JP3338929B2 - 電源装置の低電圧異常検出回路 - Google Patents

電源装置の低電圧異常検出回路

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電源装置の低電圧
異常検出回路に関する。電源装置は、自装置の異常動作
等によりその出力電圧が低下すると、電圧供給先の負荷
側装置に誤動作や破損を引き起こすことがあり、それを
防ぐため低電圧異常検出回路を設け、出力電圧の低下を
検出すると警報を発する構成を備えている。
【0002】そして、電源装置が、出力電圧の異なる複
数の給電出力回路を備える場合、該電源装置には、それ
ぞれの給電出力電圧の電圧低下を検出する構成を備えな
ければならない。本発明は、このような出力電圧の異な
る複数の給電出力回路を備えた電源装置の低電圧異常検
出回路に関する。
【0003】
【従来の技術】図6は従来の低電圧異常検出回路の構成
を示す図である。同図は出力、出力、出力の三つ
の出力電圧を供給する電源装置を示している。出力の
電圧の検出点(A)の電位と第1の基準電位refと
を、第1の電圧比較回路compに入力し、出力の
電圧の検出点(B)の電位と第2の基準電位refと
を、第2の電圧比較回路compに入力し、出力の
電圧の検出点(C)の電位と第3の基準電位refと
を、第3の電圧比較回路compに入力する。
【0004】第1、第2及び第3の電圧比較回路com
p,,は、それぞれ電圧検出点(A),(B),
(C)の電位と基準電位ref,,とを比較し、
電圧検出点(A),(B),(C)の電位が、基準電位
ref,,より低下すると、それぞれ反転してロ
ーレベルを出力する。
【0005】第1、第2及び第3の電圧比較回路com
p,,の出力は、それぞれ比較判定回路comp
Jに入力される。比較判定回路compJは、第1、第
2及び第3の電圧比較回路comp,,のいずれ
かがローレベルを出力すると、反転してハイレベルを出
力する。
【0006】比較判定回路compJがハイレベルを出
力すると、比較判定回路compJの出力端子と補助電
源(電圧Vcc)出力端子との間に接続されたフォトカプ
ラPIのフォトダイオードが消灯し、そのフォトトラン
ジスタがオフ状態となりコレクタ端子からハイレベルの
アラーム信号ALMが出力される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図6に示した従来の低
電圧異常検出回路は、出力電圧を供給す給電る出力回路
の数に対応して、電圧比較回路及びその基準電位発生源
を設ける必要があり、給電出力回路の数が増加するとそ
の数だけ電圧比較回路及びその基準電位発生源を増加さ
せなければならず、その分、部品数が増加し、実装スペ
ースの増大、装置の大型化、コストアップを招いてい
た。
【0008】本発明は、複数の給電出力回路を有する電
源装置の低電圧異常検出回路において、複数の給電出力
回路の電圧低下を共通の検出手段により検出し、低電圧
異常検出回路の部品数を削減し、装置の小型化及び低コ
スト化を図ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の電源装置の低電
圧異常検出回路は、(1 )出力電圧の異なる複数の給電
出力回路を有する電源装置において、補助電源の出力端
子と接地端子との間に直列に接続され、その接続点の電
位が順次、前記各給電出力回路の出力電圧のそれぞれに
対応した低下検出基準電位となるように抵抗分割した複
数の抵抗と、前記各低下検出基準電位となる抵抗の接続
点から、対応する前記複数の各給電出力回路の出力電圧
検出点に、それぞれ順方向に接続した逆流防止用のダイ
オードと、前記直列に接続された抵抗の接続点のうちの
1つの電位の低下を検出する電位低下検出手段と、前記
電位低下検出手段の出力信号によりアラーム信号を出力
するアラーム信号出力手段とを備えたものである。
【0010】また、(2)前記電位低下検出手段は、前
記直列に接続された抵抗の接続点のうちの1つの電位を
参照電位と比較して電位低下を検出する電圧比較回路を
備えたものである。
【0011】また、(3)前記電位低下検出手段は、前
記直列に接続された抵抗と接地端子との間に接続され、
電位低下により消灯するフォトカプラの発光ダイオード
を備えたものである。
【0012】また、(4)前記電位低下検出手段は、前
記直列に接続された抵抗の接続点のうちの1つの電位を
ゲート端子に加えた電界効果トランジスタの導通状態変
化によって検出する構成を備えたものである。
【0013】また、(5)前記電位低下検出手段は、前
記直列に接続された抵抗の接続点のうち、一方の端子が
接地端子に接続された抵抗の他方の端子の接続点に、前
記抵抗と直列に挿入されたツェナーダイオードを備え、
且つ前記一方の端子が接地端子に接続された抵抗の他方
の端子の接続点の電位低下を検出する手段を備えたもの
である。
【0014】
【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施の形態
の低電圧異常検出回路の構成を示す図である。電源装置
1−1は、それぞれ出力、出力、出力の出力電圧
を供給する給電出力回路を有するものとし、それら出力
電圧の検出点をそれぞれ(A)、(B)、(C)とす
る。電圧検出点(A),(B),(C)の電位をそれぞ
れVA ,VB ,VC とし、通常(正常時)はVA >VB
>VC であるとする。
【0015】補助電源(電圧Vcc)の出力端子と接地端
子との間に、第1乃至第4の抵抗R1〜R4を直列に接
続し、第1の抵抗R1と第2の抵抗R2との間の接続点
を(D)、第2抵抗R2と第3抵抗R3との間の接続点
を(E)、第3の抵抗R3と第4の抵抗R4との間の接
続点を(F)とする。そして、これら接続点(D),
(E),(F)の電位をVD ,VE ,VF とする。
【0016】接続点(D),(E),(F)の電位をV
D ,VE ,VF は、補助電源の電圧Vccの、第1乃至第
4の抵抗による抵抗分割比となり、接続点(D)の電位
Dは電位VA の低下検出基準電位、接続点(E)の電
位VE は電位VB の低下検出基準電位、接続点(F)の
電位VF は電位VC の低下検出基準電位となるように、
第1乃至第4の抵抗の抵抗分割比を決定する。
【0017】出力の電圧検出点(A)と、第1及び第
2の抵抗の接続点(D)とを逆流防止用の第1のダイオ
ードD1を介して接続し、出力の電圧の検出点(B)
と、第2及び第3の抵抗の間の接続点(E)とを逆流防
止用の第2のダイオードD2を介して接続し、出力の
電圧の検出点(C)と、第3及び第4の抵抗の間の接続
点(F)とを逆流防止用の第3のダイオードD3を介し
て接続する。
【0018】第3及び第4の抵抗の間の接続点(F)の
電位VF と参照電位発生源refの所定電位とを、電圧
比較回路compに入力する。参照電位発生源refの
電位は、平常時の電位VF より僅かに低い電位となるよ
うに設定する。
【0019】ここで、電圧検出点(A),(B),
(C)の電位VA ,VB ,VC のうちのいずれかが低下
し、それぞれの低下検出基準電位VD ,VE ,VF を下
回ると、接続点(D),(E),(F)からそれぞれ第
1乃至第3のダイオードD1,D2,D3を通って電流
が流れ、接続点(D),(E),(F)の電位VD ,V
E,VF が全て低下する。
【0020】したがって、接続点(D),(E),
(F)の電位VD ,VE ,VF のうちの1つ、例えば、
接続点(F)の電位VF を参照電位発生源refの電位
と電圧比較回路compにより比較することにより、電
圧検出点(A),(B),(C)の電位VA ,VB ,V
C のいずれかの電圧低下を検出することができる。
【0021】なお、参照電位発生源refと比較する接
続点は、前述したように接続点(D),(E),(F)
のいずれでもよいが、電位の最も低い接続点(F)と比
較する構成とすることにより、参照電位発生源refと
して低電圧のものを使用することができる。
【0022】接続点(F)の電位VF が低下し、参照電
位発生源refの電位以下になると、電圧比較回路co
mpの出力は反転してハイレベルを出力する。電圧比較
回路compがハイレベルを出力すると、電圧比較回路
compの出力端子と補助電源端子との間に接続された
フォトカプラPIのフォトダイオードが消灯し、そのフ
ォトトランジスタがオフ状態となり、コレクタ端子から
ハイレベルのアラーム信号ALMが出力される。
【0023】給電出力回路の数を増加する場合でも、低
下検出基準電位を設定するための抵抗と逆流防止用のダ
イオードとを追加するだけでよく、高価で実装スペース
を多く必要とする電圧比較回路及び基準電位発生源を、
給電出力回路ごとに追加する必要がない。
【0024】図2は本発明の第2の実施の形態の低電圧
異常検出回路の構成を示す図である。同図において、各
給電出力回路の出力,,は図示を省略している
が、それらは第1の実施の形態と同様であり、図2の
(A),(B),(C)は、それぞれ、図示省略した各
給電出力回路の出力,,の電圧検出点に接続され
ている。
【0025】補助電源(電圧Vcc)出力端子と接地端子
との間に、第1乃至第4の抵抗R1〜R4とフォトカプ
ラPIの発光ダイオードとを直列に接続し、第1乃至第
4の抵抗R1〜R4は、前述した第1の実施の形態と同
様に、それらの接続点(D),(E),(F)の電位V
D ,VE ,VF がそれぞれ前述した低下検出基準電位と
なるように、抵抗分割比を決定する。
【0026】ただし、フォトカプラPIの発光ダイオー
ドの順方向バイアス電圧分を電位V F に加えて抵抗分割
比を決定する。前述の電位VA ,VB ,VC のいずれが
それぞれの低下検出基準電位VD ,VE ,VF よりも下
がると、第4の抵抗とフォトカプラPIの発光ダイオー
ドとの接続点(G)の電位VG は同様に低下し、該電位
G が発光ダイオードの順方向バイアス電圧以下になる
と、該発光ダイオードは消灯する。
【0027】フォトカプラPIのフォトトランジスタ
は、そのコレクタが抵抗Rを介して補助電源(電圧Vc
c)に接続され、そのエミッタは接地端子に接続され
る。そして、電位VA ,VB ,VC のいずれが低下し、
フォトカプラPIの発光ダイオードが消灯すると、フォ
トトランジスタはオフ状態となり、そのコレクタ端子か
らはハイレベルのアラーム信号ALMが出力される。
【0028】本発明の第2の実施の形態は、第1の実施
の形態の電圧比較回路compを用いずに、電位低下の
検出を直接フォトカプラPIにより行うようにしたもの
で、更に部品数を削減することができる。
【0029】図3は本発明の第3の実施の形態の低電圧
異常検出回路の構成を示す図である。同図は第2図と同
様に、各給電出力回路の出力,,は図示を省略し
ている。図3に示した実施の形態は、図1に示した第1
の実施の形態の電圧比較回路compに代えて、シャン
トレギュレータMを用いて電位VA ,VB ,VC のいず
れかが低下したことを検出するようにしたものである。
【0030】第3と第4の抵抗の接続点(F)の電位V
F がシャントレギュレータMのリファレンス電位よりも
低下すると、シャントレギュレータMはオフ状態とな
り、フォトカプラPIの発光ダイオードが消灯し、フォ
トトランジスタはオフ状態となり、そのコレクタ端子か
らはハイレベルのアラーム信号ALMが出力される。
【0031】図4は本発明の第4の実施の形態の低電圧
異常検出回路の構成を示す図である。同図は第2図と同
様に、各給電出力回路の出力,,は図示を省略し
ている。図4に示した実施の形態は、図1に示した第1
の実施の形態の電圧比較回路compに代えて、電界効
果トランジスタFETを用いて電位VA ,VB ,VC
いずれかが低下したことを検出するようにしたものであ
る。
【0032】電位VA ,VB ,VC のいずれかが低下
し、第3と第4の抵抗の接続点(F)の電位VF が電界
効果トランジスタFETのゲート電位よりも低下する
と、電界効果トランジスタFETはオフ状態となり、フ
ォトカプラPIの発光ダイオードが消灯し、フォトトラ
ンジスタはオフ状態となり、そのコレクタ端子からはハ
イレベルのアラーム信号ALMが出力される。
【0033】図5は本発明の第5の実施の形態の低電圧
異常検出回路の構成を示す図である。同図は第2図と同
様に、各給電出力回路の出力,,は図示を省略し
ている。図5に示した実施の形態は、ツェナーダイオー
ドZD及びトランジスタTRを用いて電位VA ,VB
C のいずれかが低下したことを検出するようにしたも
のである。
【0034】同図に示すように、第3と第4の抵抗の間
にツェナーダイオードZDを直列に接続し、第3の抵抗
とツェナーダイオードZDとの接続点(F)を、前述の
出力の低下検出基準電位VF とし、ツェナーダイオー
ドZDと第4の抵抗との接続点(G)をトランジスタT
Rのベースに接続する。
【0035】第1乃至第4の抵抗の抵抗分割比は、電位
F にツェナー電圧分を加えて決定する。電位VA ,V
B ,VC のいずれかが低下すると、接続点(F)の電位
Fが低下し、ツェナーダイオードZDがオフ状態とな
り、トランジスタTRはオフ状態となり、フォトカプラ
PIの発光ダイオードが消灯し、そのフォトトランジス
タはオフ状態となり、コレクタ端子からはハイレベルの
アラーム信号ALMが出力される。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の給電出力回路のそれぞれの低下検出基準電位を、
直列接続した抵抗の接続点の電位により与え、且つ各給
電出力回路の電圧検出点を、対応する低下検出基準電位
の前記抵抗の接続点にダイオードを通して接続し、前記
抵抗の接続点の電位低下を、複数の給電出力回路に共通
の検出手段で検出することにより、部品数を削減し、装
置の小型化及び低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の低電圧異常検出回
路の構成を示す図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態の低電圧異常検出回
路の構成を示す図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態の低電圧異常検出回
路の構成を示す図である。
【図4】本発明の第4の実施の形態の低電圧異常検出回
路の構成を示す図である。
【図5】本発明の第5の実施の形態の低電圧異常検出回
路の構成を示す図である。
【図6】従来の低電圧異常検出回路の構成を示す図であ
る。
【符号の説明】
1−1 電源装置 (A),(B),(C) 出力電圧検出点 (D),(E),(F) 低下検出基準電位を与える抵
抗接続点 R1,R2,R3,R4 抵抗 D1,D2,D3 ダイオード comp 電圧比較回路 ref 参照電位 PI フォトカプラ ALM アラーム信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02J 1/00 G05F 1/10 H02M 3/28 G01R 19/155 H02H 3/24

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 出力電圧の異なる複数の給電出力回路を
    有する電源装置において、 補助電源の出力端子と接地端子との間に直列に接続さ
    れ、その接続点の電位が順次、前記各給電出力回路の出
    力電圧のそれぞれに対応した低下検出基準電位となるよ
    うに抵抗分割した複数の抵抗と、 前記各低下検出基準電位となる抵抗の接続点から、対応
    する前記複数の各給電出力回路の出力電圧検出点に、そ
    れぞれ順方向に接続した逆流防止用のダイオードと、 前記直列に接続された抵抗の接続点のうちの1つの電位
    の低下を検出する電位低下検出手段と、 前記電位低下検出手段の出力信号によりアラーム信号を
    出力するアラーム信号出力手段とを備えたことを特徴と
    する電源装置の低電圧異常検出回路。
  2. 【請求項2】 前記電位低下検出手段は、前記直列に接
    続された抵抗の接続点のうちの1つの電位を参照電位と
    比較して電位低下を検出する電圧比較回路を備えたこと
    を特徴とする請求項1記載の電源装置の低電圧異常検出
    回路。
  3. 【請求項3】 前記電位低下検出手段は、前記直列に接
    続された抵抗と接地端子との間に接続され、電位低下に
    より消灯するフォトカプラの発光ダイオードを備えたこ
    とを特徴とする請求項1記載の電源装置の低電圧異常検
    出回路。
  4. 【請求項4】 前記電位低下検出手段は、前記直列に接
    続された抵抗の接続点のうちの1つの電位をゲート端子
    に加えた電界効果トランジスタの導通状態変化によって
    検出する構成を備えたことを特徴とする請求項1記載の
    電源装置の低電圧異常検出回路。
  5. 【請求項5】 前記電位低下検出手段は、前記直列に接
    続された抵抗の接続点のうち、一方の端子が接地端子に
    接続された抵抗の他方の端子の接続点に、前記抵抗と直
    列に挿入されたツェナーダイオードを備え、且つ前記一
    方の端子が接地端子に接続された抵抗の他方の端子の接
    続点の電位低下を検出する手段を備えたことを特徴とす
    る請求項1記載の電源装置の低電圧異常検出回路。
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