JPH0927811A - 輻輳監視制御装置 - Google Patents
輻輳監視制御装置Info
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- JPH0927811A JPH0927811A JP17716695A JP17716695A JPH0927811A JP H0927811 A JPH0927811 A JP H0927811A JP 17716695 A JP17716695 A JP 17716695A JP 17716695 A JP17716695 A JP 17716695A JP H0927811 A JPH0927811 A JP H0927811A
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- monitoring
- threshold value
- monitoring section
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L12/00—Data switching networks
- H04L12/54—Store-and-forward switching systems
- H04L12/56—Packet switching systems
- H04L12/5601—Transfer mode dependent, e.g. ATM
- H04L12/5602—Bandwidth control in ATM Networks, e.g. leaky bucket
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- H04L49/10—Packet switching elements characterised by the switching fabric construction
- H04L49/104—Asynchronous transfer mode [ATM] switching fabrics
- H04L49/105—ATM switching elements
- H04L49/108—ATM switching elements using shared central buffer
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- H04L12/56—Packet switching systems
- H04L12/5601—Transfer mode dependent, e.g. ATM
- H04L2012/5629—Admission control
- H04L2012/5631—Resource management and allocation
- H04L2012/5636—Monitoring or policing, e.g. compliance with allocated rate, corrective actions
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- H04L12/54—Store-and-forward switching systems
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- H04L2012/5678—Traffic aspects, e.g. arbitration, load balancing, smoothing, buffer management
- H04L2012/5681—Buffer or queue management
- H04L2012/5682—Threshold; Watermark
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明はＡＴＭスイッチにおける輻輳状態を監
視する輻輳監視制御装置に関し、かかる輻輳の発生を安
定的に的確に判断して輻輳制御を行えるようにすること
を目的とする。 【解決手段】ＡＴＭスイッチのセル蓄積用バッファの蓄
積セル量を出ハイウェイ単位に監視してその出ハイウェ
イの輻輳状態を監視する輻輳監視制御装置であって、所
定の監視区間内における複数の時点で蓄積セル量が所定
の第１閾値を上回るか否か判定し、該監視区間において
該第１閾値を上回った回数を所定の第２閾値と比較して
その比較結果に基づいて該当する出ハイウェイの輻輳状
態を判定する。
視する輻輳監視制御装置に関し、かかる輻輳の発生を安
定的に的確に判断して輻輳制御を行えるようにすること
を目的とする。 【解決手段】ＡＴＭスイッチのセル蓄積用バッファの蓄
積セル量を出ハイウェイ単位に監視してその出ハイウェ
イの輻輳状態を監視する輻輳監視制御装置であって、所
定の監視区間内における複数の時点で蓄積セル量が所定
の第１閾値を上回るか否か判定し、該監視区間において
該第１閾値を上回った回数を所定の第２閾値と比較して
その比較結果に基づいて該当する出ハイウェイの輻輳状
態を判定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＡＴＭ（Asynchrono
us Transfer Mode：非同期転送モード）スイッチにおけ
る輻輳状態を監視する輻輳監視制御装置に関するもので
ある。
us Transfer Mode：非同期転送モード）スイッチにおけ
る輻輳状態を監視する輻輳監視制御装置に関するもので
ある。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】図４にはＡＴＭスイッ
チの一例として、共通バッファを用いたＡＴＭスイッチ
の構成が示される。図中、ＩＨＷ０〜ＩＨＷ３はそれぞ
れ入ハイウェイ、ＯＨＷ０〜３はそれぞれ出ハイウェ
イ、４は入ハイウェイＩＨＷ０〜ＩＨＷ３から入力され
たセル（ＡＴＭセル）を出ハイウェイＯＨＷ０〜ＯＨＷ
３にスイッチするための共通バッファ、３は各入ハイウ
ェイＩＨＷ０〜ＩＨＷ３から入力されたセルのヘッダ情
報を取り出すヘッダドロッパ、１はヘッダドロッパ３で
取り出したヘッダ情報に基づいて入力セルを共通バッフ
ァ４の所要のアドレスに書き込む制御を行う書込み制御
回路、２は共通バッファ４に書き込まれたセルを宛先の
出ハイウェイに読み出す制御を行う読出し制御回路であ
る。読出し制御回路２は各出ハイウェイに対応した複数
のＦＩＦＯ（First In First Out)メモリとセレクタＳ
Ｅｌを有し、各ＦＩＦＯメモリには書込み制御回路１か
らの書込みアドレスＷＡが出ハイウェイ対応に書き込ま
れる。セレタクＳＥＬは所要のタイミングで各ＦＩＦＯ
メモリの書込みアドレスＷＡを読み出して読出しアドレ
スＲＡとして共通バッファ４に供給する。
チの一例として、共通バッファを用いたＡＴＭスイッチ
の構成が示される。図中、ＩＨＷ０〜ＩＨＷ３はそれぞ
れ入ハイウェイ、ＯＨＷ０〜３はそれぞれ出ハイウェ
イ、４は入ハイウェイＩＨＷ０〜ＩＨＷ３から入力され
たセル（ＡＴＭセル）を出ハイウェイＯＨＷ０〜ＯＨＷ
３にスイッチするための共通バッファ、３は各入ハイウ
ェイＩＨＷ０〜ＩＨＷ３から入力されたセルのヘッダ情
報を取り出すヘッダドロッパ、１はヘッダドロッパ３で
取り出したヘッダ情報に基づいて入力セルを共通バッフ
ァ４の所要のアドレスに書き込む制御を行う書込み制御
回路、２は共通バッファ４に書き込まれたセルを宛先の
出ハイウェイに読み出す制御を行う読出し制御回路であ
る。読出し制御回路２は各出ハイウェイに対応した複数
のＦＩＦＯ（First In First Out)メモリとセレクタＳ
Ｅｌを有し、各ＦＩＦＯメモリには書込み制御回路１か
らの書込みアドレスＷＡが出ハイウェイ対応に書き込ま
れる。セレタクＳＥＬは所要のタイミングで各ＦＩＦＯ
メモリの書込みアドレスＷＡを読み出して読出しアドレ
スＲＡとして共通バッファ４に供給する。
【０００３】ＡＴＭスイッチにおいては、上記のような
共通バッファ４を用いてスイッチング等を行う場合、入
力されるトラヒックの形態により、共通バッファ４内
に、予測した以上の量のセルが流入して輻輳を引き起こ
すことがある。このような輻輳は複数の入ハイウェイか
ら一本の出ハイウェイに向かってパスが張られた場合に
発生する可能性が高い。
共通バッファ４を用いてスイッチング等を行う場合、入
力されるトラヒックの形態により、共通バッファ４内
に、予測した以上の量のセルが流入して輻輳を引き起こ
すことがある。このような輻輳は複数の入ハイウェイか
ら一本の出ハイウェイに向かってパスが張られた場合に
発生する可能性が高い。
【０００４】輻輳が発生した場合、輻輳の原因となった
大量のセルを送信したパスの加入者だけでなくそれ以外
の加入者の呼に対してもセル損失等の影響を与えること
になるので、かかる輻輳の発生に対してそれを解消させ
るようトラフィック制御を行うことが必要であり、この
ため輻輳の管理が必要である。この管理は各出ハイウェ
イ単位にその出ハイウェイにどれだけの流量があるかを
把握することにより行える。出ハイウェイの流量は共通
バッファ４内に蓄積されている当該出ハイウェイに向か
うセル量を監視することにより監視できる。この共通バ
ッファ４内のセル量の監視の方法としては、セル量に対
して閾値を設定してそれを実際に蓄積されているセル量
と比較する方法が提案され、セル量がこの閾値を超えた
ら輻輳発生と判断して輻輳制御を起動する。
大量のセルを送信したパスの加入者だけでなくそれ以外
の加入者の呼に対してもセル損失等の影響を与えること
になるので、かかる輻輳の発生に対してそれを解消させ
るようトラフィック制御を行うことが必要であり、この
ため輻輳の管理が必要である。この管理は各出ハイウェ
イ単位にその出ハイウェイにどれだけの流量があるかを
把握することにより行える。出ハイウェイの流量は共通
バッファ４内に蓄積されている当該出ハイウェイに向か
うセル量を監視することにより監視できる。この共通バ
ッファ４内のセル量の監視の方法としては、セル量に対
して閾値を設定してそれを実際に蓄積されているセル量
と比較する方法が提案され、セル量がこの閾値を超えた
ら輻輳発生と判断して輻輳制御を起動する。
【０００５】輻輳制御は、エンド・ツー・エンドの受信
端末に対して、通信している呼のセルが輻輳状態のバッ
ファ内を通過したことを通知し、この受信端末から発信
端末に対して輻輳発生を通知することによって発信端末
側の発信セル量（帯域）を下げることにより行う。この
輻輳バッファ通過の通知はＡＴＭセルのヘッダ内のＥＦ
ＣＩ（Explicit Forward Congestion Indicate) ビット
により行う。
端末に対して、通信している呼のセルが輻輳状態のバッ
ファ内を通過したことを通知し、この受信端末から発信
端末に対して輻輳発生を通知することによって発信端末
側の発信セル量（帯域）を下げることにより行う。この
輻輳バッファ通過の通知はＡＴＭセルのヘッダ内のＥＦ
ＣＩ（Explicit Forward Congestion Indicate) ビット
により行う。
【０００６】しかしながら、共通バッファ４内のセル量
の監視方法として上述の方法を用いる場合、セル量が閾
値に接近しているような場合には、閾値を超えたりそれ
以下になったりすることが頻繁に発生してその度に輻輳
制御を起動することになる。
の監視方法として上述の方法を用いる場合、セル量が閾
値に接近しているような場合には、閾値を超えたりそれ
以下になったりすることが頻繁に発生してその度に輻輳
制御を起動することになる。
【０００７】そこで、本発明はかかる輻輳の発生を安定
的に的確に判断して輻輳制御を行える輻輳監視制御装置
を提供することを目的とする。
的に的確に判断して輻輳制御を行える輻輳監視制御装置
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明においては、ＡＴＭスイッチのセル蓄積用
バッファの蓄積セル量を出ハイウェイ単位に監視してそ
の出ハイウェイの輻輳状態を監視する輻輳監視制御装置
であって、所定の監視区間内における複数の時点で蓄積
セル量が所定の第１閾値を上回るか否か判定し、該監視
区間において該第１閾値を上回った回数を所定の第２閾
値と比較してその比較結果に基づいて該当する出ハイウ
ェイの輻輳状態を判定する輻輳監視制御装置が提供され
る。
めに、本発明においては、ＡＴＭスイッチのセル蓄積用
バッファの蓄積セル量を出ハイウェイ単位に監視してそ
の出ハイウェイの輻輳状態を監視する輻輳監視制御装置
であって、所定の監視区間内における複数の時点で蓄積
セル量が所定の第１閾値を上回るか否か判定し、該監視
区間において該第１閾値を上回った回数を所定の第２閾
値と比較してその比較結果に基づいて該当する出ハイウ
ェイの輻輳状態を判定する輻輳監視制御装置が提供され
る。
【０００９】この輻輳監視制御装置では、バッファ内の
輻輳を単に一時刻のセル量だけでは判定せず、輻輳状態
になりつつあると考えられるセル量を第１閾値で判定
し、そのセル量の蓄積がある監視区間において第２閾値
で示されるある回数以上にわたり起こった場合に輻輳と
判断する。
輻輳を単に一時刻のセル量だけでは判定せず、輻輳状態
になりつつあると考えられるセル量を第１閾値で判定
し、そのセル量の蓄積がある監視区間において第２閾値
で示されるある回数以上にわたり起こった場合に輻輳と
判断する。
【００１０】また本発明においては、上述の輻輳監視制
御装置において、上記該当する出ハイウェイが輻輳と判
定された場合に、当該は判定された監視区間の後の監視
区間内において、該後の監視区間内における複数の時点
で蓄積セル量が所定の第３閾値を下回るか否か判定し、
該後の監視区間において該第３閾値を下回った回数を所
定の第４閾値と比較してその比較結果に基づいて該当す
る出ハイウェイの輻輳解除を判定する請求項１記載の輻
輳制御装置が提供される。
御装置において、上記該当する出ハイウェイが輻輳と判
定された場合に、当該は判定された監視区間の後の監視
区間内において、該後の監視区間内における複数の時点
で蓄積セル量が所定の第３閾値を下回るか否か判定し、
該後の監視区間において該第３閾値を下回った回数を所
定の第４閾値と比較してその比較結果に基づいて該当す
る出ハイウェイの輻輳解除を判定する請求項１記載の輻
輳制御装置が提供される。
【００１１】この第３閾値は上記第１閾値よりも小さく
しておくことにより、輻輳発生の判定と輻輳解除の判定
のセル量にいわゆるヒステリシス特性を持たせることが
でき、これにより発生した輻輳が充分に解消された後に
その輻輳解除を判定することができる。また第４閾値と
の比較処理を設けることにより、判定を安定なものにす
ることができる。
しておくことにより、輻輳発生の判定と輻輳解除の判定
のセル量にいわゆるヒステリシス特性を持たせることが
でき、これにより発生した輻輳が充分に解消された後に
その輻輳解除を判定することができる。また第４閾値と
の比較処理を設けることにより、判定を安定なものにす
ることができる。
【００１２】上記後の監視区間は発生した輻輳に対して
トラヒック制御を行う時間が経過した後に行うようにす
るとよい。
トラヒック制御を行う時間が経過した後に行うようにす
るとよい。
【００１３】また本発明においては、他の形態として、
ＡＴＭスイッチのセル蓄積用バッファの蓄積セル量を出
ハイウェイ単位にカウントするセル量カウンタと、出ハ
イウェイ単位に監視区間内における複数の時点で該セル
量カウンタのカウント値が所定の第１閾値を上回るか否
か判定してこの監視区間において該第１閾値を上回った
回数をカウントする第１のカウンタと、出ハイウェイ単
位に該第１のカウンタのカウント値をその監視区間の終
わりに所定の第２閾値と比較してその比較結果に基づい
て該当する出ハイウェイの輻輳状態を判定する輻輳発生
判定回路と、出ハイウェイ単位に監視区間内における複
数の時点で蓄積セル量が所定の第３閾値を下回るか否か
判定してこの監視区間において該第３の閾値を下回った
回数をカウントする第２のカウンタと、出ハイウェイ単
位に該第２のカウンタのカウント値をその監視区間の終
わりに所定の第４閾値と比較してその比較結果に基づい
て該当する出ハイウェイの輻輳解除を判定する輻輳解除
判定回路とを備えた輻輳監視制御装置が提供される。
ＡＴＭスイッチのセル蓄積用バッファの蓄積セル量を出
ハイウェイ単位にカウントするセル量カウンタと、出ハ
イウェイ単位に監視区間内における複数の時点で該セル
量カウンタのカウント値が所定の第１閾値を上回るか否
か判定してこの監視区間において該第１閾値を上回った
回数をカウントする第１のカウンタと、出ハイウェイ単
位に該第１のカウンタのカウント値をその監視区間の終
わりに所定の第２閾値と比較してその比較結果に基づい
て該当する出ハイウェイの輻輳状態を判定する輻輳発生
判定回路と、出ハイウェイ単位に監視区間内における複
数の時点で蓄積セル量が所定の第３閾値を下回るか否か
判定してこの監視区間において該第３の閾値を下回った
回数をカウントする第２のカウンタと、出ハイウェイ単
位に該第２のカウンタのカウント値をその監視区間の終
わりに所定の第４閾値と比較してその比較結果に基づい
て該当する出ハイウェイの輻輳解除を判定する輻輳解除
判定回路とを備えた輻輳監視制御装置が提供される。
【００１４】この輻輳監視制御回路は、ハードウェアに
より構成して自律的に制御を行うことができるため、フ
ァームウェアあるいはソフトウェアによるトラフィック
量のモニタを基にした演算処理を用いることなく制御を
行える。
より構成して自律的に制御を行うことができるため、フ
ァームウェアあるいはソフトウェアによるトラフィック
量のモニタを基にした演算処理を用いることなく制御を
行える。
【００１５】上記に述べた輻輳監視制御回路は、蓄積セ
ル量を出ハイウェイ単位に監視することに代えてサービ
ス・クラス単位に監視してそのサービス・クラスの輻輳
状態を判定するようにしてもよい。あるいはセル蓄積量
の監視を各出ハイウェイにおいてさらにサービス・クラ
ス単位に監視して出ハイウェイ単位および各出ハイウェ
イのサービス・クラス単位に輻輳状態を判定するように
してもよい。
ル量を出ハイウェイ単位に監視することに代えてサービ
ス・クラス単位に監視してそのサービス・クラスの輻輳
状態を判定するようにしてもよい。あるいはセル蓄積量
の監視を各出ハイウェイにおいてさらにサービス・クラ
ス単位に監視して出ハイウェイ単位および各出ハイウェ
イのサービス・クラス単位に輻輳状態を判定するように
してもよい。
【００１６】
【実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施例を
説明する。以下に述べる実施例は図４に示した共通バッ
ファを用いたＡＴＭスイッチに本発明を適用した場合の
ものであり、書込み制御回路１内に設けられた輻輳監視
制御回路において以下に述べる輻輳制御が行われる。
説明する。以下に述べる実施例は図４に示した共通バッ
ファを用いたＡＴＭスイッチに本発明を適用した場合の
ものであり、書込み制御回路１内に設けられた輻輳監視
制御回路において以下に述べる輻輳制御が行われる。
【００１７】図１には本発明による輻輳制御の概念が示
される。本発明では共通バッファ４内における輻輳の有
無は単に一時刻のセル量だけでは判定しない。つまり輻
輳状態となりつつあるだけのセル量がある時間にわたり
溜まり続けていないと輻輳とは判定しないことにする。
よって本実施例では、共通バッファ４内のセル量の監視
は、特定の監視区間Ｔ内にその区間よりも充分小さいサ
ンプリング周期で複数回ｎにわたり蓄積セル量を監視
し、蓄積セル量が所定の閾値ＴＨONを超えたサンプリン
グ回数により判断するものとする。このサンプリング周
期は共通バッファ４に対するセルの書込みタイミングと
し、書込みフレーム（サンプリング周期毎に発生）が来
る度に共通バッファ４内の蓄積セル量を各出ハイウェイ
単位に監視する。
される。本発明では共通バッファ４内における輻輳の有
無は単に一時刻のセル量だけでは判定しない。つまり輻
輳状態となりつつあるだけのセル量がある時間にわたり
溜まり続けていないと輻輳とは判定しないことにする。
よって本実施例では、共通バッファ４内のセル量の監視
は、特定の監視区間Ｔ内にその区間よりも充分小さいサ
ンプリング周期で複数回ｎにわたり蓄積セル量を監視
し、蓄積セル量が所定の閾値ＴＨONを超えたサンプリン
グ回数により判断するものとする。このサンプリング周
期は共通バッファ４に対するセルの書込みタイミングと
し、書込みフレーム（サンプリング周期毎に発生）が来
る度に共通バッファ４内の蓄積セル量を各出ハイウェイ
単位に監視する。
【００１８】本実施例においては、輻輳制御に対して以
下のパラメータが設定される。 ＴＨON ：ＥＦＣＩ設定判定用の各サンプリング周
期での閾値。 ＴＨOF ：ＥＦＣＩ解除判定用の各サンプリング周
期での閾値。 Ｔ0 ：サンプリング周期（本実施例ではセル書込
みフレーム周期）。 Ｔ＝Ｔ0 ×ｎ ：特定の監視区間（ｎの値により決
まる）。 Ｔw ＝Ｔ×Ｎ ：ＥＦＣＩ設定後の待ち時間（Ｎの
値により決まる）。 ＴＨE ：監視区間Ｔの間に閾値ＴＨONを超えた回
数の閾値（ＥＦＣＩ設定閾値）。 ＴＨD ：監視区間Ｔの間に閾値ＴＨOFを超えた回
数の閾値（ＥＦＣＩ解除閾値）。 なお図１の例では、設定閾値ＴＨE ＝３、解除閾値ＴＨ
D ＝３で示してある。
下のパラメータが設定される。 ＴＨON ：ＥＦＣＩ設定判定用の各サンプリング周
期での閾値。 ＴＨOF ：ＥＦＣＩ解除判定用の各サンプリング周
期での閾値。 Ｔ0 ：サンプリング周期（本実施例ではセル書込
みフレーム周期）。 Ｔ＝Ｔ0 ×ｎ ：特定の監視区間（ｎの値により決
まる）。 Ｔw ＝Ｔ×Ｎ ：ＥＦＣＩ設定後の待ち時間（Ｎの
値により決まる）。 ＴＨE ：監視区間Ｔの間に閾値ＴＨONを超えた回
数の閾値（ＥＦＣＩ設定閾値）。 ＴＨD ：監視区間Ｔの間に閾値ＴＨOFを超えた回
数の閾値（ＥＦＣＩ解除閾値）。 なお図１の例では、設定閾値ＴＨE ＝３、解除閾値ＴＨ
D ＝３で示してある。
【００１９】輻輳監視制御回路では、各出ハイウェイＯ
ＨＷ０〜ＯＨＷ３についてそれぞれ、サンプリング周期
（１セル時間）Ｔ0 毎に、共通バッファ４内の当該出ハ
イウェイへ向かうセル量Ｑを監視し、このセル量Ｑを閾
値ＴＨONと比較する。比較の結果、セル量Ｑが閾値ＴＨ
ONを超えた回数をカウントしていく。これを一つの監視
区間Ｔ内にｎ回行う。
ＨＷ０〜ＯＨＷ３についてそれぞれ、サンプリング周期
（１セル時間）Ｔ0 毎に、共通バッファ４内の当該出ハ
イウェイへ向かうセル量Ｑを監視し、このセル量Ｑを閾
値ＴＨONと比較する。比較の結果、セル量Ｑが閾値ＴＨ
ONを超えた回数をカウントしていく。これを一つの監視
区間Ｔ内にｎ回行う。
【００２０】図１の例では、〇印がセル量Ｑが閾値ＴＨ
ONを上回るのサンプリング周期、×印がセル量Ｑが閾値
閾値ＴＨON以下のサンプリング周期を示しており、監視
区間Ｔ内における閾値ＴＨONを上回るサンプリング周期
（〇印）の回数は「３」であるから、ＥＦＣＩ設定閾値
ＴＨE （＝３）以上となっている。
ONを上回るのサンプリング周期、×印がセル量Ｑが閾値
閾値ＴＨON以下のサンプリング周期を示しており、監視
区間Ｔ内における閾値ＴＨONを上回るサンプリング周期
（〇印）の回数は「３」であるから、ＥＦＣＩ設定閾値
ＴＨE （＝３）以上となっている。
【００２１】このように１監視区間内にセル量が閾値Ｔ
ＨONを超えた回数のカウント値が閾値ＴＨE を超えてい
れば、該当する出ハイウェイは輻輳していると判断し、
当該監視区間以降の当該出ハイウェイへのセルに対し
て、そのヘッダにＥＦＣＩビットの設定を行う。
ＨONを超えた回数のカウント値が閾値ＴＨE を超えてい
れば、該当する出ハイウェイは輻輳していると判断し、
当該監視区間以降の当該出ハイウェイへのセルに対し
て、そのヘッダにＥＦＣＩビットの設定を行う。
【００２２】このＥＦＣＩビットが設定されると、発信
端末・着信端末間でエンド・ツー・エンドに輻輳の発生
を通知でき、これにより発信端末は発信セル量を低減す
るように帯域制御を行って輻輳状態が解除されるように
する。輻輳監視制御回路は、一度ＥＦＣＩビットの設定
を行うと、発信端末側が帯域制御を行うまでの時間Ｔ w
にわたり待機する。この待機時間Ｔw はＴw ＝Ｔ×Ｎに
て設定される。
端末・着信端末間でエンド・ツー・エンドに輻輳の発生
を通知でき、これにより発信端末は発信セル量を低減す
るように帯域制御を行って輻輳状態が解除されるように
する。輻輳監視制御回路は、一度ＥＦＣＩビットの設定
を行うと、発信端末側が帯域制御を行うまでの時間Ｔ w
にわたり待機する。この待機時間Ｔw はＴw ＝Ｔ×Ｎに
て設定される。
【００２３】このように待機時間Ｔw にわたり待機を行
った後、共通バッファ４内のセル量Ｑの監視を再開する
が、この時には蓄積セル量Ｑを閾値ＴＨOFと比較し、閾
値ＴＨOFを下回った回数をカウントする。図１の例で
は、◎印がセル量Ｑが閾値ＴＨ OFを下回るサンプリング
周期、×印がセル量Ｑが閾値ＴＨON以上のサンプリング
周期を示している。
った後、共通バッファ４内のセル量Ｑの監視を再開する
が、この時には蓄積セル量Ｑを閾値ＴＨOFと比較し、閾
値ＴＨOFを下回った回数をカウントする。図１の例で
は、◎印がセル量Ｑが閾値ＴＨ OFを下回るサンプリング
周期、×印がセル量Ｑが閾値ＴＨON以上のサンプリング
周期を示している。
【００２４】再開された監視区間において、サンプリン
グ周期をｎ回行ったときに、セル量Ｑが閾値ＴＨOFを下
回るサンプリング周期（◎印）のカウント値がＥＦＣＩ
解除閾値ＴＨD を超えていたならば、次の監視区間Ｔか
らはセル・ヘッダ中のＥＦＣＩビットの設定を解除す
る。図１の例では、監視区間Ｔ内における閾値ＴＨOFを
下回るのサンプリング周期の回数は「４」であるから、
ＥＦＣＩ設定閾値ＴＨE（＝３）以上となるので、ＥＦ
ＣＩビットの解除が行われている。
グ周期をｎ回行ったときに、セル量Ｑが閾値ＴＨOFを下
回るサンプリング周期（◎印）のカウント値がＥＦＣＩ
解除閾値ＴＨD を超えていたならば、次の監視区間Ｔか
らはセル・ヘッダ中のＥＦＣＩビットの設定を解除す
る。図１の例では、監視区間Ｔ内における閾値ＴＨOFを
下回るのサンプリング周期の回数は「４」であるから、
ＥＦＣＩ設定閾値ＴＨE（＝３）以上となるので、ＥＦ
ＣＩビットの解除が行われている。
【００２５】一方、セル量Ｑが閾値ＴＨOFを下回るサン
プリング周期（◎印）のカウント値がＥＦＣＩ解除閾値
ＴＨD を超えていなかった場合には、次の監視区間Ｔで
も同様の処理を行い、ＥＦＣＩビットを解除するまで同
じ処理を続ける。ＥＦＣＩビットを解除した後には、セ
ル量Ｑと輻輳発生判定のための閾値ＴＨONとの比較を再
開する。
プリング周期（◎印）のカウント値がＥＦＣＩ解除閾値
ＴＨD を超えていなかった場合には、次の監視区間Ｔで
も同様の処理を行い、ＥＦＣＩビットを解除するまで同
じ処理を続ける。ＥＦＣＩビットを解除した後には、セ
ル量Ｑと輻輳発生判定のための閾値ＴＨONとの比較を再
開する。
【００２６】図２には輻輳監視制御回路の詳細な構成例
が示される。この輻輳監視制御回路は出ハイウェイＯＨ
Ｗ０〜ＯＨＷ３毎にそれぞれ設けられるものであるが、
図２では図面を見やすくために出ハイウェイＯＨＷ０に
ついてのものだけが示されている。
が示される。この輻輳監視制御回路は出ハイウェイＯＨ
Ｗ０〜ＯＨＷ３毎にそれぞれ設けられるものであるが、
図２では図面を見やすくために出ハイウェイＯＨＷ０に
ついてのものだけが示されている。
【００２７】１０は書込み制御回路１側において用いて
る書込みアドレス用のＦＩＦＯメモリであり、このＦＩ
ＦＯメモリ１０には共通バッファ４において出ハイウェ
イＯＨＷ０向けに用いる複数の書込みアドレスのうち未
使用の書込みアドレスが蓄積される。このＦＩＦＯメモ
リ１０には読出し制御回路２から出ハイウェイＯＨＷ０
向けの読出しアドレスＲＡが入力されており、共通バッ
ファ４からの読出しが終了した読出しアドレスＲＡは未
使用の書込みアドレスＷＡとしてＦＩＦＯメモリ１０に
再び蓄積される。
る書込みアドレス用のＦＩＦＯメモリであり、このＦＩ
ＦＯメモリ１０には共通バッファ４において出ハイウェ
イＯＨＷ０向けに用いる複数の書込みアドレスのうち未
使用の書込みアドレスが蓄積される。このＦＩＦＯメモ
リ１０には読出し制御回路２から出ハイウェイＯＨＷ０
向けの読出しアドレスＲＡが入力されており、共通バッ
ファ４からの読出しが終了した読出しアドレスＲＡは未
使用の書込みアドレスＷＡとしてＦＩＦＯメモリ１０に
再び蓄積される。
【００２８】１１は共通バッファ４内に蓄積されている
出ハイウェイＯＨＷ０へのセル量Ｑ 0 をカウントするた
めのカウンタであり、１セル入力毎に発行される書込み
フレームパルスＷＦ、ヘッダドロッパ３で取り出された
ヘッダ情報ＨＤ、読出し制御回路２からの出ハイウェイ
ＯＨＷ０向けの読出しアドレスＲＡ、ＦＩＦＯメモリ１
０からの書込みアドレスＷＡがそれぞれ入力される。こ
のカウンタ１１は入力されたヘッダ情報ＨＤに基づいて
入力された書込みフレームパルスＷＰが出ハイウェイＯ
ＨＷ０向けのセルのものであると判定した時には、カウ
ント値を一つインクリメントし、読出し制御回路２から
出ハイウェイＯＨＷ０向けの読出しアドレスＲＡを受信
した時には当該カウント値を一つデクリメントする。こ
のカウント値は出ハイウェイＯＨＷ０のキューイング長
として保持される。なおＦＩＦＯメモリ１０から入力さ
れる書込みアドレスＷＡはカウント値をインクリメント
する際の確認用に用いられる。
出ハイウェイＯＨＷ０へのセル量Ｑ 0 をカウントするた
めのカウンタであり、１セル入力毎に発行される書込み
フレームパルスＷＦ、ヘッダドロッパ３で取り出された
ヘッダ情報ＨＤ、読出し制御回路２からの出ハイウェイ
ＯＨＷ０向けの読出しアドレスＲＡ、ＦＩＦＯメモリ１
０からの書込みアドレスＷＡがそれぞれ入力される。こ
のカウンタ１１は入力されたヘッダ情報ＨＤに基づいて
入力された書込みフレームパルスＷＰが出ハイウェイＯ
ＨＷ０向けのセルのものであると判定した時には、カウ
ント値を一つインクリメントし、読出し制御回路２から
出ハイウェイＯＨＷ０向けの読出しアドレスＲＡを受信
した時には当該カウント値を一つデクリメントする。こ
のカウント値は出ハイウェイＯＨＷ０のキューイング長
として保持される。なおＦＩＦＯメモリ１０から入力さ
れる書込みアドレスＷＡはカウント値をインクリメント
する際の確認用に用いられる。
【００２９】１８、１９、２１、２２は閾値保持回路で
あり、それぞれ出ハイウェイＯＨＷ０用の閾値ＴＨON、
ＴＨOF、ＴＨE 、ＴＨD を保持する。これらの閾値はプ
ロセッサ・インタフェース２５を介してプロセッサ側か
ら伝送される。
あり、それぞれ出ハイウェイＯＨＷ０用の閾値ＴＨON、
ＴＨOF、ＴＨE 、ＴＨD を保持する。これらの閾値はプ
ロセッサ・インタフェース２５を介してプロセッサ側か
ら伝送される。
【００３０】２１はタイミング発生器であり、前述した
パラメータのうちの監視区間Ｔ（＝Ｔ0 ×ｎ）を設定す
るための値ｎ、待ち時間Ｔw （＝Ｔ×Ｎ）を設定するた
めの値Ｎをプロセッサ側からインタフェース２５を介し
て設定されるとともに、書込みフレームパルスＷＦ、出
ハイウェイＯＨＷ０のＥＦＣＩ設定指示信号とＥＦＣＩ
解除指示信号が入力されており、これらの信号に基づい
て輻輳監視制御回路内の各種回路に対するタイミング信
号を生成する。
パラメータのうちの監視区間Ｔ（＝Ｔ0 ×ｎ）を設定す
るための値ｎ、待ち時間Ｔw （＝Ｔ×Ｎ）を設定するた
めの値Ｎをプロセッサ側からインタフェース２５を介し
て設定されるとともに、書込みフレームパルスＷＦ、出
ハイウェイＯＨＷ０のＥＦＣＩ設定指示信号とＥＦＣＩ
解除指示信号が入力されており、これらの信号に基づい
て輻輳監視制御回路内の各種回路に対するタイミング信
号を生成する。
【００３１】１２、１３は比較器であり、カウンタ１１
からのカウント値Ｑ0 が入力されるとともに、閾値保持
回路１８、１９から比較入力として閾値ＴＨON、ＴＨOF
が入力される。この比較器１２は輻輳の発生判定のため
にカウント値Ｑ0 を閾値ＴＨ ONと比較するもの、比較器
１３は発生しり輻輳の解除判定のためにカウント値Ｑ 0
を閾値ＴＨOFと比較するものである。
からのカウント値Ｑ0 が入力されるとともに、閾値保持
回路１８、１９から比較入力として閾値ＴＨON、ＴＨOF
が入力される。この比較器１２は輻輳の発生判定のため
にカウント値Ｑ0 を閾値ＴＨ ONと比較するもの、比較器
１３は発生しり輻輳の解除判定のためにカウント値Ｑ 0
を閾値ＴＨOFと比較するものである。
【００３２】１４、１５はフリップフロップであり、比
較器１２、１３の比較結果をそれぞれサンプリング周期
（Ｔ0 ）毎に取り込んで出力する回路である。また、１
６、１７はフリップフロップ１４、１５の出力をそれぞ
れカウントするカウンタである。カウンタ１６は輻輳の
発生判定のために１監視区間Ｔ内において各サンプリン
グ周期でのカウント値Ｑ0 が閾値ＴＨONを上回る回数を
カウントし、カウンタ１７は発生した輻輳の解除判定の
ために１監視区間Ｔ内において各サンプリング周期での
カウント値Ｑ0 が閾値ＴＨOFを下回る回数をカウントす
る。これらのカウント値は監視区間Ｔの終了時点にタイ
ミング発生器２０で発生されるタイミング信号によりリ
セットされる。
較器１２、１３の比較結果をそれぞれサンプリング周期
（Ｔ0 ）毎に取り込んで出力する回路である。また、１
６、１７はフリップフロップ１４、１５の出力をそれぞ
れカウントするカウンタである。カウンタ１６は輻輳の
発生判定のために１監視区間Ｔ内において各サンプリン
グ周期でのカウント値Ｑ0 が閾値ＴＨONを上回る回数を
カウントし、カウンタ１７は発生した輻輳の解除判定の
ために１監視区間Ｔ内において各サンプリング周期での
カウント値Ｑ0 が閾値ＴＨOFを下回る回数をカウントす
る。これらのカウント値は監視区間Ｔの終了時点にタイ
ミング発生器２０で発生されるタイミング信号によりリ
セットされる。
【００３３】２３、２４は比較器であり、カウンタ１
６、１７からの各カウント値を閾値保持回路２１、２２
からの各閾値ＴＨE 、ＴＨD とそれぞれ比較する。その
比較結果に基づいて比較器２３は出ハイウェイＯＨＷ０
のＥＦＣＩ設定指示を、比較器２４は出ハイウェイＯＨ
Ｗ０のＥＦＣＩ解除指示を出力する。比較器２３はＥＦ
ＣＩ設定を行うための監視区間Ｔにおいてタイミング発
生器２０からのイネーブル信号ＥＮによりイネーブルと
され、比較器２３はＥＦＣＩ解除を行うための監視区間
Ｔにおいてタイミング発生器２０からのイネーブル信号
ＥＮによりイネーブルとされる。
６、１７からの各カウント値を閾値保持回路２１、２２
からの各閾値ＴＨE 、ＴＨD とそれぞれ比較する。その
比較結果に基づいて比較器２３は出ハイウェイＯＨＷ０
のＥＦＣＩ設定指示を、比較器２４は出ハイウェイＯＨ
Ｗ０のＥＦＣＩ解除指示を出力する。比較器２３はＥＦ
ＣＩ設定を行うための監視区間Ｔにおいてタイミング発
生器２０からのイネーブル信号ＥＮによりイネーブルと
され、比較器２３はＥＦＣＩ解除を行うための監視区間
Ｔにおいてタイミング発生器２０からのイネーブル信号
ＥＮによりイネーブルとされる。
【００３４】以下にこの輻輳監視制御回路の動作を説明
する。カウンタ１１では出ハイウェイＯＷＨ０へ向かう
セルが共通バッファ４に書き込まれる毎にそのカウント
値が一つ増加され、共通バッファ４から出ハイウェイＯ
ＷＨ０に向かうセルが読み出される毎にカウント値が一
つ減じられる。よって、カウンタ１１は共通バッファ４
に現在蓄積されている出ハイウェイＯＷＨ０に向かうセ
ル量Ｑ0 をカウントすることになる。
する。カウンタ１１では出ハイウェイＯＷＨ０へ向かう
セルが共通バッファ４に書き込まれる毎にそのカウント
値が一つ増加され、共通バッファ４から出ハイウェイＯ
ＷＨ０に向かうセルが読み出される毎にカウント値が一
つ減じられる。よって、カウンタ１１は共通バッファ４
に現在蓄積されている出ハイウェイＯＷＨ０に向かうセ
ル量Ｑ0 をカウントすることになる。
【００３５】このカウント値Ｑ0 は比較器１２、１３に
おいてそれぞれ閾値ＴＨON、ＴＨOFと比較される。この
結果、カウンタ１６にはカウント値Ｑ0 が閾値ＴＨONを
上回った数が監視区間Ｔにわたりカウントされ、これが
監視区間Ｔの終了毎にリセットされる。このカウント値
を比較器２３において閾値ＴＨE と比較し、カウント値
が閾値ＴＨE 以上となれば出ハイウェイＯＷＨ０に輻輳
が発生していると判定し、ＥＦＣＩ設定指示を出力す
る。
おいてそれぞれ閾値ＴＨON、ＴＨOFと比較される。この
結果、カウンタ１６にはカウント値Ｑ0 が閾値ＴＨONを
上回った数が監視区間Ｔにわたりカウントされ、これが
監視区間Ｔの終了毎にリセットされる。このカウント値
を比較器２３において閾値ＴＨE と比較し、カウント値
が閾値ＴＨE 以上となれば出ハイウェイＯＷＨ０に輻輳
が発生していると判定し、ＥＦＣＩ設定指示を出力す
る。
【００３６】同様に、カウンタ１７にはカウント値Ｑ0
が閾値ＴＨOFを下回った数が監視区間Ｔにわたりカウン
トされ、これが監視区間Ｔの終了毎にリセットされる。
このカウント値を比較器２４において閾値ＴＨD と比較
し、カウント値が閾値ＴＨD以上となれば出ハイウェイ
ＯＷＨ０に発生した輻輳が解除されたと判定し、ＥＦＣ
Ｉ解除指示を出力する。
が閾値ＴＨOFを下回った数が監視区間Ｔにわたりカウン
トされ、これが監視区間Ｔの終了毎にリセットされる。
このカウント値を比較器２４において閾値ＴＨD と比較
し、カウント値が閾値ＴＨD以上となれば出ハイウェイ
ＯＷＨ０に発生した輻輳が解除されたと判定し、ＥＦＣ
Ｉ解除指示を出力する。
【００３７】本発明の実施にあたっては種々の変形態様
が可能である。例えば以上に説明した処理は出力ハイウ
ェイ単位に行われるが、以下の形態も可能である。
が可能である。例えば以上に説明した処理は出力ハイウ
ェイ単位に行われるが、以下の形態も可能である。
【００３８】すなわち、ＡＴＭ交換機に収容される呼は
そのトラフィック形態により幾つかに分類される。これ
をサービス・クラスと呼ぶ。一つのサービス・クラス内
ではサービス品質は同じであり、セル損失、セル速度、
伝播遅延、遅延の揺らぎ等がクラス毎に定義される。共
通バッファ内ではこれらの各クラスの呼を同時に収容し
ており、輻輳が発生した場合に、あるクラスの呼が他の
クラスに影響を与えなければ、出ハイウェイでは輻輳に
よる廃棄は発生しない。よって、前述の輻輳制御の起
動、解除処理を、共通バッファ４内の各サービス・クラ
ス毎のセル量に対しての監視で行えば、制御可能であ
る。この場合、ＥＦＣＩを設定するのは出ハイウェイに
かかわらず、そのクラス単位に行えばよく、閾値の設定
も各クラスに対する閾値とする。各セルがどのサービス
・クラスに属するかはセルのタグ（ＴＡＧ）フィールド
内にて定義される。
そのトラフィック形態により幾つかに分類される。これ
をサービス・クラスと呼ぶ。一つのサービス・クラス内
ではサービス品質は同じであり、セル損失、セル速度、
伝播遅延、遅延の揺らぎ等がクラス毎に定義される。共
通バッファ内ではこれらの各クラスの呼を同時に収容し
ており、輻輳が発生した場合に、あるクラスの呼が他の
クラスに影響を与えなければ、出ハイウェイでは輻輳に
よる廃棄は発生しない。よって、前述の輻輳制御の起
動、解除処理を、共通バッファ４内の各サービス・クラ
ス毎のセル量に対しての監視で行えば、制御可能であ
る。この場合、ＥＦＣＩを設定するのは出ハイウェイに
かかわらず、そのクラス単位に行えばよく、閾値の設定
も各クラスに対する閾値とする。各セルがどのサービス
・クラスに属するかはセルのタグ（ＴＡＧ）フィールド
内にて定義される。
【００３９】図３にはこのサービス・クラス単位に輻輳
を監視する輻輳監視制御回路の構成例が示される。この
輻輳監視制御回路のハードウェア構成は前述の実施例の
ものと同じである。相違点としては、この輻輳監視制御
回路が各サービス・クラス毎に設けられており、カウン
タ１１は該当するサービス・クラスのセル量をカウント
するように設定されており、各閾値保持回路１８、１
９、２１、２２には該当するサービス・クラスに対応し
た各閾値ＴＨON、ＴＨOF、ＴＨE 、ＴＨD が保持され
る。
を監視する輻輳監視制御回路の構成例が示される。この
輻輳監視制御回路のハードウェア構成は前述の実施例の
ものと同じである。相違点としては、この輻輳監視制御
回路が各サービス・クラス毎に設けられており、カウン
タ１１は該当するサービス・クラスのセル量をカウント
するように設定されており、各閾値保持回路１８、１
９、２１、２２には該当するサービス・クラスに対応し
た各閾値ＴＨON、ＴＨOF、ＴＨE 、ＴＨD が保持され
る。
【００４０】以上の実施例は各出ハイウェイ単位、ある
いは各サービス・クラス単位に輻輳を監視するものであ
るが、さらに本発明は、出ハイウェイ単位での輻輳の監
視を行ったうえに、各出ハイウェイ毎にその出ハイウェ
イにおいて各サービス・クラス単位に輻輳を監視するよ
うに構成してもよい。
いは各サービス・クラス単位に輻輳を監視するものであ
るが、さらに本発明は、出ハイウェイ単位での輻輳の監
視を行ったうえに、各出ハイウェイ毎にその出ハイウェ
イにおいて各サービス・クラス単位に輻輳を監視するよ
うに構成してもよい。
【００４１】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、輻輳の有無を安定して的確に監視することができる
ようになる。また、ファームウェアあるいはソフトウェ
アによるトラフィック量のモニタを基にした演算処理を
用いることなく、ハードウェアにより自律的に制御を行
うことができるため、実際の状況に対して迅速に対応が
可能であり、よって輻輳状態を遅延することなく事前に
回避でき、収容している呼へ与える悪影響をなくせる。
ば、輻輳の有無を安定して的確に監視することができる
ようになる。また、ファームウェアあるいはソフトウェ
アによるトラフィック量のモニタを基にした演算処理を
用いることなく、ハードウェアにより自律的に制御を行
うことができるため、実際の状況に対して迅速に対応が
可能であり、よって輻輳状態を遅延することなく事前に
回避でき、収容している呼へ与える悪影響をなくせる。
【図１】本発明の輻輳監視制御の概念を説明する図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例としての出ハイウェイ単位の
輻輳監視制御回路を示す図である。
輻輳監視制御回路を示す図である。
【図３】本発明の他の実施例としてのサービス・クラス
単位の輻輳監視制御回路を示す図である。
単位の輻輳監視制御回路を示す図である。
【図４】共通バッファを用いたＡＴＭスイッチの構成例
を示す図である。
を示す図である。
１ 書込み制御回路 ２ 読出し制御回路 ３ ヘッダドロッパ ４ 共通バッファ １０ 書込みアドレスＦＩＦＯメモリ １１ カウンタ １２、１３、２３、２４ 比較器 １４、１５ フリップフロップ １６、１７ カウンタ １８、１９、２１、２２ 閾値保持回路 ２０ タイミング発生器 ２５ インタフェース
Claims (6)
- 【請求項１】ＡＴＭスイッチのセル蓄積用バッファの蓄
積セル量を出ハイウェイ単位に監視してその出ハイウェ
イの輻輳状態を監視する輻輳監視制御装置であって、 所定の監視区間内における複数の時点で蓄積セル量が所
定の第１閾値を上回るか否か判定し、該監視区間におい
て該第１閾値を上回った回数を所定の第２閾値と比較し
てその比較結果に基づいて該当する出ハイウェイの輻輳
状態を判定する輻輳監視制御装置。 - 【請求項２】上記該当する出ハイウェイが輻輳と判定さ
れた場合に、当該は判定された監視区間の後の監視区間
内において、該後の監視区間内における複数の時点で蓄
積セル量が所定の第３閾値を下回るか否か判定し、該後
の監視区間において該第３閾値を下回った回数を所定の
第４閾値と比較してその比較結果に基づいて該当する出
ハイウェイの輻輳解除を判定する請求項１記載の輻輳制
御装置。 - 【請求項３】上記後の監視区間は発生した輻輳に対して
トラヒック制御を行う時間が経過した後に行うようにし
た請求項１または２記載の輻輳監視制御装置。 - 【請求項４】ＡＴＭスイッチのセル蓄積用バッファの蓄
積セル量を出ハイウェイ単位にカウントするセル量カウ
ンタと、 出ハイウェイ単位に監視区間内における複数の時点で該
セル量カウンタのカウント値が所定の第１閾値を上回る
か否か判定してこの監視区間において該第１閾値を上回
った回数をカウントする第１のカウンタと、 出ハイウェイ単位に該第１のカウンタのカウント値をそ
の監視区間の終わりに所定の第２閾値と比較してその比
較結果に基づいて該当する出ハイウェイの輻輳状態を判
定する輻輳発生判定回路と、 出ハイウェイ単位に監視区間内における複数の時点で蓄
積セル量が所定の第３閾値を下回るか否か判定してこの
監視区間において該第３の閾値を下回った回数をカウン
トする第２のカウンタと、 出ハイウェイ単位に該第２のカウンタのカウント値をそ
の監視区間の終わりに所定の第４閾値と比較してその比
較結果に基づいて該当する出ハイウェイの輻輳解除を判
定する輻輳解除判定回路とを備えた輻輳監視制御装置。 - 【請求項５】蓄積セル量を出ハイウェイ単位に監視する
ことに代えてサービス・クラス単位に監視してそのサー
ビス・クラスの輻輳状態を判定する請求項１〜４のいず
れかに記載の輻輳監視制御装置。 - 【請求項６】セル蓄積量の監視を各出ハイウェイにおい
てさらにサービス・クラス単位に監視して出ハイウェイ
単位および各出ハイウェイのサービス・クラス単位に輻
輳状態を判定する請求項１〜４のいずれかに記載の輻輳
監視制御装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17716695A JPH0927811A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 輻輳監視制御装置 |
| US08/621,804 US5726987A (en) | 1995-07-13 | 1996-03-22 | Congestion-monitor control apparatus and switching system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17716695A JPH0927811A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 輻輳監視制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927811A true JPH0927811A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=16026347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17716695A Pending JPH0927811A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 輻輳監視制御装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5726987A (ja) |
| JP (1) | JPH0927811A (ja) |
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