量
を２０ｌ／ｍｉｎとし、局所排気ライン２０、２１、２
２の各排気量をそれぞれ５ｌ／ｍｉｎとした。
流量計２０１、２１１、２２１による排気量の調整、お
よびＮ2 ガス供給ライン１１の流量制御により効果的な
Ｎ2ガスフローが実現できる。この際、一般的には、流
量計２０１、２１１、２２１により局所排気ライン２
０、２１、２２をそれぞれ一定の排気量に設定してお
き、局所排気ライン２０、２１、２２のそれぞれの排気
量の総和以上の流量のＮ2ガスをＮ2 ガス供給ライン１
１より供給し、局所排気ライン２０、２１、２２および
大気圧ベントライン１４により排気する。本実施の形態
では、ロードロック室１内がＮ2 雰囲気となった後にお
いては、Ｎ2 ガス供給ライン１１からのＮ2ガス供給量
を２０ｌ／ｍｉｎとし、局所排気ライン２０、２１、２
２の各排気量をそれぞれ５ｌ／ｍｉｎとした。
【００７８】また、ゲートバルブ１８を開く際には、圧
力計４１からのロードロック室１内の圧力情報を制御装
置１５０に入力し、測定したロードロック室１内の圧力
値と予め設定した所定の圧力値または反応炉１９内の圧
力値とを比較し、流量調整計１１８、２０１、２１１、
２２１を制御装置１５０で制御することによってロード
ロック室１内の圧力を制御して、反応炉１９内とロード
ロック室１内との圧力差をできるだけなくすように圧力
制御する。
力計４１からのロードロック室１内の圧力情報を制御装
置１５０に入力し、測定したロードロック室１内の圧力
値と予め設定した所定の圧力値または反応炉１９内の圧
力値とを比較し、流量調整計１１８、２０１、２１１、
２２１を制御装置１５０で制御することによってロード
ロック室１内の圧力を制御して、反応炉１９内とロード
ロック室１内との圧力差をできるだけなくすように圧力
制御する。
【００７９】（ステップＳ５）その後、ゲートバルブ１
８を閉じる。そして、エアバルブ２４を閉じて局所排気
を止める。ロードロック室１内には、Ｎ2 ガス供給ライ
ン１１からＮ2 ガスを供給し大気圧ベントライン１４か
らＮ2 ガスを排気しておく。
８を閉じる。そして、エアバルブ２４を閉じて局所排気
を止める。ロードロック室１内には、Ｎ2 ガス供給ライ
ン１１からＮ2 ガスを供給し大気圧ベントライン１４か
らＮ2 ガスを排気しておく。
【００８０】この際、大気圧ベントライン１４からのパ
ーティクルや酸素の逆流を防止するため、ロードロック
室１内を大気圧より若干陽圧（０．０５ｋｆｇ／ｃｍ2
Ｇ程度）となるように、流量計１１８によりＮ2 ガス供
給ライン１１から供給するＮ2 ガスの流量を制御する。
ーティクルや酸素の逆流を防止するため、ロードロック
室１内を大気圧より若干陽圧（０．０５ｋｆｇ／ｃｍ2
Ｇ程度）となるように、流量計１１８によりＮ2 ガス供
給ライン１１から供給するＮ2 ガスの流量を制御する。
【００８１】反応炉１９内において、ウェーハ１０１の
成膜処理を行うが、その成膜条件として反応炉１９内の
温度、圧力を厳密に制御することが重要になる。
成膜処理を行うが、その成膜条件として反応炉１９内の
温度、圧力を厳密に制御することが重要になる。
【００８２】本実施の形態では、圧力制御の方法とし
て、Ｎ2 バラスト方式を採用している。Ｎ2 バラスト方
式とは、真空ポンプ８０の排気能力を一定として排気す
る一方で、真空排気ライン１２２の途中に接続されたＮ
2 バラスト配管１３１からＮ2ガスを流入させ、このＮ2
ガスの流量を流量計１３２により制御することによっ
て反応炉１９からの排気量を調整して反応炉１９内の圧
力調整を行う方法である。
て、Ｎ2 バラスト方式を採用している。Ｎ2 バラスト方
式とは、真空ポンプ８０の排気能力を一定として排気す
る一方で、真空排気ライン１２２の途中に接続されたＮ
2 バラスト配管１３１からＮ2ガスを流入させ、このＮ2
ガスの流量を流量計１３２により制御することによっ
て反応炉１９からの排気量を調整して反応炉１９内の圧
力調整を行う方法である。
【００８３】このように、真空排気ライン１２２による
反応炉１９からの排気能力を調整することにより反応炉
１９内の圧力を厳密に調整しているため、反応炉１９内
での成膜処理中に局所排気ライン２３からの排気を真空
排気ラインに流したままにしておくと、局所排気ライン
２３の流量等の変動が真空排気ライン１２２に影響を与
えて真空排気ライン１２２の排気コンダクタンスを変動
させ、その結果、反応炉１９内の圧力が変動するため、
反応炉１９内で成膜処理中は局所排気は行わない。
反応炉１９からの排気能力を調整することにより反応炉
１９内の圧力を厳密に調整しているため、反応炉１９内
での成膜処理中に局所排気ライン２３からの排気を真空
排気ラインに流したままにしておくと、局所排気ライン
２３の流量等の変動が真空排気ライン１２２に影響を与
えて真空排気ライン１２２の排気コンダクタンスを変動
させ、その結果、反応炉１９内の圧力が変動するため、
反応炉１９内で成膜処理中は局所排気は行わない。
【００８４】一方、このように局所排気を止めても、ウ
ェーハ１０１やボート１０が反応炉１９内にあるので、
ウェーハ１０１やボート１０を汚染することがない。
ェーハ１０１やボート１０が反応炉１９内にあるので、
ウェーハ１０１やボート１０を汚染することがない。
【００８５】ちなみに、反応炉１９ではなくて、ロード
ロック室１内を排気する場合には、局所排気部分と同じ
雰囲気であるロードロック室１内を排気することでもあ
り、圧力制御も行わないので、局所排気とロードロック
室１の排気とを並行して行うことができる。
ロック室１内を排気する場合には、局所排気部分と同じ
雰囲気であるロードロック室１内を排気することでもあ
り、圧力制御も行わないので、局所排気とロードロック
室１の排気とを並行して行うことができる。
【００８６】なお、上記においては、反応炉１９内の圧
力制御の方法として、Ｎ2 バラスト方式を採用したが、
それに代えて、流量調整バルブ使用（ＡＰＣ）方式を使
用することもできる。ＡＰＣ方式は、Ｎ2 を導入せず、
真空排気ライン１２２に流量調整バルブ１６０を設け、
流量調整バルブ１６０の開度により真空排気ライン１２
２のコンダクタンスを調整して反応炉１９内の圧力調整
を行う方法である。
力制御の方法として、Ｎ2 バラスト方式を採用したが、
それに代えて、流量調整バルブ使用（ＡＰＣ）方式を使
用することもできる。ＡＰＣ方式は、Ｎ2 を導入せず、
真空排気ライン１２２に流量調整バルブ１６０を設け、
流量調整バルブ１６０の開度により真空排気ライン１２
２のコンダクタンスを調整して反応炉１９内の圧力調整
を行う方法である。
【００８７】（ステップＳ６）反応炉１９での成膜処理
が終了した後に、反応炉１９内の雰囲気をＮ2 雰囲気と
する。
が終了した後に、反応炉１９内の雰囲気をＮ2 雰囲気と
する。
【００８８】一方では、エアバルブ２４を開いて局所排
気ライン２０、２１、２２により局所排気を行う。この
際には、Ｎ2 ガス供給ライン１１からロードロック室１
内にＮ2 ガスを供給し、局所排気ライン２０、２１、２
２および大気圧ベントライン１４から排気する。この状
態で、ゲートバルブ１８を開き、移動機構２によりボー
ト１０を下降させて反応炉１９からロードロック室１内
に移動させる。その後ゲートバルブ１８を閉じる。
気ライン２０、２１、２２により局所排気を行う。この
際には、Ｎ2 ガス供給ライン１１からロードロック室１
内にＮ2 ガスを供給し、局所排気ライン２０、２１、２
２および大気圧ベントライン１４から排気する。この状
態で、ゲートバルブ１８を開き、移動機構２によりボー
ト１０を下降させて反応炉１９からロードロック室１内
に移動させる。その後ゲートバルブ１８を閉じる。
【００８９】このように、Ｎ2 ガス供給ライン１１から
Ｎ2 ガスを供給しつつ局所排気ライン２０、２１、２２
および大気圧ベントライン１４からＮ2 ガスを排気する
場合には、大気圧ベントライン１４からのパーティクル
や酸素の逆流を防止するため、ロードロック室１内をベ
ント側（略大気圧）より若干陽圧（０．０５ｋｆｇ／ｃ
ｍ2 Ｇ程度）となるように設定する。
Ｎ2 ガスを供給しつつ局所排気ライン２０、２１、２２
および大気圧ベントライン１４からＮ2 ガスを排気する
場合には、大気圧ベントライン１４からのパーティクル
や酸素の逆流を防止するため、ロードロック室１内をベ
ント側（略大気圧）より若干陽圧（０．０５ｋｆｇ／ｃ
ｍ2 Ｇ程度）となるように設定する。
【００９０】さらに、ゲートバルブ１８を開く際には、
流量計１１８、２０１、２１１、２２１の流量を制御す
ることによってロードロック室１内の圧力を制御して、
反応炉１９内とロードロック室１内との圧力差をできる
だけなくすように圧力制御することが好ましい。
流量計１１８、２０１、２１１、２２１の流量を制御す
ることによってロードロック室１内の圧力を制御して、
反応炉１９内とロードロック室１内との圧力差をできる
だけなくすように圧力制御することが好ましい。
【００９１】（ステップＳ７）次に、局所排気ライン２
０、２１、２２からの局所排気を続け、Ｎ2 ガス供給ラ
イン１１からＮ2 ガスを供給しつつ大気圧ベントライン
１４からＮ2 ガスを排気しながら、ゲートバルブ１７を
開き、開口９１およびゲートバルブ１７を介して、ボー
ト１０からロードロック室１外部の大気圧雰囲気中に複
数の半導体ウェーハ１０１を取り出す。
０、２１、２２からの局所排気を続け、Ｎ2 ガス供給ラ
イン１１からＮ2 ガスを供給しつつ大気圧ベントライン
１４からＮ2 ガスを排気しながら、ゲートバルブ１７を
開き、開口９１およびゲートバルブ１７を介して、ボー
ト１０からロードロック室１外部の大気圧雰囲気中に複
数の半導体ウェーハ１０１を取り出す。
【００９２】ゲートバルブ１７を開く際も、流量計１１
８、２０１、２１１、２２１の流量を制御することによ
ってロードロック室１内の圧力を制御して、ロードロッ
ク室１内とロードロック１外部の大気圧雰囲気との圧力
差をできるだけなくすようにすることが好ましい。
８、２０１、２１１、２２１の流量を制御することによ
ってロードロック室１内の圧力を制御して、ロードロッ
ク室１内とロードロック１外部の大気圧雰囲気との圧力
差をできるだけなくすようにすることが好ましい。
【００９３】本実施の形態においては、以上のようにし
て、移動機構２が設けられている移動機構室５２内を清
浄に保つことができる。
て、移動機構２が設けられている移動機構室５２内を清
浄に保つことができる。
【００９４】従って、移動ブロック３の移動時に、移動
機構２のベアリング６、７、ボールネジ４のナット３
１、ガイド５のナット３２から発生したパーティクルが
ボート室５１内に拡散することが防止でき、さらに、移
動ブロック３の移動速度を上げて発生するパーティクル
量が増加しても、そのパーティクルがボート室５１内に
拡散することが防止できる。
機構２のベアリング６、７、ボールネジ４のナット３
１、ガイド５のナット３２から発生したパーティクルが
ボート室５１内に拡散することが防止でき、さらに、移
動ブロック３の移動速度を上げて発生するパーティクル
量が増加しても、そのパーティクルがボート室５１内に
拡散することが防止できる。
【００９５】また、ゲートバルブ１７、１８の開閉時に
おいてロードロック室１とゲートバルブ１７、１８で仕
切られた領域との間に圧力差が生じた場合や、反応炉１
９で処理されたウェーハ１０１およびボート１０が反応
炉１９からロードロック室に降下した時に熱対流が発生
した場合においても、仕切板１６のスリット１１６から
パーティクルがボート室５１内に拡散することが防止で
きる。
おいてロードロック室１とゲートバルブ１７、１８で仕
切られた領域との間に圧力差が生じた場合や、反応炉１
９で処理されたウェーハ１０１およびボート１０が反応
炉１９からロードロック室に降下した時に熱対流が発生
した場合においても、仕切板１６のスリット１１６から
パーティクルがボート室５１内に拡散することが防止で
きる。
【００９６】このようにして、本実施の形態のロードロ
ック室１では、ボート１０およびボート１０に搭載され
たウェーハ１０１を清浄な状態に保つことができる。
ック室１では、ボート１０およびボート１０に搭載され
たウェーハ１０１を清浄な状態に保つことができる。
【００９７】次に、本発明のような局所排気ラインを設
けない半導体製造装置を比較のために説明する。
けない半導体製造装置を比較のために説明する。
【００９８】図７は、比較のための半導体製造装置のロ
ードロック室を説明するための図であり、図７Ａは、図
７ＢのＸ７−Ｘ７線横断面図であり、図７Ｂは図７Ａの
Ｙ７ーＹ７線縦断面図である。
ードロック室を説明するための図であり、図７Ａは、図
７ＢのＸ７−Ｘ７線横断面図であり、図７Ｂは図７Ａの
Ｙ７ーＹ７線縦断面図である。
【００９９】図７を参照すれば、この比較のための半導
体製造装置２００は、ウェーハ１０１を載置するボート
１０を収容するロードロック室１を備え、そのロードロ
ック室１内にボート１０を昇降させる移動機構２を有し
ている。
体製造装置２００は、ウェーハ１０１を載置するボート
１０を収容するロードロック室１を備え、そのロードロ
ック室１内にボート１０を昇降させる移動機構２を有し
ている。
【０１００】移動機構２は、移動ブロック３、ボールネ
ジ４、ガイド５、ベアリング６、７、モータ８、磁気シ
ールユニット９を主な構成部品として構成されている。
ジ４、ガイド５、ベアリング６、７、モータ８、磁気シ
ールユニット９を主な構成部品として構成されている。
【０１０１】ロードロック室１には、ウェーハ１０１を
ボート１０に搭載し、またボート１０から取り出すため
の開口９１と、その開口９１を閉塞するためのゲートバ
ルブ１７とが設けられ、さらに、ボート１０上のウェー
ハ１０１に成膜処理をする反応炉１９との間の開口９２
とその開口９２を閉塞するゲートバルブ１８とが設けら
れている。また、ロードロック室１内に仕切板１６を設
け、この仕切板１６によりロードロック室１を、移動機
構２を収容する移動機構室５２と、ボート１０を収容す
るボート室５１とに分離している。
ボート１０に搭載し、またボート１０から取り出すため
の開口９１と、その開口９１を閉塞するためのゲートバ
ルブ１７とが設けられ、さらに、ボート１０上のウェー
ハ１０１に成膜処理をする反応炉１９との間の開口９２
とその開口９２を閉塞するゲートバルブ１８とが設けら
れている。また、ロードロック室１内に仕切板１６を設
け、この仕切板１６によりロードロック室１を、移動機
構２を収容する移動機構室５２と、ボート１０を収容す
るボート室５１とに分離している。
【０１０２】ロードロック室１には、さらに、Ｎ2 ガス
供給ライン１１、真空排気ライン１２、大気圧ベントラ
イン１４、および排気を切換えるためのエアバルブ１
３、１５も接続されている。Ｎ2 ガス供給ライン１１を
ボート室５１の上流側に接続し、真空排気ライン１２、
大気圧ベントライン１４を移動機構室５２のＮ2 ガスフ
ローの下流側に接続している。
供給ライン１１、真空排気ライン１２、大気圧ベントラ
イン１４、および排気を切換えるためのエアバルブ１
３、１５も接続されている。Ｎ2 ガス供給ライン１１を
ボート室５１の上流側に接続し、真空排気ライン１２、
大気圧ベントライン１４を移動機構室５２のＮ2 ガスフ
ローの下流側に接続している。
【０１０３】まず、真空排気ライン１２によりロードロ
ック室１内を減圧にし、その後、Ｎ2 ガス供給ライン１
１からＮ2 ガスをロードロック室１内が大気圧になるま
で供給してロードロック室１内を大気からＮ2 ガス雰囲
気に置換し、さらに、大気圧下において、Ｎ2 ガス供給
ライン１１からＮ2 ガスを供給しつつ大気圧ベントライ
ン１４からＮ2 ガスを排気することにより、移動機構２
のベアリング６、７、ボールネジ４のナット３１、ガイ
ド５のナット３２から発生したパーティクルがボート室
５１内に飛散しにくい構造としている。
ック室１内を減圧にし、その後、Ｎ2 ガス供給ライン１
１からＮ2 ガスをロードロック室１内が大気圧になるま
で供給してロードロック室１内を大気からＮ2 ガス雰囲
気に置換し、さらに、大気圧下において、Ｎ2 ガス供給
ライン１１からＮ2 ガスを供給しつつ大気圧ベントライ
ン１４からＮ2 ガスを排気することにより、移動機構２
のベアリング６、７、ボールネジ４のナット３１、ガイ
ド５のナット３２から発生したパーティクルがボート室
５１内に飛散しにくい構造としている。
【０１０４】しかしながら、このような構造のロードロ
ック室１では、以下のような理由により移動機構２から
発生したパーティクルによりウェーハ１０１が汚染され
てしまう。
ック室１では、以下のような理由により移動機構２から
発生したパーティクルによりウェーハ１０１が汚染され
てしまう。
【０１０５】すなわち、Ｎ2 ガスは、Ｎ2 ガス供給ライ
ン１１のＮ2 ガス供給管１１４、１１５に設けられた孔
１１６からシャワー方式でロードロック室１内に供給さ
れるため、大気圧時には仕切板１６のスリット１６１か
ら一様に移動機構室５２側に流れていない。従って、移
動ブロック３の移動時に、移動機構２のベアリング６、
７、ボールネジ４のナット３１、ガイド５のナット３２
から発生したパーティクルが、仕切板１６のスリット１
１６からボート室５１内に拡散し、ウェーハを汚染して
しまう。そして、移動ブロック３の移動速度を上げると
パーティクル発生量も急激に増加し、そのパーティクル
の拡散によりウェーハをさらに汚染してしまう。
ン１１のＮ2 ガス供給管１１４、１１５に設けられた孔
１１６からシャワー方式でロードロック室１内に供給さ
れるため、大気圧時には仕切板１６のスリット１６１か
ら一様に移動機構室５２側に流れていない。従って、移
動ブロック３の移動時に、移動機構２のベアリング６、
７、ボールネジ４のナット３１、ガイド５のナット３２
から発生したパーティクルが、仕切板１６のスリット１
１６からボート室５１内に拡散し、ウェーハを汚染して
しまう。そして、移動ブロック３の移動速度を上げると
パーティクル発生量も急激に増加し、そのパーティクル
の拡散によりウェーハをさらに汚染してしまう。
【０１０６】また、ゲートバルブ１７、１８の開閉時に
おけるロードロック室１とゲートバルブ１７、１８で仕
切られた領域との圧力差や、反応炉１９で処理されたウ
ェーハ１０１およびボート１０が反応炉１９からロード
ロック室１内に降下した時に発生する熱対流により、仕
切板１６のスリット１１６を介してパーティクルが移動
機構室５２からボート室５１内に拡散し、ウェーハ１０
１を汚染する。
おけるロードロック室１とゲートバルブ１７、１８で仕
切られた領域との圧力差や、反応炉１９で処理されたウ
ェーハ１０１およびボート１０が反応炉１９からロード
ロック室１内に降下した時に発生する熱対流により、仕
切板１６のスリット１１６を介してパーティクルが移動
機構室５２からボート室５１内に拡散し、ウェーハ１０
１を汚染する。
【０１０７】このように、図７に示す構造のロードロッ
ク室１では、移動機構が発生するパーティクルを除去す
ることが難しく、かつ、ゲートバルブの開閉時の圧力差
や熱処理されたウェーハによる熱対流の影響を受け、パ
ーティクルを拡散させてしまいウェーハを汚染し易いと
いう問題がある。
ク室１では、移動機構が発生するパーティクルを除去す
ることが難しく、かつ、ゲートバルブの開閉時の圧力差
や熱処理されたウェーハによる熱対流の影響を受け、パ
ーティクルを拡散させてしまいウェーハを汚染し易いと
いう問題がある。
【０１０８】以上は本発明の一実施の形態を述べたにす
ぎず、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
い。例えば、上記ステップＳ２およびＳ３においては、
局所排気ライン２０、２１、２２による局所排気を止め
ておいたが、局所排気を続けておくことも可能である。
また、酸化が問題とならない場合には、Ｎ2 ガスに代え
てエアを使用することもできる。また、上記実施の形態
では、ウェーハ１０１を搭載するボート１０を例にとっ
たが、ウェーハを搭載するカセット用のロードロック室
にも本発明は同様に適用できる。さらに、半導体ウェー
ハだけでなく、液晶表示素子を形成するためのガラス基
板用ロードロック室にも適用できる。この場合に、ガラ
ス基板がボートまたはカセットに搭載されるタイプのロ
ードロック室にも適用できるが、ウェーハやガラス基板
を一枚ずつロードロック室内に搬入／搬出する枚葉式の
ロードロック室にも当然に適用できる。そして、本発明
のロードロック室は半導体製造装置や液晶表示素子製造
装置に好適に適用される。
ぎず、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
い。例えば、上記ステップＳ２およびＳ３においては、
局所排気ライン２０、２１、２２による局所排気を止め
ておいたが、局所排気を続けておくことも可能である。
また、酸化が問題とならない場合には、Ｎ2 ガスに代え
てエアを使用することもできる。また、上記実施の形態
では、ウェーハ１０１を搭載するボート１０を例にとっ
たが、ウェーハを搭載するカセット用のロードロック室
にも本発明は同様に適用できる。さらに、半導体ウェー
ハだけでなく、液晶表示素子を形成するためのガラス基
板用ロードロック室にも適用できる。この場合に、ガラ
ス基板がボートまたはカセットに搭載されるタイプのロ
ードロック室にも適用できるが、ウェーハやガラス基板
を一枚ずつロードロック室内に搬入／搬出する枚葉式の
ロードロック室にも当然に適用できる。そして、本発明
のロードロック室は半導体製造装置や液晶表示素子製造
装置に好適に適用される。
【０１０９】このように、本発明では、パーティクルの
発生源であるベアリングやナット部分等の発塵部を簡単
な構造で局所的に真空排気ラインで強制的に排気するこ
とができるので、移動機構２から拡散するパーティクル
が抑制され、それにより、ウェーハが汚染されることが
防止できる。また、ゲートバルブの開閉時の圧力差や熱
対流があっても、移動機構２からのパーティクルの拡散
によるウェーハ汚染が防止できる。この場合に、ロード
ロック室１の外側も清浄な空間であるようにしておけ
ば、ウェーハ汚染はより効果的に防止できる。
発生源であるベアリングやナット部分等の発塵部を簡単
な構造で局所的に真空排気ラインで強制的に排気するこ
とができるので、移動機構２から拡散するパーティクル
が抑制され、それにより、ウェーハが汚染されることが
防止できる。また、ゲートバルブの開閉時の圧力差や熱
対流があっても、移動機構２からのパーティクルの拡散
によるウェーハ汚染が防止できる。この場合に、ロード
ロック室１の外側も清浄な空間であるようにしておけ
ば、ウェーハ汚染はより効果的に防止できる。
【０１１０】
【発明の効果】本発明によれば、パーティクルの発生源
であるベアリングやナット部分等の移動機構の発塵部か
ら発生するパーティクルを強制的に効率よく排気するこ
とができる。従って、移動機構が発生するパーティクル
を容易に除去することができ、かつ、ゲートバルブの開
閉時に圧力差があっても、熱処理されたウェーハによる
熱対流が生じても、パーティクルの拡散が防止でき、そ
の結果、ウェーハ等を清浄に保つことができる。
であるベアリングやナット部分等の移動機構の発塵部か
ら発生するパーティクルを強制的に効率よく排気するこ
とができる。従って、移動機構が発生するパーティクル
を容易に除去することができ、かつ、ゲートバルブの開
閉時に圧力差があっても、熱処理されたウェーハによる
熱対流が生じても、パーティクルの拡散が防止でき、そ
の結果、ウェーハ等を清浄に保つことができる。
【図１】本発明の一実施の形態の半導体製造装置を説明
するための横断面図であり、図２のＸ１−Ｘ１線横断面
図である。
するための横断面図であり、図２のＸ１−Ｘ１線横断面
図である。
【図２】本発明の一実施の形態の半導体製造装置を説明
するための縦断面図であり、図１のＹ１ーＹ１線縦断面
図である。
するための縦断面図であり、図１のＹ１ーＹ１線縦断面
図である。
【図３】図２のＢ部拡大縦断面図である。
【図４】図２のＡ部拡大縦断面図である。
【図５】図２のＣ部拡大縦断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態の半導体製造装置の操作
シーケンスを説明するためのシーケンス図である。
シーケンスを説明するためのシーケンス図である。
【図７】比較のための半導体製造装置のロードロック室
を説明するための図であり、図７Ａは図７ＢのＸ７−Ｘ
７線横断面図であり、図７Ｂは図７ＡのＹ６ーＹ７線縦
断面図である。
を説明するための図であり、図７Ａは図７ＢのＸ７−Ｘ
７線横断面図であり、図７Ｂは図７ＡのＹ６ーＹ７線縦
断面図である。
１…ロードロック室 ２…移動機構 ３…移動ブロック ４…ボールネジ ５…ガイド ６、７…ベアリング １０…ボート １１…Ｎ2 ガス供給ライン １２…真空排気ライン １３、１５、２４、１２３…エアバルブ １４…大気圧ベントライン １６…仕切板 １７、１８…ゲートバルブ １９…反応炉 ２０、２１、２２、２３…局所排気ライン ２５、２６、２７…カバー ３１、３２…ナット（軸受け） ４１…圧力計 ５１…ボート室 ５２…移動機構室 ８０…真空ポンプ ９１、９２…開口部 １００、２００…半導体製造装置 １０１…ウェーハ １１１〜１１５…Ｎ2 ガス供給管 １１８、１３２、１４０、２０１、２１１、２２１…流
量計 １２０、１２１、１２２…真空排気ライン １３１…Ｎ2 バラスト配管 １５０…制御装置 １５１…表示装置 １６０…流量調整バルブ １６１…スリット ２５１、２７１…凹部 ２５２、２６１、２７２…空間 ２５３、２６２、２７３…隙間
量計 １２０、１２１、１２２…真空排気ライン １３１…Ｎ2 バラスト配管 １５０…制御装置 １５１…表示装置 １６０…流量調整バルブ １６１…スリット ２５１、２７１…凹部 ２５２、２６１、２７２…空間 ２５３、２６２、２７３…隙間
Claims (26)
- 【請求項１】基板の処理を行う基板処理室と、 ロードロック室と、 前記ロードロック室内にガスを供給するガス供給手段
と、 前記ロードロック室内を排気する排気手段と、 前記ロードロック室内に設けられた移動機構であって、
前記基板を移動可能な前記移動機構と、 前記移動機構の発塵部を局所的に排気可能な局所排気手
段と、 前記ガス供給手段、前記排気手段および前記局所排気手
段のうちの少なくとも１つに設けられた流量制御装置
と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】前記基板処理装置が制御装置と前記ロード
ロック室内の圧力を検出する圧力検出装置とをさらに備
え、 前記流量制御装置が少なくとも前記ガス供給手段に設け
られ、 前記制御装置が前記圧力検出装置からの信号に応じて、
前記流量制御装置を制御可能であることを特徴とする請
求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項３】前記流量制御装置が少なくとも前記局所排
気手段に設けられていることを特徴とする請求項１記載
の基板処理装置。 - 【請求項４】前記流量制御装置が少なくとも前記排気手
段に設けられていることを特徴とする請求項１記載の基
板処理装置。 - 【請求項５】前記排気手段が大気圧ベントラインを備
え、 前記大気圧ベントラインの一端は実質的に大気圧であり
他端は前記ロードロック室内に連通し、 前記流量制御装置が少なくとも前記大気圧ベントライン
に設けられていることを特徴とする請求項４記載の基板
処理装置。 - 【請求項６】前記基板処理装置が制御装置と前記ロード
ロック室内の圧力を検出する圧力検出装置とをさらに備
え、 前記制御装置が前記圧力検出装置からの信号に応じて、
前記流量制御装置を制御可能であることを特徴とする請
求項３乃至５のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項７】前記排気手段が大気圧ベントラインと真空
ポンプに接続される真空排気ラインとを備え、 前記大気圧ベントラインの一端は実質的に大気圧であり
他端は前記ロードロック室内に連通し、 前記局所排気手段が前記真空排気ラインに接続されてい
ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の
基板処理装置。 - 【請求項８】前記排気手段が大気圧ベントラインと真空
ポンプに接続される真空排気ラインとを備え、 前記大気圧ベントラインの一端は実質的に大気圧であり
他端は前記ロードロック室内に連通し、 前記基板処理装置が、 前記真空排気ラインの途中に設けられた第１のバルブ
と、 前記大気圧ベントラインの途中に設けられた第２のバル
ブと、 制御装置とをさらに備え、 前記移動機構を利用して前記基板が移動中は、前記第１
のバルブが閉じられており前記第２のバルブが開かれて
いるように前記第１および第２のバルブが前記制御装置
によって制御されることを特徴とする請求項１、３、４
または５記載の基板処理装置。 - 【請求項９】前記局所排気手段が前記第１のバルブより
も下流側において前記真空排気ラインに接続されている
ことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。 - 【請求項１０】前記基板処理装置が前記ロードロック室
内の圧力を検出する圧力検出装置をさらに備え、 前記流量制御装置が少なくとも前記ガス供給手段および
前記局所排気手段にそれぞれ設けられ、 前記移動機構を利用して前記基板が移動中は、 前記流量制御装置によって前記局所排気手段の排気量よ
りも大きいガス供給量で前記ガス供給手段により前記ロ
ードロック室内にガスを供給するように制御し、 前記ガス供給手段により供給されたガスを前記局所排気
手段および前記排気手段により排気するようにしたこと
を特徴とする請求項８または９記載の基板処理装置。 - 【請求項１１】前記基板処理装置が前記ロードロック室
内の圧力を検出する圧力検出装置をさらに備え、 前記移動機構を利用して前記基板が移動中は、前記制御
装置が前記圧力検出装置からの信号に応じて前記流量制
御装置を制御して、前記ロードロック室内を大気圧より
も高い圧力に保つことを特徴とする請求項８乃至１０の
いずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項１２】基板の処理を行う基板処理室と、 ロードロック室と、 前記ロードロック室内にガスを供給するガス供給手段
と、 前記ロードロック室内を排気する排気手段と、 前記ロードロック室内に設けられた移動機構であって、
前記基板を移動可能な前記移動機構と、 前記移動機構の発塵部を局所的に排気可能な局所排気手
段と、 前記局所排気手段の排気量を測定する流量測定装置と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１３】前記局所排気手段が複数設けられ、前記
複数の局所排気手段のそれぞれに前記流量測定装置が設
けられていることを特徴とする請求項１２記載の基板処
理装置。 - 【請求項１４】前記局所排気手段が可撓性のある排気管
を備えていることを特徴とする請求項１２または１３記
載の基板処理装置。 - 【請求項１５】基板の処理を行う基板処理室と、 ロードロック室と、 前記ロードロック室内にガスを供給するガス供給手段
と、 前記ロードロック室内を排気する排気手段と、 前記ロードロック室内に設けられた移動機構であって、
前記基板を移動可能な前記移動機構と、 真空ポンプに接続される第１の真空排気ラインと、 前記基板処理室に連通する第２の真空排気ラインであっ
て前記第１の真空排気ラインと連通する前記第２の真空
排気ラインと、 前記移動機構の発塵部を局所的に排気可能な局所排気手
段であって前記第１の真空排気ラインと連通する前記局
所排気手段と、 前記局所排気手段の途中に接続されたバルブと、 前記バルブを制御可能な制御手段とを備え、 前記基板処理室において前記基板を処理している間は、
前記制御手段によって前記バルブが閉じられているよう
に制御することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１６】前記ロードロック室に連通する第３の真
空排気ラインであって前記第１の真空排気ラインと連通
する前記第３の真空排気ラインと、 前記第３の真空排気ラインの途中に設けられた第２のバ
ルブとをさらに備え、 前記制御手段が前記第２のバルブも制御可能であり、 前記基板処理室において前記基板を処理している間は、
前記制御手段によって前記第２のバルブが閉じられてい
るように制御することを特徴とする請求項１５記載の基
板処理装置。 - 【請求項１７】前記ガス供給手段は、前記ロードロック
室内において前記基板が移動する領域側に連通し、前記
排気手段は前記ロードロック室内において前記移動機構
が設けられている領域側に連通していることを特徴とす
る請求項１乃至１６のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項１８】前記ロードロック室内に設けられた仕切
板であって、前記基板が移動する領域と前記移動機構が
設けられている領域とを仕切る前記仕切板と、 前記仕切板に設けられたスリットと、をさらに備え、 前記ガス供給手段により前記基板が移動する領域に供給
されたガスが前記スリットを介して前記移動機構が設け
られている領域に流入するようにしたことを特徴とする
請求項１７記載の基板処理装置。 - 【請求項１９】前記ロードロック室が前記基板処理室に
連結して設けられていることを特徴とする請求項１乃至
１８のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項２０】基板の処理を行う基板処理室と、 ロードロック室と、 前記ロードロック室内にガスを供給するガス供給手段
と、 前記ロードロック室内を排気する排気手段と、 前記ロードロック室内に設けられた移動機構であって、
前記基板を移動可能な前記移動機構と、 前記移動機構の発塵部を局所的に排気可能な局所排気手
段と、 前記ガス供給手段、前記排気手段および前記局所排気手
段のうちの少なくとも１つに設けられた流量制御装置
と、 を備える基板処理装置を用いて、前記ガス供給手段から
前記ロードロック室内にガスを供給し、前記局所排気手
段により前記発塵部を局所排気し、前記排気手段により
前記ロードロック室内の前記ガスを排気すると共に、前
記流量制御装置により前記ガス供給手段、前記排気手段
および前記局所排気手段のうちの少なくとも１つの流量
を制御することにより前記ロードロック室内の圧力を制
御しつつ前記移動機構を利用して前記基板を移動する工
程と、 前記基板処理室で前記基板を処理する工程と、 を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項２１】前記ロードロック室が前記基板処理室に
連結して設けられており、 前記基板を移動する工程が、前記基板処理室と前記ロー
ドロック室との間で前記移動機構を利用して前記基板を
移動する工程であることを特徴とする請求項２０記載の
基板処理方法。 - 【請求項２２】前記排気手段が、一端が実質的に大気圧
であり他端が前記ロードロック室内に連通する大気圧ベ
ントラインを備え、 前記基板を移動する工程が、前記ロードロック室内の圧
力を大気圧よりも高く制御しつつ前記基板を移動する工
程であることを特徴とする請求項２０または２１記載の
基板処理方法。 - 【請求項２３】前記基板を移動する工程が、前記局所排
気手段の流量を測定しつつ前記基板を移動する工程であ
ることを特徴とする請求項２０乃至２２のいずれかに記
載の基板処理方法。 - 【請求項２４】前記局所排気手段が複数設けられ、 前記複数の局所排気手段のそれぞれに前記流量測定装置
が設けられ、 前記基板を移動する工程が、前記複数の局所排気手段の
すべての流量を測定しつつ前記基板を移動する工程であ
ることを特徴とする請求項２３記載の基板処理方法。 - 【請求項２５】前記局所排気手段が可撓性のある排気管
を備えていることを特徴とする請求項２０乃至２４のい
ずれかに記載の基板処理方法。 - 【請求項２６】前記基板処理装置が 真空ポンプに接続される第１の真空排気ラインと、 前記基板処理室に連通する第２の真空排気ラインであっ
て前記第１の真空排気ラインと連通する前記第２の真空
排気ラインとをさらに備え、 前記局所排気手段が前記第１の真空排気ラインと連通
し、 前記基板処理室で前記基板を処理する工程が、前記局所
排気手段から前記真空ポンプを介して排気を行わず、前
記第１および前記第２の真空排気ラインによって前記基
板処理室を排気しつつ前記基板処理室内の圧力を制御し
て前記基板処理室で前記基板を処理する工程であること
を特徴とする請求項２０乃至２５のいずれかに記載の基
板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6921797A JP3361955B2 (ja) | 1996-03-08 | 1997-03-06 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-80966 | 1996-03-08 | ||
| JP8096696 | 1996-03-08 | ||
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