JPH09288285A - 液晶表示パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイオード方式の液晶表示パネルにおいて、
製造工程数を増やすことなく、製造工程中に発生した静
電気からダイオード素子を保護し、点欠陥などといった
表示不良の発生を防ぐことのできる構造を提案するこ
と。 【解決手段】 ＭＩＭダイオード方式の液晶表示パネル
において、大型のガラス基板１００から分割される各ガ
ラス基板１０の非表示領域１０１には、有効表示領域１
０２からはみ出た各信号線１１の両端部１１０と、この
両端部１１０の表面に対してＭＩＭダイオード１２のタ
ンタル酸化膜１２２と同時形成された絶縁膜と、該絶縁
膜表面に対してＭＩＭダイオード１２のクロム電極１２
３と同時形成されたガードリング４０とによって静電破
壊防止用のＭＩＭダイオード４１が構成されている。ガ
ードリング４０は、有効表示領域１０２をコの字状に囲
むように形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ダイオード方式の
液晶表示パネルに関するものである。更に詳しくは、液
晶表示パネルの製造工程で発生する静電気からダイオー
ド素子を保護するための技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ダイオード方式の液晶表示パネルでは、
図８に示すように、２枚のガラス基板１０、２０を数μ
ｍの隙間（セルギャップ）を介して対向するように固定
し、その隙間に液晶３０を封入した構造になっている。
そのうち、下側のガラス基板１０には多数の走査線１１
（信号線）が列方向に形成されている。また、ガラス基
板１０には周囲を非表示領域１０１で囲まれた部分が有
効表示領域１０２として区画され、この有効表示領域１
０２内には一定のピッチでＭＩＭダイオード１２（ダイ
オード素子）と、このＭＩＭダイオード１２に接続する
画素電極１３とがマトリクス状に構成されている。一
方、カラーフィルター２１が構成されている側のガラス
基板２０には透明なデータ線が短冊状の対向電極２２と
して構成されている。また、ガラス基板１０、２０の外
側には偏光板１９、２９が配置され、そのうち偏光板２
９は検光子として機能する。

【０００３】このようなガラス基板１０、２０は、それ
らを多数取りできる大型のガラス基板上にそれぞれ構成
された後、大型のガラス基板の状態のままで貼り合わ
せ、その後に分割されたものである。なお、大型のガラ
ス基板から分割された後のガラス基板１０、２０に対し
ては、走査線１１や対向電極２２に駆動信号や画像信号
を出力するＩＣ（半導体装置）等が実装される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表
示パネルでは、ＩＣ等が実装されるまでの間、液晶３０
を配向させるためのラビング工程や大型のガラス基板を
分割するダイシング工程などにおいてガラス基板１０に
静電気が発生しやすく、発生した静電気はＭＩＭダイオ
ード１２を損傷させるという問題点がある。このような
ＭＩＭダイオード１２の損傷は点欠陥などといった表示
不良の原因となる。特に、ダイオード方式の液晶表示パ
ネルでは、ＭＩＭダイオード１２の絶縁膜が薄いので、
その分、静電気によってＭＩＭダイオード１２が破壊し
やすい。そこで、ダイオード方式の液晶表示パネルにつ
いては各種の静電破壊への対策が考えられているが、い
ずれの方法もＴＦＴ方式で行われているものをそのまま
転用したものであるため、ダイオード方式の液晶表示パ
ネルに適用したときには、製造工程数が増えてしまうな
どといった問題点がある。

【０００５】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
ダイオード方式の液晶表示パネルにおいて、製造工程数
を増やすことなく、製造工程中に発生する静電気からア
クティブ素子としてのダイオード素子を保護し、点欠陥
などといった表示不良の発生を防ぐことのできる構造を
提案することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、外周側を非表示領域で囲まれた有効表
示領域内に画素電極およびダイオード素子がマトリクス
構成され、かつ、該ダイオード素子の下層側電極と同時
形成されて同列上に位置する各ダイオード素子の下層側
電極のそれぞれに接続する信号線が列方向に延びる第１
の絶縁基板と、該第１の絶縁基板との間に所定のセルギ
ャップを構成するように対向配置され、前記画素電極に
対向する対向電極が構成された第２の絶縁基板と、該第
２の絶縁基板と前記第１の絶縁基板との間に封入された
液晶層とを有する液晶表示パネルにおいて、前記第１の
絶縁基板の前記非表示領域には、前記有効表示領域から
両側にはみ出た前記各信号線の両端部と、該信号線の両
端部の表面に対して前記ダイオード素子の絶縁膜と同時
形成された絶縁膜と、前記有効表示領域の外端縁に沿う
ように前記絶縁膜表面に対して前記ダイオード素子の上
層側電極と同時形成されて前記各信号線の両端部に対し
て重畳するガードリングとを備えていることを特徴とす
る。

【０００７】本発明では、各信号線の端部に対しては絶
縁膜を介してガードリングが対向しているので、各信号
線毎に静電破壊防止用のダイオード素子が構成された状
態にある。従って、製造工程中に静電気が発生しても、
この静電気は信号線を伝ってガードリングの方に流れる
ので、有効表示領域にある表示用のダイオード素子の絶
縁膜にかかる電圧を下げることができる。このため、有
効表示領域にある表示用のダイオード素子を静電気から
保護することができるので、ダイオード方式の液晶表示
パネルにおいて、製造工程中に発生した静電気に起因す
る点欠陥などといった表示不良の発生を防ぐことができ
る。また、ガードリングは、あくまで有効表示領域の外
周側にある非表示領域（液晶表示パネルの額縁部分に相
当する部分）に形成され、この非表示領域を有効に利用
しているだけであるので、有効表示領域を狭くする必要
がない。さらに、静電破壊防止用のダイオード素子を構
成する各要素部分は、いずれも表示用のダイオード素子
の各要素部分を形成する際に同時形成したものであるた
め、製造工程数は従来のままである。しかも、ダイオー
ド方式の液晶表示パネルであるため、ガードリングをそ
のまま残しておいてもよいという特有の利点がある。

【０００８】本発明において、前記ガードリングは、た
とえば、前記有効表示領域を囲むようにコの字状に形成
されていることにより前記各信号線の両端部に対して重
畳している。

【０００９】本発明において、前記ガードリングは、前
記有効表示領域の周り全体を囲むように形成されている
ことにより前記各信号線の両端部に対して重畳している
こともある。このように構成すると、絶縁基板の外周側
に発生した静電気が有効表示領域内に入り込むことを効
果的に防ぐことができ、ラビング工程やダイシング工程
では絶縁基板の外周側に静電気が発生しやすいという状
況に合っている。

【００１０】本発明において、前記ガードリングと前記
信号線の端部との各重畳部分における対向面積は、前記
ダイオード素子における前記下層側電極と前記上層側電
極との対向面積に対して６倍以上であることが好まし
い。このような面積比（容量比）であれば、有効表示領
域にある表示用のダイオード素子を静電気から確実に保
護するのに十分であり、また表示品質を低下させること
もない。

【００１１】

【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。なお、以下の説明において従来技術と
共通する部分については同じ符号を付すとともに、同じ
図面を参照して説明する。

【００１２】図１は、本発明を適用したＭＩＭダイオー
ド方式の液晶表示パネルの概略構成図である。

【００１３】図１において、液晶表示パネル１では、２
枚のガラス基板１０、２０（絶縁基板）を数μｍの隙間
を介して対向するように固定し、その隙間に液晶３０
（ＴＮ型表示用の右回りの液晶）を封入した構造になっ
ている。下側のガラス基板１０（第１の絶縁基板）には
多数の走査線１１（信号線）が列方向に平行に形成され
ている。ガラス基板１０のうち、周りを非表示領域１０
１で囲まれた有効表示領域１０２には、上記の走査線１
１に対して、一定のピッチでＭＩＭダイオード１２（ダ
イオード素子）と、このＭＩＭダイオード１２に接続す
る画素電極１３とがマトリクス状に構成されている。非
表示領域１０１は、液晶表示パネル１におけるいわゆる
額縁領域に相当する部分であり、有効表示領域１０２に
おいてのみ表示が行われる。一方、カラーフィルター２
１が構成されている側のガラス基板２０に透明なデータ
線が短冊状の対向電極２２として構成されている。カラ
ーフィルター２１と対向電極２２との位置関係について
は、いずれが上層または下層であってもよい。なお、下
側のガラス基板１０に信号線（データ線）が形成され、
カラーフィルター２１が構成されている側のガラス基板
２０に走査線１１が形成される場合もある。

【００１４】このように構成すると、走査線１１と対向
電極２２とが実質的に交差した状態にあり、これらの交
差部分に対応するようにして、画素電極１３と対向電極
２２との間に挟まれた部分に液晶セル３１が構成された
状態にある。また、ガラス基板１０、２０の外側には偏
光板１９、２９が光学的に直交配置され、そのうち、偏
光板２９は検光子として機能する。

【００１５】このようにして貼り合わされたガラス基板
１０、２０の間において、液晶３０は、たとえば、図２
（Ａ）に示すように、配向膜やラビング処理により所定
のツイスト角およびプレチルト角をもって配向するＴＮ
型の液晶であり、ノーマリホワイトホワイトモードであ
れば、液晶セル２２に電界が印加されていない状態では
液晶分子３２がねじれ配向しているので白表示となる。
これに対して、図２（Ｂ）に示すように、液晶セル２２
に電界が印加されると、液晶分子３２のねじれ配向が解
除されるので黒表示となる。

【００１６】図３（Ａ）に示すように、有効表示領域１
０２に表示用として構成されたＭＩＭダイオード１２で
は、タンタル酸化膜などといった下地保護膜（図示せ
ず。）を形成した透明なガラス基板１０の表面にタンタ
ル電極１２１（下層側電極）が形成され、その表面には
陽極酸化によってタンタル酸化膜１２２（陽極酸化膜／
絶縁膜）が形成されている。ガラス基板１０の表面には
ＩＴＯ電極からなる画素電極１３も形成されている。タ
ンタル酸化膜１２２の表面にはクロム電極１２３（上層
側電極）が形成され、このクロム電極１２３とタンタル
電極１２１とは、タンタル酸化膜１２２を介して対向
し、ＭＩＭダイオード１２を構成している。クロム電極
１２３は、画素電極１３に電気的接続しており、ＭＩＭ
ダイオード１２は、この画素電極１３に対応する液晶セ
ル３１をアドレスし、液晶セル３１に情報を書き込み可
能である。なお、タンタル電極１２１は、図２（Ｂ）に
示すように、走査線１１の一部として形成され、この走
査線１１の表面にもタンタル酸化膜１２２が形成されて
いる。

【００１７】図１および図３において、本発明を適用し
た液晶表示パネル１では、ガラス基板１０のうち非表示
領域１０１を利用して、その製造工程中にガラス基板１
０に発生した静電気からＭＩＭダイオード１２を保護す
るようになっている。すなわち、ガラス基板１０の非表
示領域１０１には、有効表示領域１０２から両側に各走
査線１１の両端部１１０がはみ出した状態にあり、この
両端部１１０の表面にも、ＭＩＭダイオード１２のタン
タル酸化膜１２２と同時形成されたタンタル酸化膜１２
２が形成されている。さらに、非表示領域１０１には、
有効表示領域１０２の外端縁に沿うようにガードリング
４０がコの字状に形成されている。ガードリング４０
は、タンタル酸化膜１２２の表面に対してＭＩＭダイオ
ード１２のクロム電極１２３と同時形成されたクロム層
であり、走査線１１の両端部１１０に対してタンタル酸
化膜１２２を介して部分的に重畳している状態にある。

【００１８】従って、本発明では、走査線１１の両端部
１１０に対してはタンタル酸化膜１２２を介してガード
リング４０が対向しているので、各走査線１１に静電破
壊防止用のＭＩＭダイオード４１が構成された状態にあ
る。従って、後述するように、製造工程中にガラス基板
１０に静電気が発生しても、この静電気は走査線１１を
伝ってガードリング４０（静電破壊防止用のＭＩＭダイ
オード４１）の方に流れるので、有効表示領域１０２に
ある表示用のＭＩＭダイオード１２のタンタル酸化膜１
２２にかかる異常電圧のレベルを下げることができる。
それ故、有効表示領域１０２にある表示用のＭＩＭダイ
オード１２を静電気から保護することができるので、ダ
イオード方式の液晶表示パネル１において、製造工程中
に発生した静電気に起因する点欠陥などといった表示不
良の発生を防ぐことができる。また、ガードリング４０
は、あくまで有効表示領域１０２の外周側にある非表示
領域１０１に形成され、この非表示領域１０１を有効に
利用しているだけであるので、ガードリング４０を形成
するといっても有効表示領域１０２を狭くする必要がな
い。さらに、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１を
構成する各要素部分は、いずれも表示用のＭＩＭダイオ
ード１２の各要素部分を形成する際に同時形成したもの
であるため、製造工程数は従来のままである。しかも、
ダイオード方式の液晶表示パネル１であるため、ガード
リング４０をそのまま残しておいてもよいという特有の
利点がある。

【００１９】それに加えて、ガードリング４０は、非表
示領域１０１において有効表示領域１０２をコの字状に
囲むように構成されているので、外周側に発生した静電
気が有効表示領域１０２の方に流れ込むのを効果的に防
ぐことができる。

【００２０】ここで、表示用のＭＩＭダイオード１２に
おけるタンタル電極１２１の幅は４μｍであり、クロム
電極１２３の幅は４μｍである。これに対して、走査線
１１およびその両端部１１０の幅は１２μｍ、ガードリ
ング４０の幅は１２μｍ〜１４μｍである。従って、静
電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１における走査線１
１の各端部１１０とガードリング４０の対向面積は、表
示用のＭＩＭダイオード１２におけるタンタル電極１２
１とクロム電極１２３の対向面積の約９倍〜約１０倍で
ある。すなわち、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４
１と表示用のＭＩＭダイオード１２との容量比が約９倍
〜約１０倍であるため、静電破壊防止用のＭＩＭダイオ
ード４１は、有効表示領域１０２にある表示用のＭＩＭ
ダイオード１２を静電気から確実に保護するのに十分な
容量値を有している。ここで、静電破壊防止用のＭＩＭ
ダイオード４１と表示用のＭＩＭダイオード１２との容
量比については約６倍以上あれば、有効表示領域１０２
にある表示用のＭＩＭダイオード１２を静電気から有効
に保護することができ、また表示品質を低下させること
もない。

【００２１】このようなＭＩＭダイオード１２および静
電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１を備えたガラス基
板１０を構成するには、図４に示すように、透明な大型
ガラス基板１００を用いる。図４には、大型ガラス基板
１００からガラス基板１０を９枚取りするものとして表
してある。すなわち、大型ガラス基板１００に対してＭ
ＩＭダイオード１２などを形成した後に、この大型ガラ
ス基板１００に対して、対向電極などを形成した別の大
型ガラス基板を貼り合わせ、しかる後に、一点鎖線Ｌで
示す切断予定線に沿って２枚の大型ガラス基板を切断す
ると、切り出された各ガラス基板１０を用いた液晶表示
パネル１が形成される。

【００２２】このようにして液晶表示パネル１を製造す
る方法を、図３ないし図６を参照して説明する。

【００２３】まず、大型基板１００の表面に厚さが１５
００オングストローム程度のタンタル薄膜を形成した
後、タンタル薄膜をフォトリソグラフィ技術によりパタ
ーニングし、図３および図４に示すように、タンタル電
極１２１および走査線１１を残す。ここで、走査線１１
は、ガラス基板１０として分割される各領域を列方向に
貫通するように形成されているので、各領域からすれ
ば、走査線１１の両端部１１０が有効表示領域１０２か
ら非表示領域１０１にはみ出した状態にある。なお、タ
ンタル薄膜は、大型ガラス基板１００の上辺に沿って給
電部１２０として残され、この給電部１２０は、各走査
線１１と電気的接続している状態にある。

【００２４】次に、大型ガラス基板１００を給電部１２
０を残してリン酸などを含む陽極酸化浴に浸漬し、この
酸化浴中で陽極酸化を行う。その結果、タンタル電極１
２１の表面には厚さが５００オングストローム程度のタ
ンタル酸化膜１２２が形成される。走査線１１上にもタ
ンタル酸化膜１２２が形成され、その両端部１１０にも
タンタル酸化膜１２２が形成される。

【００２５】続いて、タンタル酸化膜１２２に対して３
００℃〜４００℃の温度条件でアニール処理を行う。

【００２６】次に、大型ガラス基板１００の表面にＩＴ
Ｏ膜を形成した後、図３および図５に示すように、フォ
トリソグラフィ技術によりパターニングを行い、ＩＴＯ
膜からなる画素電極１３をマトリクス状に残す。

【００２７】次に、大型ガラス基板１００の表面に厚さ
が８００オングストローム程度のクロム膜を形成した
後、図３および図６に示すように、フォトリソグラフィ
技術によりパターニングを行い、クロム電極１２３を形
成する。このとき、ガラス基板１０の非表示領域１０１
に有効表示領域１０２の外端縁に沿うように、かつ、有
効表示領域１０２をコの字状に囲むようにしてクロム膜
を残し、ガードリング４０を形成する。その結果、非表
示領域１０１では、走査線１１の両端部１１０、その表
面に形成されたタンタル酸化膜１２２、およびその表面
に形成されたガードリング４０によってＭＩＭダイオー
ド４１が形成され、このＭＩＭダイオード４１は、以降
の工程中に発生する静電気から有効表示領域１０２のＭ
ＩＭダイオード１２を保護する。

【００２８】次に、大型ガラス基板１００に対して、す
でにカラーフィルタなどを形成した別の大型ガラス基板
を貼り合わせた後、液晶３０の封入を行い、しかる後
に、各基板に分割するダイシング工程を行う。この間に
は、配向膜の形成、ギャップ剤の散布、大型ガラス基板
１００を布で擦って液晶３０を配向させるラビング工程
などといった周知の工程が行われる。

【００２９】ここで、ラビング工程やダイシング工程を
行うと、大型ガラス基板１００に対して静電気が発生
し、ここで発生した静電気は有効表示領域１０２のＭＩ
Ｍダイード１２を破壊しようとする。それでも、本発明
では、ラビング工程やダイシング工程を行う前に、走査
線１１の両端部１１０、その表面に形成されたタンタル
酸化膜１２２、およびその表面に形成されたガードリン
グ４０によってＭＩＭダイオード４１がすでに形成され
ているので、静電気が発生したとしても、この静電気は
走査線１１を伝ってガードリング４０（ＭＩＭダイオー
ド４１）の方に流れるので、有効表示領域１０２にある
表示用のＭＩＭダイオード１２にかかる異常電圧のレベ
ルを下げることができる。このため、有効表示領域１０
２にある表示用のＭＩＭダイオード１２を静電気から保
護することができる。しかも、ラビング工程やダイシン
グ工程では、大型ガラス基板１００の外周部に静電気が
発生しやすいが、本例では、ガードリング４０は有効表
示領域１０２をコの字状に囲むように構成されているの
で、外周側に発生した静電気が有効表示領域１０２の方
に流れ込むのを効果的に防ぐことができる。

【００３０】大型ガラス基板１００に対してダイシング
工程を行った後には、所定の検査工程、洗浄工程、乾燥
工程、およびＩＣの実装工程が行われるが、ＩＣの実装
工程を行った以降には、静電気がほとんど発生しないも
のとして扱える。なお、大型のガラス基板１００を分割
してガラス基板１０とした後でも、乾燥工程で静電気が
発生するが、ガラス基板１０に分割した後に発生した静
電気も、走査線１１を伝ってガードリング４０（ＭＩＭ
ダイオード４１）の方に流れるので、有効表示領域１０
２にある表示用のＭＩＭダイオード１２を静電気から保
護することができる。

【００３１】［別の形態］なお、上記の形態では、非表
示領域１０１において有効表示領域１０２をコの字状に
囲むようにガードリング４０を構成したが、図７に示す
ように、ガードリング４０を有効表示領域１０２の周り
全体を囲むように形成してもよい。このように構成する
と、ガードリング４０によって有効表示領域１０２をよ
り完全に囲んだ状態にあるので、有効表示領域１０２に
ある表示用のＭＩＭダイオード１２を静電気からより確
実に保護することができる。

【００３２】このように構成する場合でも、図４ないし
図６を参照して説明した製造工程のうち、図６を参照し
て説明した工程において、大型ガラス基板１００の表面
に厚さが８００オングストローム程度のクロム膜を形成
した後、このクロム膜をパターニングする際に、有効表
示領域１０２の周り全体を囲むようにガードリング４０
を残せばよい。従って、製造工程数を増やすことなく、
製造工程中に発生した静電気から有効表示領域１０２に
ある表示用のＭＩＭダイオード１２を保護することがで
きる。よって、ダイオード方式の液晶表示パネル１にお
いて、製造工程中に発生した静電気に起因する点欠陥な
どといった表示不良の発生を防ぐことができる。また、
先の例で説明したように、表示用のＭＩＭダイオード１
２におけるタンタル電極１２１の幅は４μｍであり、ク
ロム電極１２３の幅は４μｍである。これに対して、走
査線１１およびその両端部１１０の幅は１２μｍ、ガー
ドリング４０の幅は１２μｍ〜１４μｍである。従っ
て、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１と表示用の
ＭＩＭダイオード１２との容量比が約９倍〜約１０倍で
あるため、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１は、
有効表示領域１０２にある表示用のＭＩＭダイオード１
２を静電気から確実に保護するのに十分な容量値を有し
ている。なお、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１
と表示用のＭＩＭダイオード１２との容量比については
約６倍以上あれば、有効表示領域１０２にある表示用の
ＭＩＭダイオード１２を静電気から保護することがで
き、また表示品質を低下させることもない。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る液晶
表示パネルでは、絶縁基板の非表示領域には、有効表示
領域から両側にはみ出た各信号線の両端部と、該信号線
の両端部の表面に対してダイオード素子の絶縁膜と同時
形成された絶縁膜と、該絶縁膜表面に対してダイオード
素子の上層側電極と同時形成されたガードリングとによ
って静電破壊防止用のダイオード素子が構成されている
ことに特徴を有する。従って、本発明によれば、製造工
程中に静電気が発生しても、この静電気は信号線を伝っ
てガードリングの方に流れるので、有効表示領域にある
表示用のダイオード素子を静電気から保護することがで
きる。それ故、ダイオード方式の液晶表示パネルにおい
て、製造工程中に発生した静電気に起因する点欠陥など
といった表示不良の発生を防ぐことができる。また、ガ
ードリングは、あくまで非表示領域に形成され、この非
表示領域を有効に利用しているだけであるので、有効表
示領域を狭くする必要がない。さらに、静電破壊防止用
のダイオード素子を構成する各要素部分は、いずれも表
示用のダイオード素子の各要素部分を形成する際に同時
形成したものであるため、製造工程数は従来のままであ
る。しかも、ダイオード方式の液晶表示パネルであるた
め、ガードリングをそのまま残しておいてもよいという
特有の利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したダイオード方式の液晶表示パ
ネルの概略構成図である。

【図２】図１に示す液晶表示パネルにおいて、基板間に
封入された液晶の挙動を模式的に示す説明図である。

【図３】図１に示す液晶表示パネルにおいて絶縁基板上
に構成した表示用および静電破壊防止用のＭＩＭダイオ
ードの説明図である。

【図４】図１に示す液晶表示パネルの製造方法におい
て、絶縁基板上に表示用および静電破壊防止用のＭＩＭ
ダイオードを形成していくための工程を示す説明図であ
る。

【図５】図４に示す工程に続いて行う工程を示す説明図
である。

【図６】図５に示す工程に続いて行う工程を示す説明図
である。

【図７】本発明を適用した別の液晶表示パネルにおいて
絶縁基板上に構成したガードリングの説明図である。

【図８】従来のダイオード方式の液晶表示パネルの概略
構成図である。

【符号の説明】

１・・・液晶表示パネル １０・・・ガラス基板（第１の絶縁基板） １１・・・走査線（信号線） １２・・・ＭＩＭダイオード（ダイオード素子） １３・・・画素電極 ２０・・・ガラス基板（第２の絶縁基板） ２２・・・対向電極 ３０・・・液晶 ３１・・・液晶セル ４０・・・ガードリング ４１・・・静電破壊防止用のＭＩＭダイオード １１０・・・走査線の端部 １２１・・・表示用ＭＩＭダイオードのタンタル電極 １２２・・・タンタル酸化膜 １２３・・・表示用ＭＩＭダイオードのクロム電極

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外周側を非表示領域で囲まれた有効表示
   領域内に画素電極およびダイオード素子がマトリクス構
   成され、かつ、該ダイオード素子の下層側電極と同時形
   成されたことにより同列上に位置する各ダイオード素子
   の下層側電極のそれぞれに接続する信号線が列方向に延
   びる第１の絶縁基板と、該第１の絶縁基板との間に所定
   のセルギャップを構成するように対向配置され、前記画
   素電極に対向する対向電極が構成された第２の絶縁基板
   と、該第２の絶縁基板と前記第１の絶縁基板との間に封
   入された液晶層とを有する液晶表示パネルにおいて、 前記第１の絶縁基板の前記非表示領域には、前記有効表
   示領域から両側にはみ出た前記各信号線の両端部と、該
   信号線の両端部の表面に対して前記ダイオード素子の絶
   縁膜と同時形成された絶縁膜と、前記有効表示領域の外
   端縁に沿うように前記絶縁膜表面に対して前記ダイオー
   ド素子の上層側電極と同時形成され、前記各信号線の両
   端部に対して重畳するガードリングとを備えていること
   を特徴とする液晶表示パネル。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記ガードリング
   は、前記有効表示領域を囲むようにコの字状に形成され
   ていることにより前記各信号線の両端部に対して重畳し
   ていることを特徴とする液晶表示パネル。
3. 【請求項３】 請求項１において、前記ガードリング
   は、前記有効表示領域の周り全体を囲むように形成され
   ていることにより前記各信号線の両端部に対して重畳し
   ていることを特徴とする液晶表示パネル。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
   前記ガードリングと前記信号線の端部との各重畳部分に
   おける対向面積は、前記ダイオード素子における前記下
   層側電極と前記上層側電極との対向面積に対して６倍以
   上であることを特徴とする液晶表示パネル。