JPH09281711A - パターン露光方法 - Google Patents
パターン露光方法Info
- Publication number
- JPH09281711A JPH09281711A JP9676896A JP9676896A JPH09281711A JP H09281711 A JPH09281711 A JP H09281711A JP 9676896 A JP9676896 A JP 9676896A JP 9676896 A JP9676896 A JP 9676896A JP H09281711 A JPH09281711 A JP H09281711A
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- Japan
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- exposure
- pattern
- mask
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- substrate
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- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高効率にストライプパターンの形成を行いえる
パターン露光方法を提供することを目的とする。 【解決手段】所望の区域に断続的に感光性レジスト膜が
形成され、水平方向に連続的に搬送される長尺帯状の基
材に、該基材の搬送方向と平行に形成された万線状の遮
光パターンを有する露光用マスクを介して、連続照射状
態でパターン露光を行い、所望の露光照射量を充足して
ストライプパターンを形成することを特徴とするパター
ン露光方法。
パターン露光方法を提供することを目的とする。 【解決手段】所望の区域に断続的に感光性レジスト膜が
形成され、水平方向に連続的に搬送される長尺帯状の基
材に、該基材の搬送方向と平行に形成された万線状の遮
光パターンを有する露光用マスクを介して、連続照射状
態でパターン露光を行い、所望の露光照射量を充足して
ストライプパターンを形成することを特徴とするパター
ン露光方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、長尺帯状のフィル
ム状基材上にストライプパターンをパターニングする方
法に係わる。さらに言えば、液晶表示装置用カラーフィ
ルタ等の遮光パターンやカラーパターンを形成するため
の露光方法に関する。
ム状基材上にストライプパターンをパターニングする方
法に係わる。さらに言えば、液晶表示装置用カラーフィ
ルタ等の遮光パターンやカラーパターンを形成するため
の露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、感光性レジスト膜を形成した基板
上にストライプパターンを形成する際には、以下に記
す、間欠的なパターン露光を行っていたものである。す
なわち、表面に感光性レジストを塗布した長尺帯状のフ
ィルム状基材を搬送搬入し、パターン露光位置にて一旦
停止させる。次いで、該基材と、万線状の遮光パターン
膜を有する露光用マスクとを位置合わせした上で、露光
用マスクを介して一括露光することにより、基材にパタ
ーン露光を行う。次いで、基材を搬送して、パターン露
光済部位の搬出と、新たにパターン露光を行う部位との
搬入を同時に行う。次いで、パターン露光位置にて基材
を停止して再び位置合わせし、一括露光を行うという工
程を繰り返すことによりパターン形成していた。しかし
ながら、上述した従来のパターン形成方法では、例えば
基材の搬入、位置合わせの時間、露光操作、基材の搬出
などの各工程に積算的に時間を要し、その結果、単位時
間当たりの処理能力（スループット）が低いという問題
があるといえる。それ故、従来のパターン形成方法を用
い、例えば、転写方式にてストライプパターンを有する
カラーフィルターを製造する場合、転写方式によるカラ
ーフィルターの製造の主たる目的である、高効率なフィ
ルター製造を充分に達成するものとはいえなかった。ち
なみに、転写方式のカラーフィルターとは、例えば上述
したパターン形成方法にてフィルム状基材に一旦カラー
パターンを形成し、そのカラーパターンをガラス基材な
どの最終的な形成場所に転写し、カラーフィルターとす
るものである。
上にストライプパターンを形成する際には、以下に記
す、間欠的なパターン露光を行っていたものである。す
なわち、表面に感光性レジストを塗布した長尺帯状のフ
ィルム状基材を搬送搬入し、パターン露光位置にて一旦
停止させる。次いで、該基材と、万線状の遮光パターン
膜を有する露光用マスクとを位置合わせした上で、露光
用マスクを介して一括露光することにより、基材にパタ
ーン露光を行う。次いで、基材を搬送して、パターン露
光済部位の搬出と、新たにパターン露光を行う部位との
搬入を同時に行う。次いで、パターン露光位置にて基材
を停止して再び位置合わせし、一括露光を行うという工
程を繰り返すことによりパターン形成していた。しかし
ながら、上述した従来のパターン形成方法では、例えば
基材の搬入、位置合わせの時間、露光操作、基材の搬出
などの各工程に積算的に時間を要し、その結果、単位時
間当たりの処理能力（スループット）が低いという問題
があるといえる。それ故、従来のパターン形成方法を用
い、例えば、転写方式にてストライプパターンを有する
カラーフィルターを製造する場合、転写方式によるカラ
ーフィルターの製造の主たる目的である、高効率なフィ
ルター製造を充分に達成するものとはいえなかった。ち
なみに、転写方式のカラーフィルターとは、例えば上述
したパターン形成方法にてフィルム状基材に一旦カラー
パターンを形成し、そのカラーパターンをガラス基材な
どの最終的な形成場所に転写し、カラーフィルターとす
るものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、上記
の問題を解決するためなされたものであり、スループッ
トを上げ、高効率にストライプパターンの形成を行いえ
るパターン露光方法を提供することを目的としている。
の問題を解決するためなされたものであり、スループッ
トを上げ、高効率にストライプパターンの形成を行いえ
るパターン露光方法を提供することを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、所望の区域に
断続的に感光性レジスト膜が形成され、水平方向に連続
的に搬送される長尺帯状の基材に、該基材の搬送方向と
平行に形成された万線状の遮光パターンを有する露光用
マスクを介して、連続照射状態でパターン露光を行い、
所望の露光照射量を充足してストライプパターンを形成
することを特徴とするパターン露光方法を提供すること
で、上記の課題を解決したものである。
断続的に感光性レジスト膜が形成され、水平方向に連続
的に搬送される長尺帯状の基材に、該基材の搬送方向と
平行に形成された万線状の遮光パターンを有する露光用
マスクを介して、連続照射状態でパターン露光を行い、
所望の露光照射量を充足してストライプパターンを形成
することを特徴とするパターン露光方法を提供すること
で、上記の課題を解決したものである。
【０００５】ここでいう連続照射状態とは、搬送される
基材に常時パターン光の照射を行うことを意味してい
る。
基材に常時パターン光の照射を行うことを意味してい
る。
【０００６】ここで、長尺帯状の基材の材質として、例
えば、42合金（ニッケル42重量％、残部鉄）、アンバー
材（ニッケル36重量％、マンガン0.36重量％、残部
鉄）、18− 8ステンレス鋼等のような、空気中で難錆性
の金属、または、耐熱性ポリエステルフィルム、ポリカ
ーボネートフィルム、もしくはポリイミドフィルム等の
剛性と耐熱性を兼備した合成樹脂フィルム等が使用でき
る。合成樹脂の場合、剛性は、基材を搬送する際の伸縮
が本発明では好ましくないことから導き出される必須の
性質である。
えば、42合金（ニッケル42重量％、残部鉄）、アンバー
材（ニッケル36重量％、マンガン0.36重量％、残部
鉄）、18− 8ステンレス鋼等のような、空気中で難錆性
の金属、または、耐熱性ポリエステルフィルム、ポリカ
ーボネートフィルム、もしくはポリイミドフィルム等の
剛性と耐熱性を兼備した合成樹脂フィルム等が使用でき
る。合成樹脂の場合、剛性は、基材を搬送する際の伸縮
が本発明では好ましくないことから導き出される必須の
性質である。
【０００７】次いで、感光性レジスト膜は、感光性樹脂
を基材の上面に均一な厚さで塗布乾燥されたものであっ
て、塗布法としては、ロールコート法、バーコート法、
スリットコート法など公知の手段が使用できる。また、
感光性レジスト膜は、最終的に得るカラーフィルタ等の
必要面積に応じて、基材の所望される区域に断続的かつ
間欠的に塗布形成されるものである。なお、感光性レジ
スト膜は、染料、顔料などの着色剤を分散混合してある
ものであっても良く、この場合、露光後に現像するだけ
で着色パターンが得られるといえる。
を基材の上面に均一な厚さで塗布乾燥されたものであっ
て、塗布法としては、ロールコート法、バーコート法、
スリットコート法など公知の手段が使用できる。また、
感光性レジスト膜は、最終的に得るカラーフィルタ等の
必要面積に応じて、基材の所望される区域に断続的かつ
間欠的に塗布形成されるものである。なお、感光性レジ
スト膜は、染料、顔料などの着色剤を分散混合してある
ものであっても良く、この場合、露光後に現像するだけ
で着色パターンが得られるといえる。
【０００８】露光用マスクは、透明ガラス等の透明基板
の下面に、銀塩または金属クロム等により万線パターン
の遮光膜が形成されている。ここで本発明のパターン露
光方法においては、露光用マスクに形成された万線パタ
ーンの方向が、長尺帯状の基材の搬送方向と平行になる
ように、露光用マスクを設置するものである。
の下面に、銀塩または金属クロム等により万線パターン
の遮光膜が形成されている。ここで本発明のパターン露
光方法においては、露光用マスクに形成された万線パタ
ーンの方向が、長尺帯状の基材の搬送方向と平行になる
ように、露光用マスクを設置するものである。
【０００９】なお、パターン露光は、基材と露光用マス
クとの距離を50〜 100μｍ程度とする近接露光方法、ま
たは、投影露光方法とするものである。
クとの距離を50〜 100μｍ程度とする近接露光方法、ま
たは、投影露光方法とするものである。
【００１０】前述した（従来の技術）の項に記したよう
に、従来のパターン露光方法においては、基材の搬入、
停止および搬出の動作を繰り返すものである。しかし、
本発明のパターン露光方法においては、基材を停止する
ことなく連続して搬送を行いながら、基材にストライプ
パターンの露光を行うことを特徴としている。
に、従来のパターン露光方法においては、基材の搬入、
停止および搬出の動作を繰り返すものである。しかし、
本発明のパターン露光方法においては、基材を停止する
ことなく連続して搬送を行いながら、基材にストライプ
パターンの露光を行うことを特徴としている。
【００１１】すなわち、光源からの照射光を、露光用マ
スクの万線パターンの間隙から、常時基材に対して照射
するものである。なお、露光用マスクに入射する照射光
は平行光とすることが望ましい。
スクの万線パターンの間隙から、常時基材に対して照射
するものである。なお、露光用マスクに入射する照射光
は平行光とすることが望ましい。
【００１２】ここで、パターン露光の際に必要とされる
露光照射量は、 100〜 200mJ／cm2である。この範囲
が、現在パターン形成に用いられる感光性レジストの標
準的な感度である。ここで、光源から照射される照度が
基材面において 100mW／cm2 であるとすると、基材に対
して 100〜 200mJ／cm2 の露光量が必要であるから、基
材は 1〜 2秒間の照射時間を必要とする。露光用マスク
の万線の長さを60mmとしたとき、その長さを 1〜 2秒間
で通過するためには、基材の搬送速度を30〜60mm／秒と
すればよいことが分かる。すなわち、分速は 1.8〜 3.6
ｍ／分である。実際には、光源からの照度は 200mW／cm
2 の程度まで倍増することができるから、搬送速度は
3.6〜 7.2ｍ／分とすることができる。これは従来の一
括露光方式に比べて５倍以上の高スループットとなるも
のである。
露光照射量は、 100〜 200mJ／cm2である。この範囲
が、現在パターン形成に用いられる感光性レジストの標
準的な感度である。ここで、光源から照射される照度が
基材面において 100mW／cm2 であるとすると、基材に対
して 100〜 200mJ／cm2 の露光量が必要であるから、基
材は 1〜 2秒間の照射時間を必要とする。露光用マスク
の万線の長さを60mmとしたとき、その長さを 1〜 2秒間
で通過するためには、基材の搬送速度を30〜60mm／秒と
すればよいことが分かる。すなわち、分速は 1.8〜 3.6
ｍ／分である。実際には、光源からの照度は 200mW／cm
2 の程度まで倍増することができるから、搬送速度は
3.6〜 7.2ｍ／分とすることができる。これは従来の一
括露光方式に比べて５倍以上の高スループットとなるも
のである。
【００１３】次いで、パターン露光後は、パターン化の
ため、基材に現像処理を行うものである。例えば、使用
した感光性レジストがネガ型の場合、パターン光が照射
されなかった部位を現像液により溶解除去することでパ
ターン照射領域を残し、ストライプパターンとするもの
である。また、必要に応じ、現像処理後に基材の断裁等
を行うものである。
ため、基材に現像処理を行うものである。例えば、使用
した感光性レジストがネガ型の場合、パターン光が照射
されなかった部位を現像液により溶解除去することでパ
ターン照射領域を残し、ストライプパターンとするもの
である。また、必要に応じ、現像処理後に基材の断裁等
を行うものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態の一
例を模式的に表した図面に基づき、さらに説明を行う。
図２に示すように、例えば42合金の金属フィルムよりな
る基材１は、コイル状に巻かれた送り出しリール２より
長尺帯状に供給されるものであり、基材１の供給速度
は、後述する露光工程で処理可能な最大の一定の速度と
するものである。次いで、コーター3aにより、基材１表
面に剥離層４を均一な厚さにて塗布した後、オーブン6a
により剥離層４を加熱乾燥する。
例を模式的に表した図面に基づき、さらに説明を行う。
図２に示すように、例えば42合金の金属フィルムよりな
る基材１は、コイル状に巻かれた送り出しリール２より
長尺帯状に供給されるものであり、基材１の供給速度
は、後述する露光工程で処理可能な最大の一定の速度と
するものである。次いで、コーター3aにより、基材１表
面に剥離層４を均一な厚さにて塗布した後、オーブン6a
により剥離層４を加熱乾燥する。
【００１５】次いで、コーター3bにより、基材１表面
に、顔料を着色剤として分散混合したネガ型感光性レジ
スト膜５を、均一な厚さにて塗布した後、オーブン6bに
よりレジスト膜５を加熱乾燥する。ここで、感光性レジ
スト膜５は、最終的に得るカラーフィルタ等の必要面積
に応じて、図１に示すように、基材１の所望される区域
に、断続的かつ間欠的に塗布形成するものである。次い
で、基材１は、露光部Ｘへと搬送される。
に、顔料を着色剤として分散混合したネガ型感光性レジ
スト膜５を、均一な厚さにて塗布した後、オーブン6bに
よりレジスト膜５を加熱乾燥する。ここで、感光性レジ
スト膜５は、最終的に得るカラーフィルタ等の必要面積
に応じて、図１に示すように、基材１の所望される区域
に、断続的かつ間欠的に塗布形成するものである。次い
で、基材１は、露光部Ｘへと搬送される。
【００１６】図１は、露光部Ｘの要部を説明する図であ
る。図１に示すように、基材１は、ノンタッチローラー
７′や通常のローラー７により露光部Ｘに搬送されるも
のである。この搬送の際、搬送方向に対して左右方向の
基材１の揺動を、基材１の送り長さ 240mm当たり± 3μ
ｍ程度以下の機械的精度に抑え、かつ、基材１の直線性
を確保しつつ、露光部Ｘへと基材１を搬送するものであ
る。
る。図１に示すように、基材１は、ノンタッチローラー
７′や通常のローラー７により露光部Ｘに搬送されるも
のである。この搬送の際、搬送方向に対して左右方向の
基材１の揺動を、基材１の送り長さ 240mm当たり± 3μ
ｍ程度以下の機械的精度に抑え、かつ、基材１の直線性
を確保しつつ、露光部Ｘへと基材１を搬送するものであ
る。
【００１７】露光部Ｘで基材１は、線幅 300μｍ、ピッ
チ 400μｍの万線パターンが、幅 320mm、長さ64mmの範
囲で形成された露光用マスク８と対向するものである。
なお、万線パターンが、基材１の搬送方向と平行になる
よう露光用マスク８を設けるものであり、露光用マスク
８に形成された万線パターンと基材１を対向させてい
る。また、基材１と露光用マスク８とのギャップを 100
μｍとし、近接露光方法にてパターン露光を行った。な
お、露光用マスク８への照射光は平行光としている。
チ 400μｍの万線パターンが、幅 320mm、長さ64mmの範
囲で形成された露光用マスク８と対向するものである。
なお、万線パターンが、基材１の搬送方向と平行になる
よう露光用マスク８を設けるものであり、露光用マスク
８に形成された万線パターンと基材１を対向させてい
る。また、基材１と露光用マスク８とのギャップを 100
μｍとし、近接露光方法にてパターン露光を行った。な
お、露光用マスク８への照射光は平行光としている。
【００１８】露光部Ｘでは、基材１に絶えずパターン露
光を行っているものであり、基材１も連続的に搬送され
ているものである。なお、本実施例では、光源10から発
せられ、露光用マスク８を介して基材１に照射されるパ
ターン光の照度は 120mW／cm2 であり、基材１を約 3.1
ｍ／分の分速で搬送することにより、基材１への露光照
射量は 150mJ／cm2 という適正値が得られる。この場
合、カラーフィルタ画面の縦幅（基材の長手方向幅）は
約20cmであるから、１時間当たり約 900シートの露光処
理ができる。以上のごとき機構により、露光部Ｘにおい
て基材１上のレジスト膜５に線幅 100μｍ、ピッチ 400
μｍの着色ストライプパターンが露光される。
光を行っているものであり、基材１も連続的に搬送され
ているものである。なお、本実施例では、光源10から発
せられ、露光用マスク８を介して基材１に照射されるパ
ターン光の照度は 120mW／cm2 であり、基材１を約 3.1
ｍ／分の分速で搬送することにより、基材１への露光照
射量は 150mJ／cm2 という適正値が得られる。この場
合、カラーフィルタ画面の縦幅（基材の長手方向幅）は
約20cmであるから、１時間当たり約 900シートの露光処
理ができる。以上のごとき機構により、露光部Ｘにおい
て基材１上のレジスト膜５に線幅 100μｍ、ピッチ 400
μｍの着色ストライプパターンが露光される。
【００１９】こののち、パターン露光されたレジスト膜
５をもつ基材１は、図２に示すように、引き続き現像工
程へと搬送される。すなわち、ノズル11より現像液を基
材１表面より噴霧することによりスプレー現像を行い、
続いて純水スプレー12による水洗工程、エアーナイフ13
による乾燥工程、及びホットプレート14内の移動による
ポストベーク工程を経る。最後に、着色ストライプパタ
ーンが形成された基材１を巻取りリール15に 2Kg／mm2
の張力で巻き付ける。
５をもつ基材１は、図２に示すように、引き続き現像工
程へと搬送される。すなわち、ノズル11より現像液を基
材１表面より噴霧することによりスプレー現像を行い、
続いて純水スプレー12による水洗工程、エアーナイフ13
による乾燥工程、及びホットプレート14内の移動による
ポストベーク工程を経る。最後に、着色ストライプパタ
ーンが形成された基材１を巻取りリール15に 2Kg／mm2
の張力で巻き付ける。
【００２０】以上の工程を、カラーフィルターに必要と
されるストライプパターンの色数分だけ、露光用マスク
８の変更および、位置合わせをして繰り返し行い、基材
１に着色ストライプパターンを形成し、転写方式のカラ
ーフィルターに用いる基材とするものである。
されるストライプパターンの色数分だけ、露光用マスク
８の変更および、位置合わせをして繰り返し行い、基材
１に着色ストライプパターンを形成し、転写方式のカラ
ーフィルターに用いる基材とするものである。
【００２１】なお、本発明の実施の形態は、上述した図
面および説明に限定されるものではなく、本発明の趣旨
に基づき種々の変形を行っても構わないことは言うまで
もない。例えば、露光部Ｘにおける１回目のパターン露
光において、レジスト膜５の搬送方向に対し左右方向の
端部部位を遮光する露光用マスク８を用いパターン露光
を行った後、レジスト膜５の未露光部位にレーザー光照
射等の手段により、位置合わせ用のマーク等をパターン
露光しても構わない。
面および説明に限定されるものではなく、本発明の趣旨
に基づき種々の変形を行っても構わないことは言うまで
もない。例えば、露光部Ｘにおける１回目のパターン露
光において、レジスト膜５の搬送方向に対し左右方向の
端部部位を遮光する露光用マスク８を用いパターン露光
を行った後、レジスト膜５の未露光部位にレーザー光照
射等の手段により、位置合わせ用のマーク等をパターン
露光しても構わない。
【００２２】
【発明の効果】基材を停止させることなく連続して露光
ができるので、カラーフィルタ等のフォトファブリケー
ションにより製造される対象物のスループットが、従来
方法の5〜10倍の 900〜1200シート／時と大幅に向上し
た。
ができるので、カラーフィルタ等のフォトファブリケー
ションにより製造される対象物のスループットが、従来
方法の5〜10倍の 900〜1200シート／時と大幅に向上し
た。
【００２３】
【図１】本発明の露光方法の一実施例の要部を示す説明
図。
図。
【図２】本発明の露光方法の一実施例を示す説明図。
１ 基材 ２ 送り出しリール ３ コーター ４ 剥離層 ５ レジスト膜 ６ オーブン ７ ローラー ８ 露光用マスク 10 光源 11 ノズル 12 純水スプレー 13 エアーナイフ 14 ホットプレート 15 巻取りリール 16 反射鏡
Claims (1)
- 【請求項１】所望の区域に断続的に感光性レジスト膜が
形成され、水平方向に連続的に搬送される長尺帯状の基
材に、該基材の搬送方向と平行に形成された万線状の遮
光パターンを有する露光用マスクを介して、連続照射状
態でパターン露光を行い、所望の露光照射量を充足して
ストライプパターンを形成することを特徴とするパター
ン露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9676896A JPH09281711A (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | パターン露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9676896A JPH09281711A (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | パターン露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09281711A true JPH09281711A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14173824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9676896A Pending JPH09281711A (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | パターン露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09281711A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216663A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 露光装置 |
| WO2007029561A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | V Technology Co., Ltd. | 露光装置 |
| JP2007317788A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | V Technology Co Ltd | 近接露光装置 |
-
1996
- 1996-04-18 JP JP9676896A patent/JPH09281711A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216663A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 露光装置 |
| JP4571870B2 (ja) * | 2005-02-02 | 2010-10-27 | 株式会社ディスコ | 露光装置 |
| WO2007029561A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | V Technology Co., Ltd. | 露光装置 |
| JP2007072371A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | V Technology Co Ltd | 露光装置 |
| JP2007317788A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | V Technology Co Ltd | 近接露光装置 |
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