JPH09255774A - トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン、その製法およびそれを用いた有機ｅｌ素子 - Google Patents
トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン、その製法およびそれを用いた有機ｅｌ素子Info
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- JPH09255774A JPH09255774A JP8094819A JP9481996A JPH09255774A JP H09255774 A JPH09255774 A JP H09255774A JP 8094819 A JP8094819 A JP 8094819A JP 9481996 A JP9481996 A JP 9481996A JP H09255774 A JPH09255774 A JP H09255774A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光照射により架橋し、不溶化することのでき
る新規なホール輸送性ポリマー、その光架橋物、その製
法およびそれを用いた有機ＥＬ素子の提供。 【解決手段】 下記式〔２〕 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8は、水素、アル
キル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を
有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ基お
よびハロゲンよりなる群から選ばれた基であり、Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8のうちの少なくとも１つはアル
キル基である）で示される重量平均分子量１，０００〜
１，０００，０００の光架橋性トリフェニルアミン含有
ポリエーテルケトン、その光架橋物、その製法およびそ
れを用いた有機ＥＬ素子。
る新規なホール輸送性ポリマー、その光架橋物、その製
法およびそれを用いた有機ＥＬ素子の提供。 【解決手段】 下記式〔２〕 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8は、水素、アル
キル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を
有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ基お
よびハロゲンよりなる群から選ばれた基であり、Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8のうちの少なくとも１つはアル
キル基である）で示される重量平均分子量１，０００〜
１，０００，０００の光架橋性トリフェニルアミン含有
ポリエーテルケトン、その光架橋物、その製法およびそ
れを用いた有機ＥＬ素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トリフェニルアミ
ン含有ポリエーテルケトン、その製法およびそれを用い
た有機ＥＬ素子に関する。
ン含有ポリエーテルケトン、その製法およびそれを用い
た有機ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来技術】有機ＥＬ素子の発光は、陽極、陰極のそれ
ぞれから注入されたホールと電子が有機層内を移動し、
再結合した際に得られる励起エネルギーを発光エネルギ
ーに変換することによって得られる。この種の有機ＥＬ
素子は、低電圧駆動の大面積表示素子を実現するものと
して注目されている。素子の高効率化にはキャリア輸送
性の異なる有機層を積層する素子構造が有効であり、正
孔輸送層に低分子芳香族アミン、電子輸送性発光層にア
ルミキレート錯体を用いた素子が報告されている〔Ｃ．
Ｗ．Ｔａｎｇ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５
１，ｐ．９１３（１９８７）〕。この素子では１０Ｖ以
下の印加電圧で１０００ｃｄ／ｍ2の実用化に十分な高
輝度を得ている。
ぞれから注入されたホールと電子が有機層内を移動し、
再結合した際に得られる励起エネルギーを発光エネルギ
ーに変換することによって得られる。この種の有機ＥＬ
素子は、低電圧駆動の大面積表示素子を実現するものと
して注目されている。素子の高効率化にはキャリア輸送
性の異なる有機層を積層する素子構造が有効であり、正
孔輸送層に低分子芳香族アミン、電子輸送性発光層にア
ルミキレート錯体を用いた素子が報告されている〔Ｃ．
Ｗ．Ｔａｎｇ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５
１，ｐ．９１３（１９８７）〕。この素子では１０Ｖ以
下の印加電圧で１０００ｃｄ／ｍ2の実用化に十分な高
輝度を得ている。
【０００３】しかし、低分子有機材料を用いたＥＬ素子
においては、電流注入に伴い発生する熱や時間経過等に
よる有機層の結晶化、凝集が素子劣化を引き起こすた
め、素子の耐久性つまり素子寿命に多大なる影響を与え
ている。この影響を抑えるため、低分子有機層から結晶
性の低い高分子有機層への転換が提案されている。
においては、電流注入に伴い発生する熱や時間経過等に
よる有機層の結晶化、凝集が素子劣化を引き起こすた
め、素子の耐久性つまり素子寿命に多大なる影響を与え
ている。この影響を抑えるため、低分子有機層から結晶
性の低い高分子有機層への転換が提案されている。
【０００４】一方、有機ＥＬ素子において高効率発光を
得るためには、キャリア輸送特性の異なる膜を積層する
必要がある。しかし、ポリマー素子の場合、ポリマー層
を積層するためには溶解性の異なるポリマーの組み合わ
せに限られる。
得るためには、キャリア輸送特性の異なる膜を積層する
必要がある。しかし、ポリマー素子の場合、ポリマー層
を積層するためには溶解性の異なるポリマーの組み合わ
せに限られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、光照射により架橋し、不溶化することのできる新規
なホール輸送性ポリマー、その光架橋物、その製法およ
びそれを用いた有機ＥＬ素子を提供する点にある。
は、光照射により架橋し、不溶化することのできる新規
なホール輸送性ポリマー、その光架橋物、その製法およ
びそれを用いた有機ＥＬ素子を提供する点にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第一は、下記式
〔１〕
〔１〕
【化９】 よりなる群から選ばれたトリフェニルアミン含有基であ
り、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、
水素、アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ
基、置換基を有することもある、フェニル基、ジフェニ
ルアミノ基およびハロゲンよりなる群から独立して選ば
れた基であり、かつ、存在するＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ
5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8のうち少なくとも１つはアルキル基で
ある）で示される重量平均分子量１，０００〜１，００
０，０００、好ましくは１０，０００〜３００，０００
の光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン
に関する。
り、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、
水素、アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ
基、置換基を有することもある、フェニル基、ジフェニ
ルアミノ基およびハロゲンよりなる群から独立して選ば
れた基であり、かつ、存在するＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ
5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8のうち少なくとも１つはアルキル基で
ある）で示される重量平均分子量１，０００〜１，００
０，０００、好ましくは１０，０００〜３００，０００
の光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン
に関する。
【０００７】本発明の第二は、下記式〔２〕
【化１０】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8は、水素、アル
キル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を
有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ基お
よびハロゲンよりなる群から選ばれた基であり、Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8のうちの少なくとも１つはアル
キル基である）で示される重量平均分子量１，０００〜
１，０００，０００、好ましくは１０，０００〜３０
０，０００の光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエー
テルケトンに関する。
キル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を
有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ基お
よびハロゲンよりなる群から選ばれた基であり、Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8のうちの少なくとも１つはアル
キル基である）で示される重量平均分子量１，０００〜
１，０００，０００、好ましくは１０，０００〜３０
０，０００の光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエー
テルケトンに関する。
【０００８】本発明の第三は、請求項１または２記載の
光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンの
光架橋物に関する。
光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンの
光架橋物に関する。
【０００９】本発明の第四は、下記一般式〔３〕
【化１１】 よりなる群から選ばれたトリフェニルアミン含有基であ
り、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、水素、アル
キル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を
有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ基お
よびハロゲン基よりなる群から独立して選ばれた基であ
る）で示されるトリフェニルアミン含有ジオール類と下
記一般式〔４〕
り、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、水素、アル
キル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を
有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ基お
よびハロゲン基よりなる群から独立して選ばれた基であ
る）で示されるトリフェニルアミン含有ジオール類と下
記一般式〔４〕
【化１２】 （式中、Ｘはハロゲンであり、Ｒ7およびＲ8は、水素、
アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換
基を有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ
基およびハロゲンよりなる群から選ばれた基である）で
示されるハロゲン化ジフェニルケトンとを｛たゞし、一
般式〔３〕および〔４〕において存在しているＲ1、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8のうちの少な
くとも１つはアルキル基である｝縮合させることを特徴
とする下記式〔１〕
アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換
基を有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ
基およびハロゲンよりなる群から選ばれた基である）で
示されるハロゲン化ジフェニルケトンとを｛たゞし、一
般式〔３〕および〔４〕において存在しているＲ1、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8のうちの少な
くとも１つはアルキル基である｝縮合させることを特徴
とする下記式〔１〕
【化１３】 （式中、Ｑは前記と同じであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、水素、アルキル基、アルコ
キシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を有することもあ
る、フェニル基、ジフェニルアミノ基およびハロゲンよ
りなる群から選ばれた基であり、かつ、存在しているＲ
1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8のうちの少
なくとも１つはアルキル基である）で示される重量平均
分子量１，０００〜１，０００，０００、好ましくは１
０，０００〜３００，０００の光架橋性トリフェニルア
ミン含有ポリエーテルケトンの製法に関する。
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、水素、アルキル基、アルコ
キシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を有することもあ
る、フェニル基、ジフェニルアミノ基およびハロゲンよ
りなる群から選ばれた基であり、かつ、存在しているＲ
1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8のうちの少
なくとも１つはアルキル基である）で示される重量平均
分子量１，０００〜１，０００，０００、好ましくは１
０，０００〜３００，０００の光架橋性トリフェニルア
ミン含有ポリエーテルケトンの製法に関する。
【００１０】本発明の第五は、下記一般式〔５〕
【化１４】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、水素、アルキル基、ア
ルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を有すること
もある、フェニル基、ジフェニルアミノ基およびハロゲ
ンよりなる群から選ばれた基である）で示されるトリフ
ェニルアミン含有ジオール類と下記一般式〔４〕
ルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を有すること
もある、フェニル基、ジフェニルアミノ基およびハロゲ
ンよりなる群から選ばれた基である）で示されるトリフ
ェニルアミン含有ジオール類と下記一般式〔４〕
【化１５】 （式中、Ｘはハロゲンであり、Ｒ7およびＲ8は、水素、
アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換
基を有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ
基およびハロゲンよりなる群から選ばれた基である）で
示されるハロゲン化ジフェニルケトンとを｛たゞし、一
般式〔４〕および〔５〕におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7お
よびＲ8のうちの少なくとも１つはアルキル基である｝
縮合させることを特徴とする下記式〔２〕
アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換
基を有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ
基およびハロゲンよりなる群から選ばれた基である）で
示されるハロゲン化ジフェニルケトンとを｛たゞし、一
般式〔４〕および〔５〕におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7お
よびＲ8のうちの少なくとも１つはアルキル基である｝
縮合させることを特徴とする下記式〔２〕
【化１６】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8は、水素、アル
キル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を
有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ基お
よびハロゲンよりなる群から選ばれた基であり、Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8のうちの少なくとも１つはアル
キル基である）で示される重量平均分子量１，０００〜
１，０００，０００、好ましくは１０，０００〜３０
０，０００の光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエー
テルケトンの製法に関する。
キル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を
有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ基お
よびハロゲンよりなる群から選ばれた基であり、Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8のうちの少なくとも１つはアル
キル基である）で示される重量平均分子量１，０００〜
１，０００，０００、好ましくは１０，０００〜３０
０，０００の光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエー
テルケトンの製法に関する。
【００１１】本発明の第六は、正孔輸送層に請求項１ま
たは２記載の光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエー
テルケトンまたは請求項３記載の光架橋物を用いたこと
を特徴とする有機ＥＬ素子に関する。
たは２記載の光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエー
テルケトンまたは請求項３記載の光架橋物を用いたこと
を特徴とする有機ＥＬ素子に関する。
【００１２】本発明の第七は、請求項１または２記載の
光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンま
たは請求項３記載の光架橋物を用いた正孔輸送層上に電
子輸送性発光層を積層した有機ＥＬ素子に関する。
光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンま
たは請求項３記載の光架橋物を用いた正孔輸送層上に電
子輸送性発光層を積層した有機ＥＬ素子に関する。
【００１３】なお、結合位置を特定していない結合手
は、いずれもその結合位置を限定するものではないが、
ｐの位置がもっとも好ましく、ついでｍ位のものが好ま
しい。
は、いずれもその結合位置を限定するものではないが、
ｐの位置がもっとも好ましく、ついでｍ位のものが好ま
しい。
【００１４】前記アルキル基およびジアルキルアミノ基
におけるアルキル基としては、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基など直鎖または分岐の任意の炭素数のアル
キル基であることができ、アルコキシ基としては、メト
キシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ基など任意の炭
素数のアルコキシ基であることができ、前記フェニル基
は前記アルキル基やアルコキシ基などの置換基をもつこ
とができる。これらの基はいずれも縮合反応の妨げにな
らないようなものであれば格別の制限はない。
におけるアルキル基としては、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基など直鎖または分岐の任意の炭素数のアル
キル基であることができ、アルコキシ基としては、メト
キシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ基など任意の炭
素数のアルコキシ基であることができ、前記フェニル基
は前記アルキル基やアルコキシ基などの置換基をもつこ
とができる。これらの基はいずれも縮合反応の妨げにな
らないようなものであれば格別の制限はない。
【００１５】本発明の光架橋性トリフェニルアミン含有
ポリエーテルケトンの光架橋に関する反応機構は、存在
するＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8のう
ちの少なくとも１つのアルキル基がつぎのような形で架
橋反応に関与しているものと推定される。なお、下記式
の説明はＲ1がエチル基の場合について行なう。
ポリエーテルケトンの光架橋に関する反応機構は、存在
するＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8のう
ちの少なくとも１つのアルキル基がつぎのような形で架
橋反応に関与しているものと推定される。なお、下記式
の説明はＲ1がエチル基の場合について行なう。
【００１６】下記反応式に示すように、紫外線照射の初
段階で生じたベンゾフェノン上のラジカルが、エチル基
から水素原子を引き抜く。引き続き、ベンジルラジカル
の二量化、ベンジルラジカルとアルコール性炭素ラジカ
ルのラジカル−ラジカルカップリング反応、アルコール
性炭素ラジカルの二量化のような光架橋が起こっている
と考えられる。
段階で生じたベンゾフェノン上のラジカルが、エチル基
から水素原子を引き抜く。引き続き、ベンジルラジカル
の二量化、ベンジルラジカルとアルコール性炭素ラジカ
ルのラジカル−ラジカルカップリング反応、アルコール
性炭素ラジカルの二量化のような光架橋が起こっている
と考えられる。
【００１７】
【化１７】
【００１８】本発明のトリフェニルアミン含有ポリエー
テルケトン光架橋物を正孔輸送層とし、これに電子輸送
性発光層を積層することにより、図７に示す二層型有機
ＥＬ素子を作ることができる。
テルケトン光架橋物を正孔輸送層とし、これに電子輸送
性発光層を積層することにより、図７に示す二層型有機
ＥＬ素子を作ることができる。
【００１９】前記電子輸送性発光層は電子輸送性発光物
質を蒸着法などにより成膜したり、電子輸送性発光物質
をバインダーを用いて成膜したり、電子輸送性発光物質
が高分子の場合はそのポリマーの特性を利用して溶剤溶
液としてスピンコートするなどして成膜することができ
る。
質を蒸着法などにより成膜したり、電子輸送性発光物質
をバインダーを用いて成膜したり、電子輸送性発光物質
が高分子の場合はそのポリマーの特性を利用して溶剤溶
液としてスピンコートするなどして成膜することができ
る。
【００２０】前記電子輸送性発光物質のうち低分子化合
物としては、下記式
物としては、下記式
【化１８】 で示されるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム
（III）錯体（Ａｌｑ）のほか、２，５−ビス（５−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−２−ベンゾオキサゾルイル）−チオフ
ェン（ＢＢＯＴと略記することがあり、蛍光ピークは４
５０ｎｍ）、ナイルレッド、１，１，４，４−テトラフ
ェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢと略記することが
あり、蛍光ピークは４３０〜４５０ｎｍ）、クマリン
６，クマリン７、４−（ジシアノメチレン）−２−メチ
ル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラ
ン（ＰＣＭ１）、２−（４−ビフェニルイル）−５−
（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキ
サジアゾール（ＰＢＤと略記することがあり、蛍光ピー
クは３９０ｎｍ）などが挙げられる。
（III）錯体（Ａｌｑ）のほか、２，５−ビス（５−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−２−ベンゾオキサゾルイル）−チオフ
ェン（ＢＢＯＴと略記することがあり、蛍光ピークは４
５０ｎｍ）、ナイルレッド、１，１，４，４−テトラフ
ェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢと略記することが
あり、蛍光ピークは４３０〜４５０ｎｍ）、クマリン
６，クマリン７、４−（ジシアノメチレン）−２−メチ
ル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラ
ン（ＰＣＭ１）、２−（４−ビフェニルイル）−５−
（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキ
サジアゾール（ＰＢＤと略記することがあり、蛍光ピー
クは３９０ｎｍ）などが挙げられる。
【００２１】また、電子輸送性発光物質のうち、高分子
の例としては、下記の式で示されるものを挙げることが
でき、下記式で示される高分子は、その発光色が青色ま
たはそれより短波長の色のものである。この高分子を使
用する場合には、前記低分子の電子輸送性発光物質と併
用することもできる。
の例としては、下記の式で示されるものを挙げることが
でき、下記式で示される高分子は、その発光色が青色ま
たはそれより短波長の色のものである。この高分子を使
用する場合には、前記低分子の電子輸送性発光物質と併
用することもできる。
【化１９】 （前記式中、Ｒは水素、アルキル基、アルコキシ基、ア
リール基よりなる群から選ばれた基である）
リール基よりなる群から選ばれた基である）
【００２２】前記バインダーとしては、ポリメチルメタ
クリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエ
ーテルスルホンなどの電子輸送性や正孔輸送性に対して
不活性な高分子を使用することができる。
クリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエ
ーテルスルホンなどの電子輸送性や正孔輸送性に対して
不活性な高分子を使用することができる。
【００２３】本発明における光とは、紫外線、電子線、
Ｘ線など活性エネルギー線を総称するものである。
Ｘ線など活性エネルギー線を総称するものである。
【００２４】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明を説明する
が、本発明はこれにより何等限定されるものではない。
が、本発明はこれにより何等限定されるものではない。
【００２５】実施例１ その１：ホール輸送性モノマーの合成（下記反応式参
照） （１）トリフェニルアミン誘導体（メトキシ基含有）
（ＴＰＡ−１）の合成 ｐ−エチルアニリン２．１７ｇ（１７．９ｍｍｏｌ）、
４−ヨードアニソール８．８９ｇ（３８．０ｍｍｏ
ｌ）、炭酸カリウム２．７２ｇ、銅粉１３．６ｇを窒素
雰囲気下２３０℃で４８時間撹拌した。室温まで放冷
後、ベンゼンにより生成物を抽出し濾過により銅と炭酸
カルシウムを除去後、減圧濃縮して暗褐色の油状物を得
た。生成物はベンゼン／四塩化炭素（１：２）混合触媒
を展開溶媒としカラムクロマトグラフィーにより精製を
行った。 収率；２９．８％、純度；８８．３％
照） （１）トリフェニルアミン誘導体（メトキシ基含有）
（ＴＰＡ−１）の合成 ｐ−エチルアニリン２．１７ｇ（１７．９ｍｍｏｌ）、
４−ヨードアニソール８．８９ｇ（３８．０ｍｍｏ
ｌ）、炭酸カリウム２．７２ｇ、銅粉１３．６ｇを窒素
雰囲気下２３０℃で４８時間撹拌した。室温まで放冷
後、ベンゼンにより生成物を抽出し濾過により銅と炭酸
カルシウムを除去後、減圧濃縮して暗褐色の油状物を得
た。生成物はベンゼン／四塩化炭素（１：２）混合触媒
を展開溶媒としカラムクロマトグラフィーにより精製を
行った。 収率；２９．８％、純度；８８．３％
【００２６】（２）トリフェニルアミン誘導体（ヒドロ
キシ基）ＴＰＡ−２の合成 １．７８ｇ（５．３ｍｍｏｌ）のＴＰＡ−１を含むジク
ロロエタン１０ｍｌに１．５ｍｌの三臭化ホウ素を含む
ジクロロメタン５ｍｌ溶液を滴下後、氷水中で１時間撹
拌した。反応後、水を加えてホウ素錯体を分解し、ジエ
チルエーテルで抽出した。有機層に硫酸マグネシウムを
加えて一晩撹拌後、減圧濃縮して白緑色の粗結晶を得
た。生成物は酢酸エチル／ｎ−ヘキサン（１：２）混合
溶媒を展開溶媒としカラムクロマトグラフィーにより精
製を行った。更に１，２−ジクロロエタンで再結晶を行
い、白色針状結晶の目的物を得た。 収率；７６．１％、純度；９９．７％、融点；１６１．
３〜１６１．７℃、元素分析：Ｃ20Ｈ19Ｏ2Ｎ；理論値
＝Ｃ；７８．６６，Ｈ；６．２７，Ｎ；４．５９、測定
値Ｃ＝７８．７７，Ｈ；６．３１，Ｎ；４．４３
キシ基）ＴＰＡ−２の合成 １．７８ｇ（５．３ｍｍｏｌ）のＴＰＡ−１を含むジク
ロロエタン１０ｍｌに１．５ｍｌの三臭化ホウ素を含む
ジクロロメタン５ｍｌ溶液を滴下後、氷水中で１時間撹
拌した。反応後、水を加えてホウ素錯体を分解し、ジエ
チルエーテルで抽出した。有機層に硫酸マグネシウムを
加えて一晩撹拌後、減圧濃縮して白緑色の粗結晶を得
た。生成物は酢酸エチル／ｎ−ヘキサン（１：２）混合
溶媒を展開溶媒としカラムクロマトグラフィーにより精
製を行った。更に１，２−ジクロロエタンで再結晶を行
い、白色針状結晶の目的物を得た。 収率；７６．１％、純度；９９．７％、融点；１６１．
３〜１６１．７℃、元素分析：Ｃ20Ｈ19Ｏ2Ｎ；理論値
＝Ｃ；７８．６６，Ｈ；６．２７，Ｎ；４．５９、測定
値Ｃ＝７８．７７，Ｈ；６．３１，Ｎ；４．４３
【００２７】その２：ホール輸送性ポリマーの〔ＴＰＡ
含有ポリエーテルケトン（ＴＰＡＰＥＫ）〕の合成 ０．２０ｇ（０．６７ｍｍｏｌ）のＴＰＡ−４、０．１
４ｇ（０．６６ｍｍｏｌ）の４，４′−ジフルオロベン
ゾフェノン、０．５５ｇの炭酸カリウムを１３．３ｍｌ
ＤＭＡｃに加え窒素雰囲気下、１４０℃で２４時間撹拌
した。室温まで放冷後、酢酸により溶液を中和し、炭酸
カリウムを溶解した。重合停止後、メタノールに析出さ
せ沈殿物を吸引濾過し回収した。これをクロロホルム／
メタノールにより再沈殿精製を行った。 収率；８９．３％、元素分析：Ｃ33Ｈ25Ｏ3Ｎ、理論値
＝Ｃ；８０．９３，Ｈ；５．２１，Ｎ；２．９０、測定
値＝Ｃ；８０．９３，Ｈ；５．１２，Ｎ；２．６１
含有ポリエーテルケトン（ＴＰＡＰＥＫ）〕の合成 ０．２０ｇ（０．６７ｍｍｏｌ）のＴＰＡ−４、０．１
４ｇ（０．６６ｍｍｏｌ）の４，４′−ジフルオロベン
ゾフェノン、０．５５ｇの炭酸カリウムを１３．３ｍｌ
ＤＭＡｃに加え窒素雰囲気下、１４０℃で２４時間撹拌
した。室温まで放冷後、酢酸により溶液を中和し、炭酸
カリウムを溶解した。重合停止後、メタノールに析出さ
せ沈殿物を吸引濾過し回収した。これをクロロホルム／
メタノールにより再沈殿精製を行った。 収率；８９．３％、元素分析：Ｃ33Ｈ25Ｏ3Ｎ、理論値
＝Ｃ；８０．９３，Ｈ；５．２１，Ｎ；２．９０、測定
値＝Ｃ；８０．９３，Ｈ；５．１２，Ｎ；２．６１
【００２８】前記合成反応を反応式で示すとつぎのとお
りである。
りである。
【化２０】
【００２９】光架橋する以前の前記トリフェニルアミン
含有ポリエーテルケトンの各種溶媒に対する溶解特性
は、下記表１に示すとおりである。
含有ポリエーテルケトンの各種溶媒に対する溶解特性
は、下記表１に示すとおりである。
【表１】 ＋＋：可溶 ＤＭＡｃ：ジメチルアセトアミド ＋ ：一部可溶 ＤＭＦ ：ジメチルホルムアミド − ：不溶 ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＮＭＰ ：Ｎ−メチルピロリドン
【００３０】紫外線照射による架橋はセン特殊光源
（株）製 １００Ｗ高圧水銀ランプ電源ＨＢ−１００−
Ａ型式を用いた。スピンコートにより形成されたガラス
基板上の３００Åの光架橋性トリフェニルアミン含有ポ
リエーテルケトンフィルムに大気中で照射時間を変えな
がら紫外線照射を行った。トリフェニルアミン含有ポリ
エーテルケトンフィルムは紫外線照射後、溶解性を測定
するためにジクロロエタンに浸した。更に、表面形状測
定装置（ＤＥＫＴＡＫ３ ＳＴ）を用いて膜厚の損失を
測定した。また、イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）の測定
は紫外線照射後、大気中光電子分析より測定した。
（株）製 １００Ｗ高圧水銀ランプ電源ＨＢ−１００−
Ａ型式を用いた。スピンコートにより形成されたガラス
基板上の３００Åの光架橋性トリフェニルアミン含有ポ
リエーテルケトンフィルムに大気中で照射時間を変えな
がら紫外線照射を行った。トリフェニルアミン含有ポリ
エーテルケトンフィルムは紫外線照射後、溶解性を測定
するためにジクロロエタンに浸した。更に、表面形状測
定装置（ＤＥＫＴＡＫ３ ＳＴ）を用いて膜厚の損失を
測定した。また、イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）の測定
は紫外線照射後、大気中光電子分析より測定した。
【００３１】図１は、つぎのようにして測定した結果を
グラフ化したものである。すなわち、ＩＴＯを被覆した
ガラス基板上に実施例１で得られた光架橋性トリフェニ
ルアミン含有ポリエーテルケトンを約３００Åの厚みに
スピンコートし、乾燥して得られた素材のほゞ中央に線
を引き、その線の個所までの半分をジクロロエタン溶媒
に３４秒浸漬した後、これを引き上げて乾燥し、試料１
を得、この試料１の表面形状を調べた。ＤＥＫＴＡＫ３
ＳＴという表面形状測定装置の探針を試料の浸漬面に
あて、順次非浸漬面の方向に移動することにより、探針
の上下動を縦軸とし、探針の移動距離を横軸としてグラ
フを作成した。図１において厚さが０の点は、未架橋の
トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンとＩＴＯ被
覆ガラス基板の境界を示す。距離が４００μｍあたりま
ではジクロロエタン溶媒に浸漬されたことにより未架橋
のトリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンが溶解し
て、この層がなくなっていることを示している。距離が
４００μｍを過ぎたあたりから溶媒に浸漬されていない
部分であり、未架橋のトリフェニルアミン含有ポリエー
テルケトンが全く溶解していないことを示している。
グラフ化したものである。すなわち、ＩＴＯを被覆した
ガラス基板上に実施例１で得られた光架橋性トリフェニ
ルアミン含有ポリエーテルケトンを約３００Åの厚みに
スピンコートし、乾燥して得られた素材のほゞ中央に線
を引き、その線の個所までの半分をジクロロエタン溶媒
に３４秒浸漬した後、これを引き上げて乾燥し、試料１
を得、この試料１の表面形状を調べた。ＤＥＫＴＡＫ３
ＳＴという表面形状測定装置の探針を試料の浸漬面に
あて、順次非浸漬面の方向に移動することにより、探針
の上下動を縦軸とし、探針の移動距離を横軸としてグラ
フを作成した。図１において厚さが０の点は、未架橋の
トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンとＩＴＯ被
覆ガラス基板の境界を示す。距離が４００μｍあたりま
ではジクロロエタン溶媒に浸漬されたことにより未架橋
のトリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンが溶解し
て、この層がなくなっていることを示している。距離が
４００μｍを過ぎたあたりから溶媒に浸漬されていない
部分であり、未架橋のトリフェニルアミン含有ポリエー
テルケトンが全く溶解していないことを示している。
【００３２】図２は、つぎのようにして測定した結果を
グラフ化したものである。すなわち、図１の測定を行っ
た試料１に紫外線を２１０秒間照射した後、この全体を
ジクロロエタン溶媒に３４秒浸漬して引き上げ、乾燥
し、試料２とした。この試料２を前記試料１の場合と同
様にしてその表面形状を測定し、その結果を図２に示
す。試料１において溶媒に浸漬されない部分であるた
め、溶解しないで残存していた未架橋のトリフェニルア
ミン含有ポリエーテルケトンの層は、２１０秒間の紫外
線照射により相当程度架橋反応が進行しているため、試
料２においては溶媒に浸漬しても、トリフェニルアミン
含有ポリエーテルケトンの層は３００Åあった厚みが１
８０〜２００Å程度に減少はしたものの充分な厚みで残
存していることが分る。
グラフ化したものである。すなわち、図１の測定を行っ
た試料１に紫外線を２１０秒間照射した後、この全体を
ジクロロエタン溶媒に３４秒浸漬して引き上げ、乾燥
し、試料２とした。この試料２を前記試料１の場合と同
様にしてその表面形状を測定し、その結果を図２に示
す。試料１において溶媒に浸漬されない部分であるた
め、溶解しないで残存していた未架橋のトリフェニルア
ミン含有ポリエーテルケトンの層は、２１０秒間の紫外
線照射により相当程度架橋反応が進行しているため、試
料２においては溶媒に浸漬しても、トリフェニルアミン
含有ポリエーテルケトンの層は３００Åあった厚みが１
８０〜２００Å程度に減少はしたものの充分な厚みで残
存していることが分る。
【００３３】光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエー
テルケトンフィルムの不溶化の過程を図３に示す。図３
によれば照射時間が長くなるにつれてポリマーの架橋反
応が進行し、膜が溶解しなくなるため、溶解しないで残
存する膜厚が厚くなり、３９０秒照射後には膜が完全に
不溶化していることがわかる。
テルケトンフィルムの不溶化の過程を図３に示す。図３
によれば照射時間が長くなるにつれてポリマーの架橋反
応が進行し、膜が溶解しなくなるため、溶解しないで残
存する膜厚が厚くなり、３９０秒照射後には膜が完全に
不溶化していることがわかる。
【００３４】つぎに、光架橋性トリフェニルアミン含有
ポリエーテルケトンフィルムへの照射時間を５、６、
７、１０、３０分と変えた時のイオン化ポテンシャル
（Ｉｐ）の経時変化を図４に示す。例えば、紫外線照射
７分後のＩｐが未照射のと比較して、５．５５ｅＶから
５．７０ｅＶへと上昇しており、照射によりＩｐが照射
開始１０分までは上昇したがそれ以降は変化を示さなか
った。これは光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエー
テルケトンが紫外線照射により架橋反応ばかりではな
く、トリフェニルアミン部位が光分解あるいは光酸化を
起こしている可能性を示唆している。この結果から電子
輸送性部位が変質しない範囲内で完全な光架橋が充分実
現できることが分る。
ポリエーテルケトンフィルムへの照射時間を５、６、
７、１０、３０分と変えた時のイオン化ポテンシャル
（Ｉｐ）の経時変化を図４に示す。例えば、紫外線照射
７分後のＩｐが未照射のと比較して、５．５５ｅＶから
５．７０ｅＶへと上昇しており、照射によりＩｐが照射
開始１０分までは上昇したがそれ以降は変化を示さなか
った。これは光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエー
テルケトンが紫外線照射により架橋反応ばかりではな
く、トリフェニルアミン部位が光分解あるいは光酸化を
起こしている可能性を示唆している。この結果から電子
輸送性部位が変質しない範囲内で完全な光架橋が充分実
現できることが分る。
【００３５】光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエー
テルケトンフィルムの紫外線未照射の場合と、７分間紫
外線照射した場合の紫外線吸収スペクトル、蛍光スペク
トルを図５、図６に示す。図５および図６において、ａ
はＩＴＯ被覆ガラス基板上にスピンコートされた未架橋
のトリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン層に紫外
線を照射しない段階のＵＶスペクトル図（図５）および
蛍光スペクトル図（図６）であり、ｂは前記試料に４２
０秒間紫外線照射をほどこしたもののＵＶスペクトル図
および蛍光スペクトル図である。図５によれば、曲線ｂ
は曲線ａに対して３００ｎｍ付近の吸収が減少している
が、これは紫外線照射のためトリフェニルアミン部位
の光分解、架橋によるカルボニル基の消失、の二通り
が考えられる。また、図６によれば、紫外線照射後、最
大蛍光波長が７０ｎｍ程度短波長側にシフトしている。
したがって、紫外線照射前ではトリフェニルアミン部位
とベンゾフェノンがエキシプレックスを形成して長波長
側にあるが、架橋することによりエキシプレックスの形
成がおさえられ、架橋ポリマーのピークは短波長側に移
動することが分った。
テルケトンフィルムの紫外線未照射の場合と、７分間紫
外線照射した場合の紫外線吸収スペクトル、蛍光スペク
トルを図５、図６に示す。図５および図６において、ａ
はＩＴＯ被覆ガラス基板上にスピンコートされた未架橋
のトリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン層に紫外
線を照射しない段階のＵＶスペクトル図（図５）および
蛍光スペクトル図（図６）であり、ｂは前記試料に４２
０秒間紫外線照射をほどこしたもののＵＶスペクトル図
および蛍光スペクトル図である。図５によれば、曲線ｂ
は曲線ａに対して３００ｎｍ付近の吸収が減少している
が、これは紫外線照射のためトリフェニルアミン部位
の光分解、架橋によるカルボニル基の消失、の二通り
が考えられる。また、図６によれば、紫外線照射後、最
大蛍光波長が７０ｎｍ程度短波長側にシフトしている。
したがって、紫外線照射前ではトリフェニルアミン部位
とベンゾフェノンがエキシプレックスを形成して長波長
側にあるが、架橋することによりエキシプレックスの形
成がおさえられ、架橋ポリマーのピークは短波長側に移
動することが分った。
【００３６】実施例２ 図７にしたがって本発明の有機ＥＬ素子を作った。すな
わち、ガラス基板上に、シート抵抗１５Ω／□のＩＴＯ
（インジウム−チン−オキサイド）をコートすることに
よりＩＴＯ被覆ガラス基板を得た。このＩＴＯ被覆ガラ
ス基板上に光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエーテ
ルケトン膜をジクロロエタン溶液からスピンコート法に
より２００Åあるいは３００Åに成膜し、架橋のものと
未架橋のものを作製した。その上に発光層となる下記式
わち、ガラス基板上に、シート抵抗１５Ω／□のＩＴＯ
（インジウム−チン−オキサイド）をコートすることに
よりＩＴＯ被覆ガラス基板を得た。このＩＴＯ被覆ガラ
ス基板上に光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエーテ
ルケトン膜をジクロロエタン溶液からスピンコート法に
より２００Åあるいは３００Åに成膜し、架橋のものと
未架橋のものを作製した。その上に発光層となる下記式
【化２１】 で示されるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム
（III）錯体（Ａｌｑ）を２×１０-3Ｔｏｒｒ下で３Å
／ｓの速度で真空蒸着（７００Å）した。さらに８×１
０-6Ｔｏｒｒ下でＭｇとＡｇを１０：１の割合で２００
０Å共蒸着し、陰極とし、さらにその上にＡｇの保護膜
を１０００Å蒸着した。
（III）錯体（Ａｌｑ）を２×１０-3Ｔｏｒｒ下で３Å
／ｓの速度で真空蒸着（７００Å）した。さらに８×１
０-6Ｔｏｒｒ下でＭｇとＡｇを１０：１の割合で２００
０Å共蒸着し、陰極とし、さらにその上にＡｇの保護膜
を１０００Å蒸着した。
【００３７】このようにして得られた二層型有機ＥＬ素
子において、ＩＴＯを陽極、ＭｇＡｇ／Ａｇを陰極とし
直流電圧を印加するとＡｌｑからの緑色発光が得られ
た。これらの素子の輝度−電圧特性を図８に、電流密度
−電圧特性を図９に示した。図８および図９において、
白丸印はＩＴＯ被覆ガラス基板（以下、ＩＴＯと略す）
／トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン（以下Ｔ
ＰＡ−ＰＥＫと略す）（厚さ２００Å）／トリス（８−
キノリノラト）アルミニウム（III）錯体（以下Ａｌｑ
と略す）（厚さ７００Å）／ＭｇＡｇ／Ａｇよりなる有
機ＥＬ素子であり、白三角印はＩＴＯ／ＴＰＡ−ＰＥＫ
（厚さ３００Å）／Ａｌｑ（厚さ７００Å）／ＭｇＡｇ
／Ａｇよりなる有機ＥＬ素子であり、黒丸印はＩＴＯ／
架橋ＴＰＡ−ＰＥＫ（厚さ２００Å）／Ａｌｑ（厚さ７
００Å）／ＭｇＡｇ／Ａｇよりなる有機ＥＬ素子であ
り、黒三角印はＩＴＯ／架橋ＴＰＡ−ＰＥＫ（厚さ３０
０Å）／Ａｌｑ（厚さ７００Å）／ＭｇＡｇ／Ａｇより
なる有機ＥＬ素子である。なお、前記ＴＰＡ−ＰＥＫを
架橋させるためには紫外線を照射したものであり、その
照射時間は、厚さ２００Åのものについては１８０秒、
厚さ３００Åのものについては２１０秒とした。この結
果、ポリマー層が同一の厚みのもの同士、すなわち白丸
と黒丸、白三角と黒三角のデータを較べると黒の方が電
流密度が低い、すなわち、未架橋のトリフェニルアミン
含有ポリエーテルケトンより、架橋したトリフェニルア
ミン含有ポリエーテルケトンの方が同一の駆動電圧にお
いては電流密度が低いことがわかる。２００Åのホール
輸送層を有する素子においては、最高輝度は未架橋の場
合１４Ｖで４５００ｃｄ／ｍ2、架橋の場合１６Ｖで２
０００ｃｄ／ｍ2であった。これは図９に示すように、
電流密度が減少したためであり、これは架橋したポリマ
ーのイオン化ポテンシャルが上昇し、ホール注入障壁が
高くなり、ＩＴＯ電極からのホール注入効率が減少した
ためである。同様の傾向が３００Åのホール輸送層を有
する素子においても見られ、２００Åよりも駆動電圧が
高くなったのは、素子のトータル膜圧が厚くなったた
め、同電圧における電界強度が低下したためであると考
えられる。この結果、本発明のポリマーは、光架橋前も
光架橋後も正孔輸送層として機能することが確認され
た。また、Ａｌｑのみを有するＩＴＯ／Ａｌｑ／ＭｇＡ
ｇ素子では、約２００ｃｄ／ｍ2程度の低輝度しか得ら
れないが、架橋ＴＰＡ−ＰＥＫとＡｌｑを積層させるこ
とにより輝度は１０倍向上し、２０００ｃｄ／ｍ2の発
光が得られ、有機ＥＬ素子のホール輸送層として応用で
きることを確認した。
子において、ＩＴＯを陽極、ＭｇＡｇ／Ａｇを陰極とし
直流電圧を印加するとＡｌｑからの緑色発光が得られ
た。これらの素子の輝度−電圧特性を図８に、電流密度
−電圧特性を図９に示した。図８および図９において、
白丸印はＩＴＯ被覆ガラス基板（以下、ＩＴＯと略す）
／トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン（以下Ｔ
ＰＡ−ＰＥＫと略す）（厚さ２００Å）／トリス（８−
キノリノラト）アルミニウム（III）錯体（以下Ａｌｑ
と略す）（厚さ７００Å）／ＭｇＡｇ／Ａｇよりなる有
機ＥＬ素子であり、白三角印はＩＴＯ／ＴＰＡ−ＰＥＫ
（厚さ３００Å）／Ａｌｑ（厚さ７００Å）／ＭｇＡｇ
／Ａｇよりなる有機ＥＬ素子であり、黒丸印はＩＴＯ／
架橋ＴＰＡ−ＰＥＫ（厚さ２００Å）／Ａｌｑ（厚さ７
００Å）／ＭｇＡｇ／Ａｇよりなる有機ＥＬ素子であ
り、黒三角印はＩＴＯ／架橋ＴＰＡ−ＰＥＫ（厚さ３０
０Å）／Ａｌｑ（厚さ７００Å）／ＭｇＡｇ／Ａｇより
なる有機ＥＬ素子である。なお、前記ＴＰＡ−ＰＥＫを
架橋させるためには紫外線を照射したものであり、その
照射時間は、厚さ２００Åのものについては１８０秒、
厚さ３００Åのものについては２１０秒とした。この結
果、ポリマー層が同一の厚みのもの同士、すなわち白丸
と黒丸、白三角と黒三角のデータを較べると黒の方が電
流密度が低い、すなわち、未架橋のトリフェニルアミン
含有ポリエーテルケトンより、架橋したトリフェニルア
ミン含有ポリエーテルケトンの方が同一の駆動電圧にお
いては電流密度が低いことがわかる。２００Åのホール
輸送層を有する素子においては、最高輝度は未架橋の場
合１４Ｖで４５００ｃｄ／ｍ2、架橋の場合１６Ｖで２
０００ｃｄ／ｍ2であった。これは図９に示すように、
電流密度が減少したためであり、これは架橋したポリマ
ーのイオン化ポテンシャルが上昇し、ホール注入障壁が
高くなり、ＩＴＯ電極からのホール注入効率が減少した
ためである。同様の傾向が３００Åのホール輸送層を有
する素子においても見られ、２００Åよりも駆動電圧が
高くなったのは、素子のトータル膜圧が厚くなったた
め、同電圧における電界強度が低下したためであると考
えられる。この結果、本発明のポリマーは、光架橋前も
光架橋後も正孔輸送層として機能することが確認され
た。また、Ａｌｑのみを有するＩＴＯ／Ａｌｑ／ＭｇＡ
ｇ素子では、約２００ｃｄ／ｍ2程度の低輝度しか得ら
れないが、架橋ＴＰＡ−ＰＥＫとＡｌｑを積層させるこ
とにより輝度は１０倍向上し、２０００ｃｄ／ｍ2の発
光が得られ、有機ＥＬ素子のホール輸送層として応用で
きることを確認した。
【００３８】
（１）本発明により、新規な光架橋性ポリマーを提供す
ることができた。 （２）本発明のポリマーは光架橋前でも、光架橋後でも
電子輸送性層として機能することができる。 （３）本発明のポリマーは、有機ＥＬ素子の電子輸送層
として有効に機能する。
ることができた。 （２）本発明のポリマーは光架橋前でも、光架橋後でも
電子輸送性層として機能することができる。 （３）本発明のポリマーは、有機ＥＬ素子の電子輸送層
として有効に機能する。
【図１】実施例１で得た試料１（未架橋ＴＰＡ−ＰＥ
Ｋ）の表面形状を示す。
Ｋ）の表面形状を示す。
【図２】実施例１で得た試料２（架橋ＴＰＡ−ＰＥＫ）
の表面形状を示す。
の表面形状を示す。
【図３】光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエーテル
ケトン（ＴＰＡ−ＰＥＫ）フィルムの不溶化の過程を示
すグラフである。
ケトン（ＴＰＡ−ＰＥＫ）フィルムの不溶化の過程を示
すグラフである。
【図４】光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエーテル
ケトン（ＴＰＡ−ＰＥＫ）フィルムのイオン化ポテンシ
ャル（Ｉｐ）の経時変化を示すグラフである。
ケトン（ＴＰＡ−ＰＥＫ）フィルムのイオン化ポテンシ
ャル（Ｉｐ）の経時変化を示すグラフである。
【図５】光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエーテル
ケトン（ＴＰＡ−ＰＥＫ）フィルムの紫外線未照射物
（未架橋物）の紫外線スペクトルをａに、その紫外線照
射物（架橋物）の紫外線スペクトルをｂに、それぞれ示
す。
ケトン（ＴＰＡ−ＰＥＫ）フィルムの紫外線未照射物
（未架橋物）の紫外線スペクトルをａに、その紫外線照
射物（架橋物）の紫外線スペクトルをｂに、それぞれ示
す。
【図６】光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエーテル
ケトン（ＴＰＡ−ＰＥＫ）フィルムの紫外線未照射物
（未架橋物）の蛍光スペクトルをａに、その紫外線照射
物（架橋物）の蛍光スペクトルをｂに、それぞれ示す。
ケトン（ＴＰＡ−ＰＥＫ）フィルムの紫外線未照射物
（未架橋物）の蛍光スペクトルをａに、その紫外線照射
物（架橋物）の蛍光スペクトルをｂに、それぞれ示す。
【図７】実施例２の有機ＥＬ素子の積層構造を示す。
【図８】実施例２の有機ＥＬ素子の輝度・電圧特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図９】実施例２の有機ＥＬ素子の電流密度・電圧特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
Claims (7)
- 【請求項１】 下記式〔１〕 【化１】 よりなる群から選ばれたトリフェニルアミン含有基であ
り、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、
水素、アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ
基、置換基を有することもある、フェニル基、ジフェニ
ルアミノ基およびハロゲンよりなる群から独立して選ば
れた基であり、かつ、存在するＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ
5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8のうち少なくとも１つはアルキル基で
ある）で示される重量平均分子量１，０００〜１，００
０，０００の光架橋性トリフェニルアミン含有ポリエー
テルケトン。 - 【請求項２】 下記式〔２〕 【化２】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8は、水素、アル
キル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を
有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ基お
よびハロゲンよりなる群から選ばれた基であり、Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8のうちの少なくとも１つはアル
キル基である）で示される重量平均分子量１，０００〜
１，０００，０００の光架橋性トリフェニルアミン含有
ポリエーテルケトン。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の光架橋性トリフ
ェニルアミン含有ポリエーテルケトンの光架橋物。 - 【請求項４】 下記一般式〔３〕 【化３】 よりなる群から選ばれたトリフェニルアミン含有基であ
り、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、水素、アル
キル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を
有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ基お
よびハロゲン基よりなる群から独立して選ばれた基であ
る）で示されるトリフェニルアミン含有ジオール類と下
記一般式〔４〕 【化４】 （式中、Ｘはハロゲンであり、Ｒ7およびＲ8は、水素、
アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換
基を有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ
基およびハロゲンよりなる群から選ばれた基である）で
示されるハロゲン化ジフェニルケトンとを｛たゞし、一
般式〔３〕および〔４〕において存在しているＲ1、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8のうちの少な
くとも１つはアルキル基である｝縮合させることを特徴
とする下記式〔１〕 【化５】 （式中、Ｑは前記と同じであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、水素、アルキル基、アルコ
キシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を有することもあ
る、フェニル基、ジフェニルアミノ基およびハロゲンよ
りなる群から選ばれた基であり、かつ、存在しているＲ
1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8のうちの少
なくとも１つはアルキル基である）で示される重量平均
分子量１，０００〜１，０００，０００の光架橋性トリ
フェニルアミン含有ポリエーテルケトンの製法。 - 【請求項５】 下記一般式〔５〕 【化６】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、水素、アルキル基、ア
ルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を有すること
もある、フェニル基、ジフェニルアミノ基およびハロゲ
ンよりなる群から選ばれた基である）で示されるトリフ
ェニルアミン含有ジオール類と下記一般式〔４〕 【化７】 （式中、Ｘはハロゲンであり、Ｒ7およびＲ8は、水素、
アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換
基を有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ
基およびハロゲンよりなる群から選ばれた基である）で
示されるハロゲン化ジフェニルケトンとを｛たゞし、一
般式〔４〕および〔５〕におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7お
よびＲ8のうちの少なくとも１つはアルキル基である｝
縮合させることを特徴とする下記式〔２〕 【化８】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8は、水素、アル
キル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、置換基を
有することもある、フェニル基、ジフェニルアミノ基お
よびハロゲンよりなる群から選ばれた基であり、Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8のうちの少なくとも１つはアル
キル基である）で示される重量平均分子量１，０００〜
１，０００，０００の光架橋性トリフェニルアミン含有
ポリエーテルケトンの製法。 - 【請求項６】 正孔輸送層に請求項１または２記載の光
架橋性トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンまた
は請求項３記載の光架橋物を用いたことを特徴とする有
機ＥＬ素子。 - 【請求項７】 請求項１または２記載の光架橋性トリフ
ェニルアミン含有ポリエーテルケトンまたは請求項３記
載の光架橋物を用いた正孔輸送層と電子輸送性発光層を
積層した有機ＥＬ素子。
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