JPH09252079A - 過電流過熱保護機能内蔵半導体スイッチング素子の遮断表示装置 - Google Patents
過電流過熱保護機能内蔵半導体スイッチング素子の遮断表示装置Info
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- JPH09252079A JPH09252079A JP8059273A JP5927396A JPH09252079A JP H09252079 A JPH09252079 A JP H09252079A JP 8059273 A JP8059273 A JP 8059273A JP 5927396 A JP5927396 A JP 5927396A JP H09252079 A JPH09252079 A JP H09252079A
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- interrupted
- signal
- semiconductor switching
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/02—Details
- H02H3/04—Details with warning or supervision in addition to disconnection, e.g. for indicating that protective apparatus has functioned
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B9/00—Safety arrangements
- G05B9/02—Safety arrangements electric
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Alarm Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 設計工数及び設計コストを低減する。
【解決手段】 負荷への過電流・過熱を検出することに
より遮断する過電流過熱保護機能を内蔵した複数のイン
テリジェント・パワーＩＣ１２と、前記複数のインテリ
ジェント・パワーＩＣ１２に接続され遮断されたインテ
リジェント・パワーＩＣからの遮断信号に基づき遮断さ
れたインテリジェント・パワーＩＣを特定する信号とし
て遮断されたインテリジェント・パワーＩＣに対応する
パルス数を持つパルス信号を発生するパルス発生部４０
と、前記パルス発生部４０で発生したパルス信号を入力
し遮断されたインテリジェント・パワーＩＣを視覚情報
で表示する警告灯２２とを備える。
より遮断する過電流過熱保護機能を内蔵した複数のイン
テリジェント・パワーＩＣ１２と、前記複数のインテリ
ジェント・パワーＩＣ１２に接続され遮断されたインテ
リジェント・パワーＩＣからの遮断信号に基づき遮断さ
れたインテリジェント・パワーＩＣを特定する信号とし
て遮断されたインテリジェント・パワーＩＣに対応する
パルス数を持つパルス信号を発生するパルス発生部４０
と、前記パルス発生部４０で発生したパルス信号を入力
し遮断されたインテリジェント・パワーＩＣを視覚情報
で表示する警告灯２２とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、過電流過熱保護機
能内蔵半導体スイッチング素子が過電流又は過熱により
遮断したことを表示する過電流過熱保護機能内蔵半導体
スイッチング素子の遮断表示装置に関する。
能内蔵半導体スイッチング素子が過電流又は過熱により
遮断したことを表示する過電流過熱保護機能内蔵半導体
スイッチング素子の遮断表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】過電流過熱保護機能内蔵半導体スイッチ
ング素子（以下、インテリジェント・パワーＩＣ）は、
検出部と遮断部とを備えており、検出部が負荷への過電
流又は過熱を検出すると、検出信号に基づいて遮断部が
遮断することにより負荷への電力の供給を停止する。従
来のこの種のインテリジェント・パワーＩＣを図１１に
示す。図１１において、プリント基板１０上にはインテ
リジェント・パワーＩＣ１２ａ，１２ｂ、制御ＩＣ１４
が設けられ、インテリジェント・パワーＩＣ１２ａ，１
２ｂに対応して負荷２０ａ，２０ｂが設けられる。
ング素子（以下、インテリジェント・パワーＩＣ）は、
検出部と遮断部とを備えており、検出部が負荷への過電
流又は過熱を検出すると、検出信号に基づいて遮断部が
遮断することにより負荷への電力の供給を停止する。従
来のこの種のインテリジェント・パワーＩＣを図１１に
示す。図１１において、プリント基板１０上にはインテ
リジェント・パワーＩＣ１２ａ，１２ｂ、制御ＩＣ１４
が設けられ、インテリジェント・パワーＩＣ１２ａ，１
２ｂに対応して負荷２０ａ，２０ｂが設けられる。
【０００３】このような構成において、いずれか一方の
インテリジェント・パワーＩＣが、過電流又は過熱等の
要因により遮断した場合には、診断装置３０を専用のコ
ネクタ３２に接続して何が原因であるかを判断してい
た。この場合、制御ＩＣ１４と診断装置３０との間で情
報のやりとりを行う必要がある。このため、ソフトウェ
アを作成しなければならない。
インテリジェント・パワーＩＣが、過電流又は過熱等の
要因により遮断した場合には、診断装置３０を専用のコ
ネクタ３２に接続して何が原因であるかを判断してい
た。この場合、制御ＩＣ１４と診断装置３０との間で情
報のやりとりを行う必要がある。このため、ソフトウェ
アを作成しなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、インテリジェ
ント・パワーＩＣが追加された場合には、制御ＩＣ１４
のソフトウェアと診断装置３０のソフトウェアとを変更
しなければならなかった。このため、かなりの工数がか
かり、また、簡単な制御システムにおいては、コストが
かかり過ぎていた。
ント・パワーＩＣが追加された場合には、制御ＩＣ１４
のソフトウェアと診断装置３０のソフトウェアとを変更
しなければならなかった。このため、かなりの工数がか
かり、また、簡単な制御システムにおいては、コストが
かかり過ぎていた。
【０００５】一方、従来のこの種の診断装置を用いた公
知技術として実開平２−１４７３５５、実開平３−８３
１３３がある。実開平２−１４７３５５においては、故
障診断装置からの信号を故障検出手段でディジタル処理
化して故障を検出し、記憶手段に記憶された信号をアナ
ログ表示化することにより故障箇所を判別するものであ
る。
知技術として実開平２−１４７３５５、実開平３−８３
１３３がある。実開平２−１４７３５５においては、故
障診断装置からの信号を故障検出手段でディジタル処理
化して故障を検出し、記憶手段に記憶された信号をアナ
ログ表示化することにより故障箇所を判別するものであ
る。
【０００６】また、実開平３−８３１３３においては、
電子制御装置により各種部品の故障の有無を自己診断
し、電子制御装置の自己診断機能で検出された故障部品
に対応するコード信号を表示装置に入力し、コード信号
に対応する文字信号を表示部に出力し、表示部に故障部
品が文字表示される。
電子制御装置により各種部品の故障の有無を自己診断
し、電子制御装置の自己診断機能で検出された故障部品
に対応するコード信号を表示装置に入力し、コード信号
に対応する文字信号を表示部に出力し、表示部に故障部
品が文字表示される。
【０００７】しかし、これらの公知の技術にあっては、
診断装置を用いており、コストがかなりかかっていた。
診断装置を用いており、コストがかなりかかっていた。
【０００８】本発明の目的は、設計工数及び設計コスト
を低減することのできる過電流過熱保護機能内蔵半導体
スイッチング素子の遮断表示装置を提供する。
を低減することのできる過電流過熱保護機能内蔵半導体
スイッチング素子の遮断表示装置を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の手段を採用した。請求項１の発明
は、負荷への過電流・過熱を検出することにより遮断す
る過電流過熱保護機能を内蔵した複数の半導体スイッチ
ング素子と、前記複数の半導体スイッチング素子に接続
され遮断された半導体スイッチング素子からの遮断信号
に基づき遮断された半導体スイッチング素子を特定する
スイッチング素子特定信号を発生する信号発生部と、前
記信号発生部で発生したスイッチング素子特定信号を入
力し遮断された半導体スイッチ素子を視覚情報で表示す
る表示部とを備える。
決するために以下の手段を採用した。請求項１の発明
は、負荷への過電流・過熱を検出することにより遮断す
る過電流過熱保護機能を内蔵した複数の半導体スイッチ
ング素子と、前記複数の半導体スイッチング素子に接続
され遮断された半導体スイッチング素子からの遮断信号
に基づき遮断された半導体スイッチング素子を特定する
スイッチング素子特定信号を発生する信号発生部と、前
記信号発生部で発生したスイッチング素子特定信号を入
力し遮断された半導体スイッチ素子を視覚情報で表示す
る表示部とを備える。
【００１０】この発明によれば、いずれかの半導体スイ
ッチング素子が過電流・過熱により遮断すると、信号発
生部は遮断された半導体スイッチング素子からの遮断信
号に基づき遮断された半導体スイッチング素子を特定す
るスイッチング素子特定信号を発生し、表示部はスイッ
チング素子特定信号の入力により遮断された半導体スイ
ッチ素子を視覚情報で表示する。その結果、診断装置を
用いることなくソフトウェアの少ない変更で遮断した半
導体スイッチング素子を容易に特定することができる。
また、１つの表示部のみにスイッチング素子特定信号を
入力することによって複数の半導体スイッチング素子の
中から遮断された半導体スイッチング素子を特定するの
で、部品点数を大幅に削減でき、設計工数及び設計コス
トを低減できる。
ッチング素子が過電流・過熱により遮断すると、信号発
生部は遮断された半導体スイッチング素子からの遮断信
号に基づき遮断された半導体スイッチング素子を特定す
るスイッチング素子特定信号を発生し、表示部はスイッ
チング素子特定信号の入力により遮断された半導体スイ
ッチ素子を視覚情報で表示する。その結果、診断装置を
用いることなくソフトウェアの少ない変更で遮断した半
導体スイッチング素子を容易に特定することができる。
また、１つの表示部のみにスイッチング素子特定信号を
入力することによって複数の半導体スイッチング素子の
中から遮断された半導体スイッチング素子を特定するの
で、部品点数を大幅に削減でき、設計工数及び設計コス
トを低減できる。
【００１１】また、前記信号発生部は、前記遮断された
半導体スイッチング素子に対応するパルス数を持つパル
ス信号を前記スイッチング素子特定信号として発生する
パルス発生部である。
半導体スイッチング素子に対応するパルス数を持つパル
ス信号を前記スイッチング素子特定信号として発生する
パルス発生部である。
【００１２】この発明によれば、パルス発生部が遮断さ
れた半導体スイッチング素子に対応するパルス数を持つ
パルス信号を発生すると、表示部は遮断された半導体ス
イッチング素子に対応するパルス数を持つパルス信号を
入力しパルス数を視覚的に表示するので、作業者はパル
ス数をカウントするのみで遮断した半導体スイッチング
素子を容易に特定することができる。
れた半導体スイッチング素子に対応するパルス数を持つ
パルス信号を発生すると、表示部は遮断された半導体ス
イッチング素子に対応するパルス数を持つパルス信号を
入力しパルス数を視覚的に表示するので、作業者はパル
ス数をカウントするのみで遮断した半導体スイッチング
素子を容易に特定することができる。
【００１３】さらに、前記信号発生部は、前記遮断され
た半導体スイッチ素子に対応するデューティ比を持つパ
ルス信号を前記スイッチ素子特定信号として発生するデ
ューティ比発生部である。
た半導体スイッチ素子に対応するデューティ比を持つパ
ルス信号を前記スイッチ素子特定信号として発生するデ
ューティ比発生部である。
【００１４】この発明によれば、デューティ比発生部が
遮断された半導体スイッチング素子に対応するデューテ
ィ比を持つパルス信号を発生すると、表示部は遮断され
た半導体スイッチング素子に対応するデューティ比を持
つパルス信号を入力しデューティ比に応じたパルスを視
覚的に表示するので、作業者は遮断した半導体スイッチ
ング素子を容易に特定することができる。
遮断された半導体スイッチング素子に対応するデューテ
ィ比を持つパルス信号を発生すると、表示部は遮断され
た半導体スイッチング素子に対応するデューティ比を持
つパルス信号を入力しデューティ比に応じたパルスを視
覚的に表示するので、作業者は遮断した半導体スイッチ
ング素子を容易に特定することができる。
【００１５】また、前記信号発生部で発生したスイッチ
ング素子特定信号を記憶する記憶部と、前記記憶部に記
憶されたスイッチング素子特定信号をリセットすること
により遮断された半導体スイッチ素子の前記表示部への
視覚情報表示を停止させるリセット部とを備える。
ング素子特定信号を記憶する記憶部と、前記記憶部に記
憶されたスイッチング素子特定信号をリセットすること
により遮断された半導体スイッチ素子の前記表示部への
視覚情報表示を停止させるリセット部とを備える。
【００１６】この発明によれば、リセット部が記憶部に
記憶されたスイッチング素子特定信号をリセットするこ
とにより遮断された半導体スイッチ素子の前記表示部へ
の視覚情報表示を停止させることができる。
記憶されたスイッチング素子特定信号をリセットするこ
とにより遮断された半導体スイッチ素子の前記表示部へ
の視覚情報表示を停止させることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の過電流過熱保護機
能内蔵半導体スイッチ素子の遮断表示装置の実施の形態
を説明する。
能内蔵半導体スイッチ素子の遮断表示装置の実施の形態
を説明する。
【００１８】＜実施の形態１＞図１に本発明の過電流過
熱保護機能内蔵半導体スイッチ素子の遮断表示装置の実
施の形態１の実装構成を示す。図１において、プリント
基板１０ａには、インテリジェント・パワーＩＣ１２
ａ，１２ｂ、制御ＩＣ１４ａが設けられる。インテリジ
ェント・パワーＩＣ１２ａに負荷２０ａが接続され、イ
ンテリジェント・パワーＩＣ１２ｂに負荷２０ｂが接続
される。さらに、プリント基板１０ａに警告灯２２（ラ
ンプ）が接続される。
熱保護機能内蔵半導体スイッチ素子の遮断表示装置の実
施の形態１の実装構成を示す。図１において、プリント
基板１０ａには、インテリジェント・パワーＩＣ１２
ａ，１２ｂ、制御ＩＣ１４ａが設けられる。インテリジ
ェント・パワーＩＣ１２ａに負荷２０ａが接続され、イ
ンテリジェント・パワーＩＣ１２ｂに負荷２０ｂが接続
される。さらに、プリント基板１０ａに警告灯２２（ラ
ンプ）が接続される。
【００１９】図２に図１に示すインテリジェント・パワ
ーＩＣの構成を示す。図２において、インテリジェント
・パワーＩＣ１２ａは、電源１６からの電力を負荷抵抗
ＲＬ１に供給する。インテリジェント・パワーＩＣ１２
ａは、負荷抵抗への過電流・過熱を検出する電流検出部
１１、電流検出部１１からの検出信号により電源から負
荷抵抗への電流回路を遮断し遮断信号を後述するパルス
発生部４０に送出する遮断部１３を備える。
ーＩＣの構成を示す。図２において、インテリジェント
・パワーＩＣ１２ａは、電源１６からの電力を負荷抵抗
ＲＬ１に供給する。インテリジェント・パワーＩＣ１２
ａは、負荷抵抗への過電流・過熱を検出する電流検出部
１１、電流検出部１１からの検出信号により電源から負
荷抵抗への電流回路を遮断し遮断信号を後述するパルス
発生部４０に送出する遮断部１３を備える。
【００２０】なお、インテリジェント・パワーＩＣ１２
ｂもインテリジェント・パワーＩＣ１２ａと同様に構成
される。また、前記負荷抵抗としては、例えば、車両の
テールランプ、ホーンなどである。
ｂもインテリジェント・パワーＩＣ１２ａと同様に構成
される。また、前記負荷抵抗としては、例えば、車両の
テールランプ、ホーンなどである。
【００２１】図３に図１に示す実施の形態１の具体的な
回路構成を示す。図１では、インテリジェント・パワー
ＩＣは２個しか示されていないが、図３では、ｎ個のイ
ンテリジェント・パワーＩＣが設けられているものとし
て説明する。
回路構成を示す。図１では、インテリジェント・パワー
ＩＣは２個しか示されていないが、図３では、ｎ個のイ
ンテリジェント・パワーＩＣが設けられているものとし
て説明する。
【００２２】図３において、ｎ個のインテリジェント・
パワーＩＣ１２ａ−１２ｎは、図２に示すインテリジェ
ント・パワーＩＣ１２ａと同一構成となっている。前記
ｎ個のインテリジェント・パワーＩＣ１２ａ−１２ｎに
は、パルス発生部４０が接続される。
パワーＩＣ１２ａ−１２ｎは、図２に示すインテリジェ
ント・パワーＩＣ１２ａと同一構成となっている。前記
ｎ個のインテリジェント・パワーＩＣ１２ａ−１２ｎに
は、パルス発生部４０が接続される。
【００２３】パルス発生部４０は、遮断されたインテリ
ジェント・パワーＩＣからの遮断信号に基づき遮断され
たインテリジェント・パワーＩＣを特定するスイッチン
グ素子特定信号として、遮断されたインテリジェント・
パワーＩＣに対応するパルス数を持つパルス信号を発生
する。図４に前記パルス信号の一例を示す。
ジェント・パワーＩＣからの遮断信号に基づき遮断され
たインテリジェント・パワーＩＣを特定するスイッチン
グ素子特定信号として、遮断されたインテリジェント・
パワーＩＣに対応するパルス数を持つパルス信号を発生
する。図４に前記パルス信号の一例を示す。
【００２４】パルス発生部４０には、前記制御ＩＣ１４
ａが接続される。前記制御ＩＣ１４ａは、パルス発生部
４０からのパルス信号を記憶しそのパルス信号をトラン
ジスタＴＲに出力する。トランジスタＴＲのコレクタに
は前記警告灯２２の一端が接続され、前記警告灯２２の
他端には電源Ｂが接続される。ベースとエミッタとの間
にはバイアス抵抗ＲＢが設けられる。
ａが接続される。前記制御ＩＣ１４ａは、パルス発生部
４０からのパルス信号を記憶しそのパルス信号をトラン
ジスタＴＲに出力する。トランジスタＴＲのコレクタに
は前記警告灯２２の一端が接続され、前記警告灯２２の
他端には電源Ｂが接続される。ベースとエミッタとの間
にはバイアス抵抗ＲＢが設けられる。
【００２５】次に、このように構成された遮断表示装置
の動作を説明する。まず、図３に示すｎ個のインテリジ
ェント・パワーＩＣ１２ａ−１２ｎの中のいずれか１つ
のインテリジェント・パワーＩＣが、過電流又は過熱等
の要因により遮断した場合には、遮断されたインテリジ
ェント・パワーＩＣ内の遮断部１３から遮断信号がパル
ス発生部４０に送られる。
の動作を説明する。まず、図３に示すｎ個のインテリジ
ェント・パワーＩＣ１２ａ−１２ｎの中のいずれか１つ
のインテリジェント・パワーＩＣが、過電流又は過熱等
の要因により遮断した場合には、遮断されたインテリジ
ェント・パワーＩＣ内の遮断部１３から遮断信号がパル
ス発生部４０に送られる。
【００２６】パルス発生部４０は、遮断されたインテリ
ジェント・パワーＩＣからの遮断信号に基づき遮断され
たインテリジェント・パワーＩＣを特定するスイッチン
グ素子特定信号として、遮断されたインテリジェント・
パワーＩＣに対応するパルス数を持つパルス信号を発生
する。例えば、インテリジェント・パワーＩＣ１２ｃが
遮断した場合には、図４に示すように連続した３つのパ
ルスを持つパルス信号を発生する。また、例えば、イン
テリジェント・パワーＩＣ１２ｎが遮断した場合には、
連続したｎ個のパルスを持つパルス信号を発生する。
ジェント・パワーＩＣからの遮断信号に基づき遮断され
たインテリジェント・パワーＩＣを特定するスイッチン
グ素子特定信号として、遮断されたインテリジェント・
パワーＩＣに対応するパルス数を持つパルス信号を発生
する。例えば、インテリジェント・パワーＩＣ１２ｃが
遮断した場合には、図４に示すように連続した３つのパ
ルスを持つパルス信号を発生する。また、例えば、イン
テリジェント・パワーＩＣ１２ｎが遮断した場合には、
連続したｎ個のパルスを持つパルス信号を発生する。
【００２７】そして、パルス信号は制御ＩＣ１４ａを介
してトランジスタＴＲに送られる。トランジスタＴＲは
Ｈレベルのパルスの時にオン動作し、警告灯２２が点灯
する。トランジスタＴＲはＬレベルのパルスの時にオフ
動作し、警告灯２２が消灯する。例えば、図４に示す例
では、警告灯２２が４回だけ点滅する。
してトランジスタＴＲに送られる。トランジスタＴＲは
Ｈレベルのパルスの時にオン動作し、警告灯２２が点灯
する。トランジスタＴＲはＬレベルのパルスの時にオフ
動作し、警告灯２２が消灯する。例えば、図４に示す例
では、警告灯２２が４回だけ点滅する。
【００２８】その結果、特別な診断装置を用いることな
くソフトウェアの少ない変更で遮断したインテリジェン
ト・パワーＩＣ１２ｃを容易に特定することができる。
また、１つの警告灯２２のみにパルス信号を入力するこ
とによって複数のインテリジェント・パワーＩＣの中か
ら遮断されたインテリジェント・パワーＩＣを特定する
ので、部品点数を大幅に削減でき、設計工数及び設計コ
ストを低減できる。
くソフトウェアの少ない変更で遮断したインテリジェン
ト・パワーＩＣ１２ｃを容易に特定することができる。
また、１つの警告灯２２のみにパルス信号を入力するこ
とによって複数のインテリジェント・パワーＩＣの中か
ら遮断されたインテリジェント・パワーＩＣを特定する
ので、部品点数を大幅に削減でき、設計工数及び設計コ
ストを低減できる。
【００２９】なお、実施の形態１では、警告灯２２を用
いたが、例えば、警告灯２２の代わりにＬＥＤまたは７
セグメント表示器を用いても、遮断したインテリジェン
ト・パワーＩＣを容易に特定することができる。
いたが、例えば、警告灯２２の代わりにＬＥＤまたは７
セグメント表示器を用いても、遮断したインテリジェン
ト・パワーＩＣを容易に特定することができる。
【００３０】＜実施の形態２＞次に、本発明の過電流過
熱保護機能内蔵半導体スイッチ素子の遮断表示装置の実
施の形態２を説明する。図５に実施の形態２の具体的な
回路構成を示す。実施の形態２が実施の形態１に対して
特徴とするところは、パルス発生部４０を設ける代わり
に、デューティ比発生部４２を設けた点である。
熱保護機能内蔵半導体スイッチ素子の遮断表示装置の実
施の形態２を説明する。図５に実施の形態２の具体的な
回路構成を示す。実施の形態２が実施の形態１に対して
特徴とするところは、パルス発生部４０を設ける代わり
に、デューティ比発生部４２を設けた点である。
【００３１】前記デューティ比発生部４２は、遮断され
たインテリジェント・パワーＩＣからの遮断信号に基づ
き遮断されたインテリジェント・パワーＩＣを特定する
スイッチング素子特定信号として、遮断されたインテリ
ジェント・パワーＩＣに対応するデューティ比を持つパ
ルス信号を発生する。図６に前記パルス信号の一例を示
す。図６において、デューティ比は、周期Ｔに対してオ
ンパルス時間Ｔ1 とオフパルス時間Ｔ2 との比である。
例えば、インテリジェント・パワーＩＣ１２ａ−１２ｎ
の数字の後に付されたアルファベットの順番に応じてオ
ンパルス時間Ｔ1 が長く設定される。
たインテリジェント・パワーＩＣからの遮断信号に基づ
き遮断されたインテリジェント・パワーＩＣを特定する
スイッチング素子特定信号として、遮断されたインテリ
ジェント・パワーＩＣに対応するデューティ比を持つパ
ルス信号を発生する。図６に前記パルス信号の一例を示
す。図６において、デューティ比は、周期Ｔに対してオ
ンパルス時間Ｔ1 とオフパルス時間Ｔ2 との比である。
例えば、インテリジェント・パワーＩＣ１２ａ−１２ｎ
の数字の後に付されたアルファベットの順番に応じてオ
ンパルス時間Ｔ1 が長く設定される。
【００３２】なお、実施の形態２の他の構成は、実施の
形態１の構成と同一であるので、同一部分には同一符号
を付し、その詳細は省略する。
形態１の構成と同一であるので、同一部分には同一符号
を付し、その詳細は省略する。
【００３３】このように構成された実施の形態２によれ
ば、いずれか１つのインテリジェント・パワーＩＣが、
過電流又は過熱等の要因により遮断した場合には、遮断
されたインテリジェント・パワーＩＣ内の遮断部１３か
ら遮断信号がデューティ比発生部４２に送られる。
ば、いずれか１つのインテリジェント・パワーＩＣが、
過電流又は過熱等の要因により遮断した場合には、遮断
されたインテリジェント・パワーＩＣ内の遮断部１３か
ら遮断信号がデューティ比発生部４２に送られる。
【００３４】デューティ比発生部４２は、遮断されたイ
ンテリジェント・パワーＩＣからの遮断信号に基づき遮
断されたインテリジェント・パワーＩＣを特定するスイ
ッチング素子特定信号として、遮断されたインテリジェ
ント・パワーＩＣに対応するデューティ比を持つパルス
信号を発生する。例えば、インテリジェント・パワーＩ
Ｃ１２ｃが遮断した場合には、図６に示すように基準パ
ルス時間Ｔ3 の３倍の長さのオンパルス時間Ｔ1 を持つ
パルス信号を発生する。
ンテリジェント・パワーＩＣからの遮断信号に基づき遮
断されたインテリジェント・パワーＩＣを特定するスイ
ッチング素子特定信号として、遮断されたインテリジェ
ント・パワーＩＣに対応するデューティ比を持つパルス
信号を発生する。例えば、インテリジェント・パワーＩ
Ｃ１２ｃが遮断した場合には、図６に示すように基準パ
ルス時間Ｔ3 の３倍の長さのオンパルス時間Ｔ1 を持つ
パルス信号を発生する。
【００３５】そして、パルス信号は制御ＩＣ１４ａを介
してトランジスタＴＲに送られる。トランジスタＴＲは
Ｈレベルのパルスの時にオン動作し、警告灯２２が点灯
する。トランジスタＴＲはＬレベルのパルスの時にオフ
動作し、警告灯２２が点滅する。例えば、図６に示す例
では、警告灯２２がオンパルス時間Ｔ1 だけ点灯する。
してトランジスタＴＲに送られる。トランジスタＴＲは
Ｈレベルのパルスの時にオン動作し、警告灯２２が点灯
する。トランジスタＴＲはＬレベルのパルスの時にオフ
動作し、警告灯２２が点滅する。例えば、図６に示す例
では、警告灯２２がオンパルス時間Ｔ1 だけ点灯する。
【００３６】その結果、診断装置を用いることなくソフ
トウェアの少ない変更で遮断したインテリジェント・パ
ワーＩＣ１２ｃを容易に特定することができる。また、
１つの警告灯２２のみにパルス信号を入力することによ
って複数のインテリジェント・パワーＩＣの中から遮断
されたインテリジェント・パワーＩＣを特定するので、
部品点数を大幅に削減でき、設計工数及び設計コストを
低減できる。
トウェアの少ない変更で遮断したインテリジェント・パ
ワーＩＣ１２ｃを容易に特定することができる。また、
１つの警告灯２２のみにパルス信号を入力することによ
って複数のインテリジェント・パワーＩＣの中から遮断
されたインテリジェント・パワーＩＣを特定するので、
部品点数を大幅に削減でき、設計工数及び設計コストを
低減できる。
【００３７】なお、実施の形態１では、警告灯２２を用
いたが、例えば、警告灯２２の代わりにＬＥＤまたは７
セグメント表示器を用いても、遮断したインテリジェン
ト・パワーＩＣを容易に特定することができる。この場
合には、７セグメント表示器にオンパルス時間Ｔ1 の長
さに応じて前記アルファベッドの順番をインクリメント
された数字で表示すれば、ユーザはどのインテリジェン
ト・パワーＩＣが遮断したのかを容易に把握することが
できる。
いたが、例えば、警告灯２２の代わりにＬＥＤまたは７
セグメント表示器を用いても、遮断したインテリジェン
ト・パワーＩＣを容易に特定することができる。この場
合には、７セグメント表示器にオンパルス時間Ｔ1 の長
さに応じて前記アルファベッドの順番をインクリメント
された数字で表示すれば、ユーザはどのインテリジェン
ト・パワーＩＣが遮断したのかを容易に把握することが
できる。
【００３８】＜実施の形態３＞次に、本発明の過電流過
熱保護機能内蔵半導体スイッチ素子の遮断表示装置の実
施の形態３を説明する。図７に本発明の過電流過熱保護
機能内蔵半導体スイッチ素子の遮断表示装置の実施の形
態３の実装構成を示す。
熱保護機能内蔵半導体スイッチ素子の遮断表示装置の実
施の形態３を説明する。図７に本発明の過電流過熱保護
機能内蔵半導体スイッチ素子の遮断表示装置の実施の形
態３の実装構成を示す。
【００３９】図８に実施の形態３の具体的な回路構成を
示す。実施の形態３が実施の形態１に対して特徴とする
ところは、実施の形態１の構成に、さらに、図７に示す
リセットスイッチ２４を含むリセット部４４を設けた点
である。
示す。実施の形態３が実施の形態１に対して特徴とする
ところは、実施の形態１の構成に、さらに、図７に示す
リセットスイッチ２４を含むリセット部４４を設けた点
である。
【００４０】前記リセット部４４は、前記制御ＩＣ１４
ａに記憶されたパルス信号をリセットすることにより遮
断されたインテリジェント・パワーＩＣの前記警告灯２
２への視覚情報表示を停止させる。
ａに記憶されたパルス信号をリセットすることにより遮
断されたインテリジェント・パワーＩＣの前記警告灯２
２への視覚情報表示を停止させる。
【００４１】図９に前記リセット部４４の具体的な構成
を示す。リセット部４４は、リセットスイッチ２４、バ
イアス抵抗Ｒ１，Ｒ２及びダイオードＤ１から構成され
る。リセットスイッチ２４の一端は接地され、他端は直
列に接続されたバイアス抵抗Ｒ１，Ｒ２の間に接続され
る。バイアス抵抗Ｒ１には電源Ｂが接続され、バイアス
抵抗Ｒ２及びダイオードＤ１のアノードは制御ＩＣ１４
ａに接続される。ダイオードＤ１のカソードには電圧５
Ｖが印加される。
を示す。リセット部４４は、リセットスイッチ２４、バ
イアス抵抗Ｒ１，Ｒ２及びダイオードＤ１から構成され
る。リセットスイッチ２４の一端は接地され、他端は直
列に接続されたバイアス抵抗Ｒ１，Ｒ２の間に接続され
る。バイアス抵抗Ｒ１には電源Ｂが接続され、バイアス
抵抗Ｒ２及びダイオードＤ１のアノードは制御ＩＣ１４
ａに接続される。ダイオードＤ１のカソードには電圧５
Ｖが印加される。
【００４２】このような構成によりリセット部４４は、
バイアス抵抗Ｒ２を介してリセット信号を制御ＩＣ１４
ａに出力する。なお、アダプタ２６は５Ｖを制御ＩＣ１
４ａに印加する。
バイアス抵抗Ｒ２を介してリセット信号を制御ＩＣ１４
ａに出力する。なお、アダプタ２６は５Ｖを制御ＩＣ１
４ａに印加する。
【００４３】次に、このように構成された実施の形態３
の動作を説明する。まず、制御ＩＣ１４ａはパルス発生
部４０からの遮断したインテリジェント・パワーＩＣを
示すパルス信号を記憶する。また、リセットスイッチ２
４がオフである場合には、バイアス抵抗Ｒ１，Ｒ２によ
り分圧された電圧が制御ＩＣ１４ａに印加されるので、
時刻ｔ1 から警告灯２２の点灯及び点滅を繰り返す制御
ＩＣ出力信号を警告灯２２に出力する。
の動作を説明する。まず、制御ＩＣ１４ａはパルス発生
部４０からの遮断したインテリジェント・パワーＩＣを
示すパルス信号を記憶する。また、リセットスイッチ２
４がオフである場合には、バイアス抵抗Ｒ１，Ｒ２によ
り分圧された電圧が制御ＩＣ１４ａに印加されるので、
時刻ｔ1 から警告灯２２の点灯及び点滅を繰り返す制御
ＩＣ出力信号を警告灯２２に出力する。
【００４４】次に、時刻ｔ2 においてリセットスイッチ
２４がオンされると、バイアス抵抗Ｒ１が接地される。
すなわち、制御ＩＣ１４ａには０Ｖを持つリセット信号
が入力される。このため、制御ＩＣ出力信号は時刻ｔ2
においてリセットされて０Ｖになる。そして、トランジ
スタＴＲは非動作となり、警告灯２２の点灯及び点滅が
停止する。
２４がオンされると、バイアス抵抗Ｒ１が接地される。
すなわち、制御ＩＣ１４ａには０Ｖを持つリセット信号
が入力される。このため、制御ＩＣ出力信号は時刻ｔ2
においてリセットされて０Ｖになる。そして、トランジ
スタＴＲは非動作となり、警告灯２２の点灯及び点滅が
停止する。
【００４５】このように、遮断されたインテリジェント
・パワーＩＣを警告灯２２で確認した後には、警告灯２
２の点灯及び点滅繰り返し動作は必要ないので、リセッ
ト動作により警告灯２２の点灯及び点滅動作を停止させ
ることができる。
・パワーＩＣを警告灯２２で確認した後には、警告灯２
２の点灯及び点滅繰り返し動作は必要ないので、リセッ
ト動作により警告灯２２の点灯及び点滅動作を停止させ
ることができる。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、診断装置を用いること
なくソフトウェアの少ない変更で遮断した半導体スイッ
チング素子を容易に特定することができる。また、１つ
の表示部のみにスイッチング素子特定信号を入力するこ
とによって複数の半導体スイッチング素子の中から遮断
された半導体スイッチング素子を特定するので、部品点
数を大幅に削減でき、設計工数及び設計コストを低減で
きる。
なくソフトウェアの少ない変更で遮断した半導体スイッ
チング素子を容易に特定することができる。また、１つ
の表示部のみにスイッチング素子特定信号を入力するこ
とによって複数の半導体スイッチング素子の中から遮断
された半導体スイッチング素子を特定するので、部品点
数を大幅に削減でき、設計工数及び設計コストを低減で
きる。
【００４７】また、スイッチング素子特定信号をリセッ
トすることにより遮断された半導体スイッチ素子の表示
部への視覚情報表示を停止させることができる。
トすることにより遮断された半導体スイッチ素子の表示
部への視覚情報表示を停止させることができる。
【図１】本発明の過電流過熱保護機能内蔵半導体スイッ
チ素子の遮断表示装置の実施の形態１の実装構成を示す
図である。
チ素子の遮断表示装置の実施の形態１の実装構成を示す
図である。
【図２】図１に示すインテリジェント・パワーＩＣの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図３】図１に示す実施の形態１の具体的な回路構成を
示す図である。
示す図である。
【図４】パルス発生部で発生したパルス信号の一例を示
す図である。
す図である。
【図５】実施の形態２の具体的な回路構成を示す図であ
る。
る。
【図６】デューティ比発生部で発生したパルス信号の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図７】本発明の過電流過熱保護機能内蔵半導体スイッ
チ素子の遮断表示装置の実施の形態３の実装構成を示す
図である。
チ素子の遮断表示装置の実施の形態３の実装構成を示す
図である。
【図８】実施の形態３の具体的な回路構成を示す図であ
る。
る。
【図９】リセット部の構成を示す図である。
【図１０】リセット部を説明するためのタイミングチャ
ートである。
ートである。
【図１１】従来の過電流過熱保護機能内蔵半導体スイッ
チ素子の実装構成を示す図である。
チ素子の実装構成を示す図である。
１０，１０ａ プリント基板 １１ 電流検出部 １２ａ−１２ｎ インテリジェント・パワーＩＣ １３ 遮断部 １４，１４ａ 制御ＩＣ １６ 電源 ２０ａ，２０ｂ 負荷抵抗 ２２ 警告灯 ２４ リセットスイッチ ２６ アダプタ ３０ 診断装置 ４０ パルス発生部 ４２ デューティ比発生部 ４４ リセット部
Claims (4)
- 【請求項１】 負荷への過電流・過熱を検出することに
より遮断する過電流過熱保護機能を内蔵した複数の半導
体スイッチング素子と、前記複数の半導体スイッチング
素子に接続され遮断された半導体スイッチング素子から
の遮断信号に基づき遮断された半導体スイッチング素子
を特定するスイッチング素子特定信号を発生する信号発
生部と、前記信号発生部で発生したスイッチング素子特
定信号を入力し遮断された半導体スイッチ素子を視覚情
報で表示する表示部とを備えることを特徴とする過電流
過熱保護機能内蔵半導体スイッチング素子の遮断表示装
置。 - 【請求項２】 前記信号発生部は、前記遮断された半導
体スイッチング素子に対応するパルス数を持つパルス信
号を前記スイッチング素子特定信号として発生するパル
ス発生部であることを特徴とする請求項１に記載の過電
流過熱保護機能内蔵半導体スイッチング素子の遮断表示
装置。 - 【請求項３】 前記信号発生部は、前記遮断された半導
体スイッチ素子に対応するデューティ比を持つパルス信
号を前記スイッチ素子特定信号として発生するデューテ
ィ比発生部であることを特徴とする請求項１に記載の過
電流過熱保護機能内蔵半導体スイッチング素子の遮断表
示装置。 - 【請求項４】 前記信号発生部で発生したスイッチング
素子特定信号を記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶さ
れたスイッチング素子特定信号をリセットすることによ
り遮断された半導体スイッチ素子の前記表示部への視覚
情報表示を停止させるリセット部とを備える請求項１か
ら請求項３のいずれか１に記載の過電流過熱保護機能内
蔵半導体スイッチング素子の遮断表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8059273A JPH09252079A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 過電流過熱保護機能内蔵半導体スイッチング素子の遮断表示装置 |
| US08/815,531 US5877929A (en) | 1996-03-15 | 1997-03-12 | Break display apparatus for semiconductor switching element incorporating overcurrent/overheating protection function |
| DE19710480A DE19710480C2 (de) | 1996-03-15 | 1997-03-13 | Unterbrechungsanzeigevorrichtung für eine Vielzahl von Halbleiterschaltelementen, welche eine Überstrom/Übertemperatur-Schutzfunktion aufweisen und die eine Identifizierung des unterbrochenen Halbleiterschaltelementes ermöglicht |
| US09/138,123 US5936819A (en) | 1996-03-15 | 1998-08-24 | Break display apparatus for semiconductor switching element incorporating overcurrent/overheating protection function |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8059273A JPH09252079A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 過電流過熱保護機能内蔵半導体スイッチング素子の遮断表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09252079A true JPH09252079A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=13108616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8059273A Pending JPH09252079A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 過電流過熱保護機能内蔵半導体スイッチング素子の遮断表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5877929A (ja) |
| JP (1) | JPH09252079A (ja) |
| DE (1) | DE19710480C2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008035273A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Canon Inc | 撮像装置及びその制御方法及びプログラム及び加振装置 |
| JP2014165344A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
| JP2020140865A (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | Ｆｋｋ株式会社 | 調光装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731221B1 (en) * | 1999-12-20 | 2004-05-04 | Intel Corporation | Electrically modifiable product labeling |
| DE102014015382A1 (de) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | Saurer Germany Gmbh & Co. Kg | Textilmaschine mit Leiterkarten und Leiterkarte |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3689887A (en) * | 1970-06-11 | 1972-09-05 | Bendix Corp | Information transfer system |
| US4498075A (en) * | 1982-09-23 | 1985-02-05 | Napco Security Systems, Inc. | Fault indicator apparatus for a multi-zone intrusion system |
| JPH02147355A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-06 | Nec Data Terminal Ltd | プリントヘッド |
| JPH02147355U (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-14 | ||
| DE4026398A1 (de) * | 1989-08-22 | 1991-02-28 | Wabco Westinghouse Fahrzeug | Schaltung zur ueberwachung des schaltstatus eines leistungstransistors |
| JPH0383133A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Pfu Ltd | インストラクション強制延長方式 |
| JPH0383133U (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-23 |
-
1996
- 1996-03-15 JP JP8059273A patent/JPH09252079A/ja active Pending
-
1997
- 1997-03-12 US US08/815,531 patent/US5877929A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-13 DE DE19710480A patent/DE19710480C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-08-24 US US09/138,123 patent/US5936819A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008035273A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Canon Inc | 撮像装置及びその制御方法及びプログラム及び加振装置 |
| JP2014165344A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
| JP2020140865A (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | Ｆｋｋ株式会社 | 調光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5877929A (en) | 1999-03-02 |
| DE19710480C2 (de) | 2001-12-13 |
| US5936819A (en) | 1999-08-10 |
| DE19710480A1 (de) | 1997-11-06 |
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