JPH09293218A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents

磁気抵抗効果素子

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JPH09293218A
JPH09293218A JP8109067A JP10906796A JPH09293218A JP H09293218 A JPH09293218 A JP H09293218A JP 8109067 A JP8109067 A JP 8109067A JP 10906796 A JP10906796 A JP 10906796A JP H09293218 A JPH09293218 A JP H09293218A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 大きなＭＲ変化量を示すスピンバルブ膜にお
いて、良好な軟磁気特性を再現性よく実現し、磁気異方
性の分散を抑制して困難軸方向の保磁力Ｈc を減少させ
る。 【解決手段】 Ｃｏ系磁性合金等の強磁性体層４と軟磁
性層５との積層膜からなる第１の磁性層１と第２の磁性
層２との間に、非磁性中間層３を配置したスピンバルブ
膜７を具備する磁気抵抗効果素子である。軟磁性層５は
1種の軟磁性材料膜または 2種以上の軟磁性材料膜から
なる軟磁性材料積層膜からなり、これらの磁化をＭ
s [T] 、膜厚をｄ[nm]、異方性磁界をＨk ［Ｏe]とした
とき、Σ（Ｍs×ｄ×Ｈk ）＞30[TnmＯe]を満足させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スピンバルブ膜を
有する磁気抵抗効果素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、磁気記録媒体に記録された情報
の読み出しは、コイルを有する再生用磁気ヘッドを記録
媒体に対して相対的に移動させ、そのときに発生する電
磁誘導でコイルに誘起される電圧を検出する方法によっ
て行われてきた。一方、情報を読み出す場合に、磁気抵
抗効果素子（以下、ＭＲ素子）を用いることも知られて
いる(IEEE MAG-7,150(1971) 等参照）。ＭＲ素子を用い
た磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと記す）は、ある種の
強磁性体の電気抵抗が外部磁界の強さに応じて変化する
という現象を利用したものである。
【０００３】近年、磁気記録媒体の小型・大容量化が進
められ、情報読み出し時の再生用磁気ヘッドと磁気記録
媒体との相対速度が小さくなってきているため、小さい
相対速度であっても大きな出力が取り出せるＭＲヘッド
への期待が高まっている。ここで、ＭＲヘッドの外部磁
界を感知して抵抗が変化する部分（以下、ＭＲエレメン
トと呼ぶ）には、Ｎｉ−Ｆｅ合金いわゆるパーマロイ系
合金が使用されてきた。しかし、パーマロイ系合金は良
好な軟磁気特性を有するものでも、磁気抵抗変化率が最
大で3%程度であり、小型・大容量化された磁気記録媒体
用のＭＲエレメントとしては磁気抵抗変化率が不十分で
ある。このため、ＭＲエレメント材料として、より高感
度な磁気抵抗効果を示すものが望まれている。
【０００４】このような要望に対して、Ｆｅ／ＣｒやＣ
ｏ／Ｃｕのように、強磁性金属膜と非磁性金属膜とをあ
る条件で交互に積層して、近接する強磁性金属膜間を反
強磁性結合させた多層膜、いわゆる人工格子膜が巨大な
磁気抵抗効果を示すことが確認されている。人工格子膜
によれば、最大で100%を超える大きな磁気抵抗変化率を
示すことが報告されている（Phys.Rev.Lett.,Vol.61,24
74(1988)、Phys.Rev.Lett.,Vol.64,2304(1990) 等参
照）。しかし、人工格子膜は飽和磁界が高いために、Ｍ
Ｒエレメントには不向きである。
【０００５】一方、強磁性膜／非磁性膜／強磁性膜のサ
ンドイッチ構造の多層膜で、強磁性膜が反強磁性結合し
ない場合でも、大きな磁気抵抗効果を実現した例が報告
されている。すなわち、非磁性膜を挟んだ 2つの強磁性
膜の一方に、交換バイアスを及ぼして磁化を固定してお
き、他方の強磁性膜を外部磁界（信号磁界等）により磁
化反転させる。これにより、非磁性膜を挟んで配置され
た 2つの強磁性膜の磁化方向の相対的な角度を変化させ
ることによって、大きな磁気抵抗効果が得られる。この
ようなタイプの多層膜はスピンバルブ膜と呼ばれている
(Phys.Rev.B.,Vol.45,806(1992)、J.Appl.Phys.,Vol.6
9, 4774(1991) 等参照）。スピンバルブ膜の磁気抵抗変
化率は、人工格子膜と比べると小さいものの、低磁場で
磁化を飽和させることができるため、ＭＲエレメントに
適している。このようなスピンバルブ膜を用いたＭＲヘ
ッドには、実用上大きな期待が寄せられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した強
磁性膜間を反強磁性結合させないスピンバルブ膜を用い
たＭＲ素子においては、特に外部磁界により磁化反転さ
せる強磁性膜の軟磁気特性を高めることが、素子感度を
向上させるための必要条件となる。しかしながら、大き
なＭＲ変化量をもたらす材料が必ずしも良好な軟磁気特
性を示すとは限らず、この 2つの特性を両立させること
が重要な課題となっている。
【０００７】例えば、強磁性膜にＣｏ膜やＣｏ系磁性合
金膜を用いたスピンバルブ膜、特に結晶質のＣｏ膜やＣ
ｏ系磁性合金膜を用いたスピンバルブ膜では、良好なＭ
Ｒ変化量を示すものの、その軟磁性化が困難であること
が知られている。一般に、ＣｏやＣｏ系磁性合金におい
ては磁気異方性の分散が発生し、困難軸方向の磁気ヒス
テリシスにおいても大きな保磁力Ｈc が生じてしまう。
このため、ＣｏやＣｏ系磁性合金を用いたスピンバルブ
膜を有するＭＲ素子をセンサデバイスに用いると、バル
クハウゼンノイズが生じてしまい、Ｓ／Ｎ比が低下して
実用に供することができなくなるという問題がある。
【０００８】特に、スピンバルブ膜においては、非磁性
膜を挟んで配置する 2つの強磁性膜の磁化方向を零磁場
中で互いに略直交させることが、センサデバイスとして
用いる上で望ましく、そのためのアニール処理が必要と
なっている。しかし、そのようなアニール処理を行う
と、ＣｏやＣｏ系磁性合金における磁気異方性の分散が
より大きくなり、バルクハウゼンノイズが生じてＳ／Ｎ
比が低下し、実用に供することができなくなるという問
題がある。
【０００９】このように、スピンバルブ膜を用いたＭＲ
素子では、大きなＭＲ変化量を示すスピンバルブ膜にお
いて良好な軟磁気特性を再現性よく実現し、磁気異方性
の分散を抑制して困難軸方向の保磁力Ｈc を減少させる
ことが課題とされている。そして、困難軸方向の保磁力
Ｈc を減少させることによって、センサデバイスとした
場合のバルクハウゼンノイズを抑制することが強く望ま
れている。
【００１０】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、大きなＭＲ変化量と良好な軟磁気特
性を再現性よく得ることを可能にしたスピンバルブ膜を
用いた磁気抵抗効果素子を提供することを目的としてい
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果素
子は、Ｃｏを含む強磁性体層と軟磁性層との積層膜から
なる第１の磁性層と、第２の磁性層と、前記第１の磁性
層と第２の磁性層との間に配置された非磁性中間層とを
有するスピンバルブ膜を具備する磁気抵抗効果素子にお
いて、前記軟磁性層は 1種の軟磁性材料膜または 2種以
上の軟磁性材料膜からなる軟磁性材料積層膜からなり、
前記軟磁性材料膜または軟磁性材料積層膜はその磁化を
Ｍs [T] 、膜厚をｄ[nm]、異方性磁界をＨk ［Ｏe]とし
たとき、Σ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）＞30[TnmＯe]を満足する
ことを特徴としている。ここでΣ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）値
は各軟磁性材料膜の（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）値の総和を示
す。本発明の磁気抵抗効果素子においては、Ｃｏを含む
強磁性体層と接して形成される軟磁性層に、Σ（Ｍs ×
ｄ×Ｈk ）値が30[TnmＯe]を超える軟磁性材料膜または
軟磁性材料積層膜を用いている。ここで、上記した軟磁
性層のΣ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）値は、Ｃｏを含む強磁性体
層の異方性分散を押さえ込む力を表している。このよう
なΣ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）値が30[TnmＯe]を超える軟磁性
層を使用することによって、Ｃｏを含む強磁性体層の異
方性分散を再現性よく押さえ込むことができる。これに
よって、Ｃｏを含む強磁性体層の困難軸方向の保磁力Ｈ
c を、例えば 1Ｏe 以下まで低減することが可能とな
る。すなわち、Ｃｏを含む強磁性体層の軟磁気特性の向
上を図ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。
【００１３】図１は、本発明の一実施形態による磁気抵
抗効果素子（ＭＲ素子）の要部構成を示す断面図であ
る。同図において、１は第１の磁性層、２は第２の磁性
層であり、これら第１および第２の磁性層１、２間には
非磁性中間層３が介在されている。これら磁性層１、２
間は反強磁性結合しておらず、非結合型の積層膜を構成
している。
【００１４】これら磁性層１、２のうち、第１の磁性層
１はＣｏを含む強磁性体からなる強磁性体層４と、それ
以外の軟磁性材料からなる軟磁性層５との積層膜により
構成されている。これらのうち、強磁性体層４は磁気抵
抗効果に寄与する層であり、軟磁性層５は後に詳述する
ように、強磁性体層４の軟磁気特性を向上させる層であ
る。軟磁性層５は、 1種の軟磁性材料からなる軟磁性材
料膜で構成してもよいし、また 2種以上の軟磁性材料膜
からなる軟磁性材料積層膜で構成してもよい。強磁性体
層４と軟磁性層５との積層膜からなる第１の磁性層１
は、強磁性体層４が非磁性中間層３と接するように配置
されている。なお、必ずしもこの配置に限定されるもの
ではないが、大きなＭＲ変化量を得るためには、上記し
たような配置とすることが望ましい。また、強磁性体層
４と軟磁性層５との間は直接磁気的に交換結合させ、膜
厚方向で見ると磁化が一体として振舞うことが望まし
い。この第１の磁性層１は、信号磁界等の外部磁界によ
り磁化反転する磁性層、いわゆるフリー磁性層である。
また、強磁性体層４はＭＲ変化量が良好であるものの、
軟磁性化が困難な結晶質である場合に、特に本発明の効
果が発揮させる。
【００１５】上記した第１の磁性層１における強磁性体
層４には、Ｃｏ単体やＣｏ系磁性合金を用いることがで
きるが、ＭＲ変化量に影響を及ぼすバルク効果と界面効
果を共に大きくすることができ、これによって大きなＭ
Ｒ変化量が得られるＣｏ系磁性合金を用いることが好ま
しい。このようなＣｏ系磁性合金としては、ＣｏにＦ
ｅ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒ
ｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｈｆ等の 1種または 2種以上を添加し
た合金が挙げられる。添加元素量は 5〜50原子%とする
ことが好ましく、さらには 8〜20原子% の範囲とするこ
とが望ましい。これは、添加元素量が少なすぎると、バ
ルク効果が十分に増加せず、逆に添加元素量が多すぎる
と、今度は界面効果が大きく減少するおそれがあるから
である。添加元素は大きなＭＲ変化量を得る上で、特に
Ｆｅを用いることが好ましい。
【００１６】また、強磁性体層４および軟磁性層５の膜
厚は、熱安定性の観点から 1nm以上とすることが好まし
い。また、強磁性体層４の膜厚はあまり厚くすると、
(1)ＭＲ変化率が減少してしまう、 (2)反磁界によりバ
ルクハウゼンノイズが生じやすくなる、 (3)軟磁性層５
により得られる異方性分散の押さえこみ効果が低減され
てしまう、等の問題を招くおそれがあるため、10nm以下
とすることが好ましい。より好ましくは 5nm以下とする
とよい。なお、軟磁性層５の膜厚については後に詳述す
る。
【００１７】一方、第２の磁性層２は、第１の磁性層１
における強磁性体層４と同様なＣｏ単体やＣｏ系磁性合
金からなる強磁性体層であり、第１の磁性層１と同様な
理由からＣｏ系磁性合金を用いることが好ましい。この
第２の磁性層２は、その上に形成されたＩｒＭｎ膜、Ｆ
ｅＭｎ膜、ＮｉＯ膜等からなる反強磁性層６、あるいは
ＣｏＰｔ膜等からなる硬磁性層によって、バイアス磁界
が付与されて磁化固着されている。この第２の磁性層２
はいわゆるピン磁性層である。第２の磁性層２の膜厚は
大きなＭＲ変化量が得られる 1〜10nmの範囲とすること
が好ましい。なお、このピン磁性層としての第２の磁性
層２は、上記したように強磁性体層の磁化を反強磁性層
６等で磁化固着したものに限らず、例えば硬磁性層等を
直接使用することもできる。
【００１８】ここで、第１の磁性層１および第２の磁性
層２の磁化方向は、ＭＲ素子の線形応答性を向上させる
上で、外部磁界が零の状態で例えば互いに直交させてお
くことが好ましい。このような磁化状態は、例えば以下
に示すようなアニール処理を施すことによって得ること
ができる。すなわち、 (1)1kＯe 程度の磁場を印加しつ
つ523K程度の温度で 1時間程度保持した後、 (2)そのま
ま1kＯe 程度の磁場中で483K程度の温度まで冷却し、
(3)483K程度の温度となったところで磁場の印加方向を9
0°回転させて室温まで冷却する。このようなアニール
処理（以下、直交アニールと呼ぶ）により、直交させた
磁化状態を安定して得ることができる。具体的な磁化方
向は、第１の磁性層１の磁化方向をトラック幅方向と
し、第２の磁性層２の磁化方向を第１の磁性層１の磁化
方向と直交する媒体対向面に対して垂直な方向とするこ
とか好ましい。
【００１９】上述した第１および第２の磁性層１、２間
に配置される非磁性中間層３は、常磁性材料、反磁性材
料、反強磁性材料、スピングラス等により構成されるも
のである。具体的には、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、あるいはこ
れらと磁性元素とを含む常磁性合金、Ｐｄ、Ｐｔ、およ
びこれらを主成分とする合金等が例示される。ここで非
磁性中間層３の膜厚は 2〜 5nmに設定することが好まし
い。非磁性中間層３の膜厚が 2nmを超えると抵抗変化感
度を十分に得ることができず、また 5nm未満であると磁
性層１、２間の交換結合を十分に小さくすることが困難
となる。
【００２０】上述した各層によりスピンバルブ積層膜７
が構成されており、このようなスピンバルブ積層膜７を
具備するＭＲ素子においては、第２の磁性層２は磁化固
着されているのに対して、第１の磁性層１は外部磁界に
よって磁化反転するため、非磁性中間層３を挟んで配置
された 2つの磁性層１、２の磁化方向の相対的な角度が
変化して磁気抵抗効果が得られる。この際、第１の磁性
層１や第２の磁性層２を主に構成する強磁性体層として
Ｃｏを含む強磁性体、特にＣｏ系磁性合金を用いている
ため、大きなＭＲ変化量を得ることができる。
【００２１】ここで、ＣｏやＣｏ系磁性合金は大きなＭ
Ｒ変化量をもたらすものの、それら単独では良好な軟磁
気特性を実現することが難しく、一般的には磁気異方性
の分散が起って困難軸方向の保磁力Ｈc が大きな値を持
ってしまう。これらの異方性分散は、結晶磁気異方性の
分散により生じる場合もあり、また誘導磁気異方性の分
散により生じる場合もある。特に、スピンバルブ膜に特
有の上記したような直交アニールを行うと、異方性の分
散が大きくなりやすく、またＣｏ系磁性合金においては
Ｃｏ量が多いほど異方性分散の程度が大きくなる。
【００２２】そこで、本発明においては外部磁界により
磁化反転する第１の磁性層１を、強磁性体層４と軟磁性
層５との積層膜により構成すると共に、軟磁性層５の磁
化をＭs [T] 、膜厚をｄ[nm]、異方性磁界をＨk ［Ｏe]
としたとき、Σ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）の値が30[TnmＯe]以
上となるように、軟磁性層５の材質や膜厚等を設定して
いる。ここで、Σ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）値は、軟磁性層５
を 1種の軟磁性材料膜で構成する場合にはその（Ｍs ×
ｄ×Ｈk ）の値であり、軟磁性層５を 2種以上の軟磁性
材料膜の積層膜で構成する場合には、各軟磁性材料膜の
（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）値の合計である。
【００２３】すなわち、Ｃｏを含む強磁性体層４と軟磁
性層５との積層膜において、困難軸方向のヒステリシス
における保磁力Ｈc と軟磁性層５の磁気特性との関係を
詳細に調べた結果、軟磁性材料膜の磁化Ｍs [T] 、膜厚
ｄ[nm]および異方性磁界Ｈk［Ｏe]を乗じた値（（Ｍs
×ｄ×Ｈk ）値）の総和（Σ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）値）と
上記保磁力Ｈc との間に明確な関係が存在し、Σ（Ｍs
×ｄ×Ｈk ）値が30[TnmＯe]を超える場合に困難軸方向
の保磁力Ｈc を再現性よく低減できることが明らかとな
った。
【００２４】図２に、軟磁性層５の構成を変えてΣ（Ｍ
s ×ｄ×Ｈk ）値を変化させた場合の困難軸方向の保磁
力Ｈc の変化を調べた結果を示す。図２から明らかなよ
うに、困難軸方向の保磁力Ｈc はΣ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）
値に対して反比例的な依存性を示し、Σ（Ｍs ×ｄ×Ｈ
k ）値の増大に伴って減少することが分かる。これは、
Ｃｏを含む強磁性体層４の異方性分散が軟磁性層５の一
軸磁気異方性によって押さえ込まれるためである。すな
わち、Σ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）値はＣｏを含む強磁性体層
４の異方性分散を押さえ込む力を表しており、この値が
30[TnmＯe]を超える軟磁性層５を用いることによって、
困難軸方向の保磁力Ｈc を例えば 1Ｏe以下と低減する
ことが可能となる。
【００２５】このように、フリー磁性層である第１の磁
性層１の困難軸方向の保磁力Ｈc を例えば 1Ｏe 以下と
することによって、スピンバルブ積層膜７を具備するＭ
Ｒ素子を磁気ヘッド等のセンサデバイスとして用いた場
合に、バルクハウゼンノイズの発生を安定して抑制する
ことが可能となる。従って、良好なＳ／Ｎ比を有するセ
ンサデバイスが得られる。上記したΣ（Ｍs ×ｄ×
Ｈk ）値は、安定して低保磁力Ｈc を実現する上で、Σ
（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）＞50[TnmＯe]とすることが好まし
く、さらに低い保磁力例えばＨc ＜ 0.5Ｏe を実現する
ためには、Σ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）＞80[TnmＯe]以上とす
ることが好ましい。
【００２６】軟磁性層５の具体的な構成は、上記したΣ
（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）＞30[TnmＯe]を満足するものであれ
ば特に限定されるものではないが、強磁性体層４の異方
性分散を押さえ込む上で良好な一軸磁気異方性を有する
と共に、軟磁性層５自体の安定化のために異方性磁界Ｈ
k が 5Ｏe 以上である軟磁性材料膜を少なくとも 1層有
することが好ましい。具体的な軟磁性層５の構成材料と
しては、ＮｉＦｅ合金、ＮｉＦｅＣｏ合金、これら fcc
結晶構造の軟磁性合金にＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ等の添加元素
を添加して高抵抗化した合金、Ｃｏに同様な添加元素を
添加してアモルファス化した合金、例えばアモルファス
ＣｏＮｂＺｒ合金等が挙げられる。
【００２７】上述した軟磁性材料のうち、ＮｉＦｅ合金
やＮｉＦｅＣｏ合金等は fcc結晶構造を有し、Ｃｏを含
む強磁性体層４の結晶性を向上させて軟磁気特性の向上
に寄与するものの、異方性磁界Ｈk が 5Ｏe 未満である
ため、アモルファスＣｏＮｂＺｒ合金等との積層膜とし
て利用することが好ましい。また、他の好ましい形態と
しては、異方性磁界Ｈk が 5Ｏe 以上となる組成とした
ＮｉＦｅＣｏ合金の膜を単体で用いる等が挙げられる。
【００２８】この実施形態のＭＲ素子においては、第１
の磁性層１の強磁性体層４としてＣｏを含む強磁性体を
用いていることから、大きなＭＲ変化量が得られ、その
上でＣｏを含む強磁性体層４をΣ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）＞
30[TnmＯe]の軟磁性層５との積層膜として利用している
ため、Ｃｏを含む強磁性体層４の磁気異方性の分散が抑
制されて良好な軟磁気特性が得られる。このように、上
記実施形態のＭＲ素子のスピンバルブ積層膜７では、大
きなＭＲ変化量と良好な軟磁気特性とが両立されてお
り、従って素子感度に優れると共に、センサデバイスと
して用いた場合にバルクハウゼンノイズの発生を抑制し
て、良好なＳ／Ｎ比を得ることが可能となる。すなわ
ち、スピンバルブ膜を用いたＭＲ素子の実用性を大幅に
高めることが可能となる。
【００２９】
【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について述べ
る。
【００３０】実施例１ 熱酸化Ｓｉ基板上にスパッタ法によって、まず軟磁性層
５としてアモルファスＣｏＮｂＺｒ合金膜とＮｉＦｅ合
金膜を順に成膜した。ここで、アモルファスＣｏＮｂＺ
ｒ合金膜の膜厚は変化させ、アモルファスＣｏＮｂＺｒ
合金膜の膜厚が 3nm、 5nm、 7nm、10nmの 4種類の試料
を作製した。また、ＮｉＦｅ合金膜の膜厚は 2nmで一定
とした。
【００３１】次いで、この軟磁性材料積層膜からなる軟
磁性層５上に、強磁性体層４として膜厚 3nmのＣｏ90Ｆ
ｅ10合金膜、非磁性中間層３として膜厚 3nmのＣｕ膜、
第２の磁性層２として膜厚 3nmのＣｏ90Ｆｅ10合金膜、
反強磁性層６として膜厚10nmのＩｒＭｎ合金膜、保護層
として膜厚 5nmのＴａ膜を順に積層して、スピンバルブ
積層膜７を形成した。
【００３２】上記したスピンバルブ積層膜７において
は、アモルファスＣｏＮｂＺｒ合金膜とＮｉＦｅ合金膜
との積層膜からなる軟磁性層５によって、それと隣接し
た強磁性体層４としてのＣｏ90Ｆｅ10合金膜の異方性分
散が抑えられており、またＩｒＭｎ反強磁性層６と隣接
した第２の磁性層２としてのＣｏ90Ｆｅ10合金膜は一方
向磁気異方性が与えられている。
【００３３】この後、上記スピンバルブ積層膜７にパタ
ーニングを施し、さらに外部磁界に対する線形応答特性
を向上させるために、ピン磁性層２としてのＣｏ90Ｆｅ
10合金膜の一方向異方性の方向と、フリー磁性層１にお
けるＣｏ90Ｆｅ10合金膜の一軸異方性の方向とが90°直
交するように、前述した直交アニールを施してＭＲ素子
を得た。
【００３４】このようにして、アモルファスＣｏＮｂＺ
ｒ合金膜の膜厚を変化させた得た各ＭＲ素子の素子全体
としての困難軸方向の保磁力Ｈc を測定した。各ＭＲ素
子のアモルファスＣｏＮｂＺｒ合金膜とＮｉＦｅ合金膜
との積層膜のΣ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）値と、ＭＲ素子全体
としての困難軸方向の保磁力Ｈc との関係を表１に示
す。
【００３５】
【表１】 表１から明らかなように、Σ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）値はア
モルファスＣｏＮｂＺｒ合金膜の膜厚の増大に従って大
きくなり、それに伴って保磁力Ｈc が減少している。そ
して、Σ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）値が30[TnmＯe]以下の No1
の試料、すなわち本発明の範囲外のスピンバルブ膜を有
する試料（比較例）では、保磁力Ｈcが 1Ｏe を超えて
いるのに対して、Σ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）値が30[TnmＯe]
を超える No2〜 4の試料、すなわち本発明のスピンバル
ブ膜を有する試料（実施例）は、保磁力Ｈc が 1Ｏe 以
下となっていることが分かる。このように、Σ（Ｍs ×
ｄ×Ｈk ）＞30[TnmＯe]とすることによって、良好な軟
磁気特性を得ることが可能となる。なお、上記各試料の
ＭＲ変化率を調べたところ、いずれも7%以上と大きい値
を示した。
【００３６】また、上記各試料のＭＲ素子を用いて同一
構造のＭＲヘッド作製した。ヘッドは、直径 3inのＡｌ
ＴｉＣ基板上に作製し、 1枚の基板から 800個のヘッド
を得た。作製したヘッドを実際のディスク・ドライブに
組込み、バルクハウゼンノイズが生じるヘッドの数を、
各試料のヘッドごとに確認した。その結果を表２に示
す。
【００３７】
【表２】 表２からΣ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）値が大きいほど、バルク
ハウゼンノイズが生じにくいことが分かる。
【００３８】実施例２ 上記実施例１のアモルファスＣｏＮｂＺｒ合金膜とＮｉ
Ｆｅ合金膜との積層膜からなる軟磁性層に代えて、（Ｎ
ｉ70Ｆｅ10Ｃｏ20）95Ｃｒ5 合金膜を軟磁性層５として
用いる以外は、実施例１と同一構造のスピンバルブ積層
膜７を作製した。この際、軟磁性層５としての（Ｎｉ70
Ｆｅ10Ｃｏ20）95Ｃｒ5 合金膜の膜厚を表３に示すよう
に変化させた。
【００３９】次いで、上記スピンバルブ積層膜７にパタ
ーニングを施し、さらに実施例１と同様な直交アニール
を施して、それぞれＭＲ素子を得た。これら各ＭＲ素子
の素子全体としての困難軸方向の保磁力Ｈc を測定し
た。その結果を表３に示す。
【００４０】
【表３】 表３から明らかなように、軟磁性層５として（Ｎｉ70Ｆ
ｅ10Ｃｏ20）95Ｃｒ5合金膜を用いた場合にも、Σ（Ｍ
s ×ｄ×Ｈk ）値が膜厚の増大に従って大きくなり、そ
れに伴って保磁力Ｈc が減少している。そして、Σ（Ｍ
s ×ｄ×Ｈk ）値が30[TnmＯe]を超える No6〜 8の試料
（実施例）は、保磁力Ｈc が 1Ｏe 以下となっているこ
とが分かる。このように、Σ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）＞30[T
nmＯe]とすることによって、良好な軟磁気特性を得るこ
とが可能となる。
【００４１】上記各試料のＭＲ変化率を調べたところ、
いずれも7%以上と大きい値を示した。また、実施例１と
同様にＭＲヘッド作製し、バルクハウゼンノイズの発生
の有無を調べたところ、保磁力Ｈc が 1Ｏe 以下のＭＲ
素子を用いた場合には、バルクハウゼンノイズの発生を
抑制できることを確認した。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気抵抗
効果素子によれば、大きなＭＲ変化量と良好な軟磁気特
性を再現性よく得ることが可能となる。従って、スピン
バルブ膜の磁気抵抗効果素子の実用性を大幅に高めるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のＭＲ素子の一実施形態の要部構造を
示す断面図である。
【図２】 第１の磁性層の困難軸方向の保磁力Ｈc と軟
磁性層のΣ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）値との関係を示す図であ
る。
【符号の説明】
１……第１の磁性層 ２……第２の磁性層 ３……非磁性中間層 ４……Ｃｏを含む強磁性体層 ５……軟磁性層 ７……スピンバルブ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 仁志 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝川崎事業所内 (72)発明者 佐橋 政司 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝川崎事業所内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ｃｏを含む強磁性体層と軟磁性層との積
    層膜からなる第１の磁性層と、第２の磁性層と、前記第
    １の磁性層と第２の磁性層との間に配置された非磁性中
    間層とを有するスピンバルブ膜を具備する磁気抵抗効果
    素子において、前記軟磁性層は、 1種の軟磁性材料膜ま
    たは 2種以上の軟磁性材料膜からなる軟磁性材料積層膜
    からなり、前記軟磁性材料膜または軟磁性材料積層膜
    は、その磁化をＭs [T] 、膜厚をｄ[nm]、異方性磁界を
    Ｈk ［Ｏe]としたとき、 Σ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）＞30[TnmＯe] を満足することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の磁気抵抗効果素子におい
    て、 前記軟磁性層は、異方性磁界Ｈk が 5Ｏe 以上である少
    なくとも 1つの軟磁性材料膜を有することを特徴とする
    磁気抵抗効果素子。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の磁気抵抗効果素子におい
    て、 前記第１の磁性層は、前記Ｃｏを含む強磁性体層が前記
    非磁性中間層と接するように配置されていることを特徴
    とする磁気抵抗効果素子。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の磁気抵抗効果素子におい
    て、 前記Ｃｏを含む強磁性体層と軟磁性層とは磁気的に交換
    結合しており、外部磁界に対して磁化が一体に振舞うこ
    とを特徴とする磁気抵抗効果素子。
  5. 【請求項５】 請求項１記載の磁気抵抗効果素子におい
    て、 前記第１の磁性層の磁化方向と第２の磁性層の磁化方向
    が互いに略直交していることを特徴とする磁気抵抗効果
    素子。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の磁気抵抗効果素子におい
    て、 前記Ｃｏを含む強磁性体層の膜厚が 1nm以上10nm以下で
    あることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020077797A (ko) * 2001-01-22 2002-10-14 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 자기 저항 효과 소자 및 그 제조방법

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2970590B2 (ja) * 1997-05-14 1999-11-02 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
US6307708B1 (en) * 1998-03-17 2001-10-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Exchange coupling film having a plurality of local magnetic regions, magnetic sensor having the exchange coupling film, and magnetic head having the same
JP3075253B2 (ja) 1998-03-31 2000-08-14 日本電気株式会社 スピンバルブ型感磁素子及びこれを用いた磁気ヘッド並びに磁気ディスク装置
US6738236B1 (en) 1998-05-07 2004-05-18 Seagate Technology Llc Spin valve/GMR sensor using synthetic antiferromagnetic layer pinned by Mn-alloy having a high blocking temperature
US6195240B1 (en) * 1998-07-31 2001-02-27 International Business Machines Corporation Spin valve head with diffusion barrier
DE19843348A1 (de) * 1998-09-22 2000-03-23 Bosch Gmbh Robert Magnetoresistives Sensorelement, insbesondere Winkelsensorelement
US6400536B1 (en) * 1999-03-30 2002-06-04 International Business Machines Corporation Low uniaxial anisotropy cobalt iron (COFE) free layer structure for GMR and tunnel junction heads
JP4054142B2 (ja) 1999-09-28 2008-02-27 富士通株式会社 スピンバルブ型磁気抵抗効果型素子
US6853520B2 (en) 2000-09-05 2005-02-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element
DE60139017D1 (de) * 2000-10-26 2009-07-30 Foundation The Res Inst Of Ele Dünnfilm-magnetfeldsensor
US6724674B2 (en) * 2000-11-08 2004-04-20 International Business Machines Corporation Memory storage device with heating element
JP2002217030A (ja) * 2001-01-23 2002-08-02 Hitachi Ltd 磁気抵抗効果磁気センサー及び磁気記録再生装置
US6661625B1 (en) 2001-02-20 2003-12-09 Kyusik Sin Spin-dependent tunneling sensor with low resistance metal oxide tunnel barrier
US6665155B2 (en) * 2001-03-08 2003-12-16 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with free layer structure having a cobalt niobium (CoNb) or cobalt niobium hafnium (CoNbHf) layer
JP2003198002A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果膜および強磁性積層構造体
US7054118B2 (en) * 2002-03-28 2006-05-30 Nve Corporation Superparamagnetic field sensing devices
DE10214159B4 (de) * 2002-03-28 2008-03-20 Qimonda Ag Verfahren zur Herstellung einer Referenzschicht für MRAM-Speicherzellen
JP2003317214A (ja) * 2002-04-19 2003-11-07 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの下部シールド層の形成方法
JP2007299880A (ja) 2006-04-28 2007-11-15 Toshiba Corp 磁気抵抗効果素子，および磁気抵抗効果素子の製造方法
JP4388093B2 (ja) * 2007-03-27 2009-12-24 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置
JP4780117B2 (ja) * 2008-01-30 2011-09-28 日立金属株式会社 角度センサ、その製造方法及びそれを用いた角度検知装置
JP5032429B2 (ja) * 2008-09-26 2012-09-26 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置
JP5039007B2 (ja) * 2008-09-26 2012-10-03 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置
JP5039006B2 (ja) 2008-09-26 2012-10-03 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置
JP5032430B2 (ja) * 2008-09-26 2012-09-26 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置
TWI449067B (zh) * 2011-06-01 2014-08-11 Voltafield Technology Corp 自旋閥磁阻感測器
US9349391B2 (en) * 2013-12-04 2016-05-24 HGST Netherlands B.V. Controlling magnetic layer anisotropy field by oblique angle static deposition
JP6233722B2 (ja) 2015-06-22 2017-11-22 Tdk株式会社 磁界発生体、磁気センサシステムおよび磁気センサ
CN110531286A (zh) * 2019-07-26 2019-12-03 西安交通大学 一种抗强磁场干扰的amr传感器及其制备方法
JP7532774B2 (ja) * 2019-12-26 2024-08-14 株式会社レゾナック 磁気センサ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2661068B2 (ja) * 1987-10-29 1997-10-08 ソニー株式会社 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JPH04167214A (ja) * 1990-10-30 1992-06-15 Sony Corp 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
US5159513A (en) * 1991-02-08 1992-10-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
US5549978A (en) * 1992-10-30 1996-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element
US5493465A (en) * 1993-03-15 1996-02-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element and magnetic recording apparatus
US5483402A (en) * 1994-06-15 1996-01-09 Quantum Corporation Magneto resistive head having symmetric off-track performance profile
US5648885A (en) * 1995-08-31 1997-07-15 Hitachi, Ltd. Giant magnetoresistive effect sensor, particularly having a multilayered magnetic thin film layer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020077797A (ko) * 2001-01-22 2002-10-14 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 자기 저항 효과 소자 및 그 제조방법

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