JPH0927437A - 磁気ヘッド用非磁性基板及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド用非磁性基板及びその製造方法Info
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- JPH0927437A JPH0927437A JP19817495A JP19817495A JPH0927437A JP H0927437 A JPH0927437 A JP H0927437A JP 19817495 A JP19817495 A JP 19817495A JP 19817495 A JP19817495 A JP 19817495A JP H0927437 A JPH0927437 A JP H0927437A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 残留圧縮応力の極めて少なく、基板加工後の
微細加工性に優れるＣｏＯ及びＮｉＯあるいはＮｉＯを
主成分とする非磁性基板を製造する方法を提供すること
にある。 【構成】 ＣｏＯ及びＮｉＯを主成分としてＡｌ2 Ｏ3
を５重量％未満で含む粉末混合物を、成形し、成形体を
焼結し、ＨＩＰ処理した後、焼結体を３００℃を超え且
つ１１００℃未満の温度でアニールする。アニール工程
は、ＨＩＰ処理した焼結体を基板に加工した後に行う。 【効果】 製造後の非磁性基板は、密度が低下すること
なく、圧縮応力が低下する。スライダー等への基板の微
細加工が容易になる。
微細加工性に優れるＣｏＯ及びＮｉＯあるいはＮｉＯを
主成分とする非磁性基板を製造する方法を提供すること
にある。 【構成】 ＣｏＯ及びＮｉＯを主成分としてＡｌ2 Ｏ3
を５重量％未満で含む粉末混合物を、成形し、成形体を
焼結し、ＨＩＰ処理した後、焼結体を３００℃を超え且
つ１１００℃未満の温度でアニールする。アニール工程
は、ＨＩＰ処理した焼結体を基板に加工した後に行う。 【効果】 製造後の非磁性基板は、密度が低下すること
なく、圧縮応力が低下する。スライダー等への基板の微
細加工が容易になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッド用の非
磁性基板の製造方法に関し、さらに詳細には、残留応力
の少ない磁気ヘッド用の非磁性基板を製造するための方
法及びそれより得られた磁気ヘッド用の非磁性基板に関
する。
磁性基板の製造方法に関し、さらに詳細には、残留応力
の少ない磁気ヘッド用の非磁性基板を製造するための方
法及びそれより得られた磁気ヘッド用の非磁性基板に関
する。
【０００２】
【従来の技術】フロッピーディスク装置やＶＴＲ等の記
録装置に使用される磁気ヘッドは、例えば、非磁性のセ
ラミックス基板上に金属磁性膜及びガラス結合層をスパ
ッタリング等により順次蒸着させた後、それらの層を複
数層に積層し、適当な寸法に加工することによって製造
される。かかる非磁性のセラミックス基板として、従
来、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、アルミナ
等が使用されていた。しかしながら、それらの基板材料
の熱膨張率は、金属磁性膜材料の熱膨張率と大きく異な
っていたために、蒸着した磁性膜が基板から剥離した
り、応力が残留して基板にクラックが発生したりするこ
とがあった。この欠点を解消すべく、出願人らは、特開
平２−９４４０８号公報において、磁性膜材料と熱膨脹
率が整合された酸化物系セラミックスとして、ＣｏＯ及
びＮｉＯあるいはＮｉＯを基本組成とする岩塩型の非磁
性酸化物系セラミックスを開示した。
録装置に使用される磁気ヘッドは、例えば、非磁性のセ
ラミックス基板上に金属磁性膜及びガラス結合層をスパ
ッタリング等により順次蒸着させた後、それらの層を複
数層に積層し、適当な寸法に加工することによって製造
される。かかる非磁性のセラミックス基板として、従
来、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、アルミナ
等が使用されていた。しかしながら、それらの基板材料
の熱膨張率は、金属磁性膜材料の熱膨張率と大きく異な
っていたために、蒸着した磁性膜が基板から剥離した
り、応力が残留して基板にクラックが発生したりするこ
とがあった。この欠点を解消すべく、出願人らは、特開
平２−９４４０８号公報において、磁性膜材料と熱膨脹
率が整合された酸化物系セラミックスとして、ＣｏＯ及
びＮｉＯあるいはＮｉＯを基本組成とする岩塩型の非磁
性酸化物系セラミックスを開示した。
【０００３】また、出願人らは、特開平２−９４４０７
号公報（特公平５−２９２８６号）において、かかるＣ
ｏＯ及びＮｉＯまたはＮｉＯを主成分とする酸化物系原
料粉を用いて、割れが少なく且つ高密度である磁気ヘッ
ド用非磁性基板を製造する方法を開示した。この方法
は、基本的に、原料粉の混合及びふるい分け工程、
混合粉のＣＩＰ成形及び仮焼工程、仮焼粉の粉砕工
程、粉砕粉の造粒工程、造粒粉のＣＩＰ成形工程、
成形体の焼結工程及び焼結体のＨＩＰ処理工程から
構成される。
号公報（特公平５−２９２８６号）において、かかるＣ
ｏＯ及びＮｉＯまたはＮｉＯを主成分とする酸化物系原
料粉を用いて、割れが少なく且つ高密度である磁気ヘッ
ド用非磁性基板を製造する方法を開示した。この方法
は、基本的に、原料粉の混合及びふるい分け工程、
混合粉のＣＩＰ成形及び仮焼工程、仮焼粉の粉砕工
程、粉砕粉の造粒工程、造粒粉のＣＩＰ成形工程、
成形体の焼結工程及び焼結体のＨＩＰ処理工程から
構成される。
【０００４】その後、出願人らは、特開平４−３０９２
０３号公報において、上記ＣｏＯ及びＮｉＯあるいはＮ
ｉＯを主成分とする非磁性基板の製造方法において、前
記成形体の焼結工程における焼結温度を１１５０〜１
２５０℃に調整し且つ前記焼結体のＨＩＰ処理工程に
おけるＨＩＰ処理温度を焼結温度より０〜５０℃低い温
度に調整することによって、アルミナスピネルの成長を
防止し、緻密で且つ高抗折力を有する焼結体を得、基板
加工時の歩留まりを向上する方法を開示している。
０３号公報において、上記ＣｏＯ及びＮｉＯあるいはＮ
ｉＯを主成分とする非磁性基板の製造方法において、前
記成形体の焼結工程における焼結温度を１１５０〜１
２５０℃に調整し且つ前記焼結体のＨＩＰ処理工程に
おけるＨＩＰ処理温度を焼結温度より０〜５０℃低い温
度に調整することによって、アルミナスピネルの成長を
防止し、緻密で且つ高抗折力を有する焼結体を得、基板
加工時の歩留まりを向上する方法を開示している。
【０００５】さらに、出願人らは、特開平６−３４２５
０５号公報において、上記ＣｏＯ及びＮｉＯまたはＮｉ
Ｏを主成分とする非磁性基板の製造において、焼結冷却
時にＣｏＯまたはＣｏＯ及びＮｉＯとＡｌ2 Ｏ3 とがス
ピネルを形成して析出することによるダイシング加工時
のチッピングや研磨加工時のスピネル脱粒による研磨面
の欠陥を防止する技術を開示している。すなわち、特開
平２−９４４０７号公報に記載されたような前記製造プ
ロセスの後、ＨＩＰ処理された焼結体を１１５０℃〜焼
結温度に加熱して３００℃／ｈで急冷する処理を行って
いる。
０５号公報において、上記ＣｏＯ及びＮｉＯまたはＮｉ
Ｏを主成分とする非磁性基板の製造において、焼結冷却
時にＣｏＯまたはＣｏＯ及びＮｉＯとＡｌ2 Ｏ3 とがス
ピネルを形成して析出することによるダイシング加工時
のチッピングや研磨加工時のスピネル脱粒による研磨面
の欠陥を防止する技術を開示している。すなわち、特開
平２−９４４０７号公報に記載されたような前記製造プ
ロセスの後、ＨＩＰ処理された焼結体を１１５０℃〜焼
結温度に加熱して３００℃／ｈで急冷する処理を行って
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような技術を用いても、製造された基板内に残留する応
力を完全に除去することはできない。また、上記非磁性
基板の製造プロセスにおいてＨＩＰ処理がされた材料
は、通常、表面の還元層を除去するため表面が研削さ
れ、その後、非磁性基板に加工して使用されるが、この
機械加工の際に圧縮応力が基板中に発生することがあ
る。それらの残留応力は、その後の磁気ヘッドに微細加
工する際にチッピングや脱粒等を発生させ、加工性を低
下させていた。特に、基板製造後に、磁気ヘッド用のス
ライダー等に加工するために、約２ｍｍ×２ｍｍ×１ｍ
ｍ程の薄板に切断したり、０．２〜０．４ｍｍの幅の溝
を形成したりあるいはわずかに傾斜を設けるための微細
加工を施す必要があるが、前記残留した圧縮応力はかか
る微細加工の加工性に悪影響を及ぼしていた。
ような技術を用いても、製造された基板内に残留する応
力を完全に除去することはできない。また、上記非磁性
基板の製造プロセスにおいてＨＩＰ処理がされた材料
は、通常、表面の還元層を除去するため表面が研削さ
れ、その後、非磁性基板に加工して使用されるが、この
機械加工の際に圧縮応力が基板中に発生することがあ
る。それらの残留応力は、その後の磁気ヘッドに微細加
工する際にチッピングや脱粒等を発生させ、加工性を低
下させていた。特に、基板製造後に、磁気ヘッド用のス
ライダー等に加工するために、約２ｍｍ×２ｍｍ×１ｍ
ｍ程の薄板に切断したり、０．２〜０．４ｍｍの幅の溝
を形成したりあるいはわずかに傾斜を設けるための微細
加工を施す必要があるが、前記残留した圧縮応力はかか
る微細加工の加工性に悪影響を及ぼしていた。
【０００７】そこで、本発明は、残留圧縮応力の極めて
少ないＣｏＯ及びＮｉＯあるいはＮｉＯを主成分とする
非磁性基板を製造する方法及びそれから得られた磁気ヘ
ッド用非磁性基板を提供することにある。
少ないＣｏＯ及びＮｉＯあるいはＮｉＯを主成分とする
非磁性基板を製造する方法及びそれから得られた磁気ヘ
ッド用非磁性基板を提供することにある。
【０００８】また、本発明は、非磁性基板加工後に磁気
ヘッドのスライダ等に微細加工する際の加工性を向上す
ることができる磁気ヘッド用の非磁性基板の製造方法を
提供することを目的とする。
ヘッドのスライダ等に微細加工する際の加工性を向上す
ることができる磁気ヘッド用の非磁性基板の製造方法を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、本発明の
目的を達成するために、ＨＩＰ処理した材料を、特に磁
気ヘッド用基板に加工した後、特定の温度でアニール処
理することによって残留圧縮応力を低下し、非磁性基板
製造の歩留まりを向上することに成功した。
目的を達成するために、ＨＩＰ処理した材料を、特に磁
気ヘッド用基板に加工した後、特定の温度でアニール処
理することによって残留圧縮応力を低下し、非磁性基板
製造の歩留まりを向上することに成功した。
【００１０】本発明の第１の態様に従えば、ＣｏＯ及び
ＮｉＯを主成分として含む粉末混合物を、成形する工程
及び成形体を焼結する工程を少なくとも含むＣｏＯ及び
ＮｉＯを主成分とする磁気ヘッド用非磁性基板の製造方
法において、焼結工程で得られた焼結体を、３００℃を
超え且つ１１００℃未満の温度でアニールする工程を含
むことを特徴とする磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法
が提供される。
ＮｉＯを主成分として含む粉末混合物を、成形する工程
及び成形体を焼結する工程を少なくとも含むＣｏＯ及び
ＮｉＯを主成分とする磁気ヘッド用非磁性基板の製造方
法において、焼結工程で得られた焼結体を、３００℃を
超え且つ１１００℃未満の温度でアニールする工程を含
むことを特徴とする磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法
が提供される。
【００１１】本発明の第２の態様に従えば、本発明の製
造方法に従い、ＣｏＯ及びＮｉＯを主成分として含み且
つＡｌ2 Ｏ3 を５重量％以下で含む粉末混合物を、成形
し、成形体を焼結し、焼結体をＨＩＰ処理した後、磁気
ヘッド用非磁性基板に加工し、さらに５００℃〜９００
℃の温度でアニールすることによって製造された磁気ヘ
ッド用非磁性基板が提供される。
造方法に従い、ＣｏＯ及びＮｉＯを主成分として含み且
つＡｌ2 Ｏ3 を５重量％以下で含む粉末混合物を、成形
し、成形体を焼結し、焼結体をＨＩＰ処理した後、磁気
ヘッド用非磁性基板に加工し、さらに５００℃〜９００
℃の温度でアニールすることによって製造された磁気ヘ
ッド用非磁性基板が提供される。
【００１２】本発明の磁気ヘッド用非磁性基板の製造方
法は、以下のような一般的なセラミックス焼結体の製造
プロセスを含むことができる。すなわち、(1) 原料粉を
混合し、ふるい分けを行う混合工程、(2) ＣＩＰ成形し
た混合粉を仮焼し、粉砕した後、ふるい分けを行う仮焼
工程、(3) 仮焼粉を１μｍ以下に微粉砕する工程、(4)
微粉砕粉を２０μｍ以上の球形に造粒する工程、(5) 造
粒粉をＣＩＰ成形する工程、(6) 成形体を焼結する工程
及び(7) 焼結体をＨＩＰ処理する工程を基本的に含むプ
ロセスを採用できる。上記プロセスの幾つかの工程を省
略することもでき、例えば、(1) ，(3) 〜(7) の工程、
または(1) 〜(3) ，(5) 〜(7) の工程、または(1) ，
(3) ，(5) 〜(7) の工程、または(1) 〜(6) の工程、ま
たは(1) ，(3) 〜(6) の工程、または(1) ，(3) ，(5)
，(6) の工程、または(1) 〜(3) ，(5) ，(6) の工程
からなるプロセスにし得る。
法は、以下のような一般的なセラミックス焼結体の製造
プロセスを含むことができる。すなわち、(1) 原料粉を
混合し、ふるい分けを行う混合工程、(2) ＣＩＰ成形し
た混合粉を仮焼し、粉砕した後、ふるい分けを行う仮焼
工程、(3) 仮焼粉を１μｍ以下に微粉砕する工程、(4)
微粉砕粉を２０μｍ以上の球形に造粒する工程、(5) 造
粒粉をＣＩＰ成形する工程、(6) 成形体を焼結する工程
及び(7) 焼結体をＨＩＰ処理する工程を基本的に含むプ
ロセスを採用できる。上記プロセスの幾つかの工程を省
略することもでき、例えば、(1) ，(3) 〜(7) の工程、
または(1) 〜(3) ，(5) 〜(7) の工程、または(1) ，
(3) ，(5) 〜(7) の工程、または(1) 〜(6) の工程、ま
たは(1) ，(3) 〜(6) の工程、または(1) ，(3) ，(5)
，(6) の工程、または(1) 〜(3) ，(5) ，(6) の工程
からなるプロセスにし得る。
【００１３】本発明に従えば、上記(7) のＨＩＰ処理工
程を含む場合には、その後の処理としてアニール工程を
行う。ＨＩＰ処理の後、アニール工程の前に、３００℃
／ｈで急冷してもよい。ＨＩＰ処理工程を含まない場合
には、上記(6) の焼結後の処理としてアニール工程を行
う。しかしながら、本発明の製造方法に従い、アニール
処理は、焼結工程後またはＨＩＰ処理した焼結体のアニ
ール処理は磁気ヘッド用基板に加工された後に行うのが
好ましい。ＨＩＰ処理後の機械加工の間に導入され得る
セラミックス材料中の圧縮応力をアニール処理により除
去するためである。アニール処理される材料はブロック
形状よりも基板形状の方が望ましい。これは、アニール
処理においては酸素の拡散による欠損の除去効果も期待
できるため、短時間に酸素が拡散する形状が有利である
からである。
程を含む場合には、その後の処理としてアニール工程を
行う。ＨＩＰ処理の後、アニール工程の前に、３００℃
／ｈで急冷してもよい。ＨＩＰ処理工程を含まない場合
には、上記(6) の焼結後の処理としてアニール工程を行
う。しかしながら、本発明の製造方法に従い、アニール
処理は、焼結工程後またはＨＩＰ処理した焼結体のアニ
ール処理は磁気ヘッド用基板に加工された後に行うのが
好ましい。ＨＩＰ処理後の機械加工の間に導入され得る
セラミックス材料中の圧縮応力をアニール処理により除
去するためである。アニール処理される材料はブロック
形状よりも基板形状の方が望ましい。これは、アニール
処理においては酸素の拡散による欠損の除去効果も期待
できるため、短時間に酸素が拡散する形状が有利である
からである。
【００１４】アニール温度は、３００℃を超え且つ１１
００℃未満にする必要がある。３００℃以下では圧縮応
力の緩和効果が小さく、１１００℃以上では密度低下が
生じるからである。焼結体の密度低下を一層少なくし且
つ圧縮応力を一層低減するために、５００〜９００℃の
アニール温度が好ましい。アニール処理する時間は、材
料内に酸素を十分拡散させるという理由から５〜５０時
間程度が好ましい。
００℃未満にする必要がある。３００℃以下では圧縮応
力の緩和効果が小さく、１１００℃以上では密度低下が
生じるからである。焼結体の密度低下を一層少なくし且
つ圧縮応力を一層低減するために、５００〜９００℃の
アニール温度が好ましい。アニール処理する時間は、材
料内に酸素を十分拡散させるという理由から５〜５０時
間程度が好ましい。
【００１５】アニール処理の雰囲気は、処理中に材料内
に酸素が十分拡散することが必要であるので、大気中が
好ましい。純酸素あるいは大気よりも酸素濃度が高い雰
囲気（酸素富化雰囲気）でもよい。
に酸素が十分拡散することが必要であるので、大気中が
好ましい。純酸素あるいは大気よりも酸素濃度が高い雰
囲気（酸素富化雰囲気）でもよい。
【００１６】本発明においてＣｏＯ及びＮｉＯを主成分
として含む粉末混合物としては、ＣｏＯ／ＮｉＯの割合
をモル比で表して０／１００＜ＣｏＯ／ＮｉＯ≦８０／
２０とすることができる。特に、磁気ヘッド製造時に非
磁性基板上に磁性膜としてセンダスト（ＦｅＳｉＡｌ合
金）が蒸着される場合には、かかる蒸着金属と熱膨張係
数を整合させるために、ＣｏＯ／ＮｉＯをモル比で表し
て３／９７≦ＣｏＯ／ＮｉＯ≦６０／４０の範囲で調合
するのが好ましい。粉末混合物には、結晶粒の成長を抑
え、硬度を向上させるために、焼結助剤としてのＡｌ2
Ｏ3 を添加するのが好ましい。Ａｌ2 Ｏ3 の添加量は、
ＣｏＯ、ＮｉＯとのスピネル相の形成を防止するために
５重量％以下であることが好ましい。
として含む粉末混合物としては、ＣｏＯ／ＮｉＯの割合
をモル比で表して０／１００＜ＣｏＯ／ＮｉＯ≦８０／
２０とすることができる。特に、磁気ヘッド製造時に非
磁性基板上に磁性膜としてセンダスト（ＦｅＳｉＡｌ合
金）が蒸着される場合には、かかる蒸着金属と熱膨張係
数を整合させるために、ＣｏＯ／ＮｉＯをモル比で表し
て３／９７≦ＣｏＯ／ＮｉＯ≦６０／４０の範囲で調合
するのが好ましい。粉末混合物には、結晶粒の成長を抑
え、硬度を向上させるために、焼結助剤としてのＡｌ2
Ｏ3 を添加するのが好ましい。Ａｌ2 Ｏ3 の添加量は、
ＣｏＯ、ＮｉＯとのスピネル相の形成を防止するために
５重量％以下であることが好ましい。
【００１７】以下、本発明の磁気ヘッド用非磁性基板の
製造方法を実施例により説明するが、本発明はそれらに
限定されるものではない。
製造方法を実施例により説明するが、本発明はそれらに
限定されるものではない。
【００１８】
実施例１ 市販のＣｏＯ粉末、ＮｉＯ粉末原料を用意し、ＣｏＯ／
ＮｉＯ＝３５／６５（モル比）になるように調合し、こ
れに、市販のＡｌ2 Ｏ3 を２重量％添加して混合した。
混合を、ボールミル中で２４時間行った。次いで、混合
粉を９００℃にて１０時間大気中で仮焼した。得られた
仮焼粉を５６ｍｍφの金型で予備成型後、ＣＩＰを用い
て１５００Kg/cm2で成形した。次いで、成形体を１３０
０℃の温度で、常圧にて大気中で２０時間、焼結した。
得られた焼結体を、１２３０℃で２時間ＨＩＰ処理し
た。ＨＩＰ処理後、焼結体を３００℃／ｈの速度で冷却
した。次いで、これをクリスタルカッターを用いて２６
ｍｍ×２６ｍｍ×０．７ｍｍの寸法に切断して基板を得
た。
ＮｉＯ＝３５／６５（モル比）になるように調合し、こ
れに、市販のＡｌ2 Ｏ3 を２重量％添加して混合した。
混合を、ボールミル中で２４時間行った。次いで、混合
粉を９００℃にて１０時間大気中で仮焼した。得られた
仮焼粉を５６ｍｍφの金型で予備成型後、ＣＩＰを用い
て１５００Kg/cm2で成形した。次いで、成形体を１３０
０℃の温度で、常圧にて大気中で２０時間、焼結した。
得られた焼結体を、１２３０℃で２時間ＨＩＰ処理し
た。ＨＩＰ処理後、焼結体を３００℃／ｈの速度で冷却
した。次いで、これをクリスタルカッターを用いて２６
ｍｍ×２６ｍｍ×０．７ｍｍの寸法に切断して基板を得
た。
【００１９】この基板を、表１に示した温度にて大気中
で１０時間アニール処理した。各温度でのアニール処理
後の基板の密度を測定し、アニール処理前後での密度変
化を調べた。密度の測定は、アルキメデス法により行っ
た。また、各温度でのアニール処理後の基板の格子面間
隔をＸ線回折により測定した。格子面間隔の測定は、Ｘ
線回折強度の最も強い（１１１）面からの回折Ｘ線によ
り行った。アニール処理前後での密度変化及びアニール
処理後の格子面間隔を表１に示す。表１には、比較例と
して常圧焼結後に得られた焼結体及びＨＩＰ処理後に得
られた焼結体（いずれもアニール処理なし）の格子面間
隔を併記した。
で１０時間アニール処理した。各温度でのアニール処理
後の基板の密度を測定し、アニール処理前後での密度変
化を調べた。密度の測定は、アルキメデス法により行っ
た。また、各温度でのアニール処理後の基板の格子面間
隔をＸ線回折により測定した。格子面間隔の測定は、Ｘ
線回折強度の最も強い（１１１）面からの回折Ｘ線によ
り行った。アニール処理前後での密度変化及びアニール
処理後の格子面間隔を表１に示す。表１には、比較例と
して常圧焼結後に得られた焼結体及びＨＩＰ処理後に得
られた焼結体（いずれもアニール処理なし）の格子面間
隔を併記した。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１より、アニール温度が１３００℃では
密度が低下しており、アニールされた焼結体中の空孔等
が増加していると考えられる。アニール温度として１１
００℃未満が望ましいことがわかる。また、格子面間隔
は、ＨＩＰ処理後が最も大きいことがわかる。圧縮応力
がある場合、格子面間隔が大きくなることから、ＨＩＰ
処理後では圧縮応力が最大となり、本発明に従うアニー
ル処理によりそれが低減されていることが確認できた。
この実施例より、アニール処理は３００℃を超える温度
で有効であり、それより高い温度では、圧縮応力の低減
に関してあまり影響しないと考えられる。
密度が低下しており、アニールされた焼結体中の空孔等
が増加していると考えられる。アニール温度として１１
００℃未満が望ましいことがわかる。また、格子面間隔
は、ＨＩＰ処理後が最も大きいことがわかる。圧縮応力
がある場合、格子面間隔が大きくなることから、ＨＩＰ
処理後では圧縮応力が最大となり、本発明に従うアニー
ル処理によりそれが低減されていることが確認できた。
この実施例より、アニール処理は３００℃を超える温度
で有効であり、それより高い温度では、圧縮応力の低減
に関してあまり影響しないと考えられる。
【００２２】実施例２ 実施例１と同様に製造した基板を、表２に示した温度に
て純酸素雰囲気中で１０時間アニール処理した。各温度
でのアニール処理前後の密度変化、アニール処理後の格
子面間隔の変化も同様に測定した。
て純酸素雰囲気中で１０時間アニール処理した。各温度
でのアニール処理前後の密度変化、アニール処理後の格
子面間隔の変化も同様に測定した。
【００２３】
【表２】
【００２４】表２より、実施例１と同様にアニール温度
が１３００℃では密度が低下しており、アニール温度と
して１１００℃以下が望ましいことがわかる。また、格
子面間隔も、ＨＩＰ処理後が最も大きく、圧縮応力が最
大となっており、アニール処理によりそれが低減されて
いることが確認できた。アニール処理は３００℃を超え
る温度で有効であり、それより高い温度では、圧縮応力
の低減に関してあまり影響しないと考えられる。
が１３００℃では密度が低下しており、アニール温度と
して１１００℃以下が望ましいことがわかる。また、格
子面間隔も、ＨＩＰ処理後が最も大きく、圧縮応力が最
大となっており、アニール処理によりそれが低減されて
いることが確認できた。アニール処理は３００℃を超え
る温度で有効であり、それより高い温度では、圧縮応力
の低減に関してあまり影響しないと考えられる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による磁気
ヘッド用非磁性基板の製造方法は、基板加工後の微細加
工においてチッピングや脱粒が少なく、また基板材料の
密度を低下させることなく、内在する圧縮残留応力の少
ない非磁性基板を提供できる。本発明の製造方法によっ
て得られた非磁性基板は、磁気ヘッドを製造する工程に
おける微細加工性に優れる。
ヘッド用非磁性基板の製造方法は、基板加工後の微細加
工においてチッピングや脱粒が少なく、また基板材料の
密度を低下させることなく、内在する圧縮残留応力の少
ない非磁性基板を提供できる。本発明の製造方法によっ
て得られた非磁性基板は、磁気ヘッドを製造する工程に
おける微細加工性に優れる。
Claims (7)
- 【請求項１】 ＣｏＯ及びＮｉＯを主成分として含む粉
末混合物を、成形する工程及び成形体を焼結する工程を
少なくとも含むＣｏＯ及びＮｉＯを主成分とする磁気ヘ
ッド用非磁性基板の製造方法において、 焼結工程で得られた焼結体を、３００℃を超え且つ１１
００℃未満の温度でアニールする工程を含むことを特徴
とする磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法。 - 【請求項２】 上記成形体を焼結する工程の後に焼結体
をＨＩＰ処理する工程を含み、さらに、ＨＩＰ処理後に
得られた焼結体を、３００℃を超え且つ１１００℃未満
の温度でアニールする工程を含むことを特徴とする請求
項１記載の磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法。 - 【請求項３】 上記アニール工程の前に、磁気ヘッド用
非磁性基板に加工する工程を含むことを特徴とする請求
項１または２記載の磁気ヘッド用非磁性基板の製造方
法。 - 【請求項４】 上記アニール工程の温度が、５００℃〜
９００℃であることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か一項に記載の磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法。 - 【請求項５】 上記アニール工程を、大気中及び酸素富
化雰囲気中のいずれかで行うことを特徴とする請求項１
〜４のいずれか一項に記載の製造方法。 - 【請求項６】 上記粉末混合物に、Ａｌ2 Ｏ3 を５重量
％以下で含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか
一項に記載の磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法。 - 【請求項７】 ＣｏＯ及びＮｉＯを主成分として含み且
つＡｌ2 Ｏ3 を５重量％以下で含む粉末混合物を、成形
し、成形体を焼結し、焼結体をＨＩＰ処理した後、磁気
ヘッド用非磁性基板に加工し、さらに５００℃〜９００
℃の温度でアニールすることによって製造された磁気ヘ
ッド用非磁性基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19817495A JPH0927437A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 磁気ヘッド用非磁性基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19817495A JPH0927437A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 磁気ヘッド用非磁性基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927437A true JPH0927437A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=16386711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19817495A Pending JPH0927437A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 磁気ヘッド用非磁性基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0927437A (ja) |
-
1995
- 1995-07-11 JP JP19817495A patent/JPH0927437A/ja active Pending
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