DE1564126A1 - Leistungstransistor - Google Patents

Leistungstransistor

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DE1564126A1 DE19661564126 DE1564126A DE1564126A1 DE 1564126 A1 DE1564126 A1 DE 1564126A1 DE 19661564126 DE19661564126 DE 19661564126 DE 1564126 A DE1564126 A DE 1564126A DE 1564126 A1 DE1564126 A1 DE 1564126A1
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Description

INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION, NEW YORK
Leistungstransistor ·
Die Priorität der Anmeldung in den Vereinigten Staaten von Amerika vom 8. März 1965 Nr. 437*960 ist in Anspruch genommen.
Die Erfindung betrifft Transistoren für hohe Leistungen, insbesondere ein Hochfrequenz-Hochleistungstransistor-Bauelement.
Beim Betrieb von Transistoren mit hohen Leistungen in der Grössenordnung von 2 Watt und darüber sind die Ableitung der im Halbleitermaterial erzeugten Wärme und der Temperaturausgleich im Material wichtig und stellen eine Grenze dar.. Das halbleitende Material muss mit dem Sockel in guten Wärmeaustau schbe Ziehung en stehen. Eine gleichmässige Wirkung der gesamten Fläche des Transistors verhindert die Ausbildung von überhitzten Stellen (hot spots) und gestattet das Arbeiten bei einer höheren Leistung. Bei hohen Frequenzen nimmt die Impedanz der Zuleitungen zu. Es ist daher wichtig, dass diese so ausgebildet werden, dass zwischen den Elektroden wirkende und verstreute konstante Effekte vermieden werden. Eine günstige Ausbildung der Zuleitungen kann dazu beitragen, den Strom über die gesamte Fläche eines Transistors und^lm Falle dass zwei Transistoren parallel arbeiten, auch zwischen den beiden Transistoren, zu verteilen.
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156412b
ISE/Reg. 3375 - Pl 322 - 2 - G.P. Hardy et al - 2-1-1 '
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, verbesserte Hochleistungstransistoren für hohe Frequenzen zu schaffen mit einer verbesserten Wärmeabführung vom Halbleiterkörper und gleichmässiger Belastung der gesamten Transistorfläche sowie symmetrischer Ausbildung des Wechselstromwiderstandes. Sie betrifft Transistorbauelemente mit einem Sockel, mindestens einem Transistorelement mit Basis, Kollektor und Emitterzonen und einer wärmeleitenden, elektrisch isoliere?aen Anordnung, die das Transistorelement trägt und mit dem Si. κβΐ verbindet. Erfindungsgemäss wird das dadurch erreicht, dijs der elektrisch isolierende, wärmeleitende Teil einen Kontakt für den Kollektor enthält, der eine ohmsche Verbindun mit der Kollektorzone herstellt, dass ein Ständer aus elektrisch leitendem Material unmittelbar neben dem Transistorelement mit einem Ende am Sockel befestigt ist und mit den« anderen Ende neben dem Transistorelement liegt, dass Zuleitungen eine elektrische Verbindung zwischen dem Ständer und der Emitterzone herstellen, derart, dass der Sockel gleichzeitig den Emitteranschluss bildet, und dass Basis und Kollektorzuleitungeh isoliert durch den Sockel geführt und mit den Basis- und Kollektorkontakten verbunden sind.
Die Merkmale der Erfindung werden im folgender, im Zusammenhang mit der Zeichnung näher erläutert:
Figur 1 stellt eine perspektivische Ansicht eir.es Transistoibauelementes nach der Erfindung dar;
Figur 2 ist eine Draufsicht auf das Transistoroauelement gemäss Figur 1, bei dem die Kappe entfernt ist, um die innere Anordnung der Zuleitungen und neu Halbleiterkörpers zu zeigen;
Figur 3 zeigt einen Schnitt entlang der Linie 7-3 in Figur 2;
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ISE/Reg.3375 - Fl 322 - 3 - G.F.Hardy et al - 2-1-1
Figur 4 ist eine vergrösserte Teilansicht des Transistors und veranschaulicht die Emitter- und Basisanschlüsse;
Figur 5 stellt eine Ansicht entlang der Linie 5-5 von Figur 4 dar;
Figur 6 zeigt eine andere Transistoranordnung nach der Erfindung;
Figur 7 zeigt das Prinzipschaltbild eines Transistors nach der uiift, und
Figur 8 zeigt das Prinzipschaltbild für einen Doppeltransistor, der -semäss der Erfindung in einer gemeinsamen Hülle untergebracht ist.
Das Transistorbauelement enthält einen Sockel 11, der das Halbleitermaterial, das das eigentliche Transistorelement bildet, andere Teile der Anordnung und die Zuleitungen trägt. Der Sockel 11 ist zur Aufnahme einer Kappe 12 ausgebildet, welche zur Unterbringung und zum Schutz der Anordnung vor der Umgebung dient. Der Sockel kann ausserdem ein paar in Abstand voneinander angebrachte Montagelöcher 13 enthalten, mit deren Hilfe er an zugehörigen Einrichtungen mittels Schrauben befestigt werden kann. Selbstverständlich kann der Sockel auch anderen bekannten Typen entsprechen , z.B. einem Typ, der einen Schraubansatz enthält zum direkten Einschrauben in entsprechend ausgebildete zugehörige Anordnungen.
Der Transistor 16, um mit der Beschreibung von Einzelheiten zu beginnen, wird durch eine wärmeleitende Schichtenanordnung (sandwich) 17 getragen, die den Transistor elektrisch vom Sockel isoliert. Die Schichtenanordnung besteht vorzugsweise aus Material mit dem gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten
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ISE/Reg.5375 - Pl 522 - 4 - Q.P. Hardy1 §§ 4J 2 4-1.
wie das Transistorelement 16, um Bruch infolge unterschiedlicher Wärmeausdehnung zu vermeiden. Pur einen Siliciumtransistor kann die Schichtenanordnung z.B. aus einer Molybdänscheibe l8 bestehen, die in geeigneter Weise mittels bekannter ' Methoden an den z.B. aus Kupfer bestehenden Sockel angelötet ist. Eine zweite Molybdänscheibe 19 ist mit der Kollektorzone des den Transistor bildenden Halbleiterkörpers verlötet. Eine Schicht aus Berylliumoxyd 21 ist zwischen den beiden Molybdänscheiben zum Herstellen einer mechanischen Verbindung angeordnet. Eine derartige Verbindung ist elektrisch isoliert. Die Berylliumoxydschicht 21 ist relativ dünn und hat eine gute Wärmeleitfähigkeit, so dass die Wärmeleitung zwischen dem Transistorelement 16 und dem Sockel 11 verhältnismässig gut ist.
Die in Figuren 1 bis 5 dargestellte Anordnung enthält die beiden Transistorelemente 16a und l6b, die nebeneinander mit gegenüberliegenden Enden angeordnet sind. Ein Ständer 22 aus Material mit guter elektrischer Leitfähigkeit ist entlang den beiden gegenüberliegenden Seiten der Transistoren und parallel zu diesen auf dem Sockel befestigt. Die obere Seite des Ständers hat nahezu die gleiche Höhe wie die obere Fläche der Transistoren. Sie kann eine Molybdänscheibe 25 enthalten, welche in geeigneter Weise mit dem Kupferständer verbunden ist, und welche ein Siliciumplättchen 24 trägt. Die obere Oberfläche des Siliciumplättchens kann mit einer aufgedampften ohmschen Kontaktschicht versehen sein. Kurze Emitterzuleitungen 26 verbinden den ohmschen Oberflächenkontakt und die Emitterzonen des entsprechenden Transistors. Der Stromweg des Emitterstromes setzt sich aus dem Sockel 11, dem Ständer 22, der Siliciumscheibe 24 und den Emitterzuleitungen 26 zusammen. Die Siliciumscheibe 24 stellt einen Serienwiderstand dar. Der Widerstand der Siliciumscheibe kann durch Einstellen ihrer Dicke, durch ihre Verunreinigungskonzentration oder ähnliche Massnahmen festgelegt werden, so dass mit den Zuleitungen zusammen ein vorgegebener Serienwiderstand erhalten werden kann.
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ISE/Reg.3375 - Fl 322 - 5 - G.P. Hardy et al - 2-1-1
Die Basiselektrode besteht aus einem C-förmig gebogenen Teil mit den beiden Enden 28, die einander gegenüber und über einem jeweils darunter befindlichen Transistor liegen. In der Mitte . des Bügels des C-förmigen Teils ist dieser mit einem Stift 29 verbunden, der durch den Sockel führt. Der Stift ist mittels einer Glasperle durch den Sockel geführt, die eine dichte Durchführung bildet. Basiszuleitungen, die ohmsche Anschlüsse mit der Basiszone des Transistors bilden, verbinden nach oben verlaufend die C-förmig gebogene Elektrode und den ohmschen Basiskontakt.
Der Kollektoranschluss besteht aus einem U-förmig gebogenen Bügel 31* der bei 32 einen um 90° gebogenen bandförmigen Verlauf hat, und der in geeigneter Form mit der sich nach auswärts erstreckenden Nase 33 aer Molybdänscheibe 19 verbunden ist. Wie ersichtlich ist, läuft je einer dieser Streifen zu je einem der entsprechenden Transistoren. Die beiden Enden des, U-förmigen Kollektorbügels sind mit je einem dieser Streifen verbunden. Im mittleren Teil ist der U-förmig gebogene Kollektorbügel mit einem Stift 34 verbunden, der mittels einer eine dichte Durchführung bildenden Glasperle 35 durch den Sockel geführt ist.
Der Leistu ng stransistor ist in Figuren 4 und 5 in Einzelheiten klarer dargestellt. Er hat eine Kollektorzone 4l, eine Basiszone 42, die beide einen Basis-Kollektorübergang bilden, und eingesetzte Emitterzonen 43·
Wie in Figur 4 dargestellt, handelt es sich um einen Transistor mit ineinandergreifender fingerartiger Struktur, bei dem der Emitter aus einer Mehrzahl von Fingern 40 besteht. Die Teile des Emitter - Basisüberganges, die an die Oberfläche treten, werden durch eine Oxydschicht 44 geschützt. Die Emitterkontakte 46 und die Basiskontakte 47 werden durch Aufdampfen eines fingerartig ineinandergreifenden Kontaktmusters auf die
"■ '·■'.- . -ν-;.., »09883/088 1
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Oberfläche des Bauelementes hergestellt. Das Kontaktmuster weist Im wesentlichen als Grundlage eine rippenartige Struktur auf mit kammartigen Emitterkontakten. Der Kollektorkontakt 48 wird durch die bereits früher beschriebene Molybdänscheibe gebildet.
Der kammartige Emitterkontakt ist unterbrochen und bildet eine Mehrzahl derartig ausgebildeter Kontakte 46a, 46b usw. Wie aus Figur 2 zu entnehmen ist, sind 8 derartige Emitterzonen oder -abschnitte vorhanden. Jeder dieser Abschnitte ist mit einer Emitterzuleitung 26 verbunden. Die EmitterzuleIt^ngen sind nebeneinander mit dem Emitterwiderstand 24 verbunden. Dadurch liegt in Serie mit jedem der Emitterkontakte 46 ein Widerstand. Die Serien-Emitterwiderstände sollen gewährleisten, dass der Stromfluss zu jeder der Emitterzonen im wesentlichen gleich ist. Es ist leicht einzusehen, dass ein Ansteigen des Stromes in einem der Serienkreise ebenfalls ein Ansteigen des Spannungsabfalls im Widerstand zur Folge hat und damit einen Abfall der Emitterspannung, durch den auch der Strom vermindert wird. Es ist also ein negativer Rückkopplungseffekt vorhanden, der darauf hinwirkt, dass der durch den Transistor fliessende Strom gleichmässig verteilt wird.
Es ist zu beachten, dass bei hohen Frequenzen jede der Zuführungen eine eigene Impedanz rat. Diese Impedanz liegt in Reihe mit der entsprechenden Zone. Es wird angestrebt, die Impedanz der EmitterZuleitungen so weit wie möglich herabzusetzen. Bei der dargestellten Anordnung sind z.B. die Zuleitungen 26 verhältnismässig kurz gehalten. Der Weg durch den Emitterwiderstand und den Ständer ist ebenfalls verhältnismässig kurz, ferner sind die Abmessungen und die Formgebung des Widerstandes und des Ständers so ausgebildet, dass die Serieninduktanz herabgesetzt wird. Damit ist eine gute Übertragung des Signals gewährleistet. Es besteht nur geringe Wahrscheiniichkeit, dass die Hochfrequenzimpedanzen der verschiedenen Wege sich wesentlich
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ISE/Reg.5375 - Pl 322 - 7 - G.P.Hardy et al - 2-1-1
unterscheiden, da mit Ausnahme der kurzen Zuleitungen 26 der Weg in allen Fällen identisch ist.
Die Basiszonen der Anordnungen sind durch C-förmig gebogene Zuleitungen kontaktiert. Wegen dieser symmetrischen Ausbildung ist die Eigenimpedanz der beiden Hälften im wesentlichen gleich, wodurch sichergestellt ist, dass von beiden Transistoren jeder anteilig belastet wird. Die U-förmig gebogenen Kollektorzuleitungen sind ebenfalls symmetrisch, wodurch ebenfalls eine ausgleichende Wirkung entsteht. Es ist damit gewährleistet, dass das Bauelementepaar bei unterschiedlichen Frequenzen und Belastungen im wesentlichen gleich arbeitet.
Die Ersatzschaltung für einen einzelnen Transistor, der entsprechend der Erfindung kontaktiert ist, ist in Figur 7 dargestellt, wo die Induktanz der Basiszuleitung bei 6l angegeben ist, die Induktanz der Kollektorzuleitung bei 62 und die einzelnen Induktanzen der verschiedenen EmitterZuleitungen bei 63a, 6 Jb usw., zugeordnet zu den schematisch dargestellten verschiedenen Emitterkontakten. Die Serienwiderstände sind bei 64a, 64b usw. dargestellt.
Für den symmetrischen Aufbau ist die Ersatzschaltung in Figur dargestellt, bei der die Induktanz 65 der Kollektorzone symmetrisch ausgebildet ist und eine Serieninduktanz 65a für den Teil der Zuleitung, der durch die Glasdurchführung des Sockels verläuft, angegeben ist. Entsprechend ist die Induktanz des C-förmig gebogenen Teils der Basiszuleitung bei 66 angegeben mit der ZuIeitungsinduktanz 66a. Ferner ist jedem Teilemitter zugeordnet eine Vielzahl von Emitterwiderständen 67a, 67b usw. angegeben. Diese Widerstände haben im wesentlichen den gleichen Wert, da sie aus einem einzigen Siliciumplättchen, das auf dem Ständer montiert ist, gebildet sind. Äusserdem sind die Zuleitungsinduktanzen 68a, 68b usw. dargestellt.
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ISE/Reg.5375 - Fl 322 - 8 - G.P.Hardy et al - 2-1-1
Der Ständer kann aus den beiden Armen eines U-förmig gebogenen als Kanal wirkenden Teiles bestehen, welches die schichtförmige Anordnung 17 zur Wärmeübertragung aufnimmt und welches andererseits an dem Sockel befestigt ist. Dies kann als Teilanordnung ausgebildet und dann auf dem Sockel montiert werden. In Fig. 6 ist ein Teil des Sockels mit der darauf befestigten U-förmig gebogenen Anordnung 71 mit den Ständern 72 dargestellt. Die Teilanordnung, bestehend aus dem Transistor 16, der Schichtanordnung 17j den Emitterzuleitungen 26 und dem U-förmigen Teil 71 mit den Ständern 72 ist vollständig dargestellt. Der restliche Teil der gesamten Anordnung ist mit den bereits beschriebenen Teilen identisch.
In der vorstehenden Beschreibung ist ein Hochleistungstransistor beschrieben, der leicht aufzubauen ist, bei dem die Unsymmetrie der verschiedenen bei Hochfrequenz auftretenden Effekte auf ein Minimum herabgesetzt ist und welcher sowohl in symmetrischem, als auch in unsymmetrischem Aufbau bei relativ hohen Frequenzen betrieben werden kann. Die Serienwiderstände gewährleisten, dass der Strom gleichmässig über die gesamte Anordnung verteilt wird und damit überhitzte Stellen (hot spots) vermieden werden. Die Art der Montage gewährleistet eine gute Wärmeableitung vom Halbleiterkörper.
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Claims (6)

ISE/Reg.3375 - Pl 322 - 9 - G.P.Hardy - 2-1-1 PATENTANSPRÜCHE
1. Leistungstransistor mit einem Sockel, mindestens einem Transistorelement mit Basis, Kollektor,und Emitterzonen, und einer wärmeleitenden, elektrisch isolierenden Anordnung, die das Transistorelement trägt und mit dem Sockel verbindet, dadurch gekennzeichnet, dass/elektrisch isolierende Teil (17) einen Kontakt für den Kollektor enthält, der eine ohmsehe Verbindung mit der Kollektorzone herstellt, dass ein Ständer (24) aus elektrisch leitendem Material unmittelbar neben dem Transistorelement (l6) mit einem Ende am Sockel (11) befestigt ist und mit dem anderen Ende neben dem Transistorelement liegt, dass Zuleitungen (26) eine elektrische Verbindung zwischen dem Ständer und der Emitterzone (4^) herstellen, derart, dass der Sockel (11) gleichzeitig den Emitteranschluss bildet, und dass Basis und Kollektorzuleitungen isoliert durch den Sockel geführt und mit den Basis- und Kollektorkontakten (46 bzw. 48) verbunden sind.
2. Leistungstransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Transistorelement aus Silicium besteht, der wärmeleitende elektrisch isolierende Teil (17) schichtenartig derart zusammengesetzt ist, dass zwischen zwei aus Molybdän bestehenden äusseren Scheiben (18 und 19) eine elektrisch Isolierende, gut wärmeleitende Oxydschicht liegt, und dass die eine der Molybdänscheiben (19) mit dem Kollektor einen ohmschen Kontakt herstellt und die andere (l8) mit dem Sockel (11) verbunden ist.
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3. Leistungstransistor nach Ansprüchen 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Emitter in eine Mehrzahl voneinander getrennter Zonen (43) unterteilt ist, dass getrennte ohmsche Kontakte (46a, 46b usw.) auf jedem der Emitterteile angebracht sind, und dass die Basiskontakte(47) in unmittelbarer Nähe der Emitterkontakte liefen, dass auf der oberen Oberfläche des Ständers (22) Widerstandsmaterial (24) in ohmschem Kontakt mit dem Stan :er aufgebracht ist, dass Zuleitungen (2ο ) von je em der F . i-terteile zu dem Widerstandsmaterial i* ihren, so dass ei: durch aas Widerstandsmaterial gebildeter Serienwiderii^ml in jeder Emitterzuleitung liegt.
4. Leistungstransistor nach Atisprüchen 1 bis ': dadurch gekennzeichnet, dass eine .- *liciumscheibe vorlestίmmter Dicke und mit vorgegebener Verunreinigungs. »nzentration das Widerstandsmaterial bildet.
5· Leistungstransistor nach Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Emitterzonen eine na :. innen weisende, kamrnartige Struktur besitzen und die Pa.siszonen fingerartig dazwischen liegen und an jeder »ite des Transistors ein Ständer angeordnet ist.
6. Leistungstransistor nach Ansprüchen 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, dass zwei Transistoreleraente (l6a und l6b) gemeinsam auf der elektri,: :h isoliereru-den -/'Irmelei tend ei. Schichtenanordnung (17) angebracht sind und iber die mit dem Sockel (11) verbundenen Ständer (22) ei- -r; remeinsamen Emitterans.jhluss haben, Jans ein U-förmig " »rnifcer Bügel (31) mit beiden offenen Enden (32) mit jeden; Kollektor verbunden ist und durch Verbindung mit eine:, isoliert durch den Sockel geführten Sockelstift (29) eiren gemeinsamen Kollektoranschluss herstellt, und dar ^j. e C-förmi?; gebogene Basiselektrode (27) über den fingern-:.;«ren Transit; tor strukturen liegt und durch Verbindung mit einem
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ISE/Reg.3375 - Pl 322 - 11 - · G.F.Hardy - 2-1-1
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weiteren isoliert durch den Sockel geführten Sockelstift den gemeinsamen Basisanschluss bildet.
7· Leistungstransistor nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Ständer die beiden Enden (72) eines U-förmig gebogenen Teiles (7I) bilden, das mit dem- Sockel (11) verbunden ist, den.gut wärmeleitenden elektrisch isolierenden Schichtenaufbau (17) mit den Transistorelementen (l6) aufnimmt und mit diesen und den entsprechenden elektrischen Verbindungsleitungen (26) einen einheitliehen Montageteil bildet.
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DE1564126A 1965-03-08 1966-03-05 Leistungstransistor Expired DE1564126C3 (de)

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US43796065A 1965-03-08 1965-03-08

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1564126A1 true DE1564126A1 (de) 1970-01-15
DE1564126B2 DE1564126B2 (de) 1972-03-23
DE1564126C3 DE1564126C3 (de) 1974-05-22

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ID=23738642

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US (1) US3506886A (de)
DE (1) DE1564126C3 (de)
ES (1) ES323958A1 (de)
GB (1) GB1109211A (de)
NL (1) NL6603046A (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL164703C (nl) * 1968-06-21 1981-01-15 Philips Nv Halfgeleiderinrichting, voorzien van een contact met ten minste twee gedeelten en een voor deze gedeelten gemeenschappelijk gedeelte, waarbij in elk der ver- bindingswegen tussen de gedeelten en het gemeenschappe- lijke gedeelte een serieweerstand is opgenomen.
DE1789063A1 (de) * 1968-09-30 1971-12-30 Siemens Ag Traeger fuer Halbleiterbauelemente
US4546374A (en) * 1981-03-23 1985-10-08 Motorola Inc. Semiconductor device including plateless package

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3259814A (en) * 1955-05-20 1966-07-05 Rca Corp Power semiconductor assembly including heat dispersing means
NL217849A (de) * 1956-06-12
US3079254A (en) * 1959-01-26 1963-02-26 George W Crowley Photographic fabrication of semiconductor devices
US3025437A (en) * 1960-02-05 1962-03-13 Lear Inc Semiconductor heat sink and electrical insulator
US3095526A (en) * 1961-02-20 1963-06-25 Philco Corp Semiconductor unit
US3187240A (en) * 1961-08-08 1965-06-01 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor device encapsulation and method
US3195026A (en) * 1962-09-21 1965-07-13 Westinghouse Electric Corp Hermetically enclosed semiconductor device
NL296170A (de) * 1962-10-04
US3225261A (en) * 1963-11-19 1965-12-21 Fairchild Camera Instr Co High frequency power transistor

Also Published As

Publication number Publication date
NL6603046A (de) 1966-09-09
DE1564126C3 (de) 1974-05-22
US3506886A (en) 1970-04-14
GB1109211A (en) 1968-04-10
ES323958A1 (es) 1966-11-16
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