JPH09283305A

JPH09283305A - サーミスタ装置およびサーミスタ装置の抵抗値調整方法

Info

Publication number: JPH09283305A
Application number: JP8089670A
Authority: JP
Inventors: Akira Kato; 章加藤; Riichi Funahara; 利一船原
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1996-04-11
Filing date: 1996-04-11
Publication date: 1997-10-31

Abstract

(57)【要約】【課題】コストダウンされ、初期抵抗値の調整が容
易なサーミスタ装置を提供する。【解決手段】サーミスタ装置５０は、絶縁性基板５１
と、絶縁性基板５１上に形成された第１電極膜５２ａ，
第２電極膜５２ｂ，５２ｃ，５２ｄと、第１電極膜５２
ａと第２電極膜５２ｂ，５２ｃ，５２ｄをそれぞれ接続
するように、絶縁性基板５１上に形成されたサーミスタ
膜５３ｂ、５３ｃ、５３ｄとから構成されている。この
サーミスタ装置５０では、サーミスタ膜５３ｂが、主サ
ーミスタ膜であり、サーミスタ膜５３ｃ，５３ｄが抵抗
値調整用サーミスタ膜である。第２電極膜５２ｂは、主
サーミスタ膜５３ｂと接続されており、配線パターンの
本線の役割を果たす。第２電極膜５２ｃ，５２ｄはそれ
ぞれ、抵抗値調整用サーミスタ膜５３ｃ，５３ｄと接続
されており、配線パターンの支線となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、サーミスタ装置お
よびサーミスタ装置の抵抗値調整方法に関し、詳しく
は、携帯電話に内蔵される温度補償型水晶発振器などに
用いられる、膜状に形成されたサーミスタ装置およびサ
ーミスタ装置の抵抗値調整方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の膜状のサーミスタ装置を、図９を
用いて説明する。図９において、サーミスタ装置１００
は、絶縁性基板１と、絶縁性基板１上に形成された第１
電極膜２ａ，第２電極膜２ｂとからなる電極膜２と、第
１電極膜２ａ，第２電極膜２ｂ間を接続するように絶縁
性基板１上に形成された、サーミスタ膜３とから構成さ
れている。

【０００３】絶縁性基板１としては、たとえば、アルミ
ナ基板などがある。電極膜２は、導電ペーストを印刷、
焼成することにより形成され、導電ペーストとしては、
例えば、金−白金ペースト，銀−白金ペースト，銀−パ
ラジウムペーストなどの貴金属ペーストや、銅ペースト
など卑金属ペーストなどが用いられる。サーミスタ膜３
は、サーミスタ膜３が厚膜の場合、サーミスタ材料から
なるペースト、例えば、マンガン，ニッケル，コバルト
等の金属酸化物を主成分とするサーミスタペーストを、
印刷、焼成して形成され、サーミスタ膜３が薄膜の場合
は、スパッタリングや蒸着などの方法により形成され
る。

【０００４】このように構成されたサーミスタ装置１０
０は、サーミスタ膜３形成の性質上、所望の抵抗値から
バラツキをもって形成される。しかし、このようなサー
ミスタ装置１００を温度補償型水晶発振器などに用いる
場合は、サーミスタ装置１００の初期抵抗値（常温抵抗
値）のバラツキレベルを１〜２％以内にする必要があ
る。このため、初期抵抗値を調整する手段として、一般
の厚膜抵抗体と同様に、サーミスタ膜３にトリミングが
行われる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、サーミ
スタ膜３をトリミングする場合、例えば、レーザートリ
ミングにより抵抗値の調整をすると、照射されたレーザ
ー光から発生する熱のために、サーミスタ膜３の抵抗値
の変化が激しく、トリミング時に抵抗値をモニタして
も、常温時の抵抗値と大きく異なるため、所望の抵抗値
に調整するのが困難であった。また、サンドブラスト法
により抵抗値を調整すると、一般的に知られているサン
ドブラスト法の欠点である、研磨剤粉末がサーミスタ膜
の表面に付着して汚れ、トリミングの速度が遅く、トリ
ミングの精度も悪いといった問題点が有り、実用に不適
であった。

【０００６】このため、現状のサーミスタ装置では、ト
リミングは行わず、形成されたサーミスタ膜の初期抵抗
値、すなわち、常温における抵抗値を測定し、所望の抵
抗値の規格範囲内のもののみ製品として用いており、選
別作業が複雑となり、規格外のサーミスタ膜を製品化し
ないため、生産コストが非常に大きくなっていた。

【０００７】したがって、本発明の目的は、コストダウ
ンされ、初期抵抗値の調整が容易なサーミスタ装置を提
供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のサーミスタ装置においては、絶縁性基板
と、該絶縁性基板上に形成された第１電極膜および第２
電極膜と、該第１電極膜と第２電極膜の間に設けられた
サーミスタ膜とからなり、前記サーミスタ膜は、前記第
１電極膜と前記第２電極膜との間で並列状に、複数条に
分割されており、前記第２電極膜は、前記サーミスタ膜
に対応して複数に分割されており、前記サーミスタ膜の
一端のそれぞれは前記第１電極膜で共通に導通されてお
り、前記サーミスタ膜の他端はそれぞれが独立して前記
第２電極膜と接続されていることを特徴としている。

【０００９】また、前記分割された複数のサーミスタ膜
は、１つの主サーミスタ膜と、他の抵抗値調整用サーミ
スタ膜とからなり、前記第２電極膜の内、前記主サーミ
スタ膜の他端に接続された第２電極膜を本線とし、前記
抵抗値調整用サーミスタ膜のそれぞれの他端に接続され
た第２電極膜を支線としたことを特徴としている。

【００１０】また、絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形
成された第１電極膜および第２電極膜と、該第１電極膜
と第２電極膜の間に設けられたサーミスタ膜とからな
り、前記サーミスタ膜は、前記第１電極膜と前記第２電
極膜間で直列状に、複数個に分割されており、前記サー
ミスタ膜を分割した部分には、隣接したサーミスタ膜同
士を接続する補助電極膜が形成されていることを特徴と
している。

【００１１】また、前記分割された複数のサーミスタ膜
は、１つの主サーミスタ膜と、複数の抵抗値調整用サー
ミスタ膜とからなることを特徴としている。

【００１２】また、前記複数のサーミスタ膜は、初期抵
抗値がそれぞれ異なるように形成されたことを特徴とし
ている。

【００１３】また、前記複数の抵抗値調整用サーミスタ
膜は、初期抵抗値の比が２の階乗となるようにそれぞれ
形成されたことを特徴としている。

【００１４】また、絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形
成された主下部電極膜と、該主下部電極膜の表面に形成
された主サーミスタ膜と、該主サーミスタ膜上に形成さ
れ、前記主下部電極とで前記主サーミスタ膜を挟んでサ
ンドイッチ状積層部を構成する主上部電極膜とからな
る、１つの主サーミスタ部と、前記絶縁性基板上に形成
された複数の抵抗値調整用下部電極膜と、該抵抗値調整
用下部電極膜上に形成された抵抗値調整用サーミスタ膜
と、該抵抗値調整用サーミスタ膜上に形成され、前記抵
抗値調整用下部電極とで前記抵抗値調整用サーミスタ膜
を挟んでサンドイッチ状積層部を構成する抵抗値調整用
上部電極膜とからなる、複数の抵抗値調整用サーミスタ
部とからなり、前記抵抗値調整用サーミスタ部の隣り合
うもの同士は、一方の抵抗値調整用下部電極膜と他方の
抵抗値調整用上部電極膜とを接続して導通され、前記抵
抗値調整用下部電極膜と前記抵抗値調整用上部電極膜に
は、前記抵抗値調整用サーミスタ膜を短絡するための引
出電極が設けられていることを特徴としている。

【００１５】また、前記主サーミスタ膜および抵抗値調
整用サーミスタ膜は、各々の初期抵抗値が異なるように
形成されたことを特徴としている。

【００１６】また、前記複数の抵抗値調整用サーミスタ
膜は、各々の初期抵抗値の比が２の階乗となるように、
段階的に抵抗値が異なるように形成されたことを特徴と
している。

【００１７】また、本発明のサーミスタ装置の抵抗値調
整方法においては、絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形
成された第１電極膜および第２電極膜と、該第１電極膜
と第２電極膜の間に設けられたサーミスタ膜とからな
り、前記サーミスタ膜は、前記第１電極膜と前記第２電
極膜との間で並列状に、複数条に分割されており、前記
第２電極膜は、前記サーミスタ膜に対応して複数に分割
され、前記第２電極膜の一本を本線とし、他を支線と
し、前記サーミスタ膜の一端のそれぞれは前記第１電極
膜で共通に導通されており、前記サーミスタ膜の他端
は、それぞれが独立して前記第２電極膜と接続されてお
り、前記第２電極膜の支線を前記第２電極膜の本線と接
続、または切断して抵抗値を調整することを特徴として
いる。

【００１８】また、絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形
成された第１電極膜および第２電極膜と、該第１電極膜
と第２電極膜の間を接続するように設けられたサーミス
タ膜とからなり、前記サーミスタ膜は、前記第１電極膜
と前記第２電極膜間で直列状に、複数個に分割されてお
り、前記サーミスタ膜を分割した部分には、隣接したサ
ーミスタ膜同士を接続する補助電極膜が形成されてお
り、前記第１電極膜、前記第２電極膜、および、前記補
助電極膜の間を、任意に接続又は切断することにより抵
抗値を調整することを特徴としている。

【００１９】また、絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形
成された主下部電極膜と、該主下部電極膜の表面に形成
された主サーミスタ膜と、該主サーミスタ膜上に形成さ
れ、前記主下部電極とで前記主サーミスタ膜を挟んでサ
ンドイッチ状積層部を構成する主上部電極膜とからな
る、１つの主サーミスタ部と、前記絶縁性基板上に形成
された複数の抵抗値調整用下部電極膜と、該抵抗値調整
用下部電極膜上に形成された抵抗値調整用サーミスタ膜
と、該抵抗値調整用サーミスタ膜上に形成され、前記抵
抗値調整用下部電極とで前記抵抗値調整用サーミスタ膜
を挟んでサンドイッチ状積層部を構成する抵抗値調整用
上部電極膜とからなる、複数の抵抗値調整用サーミスタ
部とからなり、前記抵抗値調整用サーミスタ部の隣り合
うもの同士は、一方の抵抗値調整用下部電極膜と他方の
抵抗値調整用上部電極膜とを接続して導通され、前記抵
抗値調整用下部電極膜と前記抵抗値調整用上部電極膜
に、前記抵抗値調整用サーミスタ膜を短絡するため設け
られた引出電極を、接続又は切断することにより抵抗値
を調整することを特徴としている。

【００２０】これにより、従来困難とされていたサーミ
スタ膜の初期抵抗値調整が可能となり、サーミスタ装置
の歩留りが向上する。また、サーミスタ膜に抵抗値調整
部を設けることにより、初期抵抗値の微調整も可能とな
り、サーミスタ装置を温度補償型水晶発振器等に用いた
場合も、製品の高品質化が達成される。

【００２１】さらに、サンドイッチ状のサーミスタ装置
においても、抵抗値調整が可能となり、サンドイッチ形
状にすることによって占有面積が減少し、サーミスタ装
置の小型化が可能となる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
の図面を参照して詳細に説明する。図１において、サー
ミスタ装置５０は、絶縁性基板５１と、絶縁性基板５１
上に形成された第１電極膜５２ａおよび第２電極膜５２
ｂ，５２ｃ，５２ｄと、第１電極膜５２ａと第２電極膜
５２ｂ，５２ｃ，５２ｄをそれぞれ接続するように、絶
縁性基板５１上に形成されたサーミスタ膜５３ｂ，５３
ｃ，５３ｄとから構成されている。

【００２３】絶縁性基板５１としては、たとえば、アル
ミナ基板などがある。電極膜５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，
５２ｄは、導電ペーストを印刷、焼成することにより形
成され、導電ペーストとしては、例えば、金−白金ペー
スト，銀−白金ペースト，銀−パラジウムペーストなど
の貴金属ペーストや、銅ペーストなど非金属ペーストな
どが用いられる。サーミスタ膜５３ｂ，５３ｃ，５３ｄ
は、サーミスタ膜５３ｂ，５３ｃ，５３ｄが厚膜の場
合、サーミスタ材料からなるペースト、例えば、マンガ
ン，ニッケル，コバルト等の金属酸化物を主成分とする
サーミスタペーストを、印刷、焼成して形成され、サー
ミスタ膜５３ｂ，５３ｃ，５３ｄが薄膜の場合は、スパ
ッタリングや蒸着などの方法により形成される。

【００２４】このサーミスタ装置５０では、第１電極膜
５２ａと、第２電極膜５２ｂ，５２ｃ，５２ｄとの間
で、サーミスタ膜５３ｂ，５３ｃ，５３ｄが並列状に条
に設けられており、サーミスタ膜５３ｂ，５３ｃ，５３
ｄの一端は、第１電極膜５２ａで共通に導通されてお
り、サーミスタ膜５３ｂ，５３ｃ，５３ｄの他端は、そ
れぞれが独立して、第２電極膜５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ
と接続されている。

【００２５】そして、このサーミスタ装置５０では、サ
ーミスタ膜５３ｂが、主サーミスタ膜であり、サーミス
タ膜５３ｃ，５３ｄが抵抗値調整用サーミスタ膜であ
る。主サーミスタ膜５３ｂと接続される第２電極膜５２
ｂが、配線パターンの本線の役割を果たし、抵抗値調整
用サーミスタ膜５３ｃ，５３ｄと接続される第２電極膜
５２ｃ，５２ｄは、それぞれ配線パターンの支線の役割
を果たす。ここで、図１では一例として、支線である第
２電極膜５２ｃを、本線である第２電極膜５２ｂとを、
二点鎖線で示すバイパス電極５５で接続して形成されて
いる。図１の状態の等価回路図を図２に示す。図２に示
すように、このサーミスタ装置５０の初期抵抗値は、図
２におけるＡ−Ｂ間の抵抗値であり、初期抵抗値（初期
抵抗値をＲとする）は、１／Ｒ＝（１／Ｒ５３ｂ）＋（１／Ｒ５３ｃ）と表される。ここで、Ｒ５３ｂは、サーミスタ膜５３ｂ
の抵抗値であり、Ｒ５３ｃはサーミスタ膜５３ｃの抵抗
値である。この初期抵抗値Ｒが規格外の値の場合、第２
電極膜５２ｃやバイパス電極５５をレーザーなどを用い
て切断したり、第２電極膜５２ｄをジャンパ線等を用い
て第２電極膜５２ｂと接続するなどにより、抵抗値が規
格値内となるように調整する。たとえば、初期抵抗値Ｒ
が規格値より低い場合、抵抗値を調整して高くする必要
が生じるため、電極膜５２ｄと電極膜５２ｂをジャンパ
線で接続すればよく、調整後の抵抗値（調整後の抵抗値
をＲ’とする）は、１／Ｒ’＝（１／Ｒ５３ｂ）＋（１／Ｒ５３ｃ）＋（１
／Ｒ５３ｄ）と表される。ここで、Ｒ５３ｄは、サーミスタ膜５３ｄ
の抵抗値である。

【００２６】このように、サーミスタ装置を構成するこ
とにより、従来困難であった、サーミスタ装置の初期抵
抗値を調整することが可能となり、所望の抵抗値に調整
することによって従来では不良品となっていたサーミス
タ装置も良品となり、サーミスタ装置の不良率が減少し
コストダウンが図れる。

【００２７】図１および図２で示した第１の実施の形態
は、サーミスタ膜５３ｂ，５３ｃ，５３ｄが並列接続の
場合であり、次に、図３および図４を用いてサーミスタ
膜が直列接続の場合について、第２実施の形態として説
明する。

【００２８】図３において、サーミスタ装置６０は、絶
縁性基板６１と、絶縁性基板６１上に形成された第１電
極膜６２ａおよび第２電極膜６２ｄと、第１電極膜６２
ａと第２電極膜６２ｂの間に設けられ、直列状に複数個
に分割されたサーミスタ膜６３ｂ，６３ｃ，６３ｄと、
隣接したサーミスタ膜６３ｂ，６３ｃ，６３ｄをそれぞ
れ接続するように、分割されている部分に設けられた補
助電極膜６２ｂ，６２ｃとから構成されている。

【００２９】絶縁性基板６１、第１電極膜６２ａ、補助
電極膜６２ｂ，６２ｃ、第２電極膜６２ｄ、サーミスタ
膜６３ｂ，６３ｃ，６３ｄは、第１の実施の形態で述べ
た材料例や形成方法など同様に用いて設けられる。

【００３０】このサーミスタ装置６０では、サーミスタ
膜６３ｂが主サーミスタ膜であり、サーミスタ膜６３
ｃ，６３ｄが抵抗値調整用サーミスタ膜である。第１電
極膜６２ａは、主サーミスタ膜６３ｂの一端と接続され
て、配線パターンの一方の本線の役割を果たす。補助電
極膜６２ｂは、主サーミスタ膜６３ｂの他端と抵抗値調
整用サーミスタ膜６３ｃの一端を接続し、補助電極膜６
２ｃは、抵抗値調整用サーミスタ膜６３ｃの他端と抵抗
値調整用サーミスタ膜６３ｄの一端を接続する。第２電
極膜６２ｄは、抵抗値調整用サーミスタ膜６３ｄの他端
と接続されて、配線パターンの他方の本線の役割を果た
す。補助電極膜６２ｂ，６２ｃおよび第２電極膜６２ｄ
には引出導体Ｌが設けられており、図３では、一例とし
て、補助電極膜６２ｂと補助電極膜６２ｃが、それぞれ
の引出導体Ｌに、二点鎖線で示すバイパス電極６２ｐを
接続することで直接導通されて形成されている。図３の
状態の等価回路図を図４に示す。図４に示すように、こ
のサーミスタ装置６０の初期抵抗値Ｒは、図４における
Ｃ−Ｄ間の抵抗値であり、Ｒ＝Ｒ６３ｂ＋Ｒ６３ｄと表
される。ここで、Ｒ６３ｂは、サーミスタ膜６３ｂの抵
抗値であり、Ｒ６３ｄはサーミスタ膜６３ｄの抵抗値で
ある。この初期抵抗値Ｒが規格外の値の場合、バイパス
電極６２ｐをレーザーで切断したり、補助電極膜６２ｃ
と第２電極膜６２ｄをジャンパ線で接続するなどによ
り、抵抗値が規格値内となるように調整する。

【００３１】このように、直列接続型のサーミスタ装置
についても同様に、初期抵抗値の調整が可能となり、所
望の抵抗値に調整することによって、従来では不良品と
なっていたサーミスタ装置も良品となり、サーミスタ装
置の不良率が減少しコストダウンが図れる。

【００３２】次に、第３の実施の形態を、図５に示す。
図５において、サーミスタ装置７０は、主サーミスタ部
７５ａと抵抗値調整用サーミスタ部７５ｂとからなる。

【００３３】主サーミスタ部７５ａは、絶縁性基板７１
と、絶縁性基板７１上に形成された主下部電極膜７２ａ
と、主下部電極膜７２ａ上に形成される主サーミスタ膜
７３ａと、主サーミスタ膜７３ａ上に形成され引出導体
を有する主上部電極膜７４ａとからなり、主サーミスタ
膜７３ａを挟んだサンドイッチ状の積層体を構成する。

【００３４】抵抗値調整用サーミスタ部７５ｂは、絶縁
性基板７１と、絶縁性基板７１上に形成された抵抗値調
整用下部電極膜７２ｂ，７２ｃと、抵抗値調整用下部電
極膜７２ｂ，７２ｃ上にそれぞれ形成された抵抗値調整
用サーミスタ膜７３ｂ，７３ｃと、抵抗値調整用サーミ
スタ膜７３ｂ，７３ｃ上にそれぞれ形成された抵抗値調
整用上部電極膜７４ｂ，７４ｃとからなり、抵抗値調整
用サーミスタ膜７３ｂ，７３ｃを挟んだサンドイッチ状
の積層体を複数構成する。

【００３５】ここで、主サーミスタ部７５ａの主下部電
極膜７２ａは、サーミスタ装置７０の一方の本線とな
り、主サーミスタ部７５ａと抵抗値調整用サーミスタ部
７５ｂは、主上部電極膜７４ａと抵抗値調整用上部電極
膜７４ｂを接続導体７６により接続されて導通してい
る。また、抵抗値調整用サーミスタ部７５ｂでは、抵抗
値調整用下部電極膜７２ｂと抵抗値調整用上部電極膜７
４ｃが導通され、抵抗値調整用下部電極膜７２ｃがサー
ミスタ装置７０の他方の本線となる。

【００３６】図５では一例として、抵抗値調整用下部電
極膜７２ｃと抵抗値調整用上部電極膜７４ｃが、それぞ
れの引出導体Ｌに、二点鎖線で示すバイパス電極７７を
接続することで直接導通されている。

【００３７】このサーミスタ装置７０の等価回路図を図
６に示す。図６に示す等価回路図は、図４に示す等価回
路図と実質同一である直列回路を構成している。よっ
て、このサーミスタ装置７０の初期抵抗値も、上記サー
ミスタ装置６０の式が適用できるため、ここでの説明は
省略する。サーミスタ装置７０の初期抵抗値の調整も、
サーミスタ装置６０と同様に、バイパス電極７７をレー
ザで断線したり、抵抗値調整用上部電極膜７４ｃと、抵
抗値調整用下部電極膜７２ｃをジャンパ線により接続す
るなどにより行うことができる。

【００３８】このように、サンドイッチ型のサーミスタ
装置についても同様に、初期抵抗値の調整が可能とな
り、所望の抵抗値に調整することによって、従来では不
良品となっていたサーミスタ装置も良品となり、サーミ
スタ装置の不良率が減少しコストダウンが図れる。さら
に、サンドイッチ型構造であるため、部品の占有面積が
減少し、サーミスタ装置の小型化が図れるとともに、こ
のサーミスタ装置を用いる携帯電話等の通信機器の小型
化も図れる。

【００３９】さらに、第４の実施の形態として、図７に
示すものがある。図７に示すサーミスタ装置８０は、絶
縁性基板８１と、絶縁性基板８１上に形成された第１電
極膜８２ａ、および、第２電極膜８２ｂ，８２-1，８２
-2，８２-3・・・・・８２-nと、第１電極膜８２ａと第
２電極膜８２ｂ，８２-1，８２-2，８２-3・・・・・８
２-nをそれぞれ接続するように、絶縁性基板８１上に形
成されたサーミスタ膜８３ｂ，８３-1，８３-2，８３-3
・・・・・８３-nとから構成されている。

【００４０】このサーミスタ装置８０では、第１電極膜
８２ａと、第２電極膜８２ｂ，８２-1，８２-2，８２-3
・・・・・８２-nとの間で、サーミスタ膜８３ｂ，８３
-1，８３-2，８３-3・・・・・８３-nが並列状に条に設
けられており、サーミスタ膜８３ｂ，８３-1，８３-2，
８３-3・・・・・８３-nの一端は、第１電極膜８２ａで
共通に導通されており、サーミスタ膜８３ｂ，８３-1，
８３-2，８３-3・・・・・８３-nの他端は、それぞれが
独立して、第２電極膜８２ｂ，８２-1，８２-2，８２-3
・・・・・８２-nと接続されている。

【００４１】そして、このサーミスタ装置８０では、サ
ーミスタ膜８３ｂが主サーミスタ膜であり、サーミスタ
膜８３-1，８３-2，８３-3・・・・・８３-nが抵抗値調
整用サーミスタ膜である。そして、主サーミスタ膜８３
ｂと接続される第２電極膜８２ｂは配線パターンの本線
の役割を果たし、抵抗値調整用サーミスタ膜８３-1，８
３-2，８３-3・・・・・８３-nと接続される第２電極膜
８２-1，８２-2，８２-3・・・・・８２-nは、それぞれ
配線パターンの支線の役割を果たす。そして、第２電極
膜８２-1，８２-2，８２-3・・・・・８２-nを、図１で
示したサーミスタ装置５０と同様に、本線の配線パター
ンである電極膜８２ｂと、接続又は断線することにより
抵抗値を調整することができる。

【００４２】このように構成したサーミスタ装置８０で
は、抵抗値調整用サーミスタ膜を多数備えているため、
より精密な抵抗値の調整が可能となる。さらに、この多
数の抵抗値調整用サーミスタ膜８３-1，８３-2，８３-3
・・・・・８３-nの初期抵抗値が、段階的にシフトする
ものであれば、サーミスタ装置８０の抵抗値調整がより
細やかに行え得る。特に、多数の抵抗値調整用サーミス
タ膜の抵抗値の比を、８３-1：８３-2：８３-3：・・・
・・：８３-n＝１（＝２⁰）：２（＝２¹）：４（＝２
²）：・・・・・：２^n-1として、初期抵抗値の比が２
の階乗となるようにそれぞれ形成すると、本線の配線パ
ターンである第２電極膜８２ｂに、支線である第２電極
膜８２-1，８２-2，８２-3・・・・・８２-nの内、どれ
を接続すれば所望の初期抵抗値に近づくかを計算により
求められるため、細やかに且つ、無駄な配線の接続や断
線を行うことなく初期抵抗値を調整することができる。

【００４３】ここで、抵抗値調整用サーミスタ膜８３-
1，８３-2，８３-3・・・・・８３-nの初期抵抗値を段
階的にシフトさせるには、サーミスタ膜の幅を変化させ
ることにより行うことができる。この場合は、サーミス
タ膜を形成するサーミスタペーストとして同一のものを
使用し、一度にすべてのサーミスタ膜を印刷，焼成して
形成できるため、作業が簡単となる。また、各抵抗値調
整用のサーミスタ膜の材料を変更することにより、サー
ミスタ膜の幅が狭い状態で、抵抗値をシフトすることも
できる。この場合は、サーミスタ膜の占有面積が小さく
なり、サーミスタ装置８０の小型化が達成される。

【００４４】図７は、サーミスタ膜が並列接続の例を示
したが、次に、直列接続の場合を第５の実施の形態とし
て、図８に示す。

【００４５】図８において、サーミスタ装置９０は、絶
縁性基板９１と、絶縁性基板９１上に形成された第１電
極膜９２ａおよび第２電極膜９２-nと、第１電極膜９２
ａと第２電極膜９２-nの間に設けられ直列状に複数個に
分割されたサーミスタ膜９３ｂ，９３-1，９３-2，・・
・・・９３-nと、隣接したサーミスタ膜９３ｂ，９３-
1，９３-2，・・・・・９３-nをそれぞれ接続するよう
に分割されている部分に設けられた補助電極膜９２ｂ，
９２-1，９２-2，・・・・・９２-(n-1)とから構成され
ている。

【００４６】このサーミスタ装置９０では、サーミスタ
膜９３ｂが、主サーミスタ膜であり、サーミスタ膜９３
-1，９３-2，・・・・・９３-nが抵抗値調整用サーミス
タ膜である。第１電極膜９２ａは、サーミスタ膜９３ｂ
の一端と接続されて、配線パターンの一方の本線の役割
を果たす。補助電極膜９２ｂは、サーミスタ膜９３ｂの
他端とサーミスタ膜９３-1の一端を接続し、補助電極膜
９３-1は、サーミスタ膜９３-1の他端とサーミスタ膜９
３-2の一端を接続する。このような接続を連続して行
い、第２電極膜９２-nは、抵抗値調整用サーミスタ膜９
３-nの他端と接続されて、配線パターンの他方の本線の
役割を果たす。そして、図３に示したサーミスタ装置６
０と同様に、補助電極膜９２-b，９２-1，９２-2，・・
・・・９２-(n-1)、および、第２電極膜９２-nには引出
導体Ｌが設けられており、隣り合う引出導体Ｌ同士、例
えば、補助電極膜９２-1と補助電極膜９２-2、補助電極
膜９２−(n-1) と第２電極膜９２-n間で、接続、あるい
は、断線することにより、抵抗値を調整することができ
る。

【００４７】このように構成したサーミスタ装置９０で
は、抵抗値調整用サーミスタ膜を多数備えているため、
より精密な抵抗値の調整が可能となる。さらに、この多
数の抵抗値調整用サーミスタ膜９３-1，９３-2，９３-3
・・・・・９３-nの初期抵抗値が、段階的にシフトする
ものであれば、サーミスタ装置９０の抵抗値調整がより
細やかに行え得る。特に、多数の抵抗値調整用サーミス
タ膜の抵抗値の比を、９３-1：９３-2：９３-3：・・・
・・：９３-n＝１（＝２⁰）：２（＝２¹）：４（＝２
²）：・・・・・：２^n-1として、初期抵抗値の比が２
の階乗となるようにそれぞれ形成すると、複数の抵抗値
調整用サーミスタ膜９３-1：９３-2：９３-3：・・・・
・：９３-nから任意に選択して所望の初期抵抗値に近づ
くかを、計算により求めることができるできるため、細
やかに且つ、無駄な配線の接続や断線を行うことなく調
整することができる。

【００４８】抵抗値調整用サーミスタ膜９３-1，９３-
2，９３-3・・・・・９３-nの初期抵抗値を段階的にシ
フトさせるには、サーミスタ膜の長さを変化させること
により行うことができる。この場合は、サーミスタ膜を
形成するサーミスタペーストとして同一のものを使用
し、一度にすべてのサーミスタ膜を印刷，焼成して形成
できるため、作業が簡単となる。また、各抵抗値調整用
のサーミスタ膜の材料を変更することにより、サーミス
タ膜の長さが短い状態で、抵抗値をシフトすることもで
きる。この場合、サーミスタ膜の占有面積が小さくな
り、サーミスタ装置９０の小型化が達成される。

【００４９】なお、図示はしないが、図５に示した、サ
ンドイッチ型のサーミスタ装置７０についても、上記で
示した、多数の抵抗値調整用サーミスタ膜を形成する方
法を用いることができるのは言うまでもない。この場
合、抵抗値を段階的にシフトするには、抵抗値調整用サ
ーミスタ膜の面積を異ならせて形成すればよい。また
は、面積を変えることなくサーミスタ膜の厚みを変化さ
せてもよい。これにより、抵抗値調整が細やかに行える
とともに、サンドイッチ型であるため、占有面積が小さ
くなり、サーミスタ装置の小型化が図れる。

【００５０】なお、本発明に係るサーミスタ装置は、前
記実施の形態に限定されるものでなく、その要旨の範囲
内で種々に変形することができる。特に、断線や接続を
行う電極膜は、形成時にすべて接続しておいてもよく、
また、形成時は全く接続しておかなくてもよい。このよ
うにすると、抵抗値調整の作業が、レーザーによる断
線、または、ジャンパ線による接続のどちらか一方のみ
でよいため、作業の簡略化が図れる。

【００５１】

【発明の効果】以上のように、本発明によるサーミスタ
装置では、従来困難とされていたサーミスタ膜の初期抵
抗値調整が可能となり、サーミスタ装置の歩留りが向上
する。また、サーミスタ膜の抵抗値調整用部を設けるこ
とにより、初期抵抗値の微調整も可能となり、サーミス
タ装置を温度補償型水晶発振器等に用いた場合も、製品
の高品質化が達成される。特に、抵抗値調整用サーミス
タ膜を多数設け、各々の初期抵抗値が段階的にシフトす
るように設定することで、より、細やかな初期抵抗値の
調整が可能となった。

【００５２】さらに、サンドイッチ型のサーミスタ装置
においても、抵抗値調整が可能となり、サンドイッチ形
状によって占有面積が減少し、サーミスタ装置の小型化
が可能となると効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一つの実施形態に係るサーミスタ装置
の構造を示す平面図である。

【図２】図１の等価回路図である。

【図３】本発明の他の実施形態に係るサーミスタ装置の
構造を示す平面図である。

【図４】図３の等価回路図である。

【図５】本発明のさらに他の実施形態に係るサーミスタ
装置の構造を示す平面図である。

【図６】図５の等価回路図である。

【図７】本発明のさらに他の実施形態に係るサーミスタ
装置の構造を示す平面図である。

【図８】本発明のさらに他の実施形態に係るサーミスタ
装置の構造を示す平面図である。

【図９】従来のサーミスタ装置の構造を示す平面図であ
る

【符号の説明】

５０，６０，７０，８０，９０サーミスタ装置５１，６１，７１，８１，９１絶縁性基板５２ａ，６２ａ，８２ａ，９２ａ第１電極膜５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ，６２ｄ，８２ｂ，８２-1，８
２-2，８２-3，・・・・・，８２-(n-1)，９２-n 第２
電極膜６２ｂ，６２ｃ，９２ｂ，９２-1，９２-2，９２-3，・
・・・・，９２-(n-1)補助電極膜７２ａ主下部電極膜７２ｂ，７２ｃ抵抗値調整用下部電極膜７４ａ主上部電極膜７４ｂ，７４ｃ抵抗値調整用上部電極膜５３ｂ，６３ｂ，７３ａ，８３ｂ，９３ｂ主サーミス
タ膜５３ｃ，５３ｄ，６３ｃ，６３ｄ，７３ｂ，７３ｃ，８
３-1，８３-2，８３-3，・・・・・，８３-n，９３-1，
９３-2，９３-3，・・・・・，９３-n抵抗値調整用サー
ミスタ膜７５ａ主サーミスタ部７５ｂ抵抗値調整用サーミスタ部Ｌ引出導体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成さ
れた第１電極膜および第２電極膜と、該第１電極膜と第
２電極膜の間に設けられたサーミスタ膜とからなり、前
記サーミスタ膜は、前記第１電極膜と前記第２電極膜と
の間で並列状に、複数条に分割されており、前記第２電
極膜は、前記サーミスタ膜に対応して複数に分割されて
おり、前記サーミスタ膜の一端のそれぞれは、前記第１
電極膜で共通に導通されており、前記サーミスタ膜の他
端は、それぞれが独立して、前記第２電極膜と接続され
ていることを特徴とするサーミスタ装置。
【請求項２】前記分割された複数のサーミスタ膜は、
１つの主サーミスタ膜と、他の抵抗値調整用サーミスタ
膜とからなり、前記第２電極膜の内、前記主サーミスタ
膜の他端に接続された第２電極膜を本線とし、前記抵抗
値調整用サーミスタ膜のそれぞれの他端に接続された第
２電極膜を支線としたことを特徴とする、請求項１に記
載のサーミスタ装置。
【請求項３】前記複数のサーミスタ膜は、初期抵抗値
がそれぞれ異なるように形成されたことを特徴とする、
請求項１に記載のサーミスタ装置。
【請求項４】前記複数の抵抗値調整用サーミスタ膜
は、初期抵抗値の比が２の階乗となるようにそれぞれ形
成されたことを特徴とする、請求項２に記載のサーミス
タ装置。
【請求項５】絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成さ
れた第１電極膜および第２電極膜と、該第１電極膜と第
２電極膜の間に設けられたサーミスタ膜とからなり、前
記サーミスタ膜は、前記第１電極膜と前記第２電極膜間
で直列状に、複数個に分割されており、前記サーミスタ
膜を分割した部分には、隣接したサーミスタ膜同士を接
続する補助電極膜が形成されていることを特徴とするサ
ーミスタ装置。
【請求項６】前記分割された複数のサーミスタ膜は、
１つの主サーミスタ膜と、複数の抵抗値調整用サーミス
タ膜とからなることを特徴とする、請求項５に記載のサ
ーミスタ装置。
【請求項７】前記複数のサーミスタ膜は、初期抵抗値
がそれぞれ異なるように形成されたことを特徴とする、
請求項５に記載のサーミスタ装置。
【請求項８】前記複数の抵抗値調整用サーミスタ膜
は、初期抵抗値の比が２の階乗となるようにそれぞれ形
成されたことを特徴とする、請求項６に記載のサーミス
タ装置。
【請求項９】絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成さ
れた主下部電極膜と、該主下部電極膜の表面に形成され
た主サーミスタ膜と、該主サーミスタ膜上に形成され、
前記主下部電極とで前記主サーミスタ膜を挟んでサンド
イッチ状積層部を構成する主上部電極膜とからなる、１
つの主サーミスタ部と、前記絶縁性基板上に形成された
複数の抵抗値調整用下部電極膜と、該抵抗値調整用下部
電極膜上に形成された抵抗値調整用サーミスタ膜と、該
抵抗値調整用サーミスタ膜上に形成され、前記抵抗値調
整用下部電極とで前記抵抗値調整用サーミスタ膜を挟ん
でサンドイッチ状積層部を構成する抵抗値調整用上部電
極膜とからなる、複数の抵抗値調整用サーミスタ部とか
らなり、前記抵抗値調整用サーミスタ部の隣り合うもの
同士は、一方の抵抗値調整用下部電極膜と他方の抵抗値
調整用上部電極膜とを接続して導通され、前記抵抗値調
整用下部電極膜と前記抵抗値調整用上部電極膜には、前
記抵抗値調整用サーミスタ膜を短絡するための引出電極
が設けられていることを特徴とするサーミスタ装置。
【請求項１０】前記主サーミスタ膜および抵抗値調整
用サーミスタ膜は、各々の初期抵抗値が異なるように形
成されたことを特徴とする、請求項９に記載のサーミス
タ装置。
【請求項１１】前記複数の抵抗値調整用サーミスタ膜
は、各々の初期抵抗値の比が２の階乗となるように段階
的に抵抗値が異なるように形成されたことを特徴とす
る、請求項９に記載のサーミスタ装置。
【請求項１２】絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成
された第１電極膜および第２電極膜と、該第１電極膜と
第２電極膜の間に設けられたサーミスタ膜とからなり、
前記サーミスタ膜は、前記第１電極膜と前記第２電極膜
との間で並列状に、複数条に分割されており、前記第２
電極膜は、前記サーミスタ膜に対応して複数に分割さ
れ、前記第２電極膜の一本を本線とし、他を支線とし、
前記サーミスタ膜の一端のそれぞれは、前記第１電極膜
で共通に導通されており、前記サーミスタ膜の他端は、
それぞれが独立して、前記第２電極膜と接続されてお
り、前記第２電極膜の支線を、前記第２電極膜の本線と
接続、または切断して抵抗値を調整することを特徴とす
る、サーミスタ装置の抵抗値調整方法。
【請求項１３】絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成
された第１電極膜および第２電極膜と、該第１電極膜と
第２電極膜の間を接続するように設けられたサーミスタ
膜とからなり、前記サーミスタ膜は、前記第１電極膜と
前記第２電極膜間で直列状に、複数個に分割されてお
り、前記サーミスタ膜を分割した部分には、隣接したサ
ーミスタ膜同士を接続する補助電極膜が形成されてお
り、前記第１電極膜、前記第２電極膜、および、前記補
助電極膜の間を、任意に接続又は切断することにより抵
抗値を調整することを特徴とする、サーミスタ装置の抵
抗値調整方法。
【請求項１４】絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成
された主下部電極膜と、該主下部電極膜の表面に形成さ
れた主サーミスタ膜と、該主サーミスタ膜上に形成さ
れ、前記主下部電極とで前記主サーミスタ膜を挟んでサ
ンドイッチ状積層部を構成する主上部電極膜とからなる
１つの主サーミスタ部と、前記絶縁性基板上に形成され
た複数の抵抗値調整用下部電極膜と、該抵抗値調整用下
部電極膜上に形成された抵抗値調整用サーミスタ膜と、
該抵抗値調整用サーミスタ膜上に形成され、前記抵抗値
調整用下部電極とで前記抵抗値調整用サーミスタ膜を挟
んでサンドイッチ状積層部を構成する抵抗値調整用上部
電極膜とからなる、複数の抵抗値調整用サーミスタ部と
からなり、前記抵抗値調整用サーミスタ部の隣り合うも
の同士は、一方の抵抗値調整用下部電極膜と他方の抵抗
値調整用上部電極膜とを接続して導通され、前記抵抗値
調整用下部電極膜と前記抵抗値調整用上部電極膜に、前
記抵抗値調整用サーミスタ膜を短絡するため設けられた
引出電極を、接続又は切断することにより抵抗値を調整
することを特徴とする、サーミスタ装置の抵抗値調整方
法。