JPH09288284A - 液晶表示パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイオード方式の液晶表示パネルにおいて、
製造工程数を増やすことなく、製造工程中に発生した静
電気からダイオード素子を保護し、点欠陥などといった
表示不良の発生を防ぐことのできる構造を提案するこ
と。 【解決手段】 ＭＩＭダイオード方式の液晶表示パネル
において、ガラス基板１０の非表示領域１０１にはダミ
ー画素１７が構成され、そこに構成された静電破壊防止
用のＭＩＭダイオード４１では、タンタル電極４３が３
つの部分に分割され、それぞれ耐電圧の低いＭＩＭダイ
オード４１Ａ〜４１Ｃを構成している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ダイオード方式の
液晶表示パネルに関するものである。更に詳しくは、液
晶表示パネルの製造工程で発生する静電気からダイオー
ド素子を保護するための技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ダイオード方式の液晶表示パネルでは、
図６に示すように、２枚のガラス基板１０、２０を数μ
ｍの隙間（セルギャップ）を介して対向するように固定
し、その隙間に液晶３０を封入した構造になっている。
そのうち、下側のガラス基板１０には多数の走査線１１
（信号線）が列方向に形成されている。また、ガラス基
板１０には周囲を非表示領域１０１で囲まれた部分が有
効表示領域１０２として区画され、この有効表示領域１
０２内には一定のピッチでＭＩＭダイオード１２（ダイ
オード素子）と、このＭＩＭダイオード１２に接続する
画素電極１３とがマトリクス状に構成されている。一
方、カラーフィルター２１が構成されている側のガラス
基板２０には透明なデータ線が短冊状の対向電極２２と
して構成されている。また、ガラス基板１０、２０の外
側には偏光板１９、２９が配置され、そのうち偏光板２
９は検光子として機能する。

【０００３】このようなガラス基板１０、２０は、それ
らを多数取りできる大型のガラス基板上にそれぞれ構成
された後、大型のガラス基板の状態のままで貼り合わ
せ、その後に分割されたものである。なお、大型のガラ
ス基板から分割された後のガラス基板１０、２０に対し
ては、走査線１１や対向電極２２に駆動信号や画像信号
を出力するＩＣ（半導体装置）等が実装される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表
示パネルでは、ＩＣ等が実装されるまでの間、液晶３０
を配向させるためのラビング工程や大型のガラス基板を
分割するダイシング工程などにおいてガラス基板１０に
静電気が発生しやすく、発生した静電気はＭＩＭダイオ
ード１２を損傷させるという問題点がある。このような
ＭＩＭダイオード１２の損傷は点欠陥などといった表示
不良の原因となる。特に、ダイオード方式の液晶表示パ
ネルでは、ＭＩＭダイオード１２の絶縁膜が薄いので、
その分、静電気によってＭＩＭダイオード１２が破壊し
やすい。そこで、ダイオード方式の液晶表示パネルにつ
いては各種の静電破壊への対策が考えられているが、い
ずれの方法もＴＦＴ方式で行われているものをそのまま
転用したものであるため、ダイオード方式の液晶表示パ
ネルに適用したときには、製造工程数が増えてしまうな
どといった問題点がある。

【０００５】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
ダイオード方式の液晶表示パネルにおいて、製造工程数
を増やすことなく、製造工程中に発生する静電気からア
クティブ素子としてのダイオード素子を保護し、点欠陥
などといった表示不良の発生を防ぐことのできる構造を
提案することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、外周側を非表示領域で囲まれた有効表
示領域内に画素電極および表示用ダイオード素子を備え
る画素がマトリクス構成され、かつ、同列上に位置する
各ダイオード素子のそれぞれに接続する信号線が列方向
に延びる第１の絶縁基板と、該第１の絶縁基板との間に
所定のセルギャップを構成するように対向配置され、前
記画素電極に対向する対向電極が構成された第２の絶縁
基板と、該第２の絶縁基板と前記第１の絶縁基板との間
に封入された液晶層とを有する液晶表示パネルにおい
て、前記第１の絶縁基板の前記非表示領域には、前記表
示用ダイオード素子と同時形成されて前記信号線に接続
する複数の静電破壊防止用ダイオード素子を備え、該静
電破壊防止用ダイオード素子は、上層側電極と下層側電
極との重畳部分における前記下層側電極の段差部分の長
さ寸法が前記表示用ダイオード素子の前記段差部分の長
さ寸法よりも長いことを特徴とする。

【０００７】本発明は、ダイオード素子では下層側電極
と上層側電極との重畳部分において下層側電極の段差部
分の寸法が長いほど絶縁破壊が発生しやすいことに着目
したものである。すなわち、下層側電極の段差部分の長
さ寸法を表示用ダイオード素子よりも静電破壊防止用ダ
イオード素子で長くすることによって、静電破壊防止用
ダイオード素子の耐電圧を表示用ダイオード素子の耐電
圧よりも低くしてある。従って、液晶表示パネルの製造
工程中に静電気が発生しても、この静電気によって破壊
されるのは、静電破壊防止用ダイオード素子であり、表
示用ダイオード素子は静電気から保護される。それ故、
ダイオード方式の液晶表示パネルにおいて、製造工程中
に発生した静電気に起因する点欠陥などといった表示不
良の発生を防ぐことができる。また、静電破壊防止用ダ
イオード素子は、あくまで有効表示領域の外周側にある
非表示領域（液晶表示パネルの額縁部分に相当する部
分）に形成され、この非表示領域を有効に利用している
だけであるので、有効表示領域を狭くする必要がない。
さらに、静電破壊防止用ダイオード素子を構成する各要
素部分は、いずれも表示用ダイオード素子の各要素部分
を形成する際に同時形成したものであるため、製造工程
数は従来のままであるという利点がある。

【０００８】本発明において、静電破壊防止用ダイオー
ド素子の前記段差部分の長さ寸法を表示用ダイオード素
子の前記段差部分の長さ寸法よりも長くするにあたって
は、たとえば、静電破壊防止用ダイオード素子の下層側
電極は前記重畳部分において外端縁が入り組んでいる形
状とする。

【０００９】また、本発明において、静電破壊防止用ダ
イオード素子の前記段差部分の長さ寸法を表示用ダイオ
ード素子の前記段差部分の長さ寸法よりも長くするにあ
たっては、静電破壊防止用ダイオード素子の下層側電極
が前記重畳部分で複数の部分に分岐している形状として
もよい。このように構成すると、下層側電極に隙間があ
る分だけ、重畳面積の狭い静電破壊防止用ダイオード素
子を形成できるとともに、１つの静電破壊防止用ダイオ
ード素子が耐電圧の低い複数のダイオード素子に分割さ
れた状態となるので、表示用ダイオード素子を静電気か
らより確実に防止できるという利点がある。

【００１０】本発明において、静電破壊防止用ダイオー
ド素子の前記段差部分の長さ寸法は、静電破壊防止用ダ
イオード素子の前記段差部分の長さ寸法の２倍以上であ
ることが好ましい。このように構成した場合には、ダイ
オード方式の液晶表示パネルの製造工程中に通常発生す
る静電気のレベルであれば、表示用ダイオード素子を確
実に保護できる。

【００１１】本発明では、さらに、静電破壊防止用ダイ
オード素子は、前記重畳部分の面積が表示用ダイオード
素子の前記重畳部分の面積よりも狭いことが好ましい。
たとえば、静電破壊防止用ダイオード素子の前記重畳部
分の面積は、表示用ダイオード素子の前記重畳部分の面
積の１／２以下であることが好ましい。このように構成
すると、静電破壊防止用ダイオード素子は、表示用ダイ
オード素子よりも容量が小さい分、静電破壊を受けやす
くなるので、表示用ダイオード素子をより確実に保護で
きる。

【００１２】

【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。なお、以下の説明において従来技術と
共通する部分については同じ符号を付すとともに、同じ
図面を参照して説明する。

【００１３】図１は、本発明を適用したＭＩＭダイオー
ド方式の液晶表示パネルの概略構成図である。

【００１４】図１において、液晶表示パネル１では、２
枚のガラス基板１０、２０（絶縁基板）を数μｍの隙間
を介して対向するように固定し、その隙間に液晶３０を
封入した構造になっている。下側のガラス基板１０（第
１の絶縁基板）には多数の走査線１１（信号線）が列方
向に平行に形成されている。ガラス基板１０のうち、周
りを非表示領域１０１で囲まれた有効表示領域１０２に
は、上記の走査線１１に対して、一定のピッチでＭＩＭ
ダイオード１２（表示用ダイオード素子）と、このＭＩ
Ｍダイオード１２に接続する画素電極１３とを備える画
素１６がマトリクス状に構成されている。非表示領域１
０１は、液晶表示パネル１におけるいわゆる額縁領域に
相当する部分であり、有効表示領域１０２においてのみ
表示が行われる。一方、カラーフィルター２１が構成さ
れている側のガラス基板２０に透明なデータ線が短冊状
の対向電極２２として構成されている。カラーフィルタ
ー２１と対向電極２２との位置関係については、いずれ
が上層または下層であってもよい。なお、下側のガラス
基板１０に信号線（データ線）が形成され、カラーフィ
ルター２１が構成されている側のガラス基板２０に走査
線１１が形成される場合もある。

【００１５】このように構成すると、走査線１１と対向
電極２２とが実質的に交差した状態にあり、これらの交
差部分に対応するようにして、画素電極１３と対向電極
２２との間に挟まれた部分に液晶セル３１が構成された
状態にある。また、ガラス基板１０、２０の外側には偏
光板１９、２９が光学的に直交配置され、そのうち、偏
光板２９は検光子として機能する。

【００１６】このようにして貼り合わされたガラス基板
１０、２０の間において、液晶３０は、たとえば、図２
（Ａ）に示すように、配向膜やラビング処理により所定
のツイスト角およびプレチルト角をもって配向するＴＭ
型の液晶であり、ノーマリホワイトホワイトモードであ
れば、液晶セル２２に電界が印加されていない状態では
液晶分子３２がねじれ配向しているので白表示となる。
これに対して、図２（Ｂ）に示すように、液晶セル２２
に電界が印加されると、液晶分子３２のねじれ配向が解
除されるので黒表示となる。

【００１７】図３（Ａ）に示すように、有効表示領域１
０２に表示用として構成されたＭＩＭダイオード１２で
は、タンタル酸化膜などといった下地保護膜（図示せ
ず。）を形成した透明なガラス基板１０の表面に厚さが
１５００オングストローム程度のタンタル電極１２１
（表示用ＭＩＭダイオード素子の下層側電極）が形成さ
れ、その表面には陽極酸化によって厚さが５００オング
ストローム程度のタンタル酸化膜１２２（陽極酸化膜／
絶縁膜）が形成されている。ガラス基板１０の表面には
ＩＴＯ電極からなる画素電極１３も形成されている。タ
ンタル酸化膜１２２の表面には厚さが８００オングスト
ローム程度のクロム電極１２３（表示用ＭＩＭダイオー
ド素子の上層側電極）が形成され、このクロム電極１２
３とタンタル電極１２１とは、タンタル酸化膜１２２を
介して対向しＭＩＭダイオード１２を構成している。ク
ロム電極１２３は、画素電極１３に電気的接続してお
り、ＭＩＭダイオード１２は、この画素電極１３に対応
する液晶セル３１をアドレスし、液晶セル３１に情報を
書き込み可能である。なお、タンタル電極１２１は、図
３（Ｂ）に示すように、走査線１１の一部として形成さ
れ、この走査線１１の表面にもタンタル酸化膜１２２が
形成されている。

【００１８】再び図１において、本発明を適用した液晶
表示パネル１では、ガラス基板１０のうち非表示領域１
０１を利用して、その製造工程中にガラス基板１０に発
生した静電気からＭＩＭダイオード１２を保護するよう
になっている。すなわち、ガラス基板１０の非表示領域
１０１には、有効表示領域１０２から両側に各走査線１
１の両端部１１０がはみ出した状態にあり、この両端部
１１０に対しては、ＭＩＭダイオード１２を静電破壊か
ら保護するためのダミー画素１７が有効表示領域１０２
の両側それぞれに画素１６と同じピッチ間隔で複数形成
されている。

【００１９】このダミー画素１７では、図３（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、まず、走査線１１の両端部１１０
の一部としてのタンタル電極４３（静電破壊防止用ＭＩ
Ｍダイオード素子の下層側電極）が形成され、このタン
タル電極４３の表面にはＭＩＭダイオード１２のタンタ
ル酸化膜１２２と同時形成されたタンタル酸化膜１２２
が形成されている。また、タンタル電極４３に対向する
ように、タンタル酸化膜１２２の表面にはクロム電極４
２（静電破壊防止用ＭＩＭダイオード素子の上層側電
極）が形成され、このクロム電極４２は、ＭＩＭダイオ
ード１２のクロム電極１２３と同時形成されたクロム層
である。すなわち、表示用のＭＩＭダイオード１２の製
造工程を援用して、非表示領域１０１には静電破壊防止
用のＭＩＭダイオード４１が形成されている。また、ダ
ミー画素１７には、画素１６の画素電極１３と同時形成
されたＩＴＯ膜からなるダミー画素電極４４も形成され
ている。

【００２０】本発明では、ダイオード素子１２、４１に
おいてタンタル電極１２１、４３とクロム電極１２３、
４２との重畳部分１２０、４０におけるタンタル電極１
２１、４３の段差部分１２１０、４３０で絶縁破壊が集
中して起こることから、段差部分１２１０、４３０の寸
法が長いほど絶縁破壊が発生しやすいことに着目したも
のである。よって、本発明では、表示用のＭＩＭダイオ
ード１２の重畳部分１２０におけるタンタル電極１２１
の段差部分１２１０の長さ寸法よりも、静電破壊防止用
のＭＩＭダイオード４１の重畳部分４０におけるタンタ
ル電極４３の段差部分４３０の長さ寸法を長くしてあ
る。

【００２１】すなわち、図３（Ｂ）に表示用のＭＩＭダ
イオード１２および静電破壊防止用のＭＩＭダイオード
４１をそれぞれ拡大して示してあるように、表示用のＭ
ＩＭダイオード１２では、タンタル電極１２１の外端縁
が直線的であるのに対して、静電破壊防止用のＭＩＭダ
イオード４１では、タンタル電極４３の外端縁が入り組
んだ形状になっている。従って、静電破壊防止用のＭＩ
Ｍダイオード４１では、タンタル電極４３の外端縁が入
り組んでいる分だけ、タンタル電極４３の段差部分４３
０が長いので、静電破壊防止用のダイオード素子４１の
耐電圧は、表示用のダイオード素子１２の耐電圧よりも
低い。

【００２２】このように構成した液晶表示パネル１で
は、製造工程中に静電気が発生しても、この静電気は、
複数の静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１のうち、
外側のダミー画素１７に位置するものから順に破壊して
いくだけであり、表示用のＭＩＭダイオード１２は静電
気から保護される。それ故、ダイオード方式の液晶表示
パネル１において、製造工程中に発生した静電気に起因
する点欠陥などといった表示不良の発生を防ぐことがで
きる。また、静電破壊防止用のダイオード素子４１は、
あくまで有効表示領域１０２の外周側にある非表示領域
１０１に形成され、この非表示領域１０１を有効に利用
しているだけであるので、ダミー画素１７を形成すると
いっても有効表示領域１０２を狭くする必要がない。さ
らに、静電破壊防止用のダイオード素子４１を構成する
各要素部分は、いずれも表示用のダイオード素子１２の
各要素部分を形成する際に同時形成したものであるた
め、製造工程数は従来のままであるという利点がある。

【００２３】ここで、静電破壊防止用のＭＩＭダイオー
ド４１におけるタンタル電極４３の段差部分４３０の長
さ寸法を、表示用のＭＩＭダイオード１２におけるタン
タル電極１２１の段差部分１２１０の長さ寸法に対して
約２倍以上と設定すれば、通常の製造工程中で発生する
静電気から表示用のＭＩＭダイオード１２を保護するこ
とができる。

【００２４】また、本例では、表示用のＭＩＭダイオー
ド１２におけるタンタル電極１２１の幅はたとえば４μ
ｍであり、クロム電極１２３の幅はたとえば４μｍであ
る。これに対して、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード
４１では、タンタル電極４３とクロム電極４２との重畳
部分４０における面積を、表示用のダイオード素子１２
におけるタンタル電極１２１とクロム電極１２３との重
畳部分１２０の面積よりも狭くしてある。たとえば、静
電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１の重畳部分４０の
面積を、表示用のダイオード素子１２の重畳部分１２０
の面積の１／２としてある。従って、静電破壊防止用の
ＭＩＭダイオード４１は、表示用のＭＩＭダイオード１
２よりも容量が小さい分、静電破壊を受けやすくなるの
で、表示用のＭＩＭダイオード１２をより確実に保護で
きる。

【００２５】このような液晶表示パネル１は、たとえ
ば、ガラス基板１０を多数取りできる大型のガラス基板
上にＭＩＭダイオード１２、４１などを形成した後、こ
の大型のガラス基板に対して対向電極などを形成した別
の大型のガラス基板を貼り合わせ、しかる後に、貼り合
わせた２枚の大型のガラス基板を分割することによって
製造される。

【００２６】すなわち、大型のガラス基板に対して厚さ
が１５００オングスローム程度のタンタル膜を形成した
後、このタンタル膜をフォトリソグラフィ技術によりパ
ターニングし、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、タン
タル電極１２１、４３および走査線１１を残す。ここ
で、走査線１１は、ガラス基板１０として分割される各
領域を列方向に貫通するように形成されているので、各
領域からすれば、走査線１１の両端部１１０が有効表示
領域１０２から非表示領域１０１にはみ出した状態にあ
る。

【００２７】次に、タンタル電極１２１、４３の表面に
陽極酸化を施し、厚さが５００オングストローム程度の
タンタル酸化膜１２２を形成する。走査線１１上にもタ
ンタル酸化膜１２２が形成され、その両端部１１０にも
タンタル酸化膜１２２が形成される。

【００２８】続いて、タンタル酸化膜１２２に対して３
００℃〜４００℃の温度条件でアニール処理を行う。

【００２９】次に、大型ガラス基板の表面にＩＴＯ膜を
形成した後、フォトリソグラフィ技術によりパターニン
グを行い、ＩＴＯ膜からなる画素電極１３およびダミー
画素電極４４を残す。

【００３０】次に、大型ガラス基板の表面に厚さが８０
０オングストローム程度のクロム膜を形成した後、フォ
トリソグラフィ技術によりパターニングを行い、クロム
電極１２３、４２を形成する。その結果、有効表示領域
１０２には表示用のＭＩＭダイオード１２が形成され、
非表示領域１０１には静電破壊防止用のＭＩＭダイオー
ド４１が形成される。このＭＩＭダイオード４１は、以
降の工程中に発生する静電気から有効表示領域１０２の
ＭＩＭダイオード１２を保護する。

【００３１】次に、大型ガラス基板に対して、すでにカ
ラーフィルタなどを形成した別の大型ガラス基板を貼り
合わせた後、液晶３０の封入を行い、しかる後に、各基
板に分割するダイシング工程を行う。この間には、配向
膜の形成、ギャップ剤の散布、大型ガラス基板を布で擦
って液晶３０を配向させるラビング工程などといった周
知の工程が行われる。

【００３２】ここで、ラビング工程やダイシング工程を
行うと静電気が発生し、ここで発生した静電気は有効表
示領域１０２にある表示用のＭＩＭダイオード１２を破
壊しようとする。それでも、本発明では、ラビング工程
やダイシング工程を行う前に、静電破壊防止用のＭＩＭ
ダイオード４１がすでに形成されているので、静電気が
発生したとしても、この静電気は走査線１１を伝って非
表示領域１０１にある静電破壊防止用のＭＩＭダイオー
ド４１の方に流れ、複数のＭＩＭダイオード４１のうち
外側に位置するものから順に破壊していくだけで表示用
のＭＩＭダイオード１２まで破壊することがない。ダイ
シング工程を行った後には、所定の検査工程、洗浄工
程、乾燥工程、およびＩＣの実装工程が行われるが、Ｉ
Ｃの実装工程を行った以降には、静電気がほとんど発生
しないものとして扱える。なお、大型のガラス基板を分
割してガラス基板１０とした後でも、乾燥工程で静電気
が発生するが、ガラス基板１０に分割した後に発生した
静電気も、走査線１１を伝って静電破壊防止用のＭＩＭ
ダイオード４１を破壊するだけなので、表示用のＭＩＭ
ダイオード１２を静電気から保護することができる。

【００３３】［別の実施の形態］本発明の別の実施の形
態を、図４を参照して説明する。なお、この形態でも、
先に説明した形態と共通する部分については同じ符号を
付してそれらの詳細な説明を省略する。

【００３４】図４（Ａ）、（Ｂ）において、本発明を適
用した液晶表示パネル１でも、ガラス基板１０のうち非
表示領域１０１を利用して、その製造工程中にガラス基
板１０に発生した静電気からＭＩＭダイオード１２を保
護するようになっている。すなわち、ガラス基板１０の
非表示領域１０１には、有効表示領域１０２から両側に
各走査線１１の両端部１１０がはみ出した状態にあり、
この両端部１１０に対しては、ＭＩＭダイオード１２を
静電破壊から保護するためのダミー画素１７が有効表示
領域１０２の両側それぞれに画素１６と同じピッチ間隔
で複数形成されている。

【００３５】このダミー画素１７では、まず、走査線１
１の両端部１１０の一部としてのタンタル電極４３（静
電破壊防止用ＭＩＭダイオード素子の下層側電極）が形
成され、このタンタル電極４３の表面にはＭＩＭダイオ
ード１２のタンタル酸化膜１２２と同時形成されたタン
タル酸化膜１２２が形成されている。また、タンタル電
極４３に対向するように、タンタル酸化膜１２２の表面
にはクロム電極４２（静電破壊防止用ＭＩＭダイオード
素子の上層側電極）が形成され、このクロム電極４２
は、ＭＩＭダイオード１２のクロム電極１２３と同時形
成されたクロム層である。すなわち、表示用のＭＩＭダ
イオード１２の製造工程を援用して、非表示領域１０１
には静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１が形成され
ている。また、ダミー画素１７には、画素１６の画素電
極１３と同時形成されたＩＴＯ膜からなるダミー画素電
極４４も形成されている。

【００３６】本発明でも、ダイオード素子１２、４１に
おいてタンタル電極１２１、４３とクロム電極１２３、
４２との重畳部分１２０、４０におけるタンタル電極１
２１、４３の段差部分１２１０、４３０で絶縁破壊が集
中して起こることから、段差部分１２１０、４３０の寸
法が長いほど絶縁破壊が発生しやすいことに着目したも
のである。よって、本発明では、表示用のＭＩＭダイオ
ード１２の重畳部分１２０におけるタンタル電極１２１
の段差部分１２１０の長さ寸法よりも、静電破壊防止用
のＭＩＭダイオード４１の重畳部分４０におけるタンタ
ル電極４３の段差部分４３０の長さ寸法を長くしてあ
る。

【００３７】すなわち、本発明では、静電破壊防止用の
ＭＩＭダイオード４１のタンタル電極４３が重畳部分４
０で複数の部分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃに分岐している
形状になっている。このため、タンタル電極４３の各部
分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃのそれぞれに段差部分４３０
があるので、その分だけ、タンタル電極４３の段差部分
４０の長さ寸法は、タンタル電極１２１の段差部分１２
１０の長さ寸法よりも長い。たとえば、タンタル電極４
３を３つの部分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃに分岐させる
と、それだけで、タンタル電極４３の段差部分４０の長
さ寸法は、タンタル電極１２１の段差部分１２１０の長
さ寸法よりも３倍となる。

【００３８】それに加えて、各部分４３Ａ、４３Ｂ、４
３Ｃの間に隙間がある分、容量の小さな静電破壊防止用
のＭＩＭダイオード４１を構成できる。たとえば、３つ
の部分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃの各重畳部分４０Ａ、４
０Ｂ、４０Ｃの各面積を合計しても、表示用のＭＩＭダ
イオード１２の重畳部分１２０よりも狭く、たとえば、
１／３以下にすることができる。よって、静電破壊防止
用のＭＩＭダイオード４１は耐電圧が低い。

【００３９】従って、液晶表示パネル１の製造工程中に
静電気が発生しても、静電気は複数の静電破壊防止用の
ＭＩＭダイオード４１のうち外側に位置するダミー画素
１７のものから順に破壊していくだけであり、表示用の
ＭＩＭダイオード１２は静電気から確実に保護される。
それ故、ダイオード方式の液晶表示パネル１において、
製造工程中に発生した静電気に起因する点欠陥などとい
った表示不良の発生を防ぐことができる。また、静電破
壊防止用のダイオード素子４１は、あくまで有効表示領
域１０２の外周側にある非表示領域１０１に形成され、
この非表示領域１０１を有効に利用しているだけである
ので、ダミー画素１７を形成するといっても有効表示領
域１０２を狭くする必要がない。さらに、静電破壊防止
用のダイオード素子４１を構成する各要素部分は、いず
れも表示用のダイオード素子１２の各要素部分を形成す
る際に同時形成したものであるため、製造工程数は従来
のままであるという利点がある。

【００４０】しかも、本発明では、１つのダミー画素１
７には、各部分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃが狭い重畳部分
４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃをもつ容量の小さなＭＩＭダイ
オード４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、すなわち、耐電圧の小
さなＭＩＭダイオード４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを構成し
ている状態にある。従って、限られた領域内に耐電圧の
低い静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１Ａ、４１
Ｂ、４１Ｃを多数形成できる。それ故、液晶表示パネル
１の製造工程中に発生した静電気によって破壊されるの
は、１つのＭＩＭダイオード４１の中でも、個々のＭＩ
Ｍダイオード４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ毎である。よっ
て、表示用のＭＩＭダイオード１２は静電気からより確
実に保護される。また、このような構成を採用する場合
でも、タンタル電極４３に対するパターニング形状を変
えるだけなので、製造工程が増えることがない。

【００４１】［さらに別の実施の形態］また、図５に示
すように、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１につ
いては、上記の２つの形態を組み合わせてもよい。すな
わち、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１では、タ
ンタル電極４３が複数の部分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃに
分岐しているので、１つのＭＩＭダイオード４１は、容
量が小さくて耐電圧の小さなＭＩＭダイオード４１Ａ、
４１Ｂ、４１Ｃに分割された状態にある。しかも、各部
分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃの外端縁が入り組んだ形状に
なっているので、その分、タンタル電極４３の各部分４
３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ毎の段差部分４３０が長い。従っ
て、ＭＩＭダイオード４１として耐電圧が低く、かつ、
それを分割したと見做せる各ＭＩＭダイオード４１Ａ、
４１Ｂ、４１Ｃは、さらに耐電圧が低い。それ故、表示
用のダイオード素子１２をより確実に静電気から保護で
きる。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、ダイ
オード素子の下層側電極の段差部分を表示用ダイオード
素子よりも静電破壊防止用ダイオード素子で長くし、静
電破壊防止用ダイオード素子の耐電圧を表示用ダイオー
ド素子の耐電圧よりも低くしたことに特徴を有する。従
って、本発明によれば、液晶表示パネルの製造工程中に
静電気が発生しても、この静電気によって破壊されるの
は、静電破壊防止用ダイオード素子であり、表示用ダイ
オード素子は静電気から保護される。それ故、ダイオー
ド方式の液晶表示パネルにおいて、製造工程中に発生し
た静電気に起因する点欠陥などといった表示不良の発生
を防ぐことができる。また、静電破壊防止用ダイオード
素子は、あくまで非表示領域に形成され、この非表示領
域を有効に利用しているだけであるので、有効表示領域
を狭くする必要がない。さらに、静電破壊防止用ダイオ
ード素子を構成する各要素部分は、いずれも表示用ダイ
オード素子の各要素部分を形成する際に同時形成したも
のであるため、製造工程数は従来のままであるという利
点がある。

【００４３】特に、静電破壊防止用ダイオード素子の段
差部分の長さ寸法を表示用ダイオード素子よりも長くす
るにあたって、静電破壊防止用ダイオード素子の下層側
電極が重畳部分で複数の部分に分岐している形状とした
場合には、分岐した部分の各間に隙間がある分だけ、重
畳面積の狭い静電破壊防止用ダイオード素子を形成でき
るとともに、１つの静電破壊防止用ダイオード素子が耐
電圧の低い複数のダイオード素子に分割された状態とな
るので、表示用ダイオード素子を静電気からより確実に
防止できるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したダイオード方式の液晶表示パ
ネルの概略構成図である。

【図２】図１に示す液晶表示パネルにおいて、基板間に
封入された液晶の挙動を模式的に示す説明図である。

【図３】図１に示す液晶表示パネルにおいて絶縁基板上
に構成した表示用および静電破壊防止用のＭＩＭダイオ
ードの説明図である。

【図４】本発明に係る別の液晶表示パネルにおいて、絶
縁基板上に構成した表示用および静電破壊防止用のＭＩ
Ｍダイオードの説明図である。

【図５】本発明に係るさらに別の液晶表示パネルにおい
て、絶縁基板上に構成した静電破壊防止用のＭＩＭダイ
オードの説明図である。

【図６】従来のダイオード方式の液晶表示パネルの概略
構成図である。

【符号の説明】

１・・・液晶表示パネル １０・・・ガラス基板（第１の絶縁基板） １１・・・走査線（信号線） １２・・・ＭＩＭダイオード（ダイオード素子） １３・・・画素電極 ２０・・・ガラス基板（第２の絶縁基板） ２２・・・対向電極 ３０・・・液晶 ４０、１２０・・・ＭＩＭダイオードの電極重畳部分 ４１、４１Ａ〜４１Ｃ・・・静電破壊防止用のＭＩＭダ
イオード ４２・・・静電破壊防止用ＭＩＭダイオードのクロム電
極 ４３・・・静電破壊防止用ＭＩＭダイオードのタンタル
電極 １２１・・・表示用ＭＩＭダイオードのタンタル電極 １２２・・・タンタル酸化膜 １２３・・・表示用ＭＩＭダイオードのクロム電極 ４３０、１２３０・・・タンタル電極の段差部分

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外周側を非表示領域で囲まれた有効表示
   領域内に画素電極および表示用ダイオード素子を備える
   画素がマトリクス構成され、かつ、同列上に位置する各
   ダイオード素子のそれぞれに接続する信号線が列方向に
   延びる第１の絶縁基板と、該第１の絶縁基板との間に所
   定のセルギャップを構成するように対向配置され、前記
   画素電極に対向する対向電極が構成された第２の絶縁基
   板と、該第２の絶縁基板と前記第１の絶縁基板との間に
   封入された液晶層とを有する液晶表示パネルにおいて、 前記第１の絶縁基板の前記非表示領域には、前記表示用
   ダイオード素子と同時形成されて前記信号線に接続する
   複数の静電破壊防止用ダイオード素子を備え、該静電破
   壊防止用ダイオード素子は、上層側電極と下層側電極と
   の重畳部分における前記下層側電極の段差部分の長さ寸
   法が前記表示用ダイオード素子の前記段差部分の長さ寸
   法よりも長いことを特徴とする液晶表示パネル。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記静電破壊防止用
   ダイオード素子は、前記重畳部分に位置する前記下層側
   電極の外端縁が入り組んでいることにより前記段差部分
   の寸法が前記表示用ダイオード素子の前記段差部分の寸
   法よりも長いことを特徴とする液晶表示パネル。
3. 【請求項３】 請求項１において、前記静電破壊防止用
   ダイオード素子は、前記下層側電極が前記重畳部分で複
   数の部分に分岐していることにより前記段差部分の寸法
   が前記表示用ダイオード素子の前記段差部分の寸法より
   も長いことを特徴とする液晶表示パネル。
4. 【請求項４】 請求項１または２において、前記静電破
   壊防止用ダイオード素子の前記段差部分の長さ寸法は、
   前記表示用ダイオード素子の前記段差部分の長さ寸法の
   ２倍以上であることを特徴とする液晶表示パネル。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
   前記静電破壊防止用ダイオード素子は、前記重畳部分の
   面積が前記表示用ダイオード素子の前記重畳部分の面積
   よりも狭いことを特徴とする液晶表示パネル。
6. 【請求項６】 請求項５において、前記静電破壊防止用
   ダイオード素子の前記重畳部分の面積は、前記表示用ダ
   イオード素子の前記重畳部分の面積の１／２以下である
   ことを特徴とする液晶表示パネル。