JPH09293831A - 半導体構造 - Google Patents
半導体構造Info
- Publication number
- JPH09293831A JPH09293831A JP9003867A JP386797A JPH09293831A JP H09293831 A JPH09293831 A JP H09293831A JP 9003867 A JP9003867 A JP 9003867A JP 386797 A JP386797 A JP 386797A JP H09293831 A JPH09293831 A JP H09293831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- arm
- resistance
- semiconductor
- primary arm
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0802—Resistors only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、半導体材料で作られている抵抗部
分と金属コンタクト領域を有するはしご型回路網を構成
する半導体構造の寄生抵抗を除去することを目的とす
る。 【解決手段】 連続的な半導体抵抗条帯が１次アーム2
として設けられ、この連続的な１次アーム2 に沿って、
その１側面において連続的な半導体抵抗条帯と接触する
金属コンタクト領域5 が所望の抵抗比率にしたがって設
けられ、それによって対応する直列抵抗4 を形成してい
ることを特徴とする。さらに並列アーム3は複数の半導
体抵抗条帯3 で形成され１次アーム2 の長い側面に１端
部が直接接続され、並列アーム3 の他方の端部にはそれ
ぞれ金属コンタクト領域7 が設けられる。
分と金属コンタクト領域を有するはしご型回路網を構成
する半導体構造の寄生抵抗を除去することを目的とす
る。 【解決手段】 連続的な半導体抵抗条帯が１次アーム2
として設けられ、この連続的な１次アーム2 に沿って、
その１側面において連続的な半導体抵抗条帯と接触する
金属コンタクト領域5 が所望の抵抗比率にしたがって設
けられ、それによって対応する直列抵抗4 を形成してい
ることを特徴とする。さらに並列アーム3は複数の半導
体抵抗条帯3 で形成され１次アーム2 の長い側面に１端
部が直接接続され、並列アーム3 の他方の端部にはそれ
ぞれ金属コンタクト領域7 が設けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は抵抗回路網を生成す
る半導体構造、特に半導体材料の抵抗条帯と金属コンタ
クト領域を有するはしご型回路網に関する。
る半導体構造、特に半導体材料の抵抗条帯と金属コンタ
クト領域を有するはしご型回路網に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような半導体構造は知られている。
はしご型回路網を形成するため、例えば半導体材料から
作られている１次アームは対応する直列抵抗を形成する
ため所望の抵抗比に従って金属コンタクト領域により縦
方向で中断される。これらの金属コンタクト領域のそれ
ぞれに対して、半導体材料の各並列アームが並列抵抗を
形成するためにそれぞれ金属相互接続を介して接続され
ている。１次アーム内の金属コンタクト領域は不所望
で、時にはオーム接続でない接触抵抗を生じ、これは１
次アームの実際の直列抵抗と直列の抵抗として形成さ
れ、直列抵抗の値に誤差を生じさせる。また、製造上の
観点からこれらの接触抵抗は不安定であり、それによっ
て接触抵抗の値は変化し、予測できないために特別な問
題が生じる。さらに、接触抵抗のために、全体的な抵抗
は常に接触抵抗の２倍以上の抵抗値であることが要求さ
れ、実際に所望される直列抵抗は任意に小さい値で製造
されることができない。同様に接触抵抗とそれに関する
前述のような問題はまた１次アームと並列アームとの間
の金属相互接続部でも生じる。
はしご型回路網を形成するため、例えば半導体材料から
作られている１次アームは対応する直列抵抗を形成する
ため所望の抵抗比に従って金属コンタクト領域により縦
方向で中断される。これらの金属コンタクト領域のそれ
ぞれに対して、半導体材料の各並列アームが並列抵抗を
形成するためにそれぞれ金属相互接続を介して接続され
ている。１次アーム内の金属コンタクト領域は不所望
で、時にはオーム接続でない接触抵抗を生じ、これは１
次アームの実際の直列抵抗と直列の抵抗として形成さ
れ、直列抵抗の値に誤差を生じさせる。また、製造上の
観点からこれらの接触抵抗は不安定であり、それによっ
て接触抵抗の値は変化し、予測できないために特別な問
題が生じる。さらに、接触抵抗のために、全体的な抵抗
は常に接触抵抗の２倍以上の抵抗値であることが要求さ
れ、実際に所望される直列抵抗は任意に小さい値で製造
されることができない。同様に接触抵抗とそれに関する
前述のような問題はまた１次アームと並列アームとの間
の金属相互接続部でも生じる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】それ故、本発明の目的
は寄生抵抗の影響が少なくとも非常に減少された前述の
種類の半導体構造を提供することである。
は寄生抵抗の影響が少なくとも非常に減少された前述の
種類の半導体構造を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は連続的な半導体
抵抗条帯が１次アームとして設けられ、前記連続的な１
次アームに沿ってその側面で連続的な半導体抵抗条帯と
接触する金属コンタクト領域が対応する直列抵抗を形成
するため所望の抵抗比にしたがって設けられていること
を特徴とする。
抵抗条帯が１次アームとして設けられ、前記連続的な１
次アームに沿ってその側面で連続的な半導体抵抗条帯と
接触する金属コンタクト領域が対応する直列抵抗を形成
するため所望の抵抗比にしたがって設けられていること
を特徴とする。
【０００５】したがって、抵抗の直列の結合は金属接触
部により中断されない１次アームにおいて得られ、それ
によって漂遊接触抵抗は生じない。コンタクト領域は連
続した１次アーム側部に位置され、接触抵抗は２次アー
ムに移動される。実際の応用、例えばこれらの２次アー
ムが演算増幅器回路のフィードバック路を形成するはし
ご型回路網ではこれらの２次アームは実際には動作して
いないので、そこに位置する接触抵抗は有害ではない。
部により中断されない１次アームにおいて得られ、それ
によって漂遊接触抵抗は生じない。コンタクト領域は連
続した１次アーム側部に位置され、接触抵抗は２次アー
ムに移動される。実際の応用、例えばこれらの２次アー
ムが演算増幅器回路のフィードバック路を形成するはし
ご型回路網ではこれらの２次アームは実際には動作して
いないので、そこに位置する接触抵抗は有害ではない。
【０００６】従って、本発明による半導体構造では、依
然として存在する接触抵抗は抵抗回路網の電気特性に悪
影響しない領域に移動する。
然として存在する接触抵抗は抵抗回路網の電気特性に悪
影響しない領域に移動する。
【０００７】１次アームは全体を通じて半導体抵抗材料
から作られており、即ち、寄生抵抗を生成し、制御でき
ない方法で抵抗回路網の電気的特性を変化させる半導体
金属連結を含んでいない。
から作られており、即ち、寄生抵抗を生成し、制御でき
ない方法で抵抗回路網の電気的特性を変化させる半導体
金属連結を含んでいない。
【０００８】しかしながら、例えば局部的に絶縁条帯を
１次アームの半導体抵抗材料中に導入するかまたは１次
アームの実効的断面で階段部分を設けることにより、半
導体材料から別の導電性材料への変換により生じる寄生
抵抗なしに１次アームの抵抗に選択的に影響を与えるこ
とも可能である。
１次アームの半導体抵抗材料中に導入するかまたは１次
アームの実効的断面で階段部分を設けることにより、半
導体材料から別の導電性材料への変換により生じる寄生
抵抗なしに１次アームの抵抗に選択的に影響を与えるこ
とも可能である。
【０００９】本発明の好ましい実施形態は抵抗回路網、
特にはしご型回路網において、半導体抵抗条帯は半導体
材料を介して１次アームの長い側面にそれぞれ１端部が
直接接続された並列アームを形成し、各並列アームの他
方の端部にはそれぞれ金属コンタクト領域が設けられる
ことを特徴とする。
特にはしご型回路網において、半導体抵抗条帯は半導体
材料を介して１次アームの長い側面にそれぞれ１端部が
直接接続された並列アームを形成し、各並列アームの他
方の端部にはそれぞれ金属コンタクト領域が設けられる
ことを特徴とする。
【００１０】半導体材料により１次アームの長い側面に
並列アームを直接接続することにより、即ち回路網設計
によって、これらの領域の漂遊接触抵抗は消去される。
接触抵抗は並列アームの他方の端部、即ち金属コンタク
ト領域でのみ生じる。しかしながら、半導体抵抗材料を
有する並列アームは通常高い抵抗であり、従って各並列
アームの単一の接触抵抗は抵抗全体に無視できる程度の
影響しか有しないので各並列アームのこの単一の接触抵
抗は並列アームの抵抗全体に対して影響するために、回
路網の電気的特性に対する影響は僅かなものに過ぎな
い。
並列アームを直接接続することにより、即ち回路網設計
によって、これらの領域の漂遊接触抵抗は消去される。
接触抵抗は並列アームの他方の端部、即ち金属コンタク
ト領域でのみ生じる。しかしながら、半導体抵抗材料を
有する並列アームは通常高い抵抗であり、従って各並列
アームの単一の接触抵抗は抵抗全体に無視できる程度の
影響しか有しないので各並列アームのこの単一の接触抵
抗は並列アームの抵抗全体に対して影響するために、回
路網の電気的特性に対する影響は僅かなものに過ぎな
い。
【００１１】１次アームのコンタクト領域は１次アーム
の一方の長い側面上に設けられ、並列アームの１次アー
ムへの接続は他方の長い側面上に設けられることが有効
である。全ての並列アームは１次アームの同一の側面に
位置され、１次アームとの接続を行う金属コンタクト領
域も同じである。これは半導体構造内で抵抗回路網との
接続をさらに簡単にする。例えば、並列アームの金属コ
ンタクトは連続的で線形の金属相互接続部に接続される
ことができ、共通の基準電位に接続される。前述のコン
タクト領域および並列アームの配置は従って半導体構造
の製造プロセスを簡単にし、抵抗回路網に必要なスペー
スを最小にする。
の一方の長い側面上に設けられ、並列アームの１次アー
ムへの接続は他方の長い側面上に設けられることが有効
である。全ての並列アームは１次アームの同一の側面に
位置され、１次アームとの接続を行う金属コンタクト領
域も同じである。これは半導体構造内で抵抗回路網との
接続をさらに簡単にする。例えば、並列アームの金属コ
ンタクトは連続的で線形の金属相互接続部に接続される
ことができ、共通の基準電位に接続される。前述のコン
タクト領域および並列アームの配置は従って半導体構造
の製造プロセスを簡単にし、抵抗回路網に必要なスペー
スを最小にする。
【００１２】１次アームの各コンタクト領域と、１次ア
ームと並列アームとの間の各接続部が相互に直接対向し
て位置されているならば有効である。側面における１次
アームの半導体抵抗条帯と接触する金属コンタクト領域
と１次アームと並列アームとの間の接続部は同一電位で
ある各ノードを形成する。これらの共通のノードははし
ご型回路網等の一般的な回路網を構成するのに必要であ
る。
ームと並列アームとの間の各接続部が相互に直接対向し
て位置されているならば有効である。側面における１次
アームの半導体抵抗条帯と接触する金属コンタクト領域
と１次アームと並列アームとの間の接続部は同一電位で
ある各ノードを形成する。これらの共通のノードははし
ご型回路網等の一般的な回路網を構成するのに必要であ
る。
【００１３】本発明による半導体構造、特に１次アーム
とそれに接続された２以上の並列アームとを有するはし
ご型回路網が構成されることができ、そこで１次アーム
は全体を通じて金属コンタクト領域を具備せず、コンタ
クト領域の半導体金属連結部は事実上動作していない領
域、または非常に高いインピーダンスのために寄生接触
抵抗が無視できる程度にしか抵抗回路網の電気的特性に
影響しない領域に移動される。
とそれに接続された２以上の並列アームとを有するはし
ご型回路網が構成されることができ、そこで１次アーム
は全体を通じて金属コンタクト領域を具備せず、コンタ
クト領域の半導体金属連結部は事実上動作していない領
域、または非常に高いインピーダンスのために寄生接触
抵抗が無視できる程度にしか抵抗回路網の電気的特性に
影響しない領域に移動される。
【００１４】
【発明の実施の形態】添付図面を参照して本発明をより
詳細に説明する。図１ははしご型回路網を形成する半導
体構造１を示している。このはしご型回路網は１つの１
次アーム２と複数の並列アーム３からなる。１次アーム
２と並列アーム３との両者は全体を通じて半導体抵抗材
料から作られ、その抵抗値は幾何学的な形状、即ち特に
条帯の幅と長さにより決定される。
詳細に説明する。図１ははしご型回路網を形成する半導
体構造１を示している。このはしご型回路網は１つの１
次アーム２と複数の並列アーム３からなる。１次アーム
２と並列アーム３との両者は全体を通じて半導体抵抗材
料から作られ、その抵抗値は幾何学的な形状、即ち特に
条帯の幅と長さにより決定される。
【００１５】連続的な１次アーム２の１側面に沿って、
側面で半導体抵抗条帯と接触し、対応する１次アーム部
分４を形成する金属コンタクト領域５が所望の抵抗比に
したがって設けられ、それによって対応する直列抵抗10
（図２参照）を形成されている。各コンタクト領域５に
はそれぞれ相互接続部６が接続されており、これはそれ
ぞれのコンタクト領域５をさらに回路素子（図示せず）
に接続する。
側面で半導体抵抗条帯と接触し、対応する１次アーム部
分４を形成する金属コンタクト領域５が所望の抵抗比に
したがって設けられ、それによって対応する直列抵抗10
（図２参照）を形成されている。各コンタクト領域５に
はそれぞれ相互接続部６が接続されており、これはそれ
ぞれのコンタクト領域５をさらに回路素子（図示せず）
に接続する。
【００１６】それぞれのコンタクト領域５における半導
体金属連結点を通って、接触抵抗９はそこに形成され
る。しかしながら、これらの接触抵抗９は１次アーム外
に位置され、それによって１次アームは接触抵抗９によ
ってではなく１次アーム２の半導体抵抗材料によっての
み決定される直列の抵抗10の電気的に直列の組合わせを
形成する。コンタクト領域５が例えば演算増幅器フィー
ドバック通路として適切な方法で接続されるならば、接
触抵抗９を通る電流は事実上ゼロであり、それによって
接触抵抗９は半導体構造１の電気的動作に影響しない
か、あるいはその影響は無視できる程度に過ぎない。
体金属連結点を通って、接触抵抗９はそこに形成され
る。しかしながら、これらの接触抵抗９は１次アーム外
に位置され、それによって１次アームは接触抵抗９によ
ってではなく１次アーム２の半導体抵抗材料によっての
み決定される直列の抵抗10の電気的に直列の組合わせを
形成する。コンタクト領域５が例えば演算増幅器フィー
ドバック通路として適切な方法で接続されるならば、接
触抵抗９を通る電流は事実上ゼロであり、それによって
接触抵抗９は半導体構造１の電気的動作に影響しない
か、あるいはその影響は無視できる程度に過ぎない。
【００１７】１次アーム２の他方の側面上で、各並列ア
ーム３はそれぞれのコンタクト領域５と直接反対側で１
次アーム２に接続されている。１次アーム２と並列アー
ム３との間の接続は半導体抵抗材料によって直接行わ
れ、即ち並列アームは所望の形態とコースの半導体材料
によって構成され、それによって１次アーム２と並列ア
ーム３との間で金属接続部は必要ない。他方の端部で
は、並列アーム３にはそれぞれコンタクト領域７が設け
られ、このコンタクト領域７に接続されている金属相互
接続８を介して相互接続される。半導体抵抗材料を介す
る１次アーム２と並列アーム３との間の直接接続によっ
て、接触抵抗はこれらの領域では形成されない。それぞ
れの接触抵抗11ａ、11ｂ、11ｃはコンタクト領域７と金
属相互接続８（図２）間の半導体金属連結部でのみ形成
される。並列アーム３の全抵抗はそれによって並列アー
ム３の半導体材料の各並列抵抗12ａ、12ｂ、12ｃと各接
触抵抗11ａ、11ｂ、11ｃとの直列結合により決定され
る。並列抵抗12ａ、12ｂ、12ｃは通常高く、それによっ
て接触抵抗11ａ、11ｂ、11ｃは各並列アーム３の全抵抗
に対して最小限の範囲でしか影響しない。
ーム３はそれぞれのコンタクト領域５と直接反対側で１
次アーム２に接続されている。１次アーム２と並列アー
ム３との間の接続は半導体抵抗材料によって直接行わ
れ、即ち並列アームは所望の形態とコースの半導体材料
によって構成され、それによって１次アーム２と並列ア
ーム３との間で金属接続部は必要ない。他方の端部で
は、並列アーム３にはそれぞれコンタクト領域７が設け
られ、このコンタクト領域７に接続されている金属相互
接続８を介して相互接続される。半導体抵抗材料を介す
る１次アーム２と並列アーム３との間の直接接続によっ
て、接触抵抗はこれらの領域では形成されない。それぞ
れの接触抵抗11ａ、11ｂ、11ｃはコンタクト領域７と金
属相互接続８（図２）間の半導体金属連結部でのみ形成
される。並列アーム３の全抵抗はそれによって並列アー
ム３の半導体材料の各並列抵抗12ａ、12ｂ、12ｃと各接
触抵抗11ａ、11ｂ、11ｃとの直列結合により決定され
る。並列抵抗12ａ、12ｂ、12ｃは通常高く、それによっ
て接触抵抗11ａ、11ｂ、11ｃは各並列アーム３の全抵抗
に対して最小限の範囲でしか影響しない。
【００１８】図２は図１の半導体構造の等価回路を示し
ている。１次アームは図１の１次アーム部分４に対応す
る３つの直列抵抗10により形成される。各ノード13には
各接触抵抗９が接続され、これは各コンタクト領域５に
より別々の電流通路で各抵抗直列結合により生成され
る。この抵抗の直列結合は並列抵抗12ａ、12ｂ、12ｃと
接触抵抗11ａ、11ｂ、11ｃにより形成される。接触抵抗
11ａ、11ｂ、11ｃの自由端部はライン８を介して相互接
続される。
ている。１次アームは図１の１次アーム部分４に対応す
る３つの直列抵抗10により形成される。各ノード13には
各接触抵抗９が接続され、これは各コンタクト領域５に
より別々の電流通路で各抵抗直列結合により生成され
る。この抵抗の直列結合は並列抵抗12ａ、12ｂ、12ｃと
接触抵抗11ａ、11ｂ、11ｃにより形成される。接触抵抗
11ａ、11ｂ、11ｃの自由端部はライン８を介して相互接
続される。
【００１９】接触抵抗９が１次アーム２の外部に位置さ
れるとき、１次アーム２における抵抗比は直列抵抗10に
よってのみ決定される。１次アーム２には抵抗比の誤差
の原因となる漂遊接触抵抗は存在しない。接触抵抗９、
11ａ、11ｂ、11ｃが動作していないまたは高いインピー
ダンスの領域に移動されるとき、装置全体に電気的性質
の影響はなくまたは無視できる程度である。
れるとき、１次アーム２における抵抗比は直列抵抗10に
よってのみ決定される。１次アーム２には抵抗比の誤差
の原因となる漂遊接触抵抗は存在しない。接触抵抗９、
11ａ、11ｂ、11ｃが動作していないまたは高いインピー
ダンスの領域に移動されるとき、装置全体に電気的性質
の影響はなくまたは無視できる程度である。
【図１】はしご型回路網を形成する半導体構造の概略
図。
図。
【図２】図１の半導体構造の等価回路図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ノルベルト・グライチュス ドイツ連邦共和国、デー − 79108 フ ライブルク、ローゼンシュトラーセ ２ (72)発明者 ハンス − ギュンター・ツィマー ドイツ連邦共和国、デー − 79211 デ ンツリンゲン、マルクグラーフェンシュト ラーセ 18
Claims (4)
- 【請求項１】 抵抗回路網、特に半導体材料で作られて
いる抵抗部分と金属コンタクト領域を有するはしご型回
路網を生成する半導体構造において、 連続的な半導体抵抗条帯が１次アームとして設けられ、
前記連続的な１次アームに沿って、１側面において前記
連続的な半導体抵抗条帯と接触する金属コンタクト領域
が所望の抵抗比率にしたがって設けられ、それによって
対応する直列抵抗を形成することを特徴とする半導体構
造。 - 【請求項２】 並列アームを形成する複数の半導体抵抗
条帯がそれぞれ半導体材料によって１次アームの長い側
面に１端部で直接接続され、各並列アームの他方の端部
においてそれぞれ金属コンタクト領域が設けられている
請求項１記載の半導体構造。 - 【請求項３】 １次アームのコンタクト領域は１次アー
ムの一方の長い側面において設けられ、１次アームと並
列アームとの間の接続部は１次アームの他方の長い側面
において設けられている請求項２記載の半導体構造。 - 【請求項４】 １次アームの各コンタクト領域と、１次
アームと各並列アームとの間の各接続部は相互に直接対
向して位置されている請求項２または３記載の半導体構
造。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19601135A DE19601135C1 (de) | 1996-01-13 | 1996-01-13 | Halbleiterstruktur |
| DE19601135.3 | 1996-01-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293831A true JPH09293831A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=7782738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9003867A Pending JPH09293831A (ja) | 1996-01-13 | 1997-01-13 | 半導体構造 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5872504A (ja) |
| EP (1) | EP0784344A1 (ja) |
| JP (1) | JPH09293831A (ja) |
| DE (1) | DE19601135C1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19747255A1 (de) * | 1997-10-25 | 1999-05-12 | Danfoss As | Schutzimpedanz für eine netzspannungsgespeiste elektronische Schaltung |
| GB9813668D0 (en) * | 1998-06-25 | 1998-08-26 | Sentec Ltd | Printed circuit board current sensor |
| US6664500B2 (en) * | 2000-12-16 | 2003-12-16 | Anadigics, Inc. | Laser-trimmable digital resistor |
| CN100492643C (zh) * | 2002-06-11 | 2009-05-27 | Nxp股份有限公司 | 电阻网络例如电阻梯形网络及其制造方法 |
| US6701495B1 (en) * | 2002-09-23 | 2004-03-02 | Lsi Logic Corporation | Model of the contact region of integrated circuit resistors |
| US7057491B2 (en) * | 2002-09-23 | 2006-06-06 | Analog Devices, Inc. | Impedance network with minimum contact impedance |
| US7034653B2 (en) * | 2004-01-30 | 2006-04-25 | Agere Systems Inc. | Semiconductor resistor |
| US7598841B2 (en) * | 2005-09-20 | 2009-10-06 | Analog Devices, Inc. | Film resistor and a method for forming and trimming a film resistor |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1115654B (it) * | 1977-05-04 | 1986-02-03 | Ates Componenti Elettron | Partitore di tensione diffuso per circuito integrato monolitico |
| US4228418A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Modular trim resistive network |
| DE3144252A1 (de) * | 1981-11-07 | 1983-05-19 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Spannungsteiler in duenn- oder dickschichttechnik |
| US4475099A (en) * | 1983-06-27 | 1984-10-02 | Analogic Corporation | Voltage divider |
| US4505032A (en) * | 1983-06-27 | 1985-03-19 | Analogic Corporation | Method of making a voltage divider |
| JPS6065629A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-15 | Fujitsu Ltd | 抵抗ラダ−回路網 |
| JPS61102764A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Matsushita Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
| US5567644A (en) * | 1995-09-14 | 1996-10-22 | Micron Technology, Inc. | Method of making a resistor |
-
1996
- 1996-01-13 DE DE19601135A patent/DE19601135C1/de not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-11 EP EP97100387A patent/EP0784344A1/de not_active Ceased
- 1997-01-13 JP JP9003867A patent/JPH09293831A/ja active Pending
- 1997-01-13 US US08/782,777 patent/US5872504A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0784344A1 (de) | 1997-07-16 |
| DE19601135C1 (de) | 1997-05-28 |
| US5872504A (en) | 1999-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0529458A (ja) | ユーザ構成可能な相互接続アーキテクチヤ | |
| JPH0552043B2 (ja) | ||
| EP0136869B1 (en) | A resistance ladder network | |
| JPH09293831A (ja) | 半導体構造 | |
| KR900001009A (ko) | 반도체집적회로 | |
| CA2376767A1 (en) | Transistor amplifier having reduced parasitic oscillations | |
| US4101820A (en) | Fail-safe resistor | |
| KR880001054A (ko) | 저항성 회로망 | |
| US5257005A (en) | Small value precision integrated circuit resistors | |
| JPS5878450A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH06310955A (ja) | 高出力電界効果トランジスタ | |
| JPS6155260B2 (ja) | ||
| JP2801801B2 (ja) | Ｐｉｎダイオード | |
| JP3196395B2 (ja) | 抵抗温度センサ | |
| JP2002270776A (ja) | 半導体装置の配線構造 | |
| JP2000077218A (ja) | チップ形抵抗ネットワーク | |
| JP4789873B2 (ja) | 減衰器および電子デバイス | |
| GB2039154A (en) | Resistive ladder networks | |
| KR100223667B1 (ko) | 저항 옵션 구조를 가지는 반도체 메모리 장치 | |
| JPH0823072A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH082965Y2 (ja) | 可変抵抗器 | |
| JPH10189317A (ja) | 抵抗器 | |
| JPH01209760A (ja) | 半導体装置 | |
| US7049698B1 (en) | Semiconductor integrated circuit having transistor with reduced resistance | |
| DE1564126A1 (de) | Leistungstransistor |