JPH09278465A - 熱収縮率の小さいガラス基板の製造方法 - Google Patents
熱収縮率の小さいガラス基板の製造方法Info
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- JPH09278465A JPH09278465A JP12090096A JP12090096A JPH09278465A JP H09278465 A JPH09278465 A JP H09278465A JP 12090096 A JP12090096 A JP 12090096A JP 12090096 A JP12090096 A JP 12090096A JP H09278465 A JPH09278465 A JP H09278465A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ｐ−ＳｉＴＦＴ液晶ディスプレイ用として、
デバイス作製時に６００℃以上の熱処理に曝されても熱
収縮が小さく、具体的には、６００℃で１０時間の熱処
理を施しても、熱収縮率が４０ｐｐｍ以下であるガラス
基板を製造する方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 ガラス板を、その歪点以下、歪点−５０
℃以上の温度で１０時間以上保持した後、２℃／分以下
の速度で冷却することを特徴とする。
デバイス作製時に６００℃以上の熱処理に曝されても熱
収縮が小さく、具体的には、６００℃で１０時間の熱処
理を施しても、熱収縮率が４０ｐｐｍ以下であるガラス
基板を製造する方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 ガラス板を、その歪点以下、歪点−５０
℃以上の温度で１０時間以上保持した後、２℃／分以下
の速度で冷却することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱収縮率の小さいガラ
ス基板の製造方法に関し、より具体的には、薄膜トラン
ジスタを形成する際に高温の熱処理が施されるｐ−Ｓｉ
ＴＦＴ（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａ
ｎｓｉｓｔｅｒ）液晶ディスプレイ用ガラス基板として
有用なガラス基板の製造方法に関するものである。
ス基板の製造方法に関し、より具体的には、薄膜トラン
ジスタを形成する際に高温の熱処理が施されるｐ−Ｓｉ
ＴＦＴ（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａ
ｎｓｉｓｔｅｒ）液晶ディスプレイ用ガラス基板として
有用なガラス基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より各種の液晶ディスプレイの基板
材料としてガラスが広く用いられているが、この種のガ
ラス基板は、その上に薄膜電気回路を形成するため、成
膜熱処理、パターニング等の処理が施される。これらの
処理で、ガラス基板は、高温下に曝されることになるた
め、熱収縮率が小さいことが要求される。
材料としてガラスが広く用いられているが、この種のガ
ラス基板は、その上に薄膜電気回路を形成するため、成
膜熱処理、パターニング等の処理が施される。これらの
処理で、ガラス基板は、高温下に曝されることになるた
め、熱収縮率が小さいことが要求される。
【０００３】例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔ
ｉｃ）及びＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅ
ｍａｔｉｃ）モードの液晶ディスプレイの透明導電膜回
路、ａ−ＳｉＴＦＴ（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−Ｓｉ Ｔｈ
ｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ）、ｐ−ＳｉＴ
ＦＴやその他の各種金属膜、絶縁膜等の組み合わせによ
って形成された液晶ディスプレイの薄膜電気回路の製造
工程において、ガラス基板が高温の熱処理（デバイス作
製時の熱処理）を受ける。この時、ガラス基板は、ガラ
スの構造温度に起因する熱収縮特性とデバイス作製時の
熱処理温度、時間等の条件により熱収縮を起こす。
ｉｃ）及びＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅ
ｍａｔｉｃ）モードの液晶ディスプレイの透明導電膜回
路、ａ−ＳｉＴＦＴ（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−Ｓｉ Ｔｈ
ｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ）、ｐ−ＳｉＴ
ＦＴやその他の各種金属膜、絶縁膜等の組み合わせによ
って形成された液晶ディスプレイの薄膜電気回路の製造
工程において、ガラス基板が高温の熱処理（デバイス作
製時の熱処理）を受ける。この時、ガラス基板は、ガラ
スの構造温度に起因する熱収縮特性とデバイス作製時の
熱処理温度、時間等の条件により熱収縮を起こす。
【０００４】この熱収縮が大きいと、ガラス基板上に形
成される回路パターンが、所期の設計からずれてしま
い、電気的な性能を維持できなくなるという致命的な欠
陥となる。
成される回路パターンが、所期の設計からずれてしま
い、電気的な性能を維持できなくなるという致命的な欠
陥となる。
【０００５】近年、液晶ディスプレイには、高精度、高
精細の要求が高まっており、これらの要求を満足する次
世代の液晶ディスプレイとして有望視されているのが、
ｐ−ＳｉＴＦＴ液晶ディスプレイであるが、この液晶デ
ィスプレイを作製する時の熱処理温度は、６００℃以上
の高温であり、しかも回路パターンが微細であるため、
特に熱収縮率の小さいガラス基板が要求されている。
精細の要求が高まっており、これらの要求を満足する次
世代の液晶ディスプレイとして有望視されているのが、
ｐ−ＳｉＴＦＴ液晶ディスプレイであるが、この液晶デ
ィスプレイを作製する時の熱処理温度は、６００℃以上
の高温であり、しかも回路パターンが微細であるため、
特に熱収縮率の小さいガラス基板が要求されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来より熱収縮を起こ
さないガラス基板としては、石英ガラスが存在するが、
石英ガラスから大寸法の基板を製造することは困難であ
り、しかも材料費が非常に高いという問題がある。
さないガラス基板としては、石英ガラスが存在するが、
石英ガラスから大寸法の基板を製造することは困難であ
り、しかも材料費が非常に高いという問題がある。
【０００７】そのため一般には、石英ガラスに比べてか
なり安価で、大型の基板を製造することができる無アル
カリガラスが使用されており、これらのガラス基板を製
造する場合、ガラス板を徐冷点付近の温度で数分〜数十
分間程度保持した後、５℃／分以下の速度で冷却するこ
とによって歪みを除去する、所謂アニールと呼ばれる操
作を行っているが、デバイス作製時に６００℃以上の熱
処理を受けると、大きく熱収縮するという問題がある。
なり安価で、大型の基板を製造することができる無アル
カリガラスが使用されており、これらのガラス基板を製
造する場合、ガラス板を徐冷点付近の温度で数分〜数十
分間程度保持した後、５℃／分以下の速度で冷却するこ
とによって歪みを除去する、所謂アニールと呼ばれる操
作を行っているが、デバイス作製時に６００℃以上の熱
処理を受けると、大きく熱収縮するという問題がある。
【０００８】すなわちｐ−ＳｉＴＦＴ液晶ディスプレイ
では、６００℃、１０時間の熱処理を受けても、ガラス
基板の熱収縮率が４０ｐｐｍ以下、好ましくは２０ｐｐ
ｍ以下であることが要求されているが、このような特性
を満足する量産品は、未だ存在しないのが現状である。
では、６００℃、１０時間の熱処理を受けても、ガラス
基板の熱収縮率が４０ｐｐｍ以下、好ましくは２０ｐｐ
ｍ以下であることが要求されているが、このような特性
を満足する量産品は、未だ存在しないのが現状である。
【０００９】尚、ガラス基板の熱収縮率は、図１（ａ）
に示すようにガラス板１０の所定箇所に直線状のマーキ
ングを入れた後、図１（ｂ）に示すようにこのガラス板
１０をマーキングに対して垂直に折り、２つのガラス板
片１０ａ、１０ｂに分割し、そして一方のガラス板片１
０ａのみに６００℃、１０時間の熱処理を施した後、図
１（ｃ）に示すように熱処理を施したガラス板片１０ａ
と、未処理のガラス板片１０ｂを並べて、接着テープ１
１で両者を固定してから、マーキングのずれを測定し、
下記の数１の式で求めることができる。
に示すようにガラス板１０の所定箇所に直線状のマーキ
ングを入れた後、図１（ｂ）に示すようにこのガラス板
１０をマーキングに対して垂直に折り、２つのガラス板
片１０ａ、１０ｂに分割し、そして一方のガラス板片１
０ａのみに６００℃、１０時間の熱処理を施した後、図
１（ｃ）に示すように熱処理を施したガラス板片１０ａ
と、未処理のガラス板片１０ｂを並べて、接着テープ１
１で両者を固定してから、マーキングのずれを測定し、
下記の数１の式で求めることができる。
【００１０】
【数１】
【００１１】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、ｐ−ＳｉＴＦＴ液晶ディスプレイ用として、デバ
イス作製時に６００℃以上の熱処理に曝されても熱収縮
が小さく、具体的には、６００℃で１０時間の熱処理を
施しても、熱収縮率が４０ｐｐｍ以下であるガラス基板
を製造する方法を提供することを目的とするものであ
る。
あり、ｐ−ＳｉＴＦＴ液晶ディスプレイ用として、デバ
イス作製時に６００℃以上の熱処理に曝されても熱収縮
が小さく、具体的には、６００℃で１０時間の熱処理を
施しても、熱収縮率が４０ｐｐｍ以下であるガラス基板
を製造する方法を提供することを目的とするものであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成すべく種々の実験を繰り返した結果、ガラス板を
徐冷点付近で加熱すると、歪みは除去しやすいが、歪点
以下の温度でも一定時間以上保持することによって、歪
みを除去することができ、しかも熱収縮率を低減するこ
とができるという知見に基づき、本発明を提案するに至
った。
を達成すべく種々の実験を繰り返した結果、ガラス板を
徐冷点付近で加熱すると、歪みは除去しやすいが、歪点
以下の温度でも一定時間以上保持することによって、歪
みを除去することができ、しかも熱収縮率を低減するこ
とができるという知見に基づき、本発明を提案するに至
った。
【００１３】すなわち本発明の熱収縮率の小さいガラス
基板の製造方法は、ガラス板を、その歪点以下、歪点−
５０℃以上の温度で１０時間以上保持した後、２℃／分
以下の速度で冷却することを特徴とする。
基板の製造方法は、ガラス板を、その歪点以下、歪点−
５０℃以上の温度で１０時間以上保持した後、２℃／分
以下の速度で冷却することを特徴とする。
【００１４】
【作用】本発明では、ガラス板を、その歪点以下、歪点
−５０℃以上の温度（好ましくは歪点−１０℃以下、歪
点−３０℃以上の温度）で、１０時間以上（好ましくは
２０時間以上、より好ましくは４０時間以上）保持した
後、２℃／分以下の速度（好ましくは１℃／分以下の速
度、より好ましくは０．１℃／分以下の速度）で冷却す
るが、こうして得られたガラス基板は、歪みが除去さ
れ、しかも６００℃、１０時間の熱処理を施しても、熱
収縮率を４０ｐｐｍ以下に抑えることができる。
−５０℃以上の温度（好ましくは歪点−１０℃以下、歪
点−３０℃以上の温度）で、１０時間以上（好ましくは
２０時間以上、より好ましくは４０時間以上）保持した
後、２℃／分以下の速度（好ましくは１℃／分以下の速
度、より好ましくは０．１℃／分以下の速度）で冷却す
るが、こうして得られたガラス基板は、歪みが除去さ
れ、しかも６００℃、１０時間の熱処理を施しても、熱
収縮率を４０ｐｐｍ以下に抑えることができる。
【００１５】このようにガラス基板の熱収縮率を小さく
するためには、アニール保持温度、アニール保持時間、
冷却速度の各要件が上記の範囲を満足することが要求さ
れ、これらの一つの要件でも欠如すると、上記のような
小さい熱収縮率が得られ難くなる。
するためには、アニール保持温度、アニール保持時間、
冷却速度の各要件が上記の範囲を満足することが要求さ
れ、これらの一つの要件でも欠如すると、上記のような
小さい熱収縮率が得られ難くなる。
【００１６】図２は、歪点が６５０℃のガラス基板の熱
収縮率とアニール保持温度との関係を示すグラフであ
る。複数のガラス板をアニール保持温度を変化させてガ
ラス基板を作製し、これらに対して６００℃、１０時間
の熱処理を施した後の熱収縮率を測定した。尚、アニー
ル保持時間は、５０時間であり、０．１℃／分の速度で
５００℃まで冷却（一次冷却）した後、室温まで急冷し
た。
収縮率とアニール保持温度との関係を示すグラフであ
る。複数のガラス板をアニール保持温度を変化させてガ
ラス基板を作製し、これらに対して６００℃、１０時間
の熱処理を施した後の熱収縮率を測定した。尚、アニー
ル保持時間は、５０時間であり、０．１℃／分の速度で
５００℃まで冷却（一次冷却）した後、室温まで急冷し
た。
【００１７】図２からアニール保持温度が６００℃より
低くなったり、６５０℃より高くなると、ガラス基板の
熱収縮率が４０ｐｐｍ以上となることが理解できる。こ
れは低温では、ガラスの粘性流動が十分に起きないた
め、構造変化が起こりにくく、熱処理後の熱収縮が大き
くなり、一方、高温では、粘性流動は十分に起こるが、
平衡状態以上にガラスの収縮が起きないため、熱処理後
の熱収縮が大きくなるからであると考えられる。
低くなったり、６５０℃より高くなると、ガラス基板の
熱収縮率が４０ｐｐｍ以上となることが理解できる。こ
れは低温では、ガラスの粘性流動が十分に起きないた
め、構造変化が起こりにくく、熱処理後の熱収縮が大き
くなり、一方、高温では、粘性流動は十分に起こるが、
平衡状態以上にガラスの収縮が起きないため、熱処理後
の熱収縮が大きくなるからであると考えられる。
【００１８】図３は、上記のガラス基板の熱収縮率とア
ニール保持時間との関係を示すグラフである。複数のガ
ラス板をアニール保持時間を変化させてガラス基板を作
製し、これらに対して６００℃、１０時間の熱処理を施
した後の熱収縮率を測定した。尚、アニール保持温度
は、６４０℃であり、一次冷却の速度は、０．１℃／分
である。
ニール保持時間との関係を示すグラフである。複数のガ
ラス板をアニール保持時間を変化させてガラス基板を作
製し、これらに対して６００℃、１０時間の熱処理を施
した後の熱収縮率を測定した。尚、アニール保持温度
は、６４０℃であり、一次冷却の速度は、０．１℃／分
である。
【００１９】図３からアニール保持時間が１０時間を越
えると、ガラス基板の熱収縮率が急に小さくなり、６０
時間を越えると、変化が少なくなる、すなわち飽和状態
に達することが理解できる。
えると、ガラス基板の熱収縮率が急に小さくなり、６０
時間を越えると、変化が少なくなる、すなわち飽和状態
に達することが理解できる。
【００２０】図４は、上記のガラス基板の熱収縮率と一
次冷却速度との関係を示すグラフである。複数のガラス
板を一次冷却速度を変化させてガラス基板を作製し、こ
れらに対して６００℃、１０時間の熱処理を施した後の
熱収縮率を測定した。尚、アニール保持温度は、６４０
℃であり、アニール保持時間は５０時間である。
次冷却速度との関係を示すグラフである。複数のガラス
板を一次冷却速度を変化させてガラス基板を作製し、こ
れらに対して６００℃、１０時間の熱処理を施した後の
熱収縮率を測定した。尚、アニール保持温度は、６４０
℃であり、アニール保持時間は５０時間である。
【００２１】図４から一次冷却速度が小さいほど、熱収
縮率が小さくなり、熱収縮率は、冷却速度の対数に対し
てほぼ直線関係にあることが理解できる。
縮率が小さくなり、熱収縮率は、冷却速度の対数に対し
てほぼ直線関係にあることが理解できる。
【００２２】このように本発明における冷却速度は、必
ずしも室温までの冷却速度ではなく、例えば降温途中の
歪点−５０℃〜歪点−１５０℃まで上記の速度で一次冷
却させた後は、より大きな速度で急冷しても差し支えな
い。
ずしも室温までの冷却速度ではなく、例えば降温途中の
歪点−５０℃〜歪点−１５０℃まで上記の速度で一次冷
却させた後は、より大きな速度で急冷しても差し支えな
い。
【００２３】また本発明のガラス基板としては、歪点が
６００℃以上の無アルカリガラスガラスが使用可能であ
る。すなわち歪点が６００℃未満のガラス基板は、６０
０℃以上の高温に曝されると、ガラス中に粘性流動が活
発に起こり、熱収縮が大きくなるため、ｐ−ＳｉＴＦＴ
液晶ディスプレイ用基板としては使用できないからであ
る。歪点が６００℃以上の代表的なガラス基板として
は、日本電気硝子ＯＡ−２、コーニング１７３７、旭硝
子ＡＮ、ホーヤＮＡ３５等が知られている。
６００℃以上の無アルカリガラスガラスが使用可能であ
る。すなわち歪点が６００℃未満のガラス基板は、６０
０℃以上の高温に曝されると、ガラス中に粘性流動が活
発に起こり、熱収縮が大きくなるため、ｐ−ＳｉＴＦＴ
液晶ディスプレイ用基板としては使用できないからであ
る。歪点が６００℃以上の代表的なガラス基板として
は、日本電気硝子ＯＡ−２、コーニング１７３７、旭硝
子ＡＮ、ホーヤＮＡ３５等が知られている。
【００２４】また本発明で用いるアニール炉としては、
温度プログラム制御ができるアニール炉が適当であり、
バッチ炉、連続炉のいずれでも使用可能である。
温度プログラム制御ができるアニール炉が適当であり、
バッチ炉、連続炉のいずれでも使用可能である。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の熱収縮率の小さいガラス基板
の製造方法を実施例に基づいて詳細に説明する。
の製造方法を実施例に基づいて詳細に説明する。
【００２６】表１、２は、ガラス基板の歪点、アニール
保持温度、アニール保持時間、一次冷却速度、熱収縮率
を示すものである。
保持温度、アニール保持時間、一次冷却速度、熱収縮率
を示すものである。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】表１、２のガラス基板は、次のようにして
作製したものである。
作製したものである。
【００３０】まず表中の歪点を有するガラス板（３００
×３００×１．１ｍｍ）を準備した後、反り防止の目的
で、これを平坦面を有するセラミック板の上に載置し
た。次いでこれを電気炉に入れ、表中の条件でアニール
を行った。尚、一次冷却は、歪点−１００℃の温度まで
行い、その後は１０℃／分の速度で室温まで急冷した。
×３００×１．１ｍｍ）を準備した後、反り防止の目的
で、これを平坦面を有するセラミック板の上に載置し
た。次いでこれを電気炉に入れ、表中の条件でアニール
を行った。尚、一次冷却は、歪点−１００℃の温度まで
行い、その後は１０℃／分の速度で室温まで急冷した。
【００３１】こうして得られた各ガラス基板を、電気炉
に入れ、＋１０℃／分の速度で６００℃まで加熱し、こ
の温度で１０時間保持した後、−１０℃／分の速度で冷
却し、その熱収縮率を求めた。
に入れ、＋１０℃／分の速度で６００℃まで加熱し、こ
の温度で１０時間保持した後、−１０℃／分の速度で冷
却し、その熱収縮率を求めた。
【００３２】表から明らかなように、実施例であるＮ
ｏ．１〜１０の各試料の熱収縮率は、１０〜４０ｐｐｍ
と小さい値を示したが、比較例であるＮｏ．１１〜１３
の各試料の熱収縮率は、４５〜７０ｐｐｍと大きかっ
た。
ｏ．１〜１０の各試料の熱収縮率は、１０〜４０ｐｐｍ
と小さい値を示したが、比較例であるＮｏ．１１〜１３
の各試料の熱収縮率は、４５〜７０ｐｐｍと大きかっ
た。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明の方法によると、歪
みがなく、しかも６００℃、１０時間の熱処理を施して
も、熱収縮率が４０ｐｐｍ以下のガラス基板が得られ、
このガラス基板は、ｐ−ＳｉＴＦＴ液晶ディスプレイ用
ガラス基板として使用することが可能である。
みがなく、しかも６００℃、１０時間の熱処理を施して
も、熱収縮率が４０ｐｐｍ以下のガラス基板が得られ、
このガラス基板は、ｐ−ＳｉＴＦＴ液晶ディスプレイ用
ガラス基板として使用することが可能である。
【図１】ガラス基板の熱収縮率の測定方法を示すための
説明図である。
説明図である。
【図２】ガラス基板の熱収縮率とアニール保持温度との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図３】ガラス基板の熱収縮率とアニール保持時間との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図４】ガラス基板の熱収縮率と一次冷却速度との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１０ ガラス板 １０ａ、１０ｂ ガラス板片 １１ 接着テープ
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス板を、その歪点以下、歪点−５０
℃以上の温度で１０時間以上保持した後、２℃／分以下
の速度で冷却することを特徴とする熱収縮率の小さいガ
ラス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12090096A JPH09278465A (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 熱収縮率の小さいガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12090096A JPH09278465A (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 熱収縮率の小さいガラス基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09278465A true JPH09278465A (ja) | 1997-10-28 |
Family
ID=14797785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12090096A Pending JPH09278465A (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 熱収縮率の小さいガラス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09278465A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009093550A1 (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | ガラス基板の製造方法及びガラス基板 |
| JP2010105841A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Asahi Glass Co Ltd | フラットディスプレイパネルの製造方法 |
| US9321671B2 (en) | 2011-07-01 | 2016-04-26 | Avanstrate Inc. | Glass substrate for flat panel display and manufacturing method thereof |
| US9580352B2 (en) | 2011-07-01 | 2017-02-28 | Avanstrate Inc. | Glass substrate for flat panel display and method for manufacturing same |
| JP2017048065A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス基板の熱処理方法およびガラス基板の製造方法 |
| CN110054401A (zh) * | 2019-03-06 | 2019-07-26 | 彩虹显示器件股份有限公司 | 一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法 |
| WO2020209270A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | Ａｇｃ株式会社 | ガラス板及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-04-17 JP JP12090096A patent/JPH09278465A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101465423B1 (ko) * | 2008-01-21 | 2014-11-26 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | 유리기판의 제조방법 및 유리기판 |
| WO2009093550A1 (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | ガラス基板の製造方法及びガラス基板 |
| JP2009196879A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-09-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板の製造方法及びガラス基板 |
| CN103121791A (zh) * | 2008-01-21 | 2013-05-29 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃基板的制造方法以及玻璃基板 |
| JP2013173672A (ja) * | 2008-01-21 | 2013-09-05 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板 |
| TWI427044B (zh) * | 2008-01-21 | 2014-02-21 | Nippon Electric Glass Co | Glass substrate manufacturing method and glass substrate |
| JP2010105841A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Asahi Glass Co Ltd | フラットディスプレイパネルの製造方法 |
| US9321671B2 (en) | 2011-07-01 | 2016-04-26 | Avanstrate Inc. | Glass substrate for flat panel display and manufacturing method thereof |
| US9580352B2 (en) | 2011-07-01 | 2017-02-28 | Avanstrate Inc. | Glass substrate for flat panel display and method for manufacturing same |
| JP2017048065A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス基板の熱処理方法およびガラス基板の製造方法 |
| CN110054401A (zh) * | 2019-03-06 | 2019-07-26 | 彩虹显示器件股份有限公司 | 一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法 |
| WO2020209270A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | Ａｇｃ株式会社 | ガラス板及びその製造方法 |
| CN113677637A (zh) * | 2019-04-12 | 2021-11-19 | Ａｇｃ株式会社 | 玻璃板和其制造方法 |
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