JP5059410B2 - 光学装置 - Google Patents
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Description
第1のタイプの電荷担体の注入のための第1の電極を含む基板を提供する
第1のタイプの電荷担体の輸送用第1の材料並びに発光及び第1のタイプの電荷担体の輸送用第2の材料を含む組成物を基板上に蒸着することによって半導体領域を形成する
第2のタイプの電荷担体を注入するための第2の電極を半導体領域上に蒸着する
2,7−ジブロモフルオレン
1H NMR(CDCl3)7.73(2H,d,J2.0)、7.61(2H,dd,J7.6,2.0)、7.36(2H,d,J8.0);13C NMR(CDCl3)
142.3,137.5,135.3,127.9,123.3,121.8,109.8
1H NMR(CDCl3),δ/ppm:7.58(2H,d,J7.6)、7.49(2H,d,1.2)、7.48(2H,dd,1.6)、7.25(6H,m),7.14(4H,m).
1H NMR(CDCl3),δ/ppm:153.2,144.6,138.3,131.1,129.6,128.7,128.2,127.4,122.0,121.7,65.8
下記の表1に示されるAr基を有するモノマーが上記のスキーム及び一般的実験プロセスにしたがって製造された。表1に示されるAr基に対応するアリールリチウム化合物が対応する臭化アリールから製造された。
本発明の青色電子発光ポリマーが9,9−ジ−n−オクチルフルオレン−2,7−ジ(エチレニルボロネート)(0.65価)、2,7−ジブロモ−9,9−ジフェニルフルオレン(0.30価)及びN,N’−ジ(4−ブロモフェニル)−N,N’−ジ(4−n−ブチルフェニル)−1,4−ジアミノベンゼン(0.05価)の反応によって国際公開00/53656号パンフレットのプロセスにしたがって製造され、ポリマーP1が得られた。
一般的手法
ガラス基板(Applied Films,Colorado,USAより入手可)上に支持されたインジウム錫酸化物上に、BayerからBaytron P(登録商標)として入手可能なPEDT/PSS層をスピンコートにより蒸着された。TFBとポリマーP1との混合溶液がPEDT/PSS上にスピンコートにより蒸着された。ポリマーP1上にバリウムの第1層からなるカソードと第2のアルミニウム封止層が蒸着された。
本発明の装置が異なるP1:TFBの割合の範囲及び異なる溶媒を使用して一般的手法により製造された。比較の目的のため、TFBを含まない装置が製造された。それぞれの場合、少なくとも2つの装置が製造された。装置は、800cd/m2で稼動された。
図2からわかるように、駆動電圧の低減は、制御されたものに比較して混合系において達成されている。この低減は、TFB:ポリマー1の異なる比率及び異なる溶媒において得られた。
比較ポリマーC1(下記に構造を示す)から“TFB”繰返し単位を除去し、ポリマーP1を得、“TFB”成分を同じポリマーの成分としてではなく混合物の分離された材料として提供することの影響は驚くべきことである。
上記に示されるように、正孔輸送機能を有する電子発光材料を含む層中への追加の正孔輸送材料の混合は、寿命の増加、駆動電圧の低下、量子効率の増加のような得られる装置に優位な影響を与えることが発見された。
混合物中の電子発光材料への正孔輸送材料の追加(電子発光ポリマー内で完全に正孔輸送層を結合する場合に比べて)によって特性が大きく改良されることは、正孔輸送層が垂直に層分離することを示唆している。正孔輸送層がアノード側に移動するので、最終的な構造は正孔輸送及び電子発光層が別々にスピンコート/印刷されやときと類似のものとなる。この層分離のプロセスはプロセスの多くの要因及び分子量のような材料特性に依存する。
2 インジウム錫酸化物アノード
3 半導体領域
4 カソード
Claims (13)
- 正孔注入用のアノードを含む基板を提供する工程、正孔輸送用の第1の材料と、発光及び正孔輸送用の第2の材料を含む組成物を基板上に堆積することによって半導体領域を形成する工程、及び電子注入用のカソードを前記半導体領域上に堆積する工程、を含む電子発光装置の形成方法であって:
前記第1の材料は、選択的に置換される一般式(II)の繰返し単位を含むポリマーであり、
前記第2の材料は、選択的に置換される一般式(IV)の繰返し単位と一般式(V)の繰返し単位を含むポリマーであり、
前記第1の材料対前記第2の材料の比が10:90〜20:80であり、かつ前記第1の材料のピーク平均分子量Mpが25と150kDaの間である前記方法。 - 前記一般式(II)の繰返し単位はその主鎖上の単一の窒素原子からなる請求項1または2に記載の方法。
- 前記第2の材料は400〜500nmの波長範囲の電子発光を行うことができる請求項1ないし3のいずれかに記載の方法。
- 前記第2の材料は430〜500nmの波長範囲の電子発光を行うことができる請求項4に記載の方法。
- 前記組成物は溶媒中の溶液から堆積される請求項1ないし5のいずれかに記載の方法。
- 前記溶媒が置換されるベンゼンを含む請求項6に記載の方法。
- 前記溶媒がモノ又はポリアルキルベンゼンを含む請求項7に記載の方法。
- 前記第1の材料のピーク平均分子量 Mpが30と80kDaの間である請求項8に記載の方法。
- 前記第1の材料のピーク平均分子量 Mpが40と60kDaの間である請求項9に記載の方法。
- 前記第1の材料と前記第2の材料が実質的に完全に相分離する請求項1ないし10のいずれかに記載の方法。
- 置換基がC1-10アルキル又はC1-10アルコキシである請求項1〜11のいずれかに記載の方法。
- 請求項1ないし12のいずれかの方法によって得られる電子発光装置。
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