JPH09246451A - リードフレームおよびそれを用いた半導体装置 - Google Patents

リードフレームおよびそれを用いた半導体装置

Info

Publication number
JPH09246451A
JPH09246451A JP4633896A JP4633896A JPH09246451A JP H09246451 A JPH09246451 A JP H09246451A JP 4633896 A JP4633896 A JP 4633896A JP 4633896 A JP4633896 A JP 4633896A JP H09246451 A JPH09246451 A JP H09246451A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
lead portion
element mounting
wire
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4633896A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Hashimoto
章 橋本
Hideaki Nagura
英明 名倉
Shingo Hashizume
真吾 橋詰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP4633896A priority Critical patent/JPH09246451A/ja
Publication of JPH09246451A publication Critical patent/JPH09246451A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードフレームの素子搭載部に搭載する半導
体素子と外側のリード部とを接続する金属細線が、配線
工程や樹脂封止工程において内側のリード部に接触する
ことを防止し、半導体装置の加速信頼性評価における不
具合を改善するとともに製造歩留りの向上を図る。 【解決手段】 一方向に並べて配置した複数の素子搭載
部１と、素子搭載部１の配置方向に対して直角方向に並
べて配置した第１のリード部２と、素子搭載部１の配置
方向に対して平行方向に並べて配置した第２のリード部
３，４と、連結部５，６とを備えている。第２のリード
部３，４において、外側のリード部４を折り曲げて金属
細線７のボンディング部分を内側のリード部３よりも高
くしているため、内側のリード部３を跨いで外側のリー
ド部４に金属細線７を接続する配線工程や、樹脂封止工
程において、外側のリード部４に接続した金属細線７の
内側のリード部３との接触を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、樹脂封止型の半
導体装置に用いるリードフレームおよびそれを用いた半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、複数個の半導体素子を搭載するに
は、図８に示すようなリードフレームを用いていた。図
８は従来のリードフレームの構成を示す斜視図であり、
図８では簡単化のため半導体装置１個分に対応するもの
を示す。図８において、１は例えばパワートランジスタ
からなる半導体素子８を搭載する素子搭載部、２は素子
搭載部１の配置方向に対して直角方向に並べて配置した
第１のリード部、３，４は素子搭載部１の配置方向に対
して平行方向に並べて配置した第２のリード部、５，６
はリード部２を連結した連結部、７はアルミニウム，
金，銅等の金属細線、１０は封止樹脂である。
【０００３】この従来のリードフレームは、一方向に並
べて配置した複数の素子搭載部１と、この素子搭載部１
の配置方向に対して直角方向に並べて配置した第１のリ
ード部２と、素子搭載部１の配置方向に対して平行方向
に並べて配置した第２のリード部３，４と、第１のリー
ド部２を連結した連結部５，６とを備えている。図８で
は、半導体装置の製造過程において、リードフレームの
１つの素子搭載部１に対し２つの半導体素子８を半田で
接着し、リード部２，３，４と半導体素子８とを金属細
線７を用いて超音波ボンド方式により接続したところを
示している。また、この後、半導体素子８を外部環境か
ら保護するため、リード部３，４とこれに囲まれた３個
の素子搭載部１を一体に樹脂１０で封止を行い、さらに
樹脂１０から露出しているリード部２の連結部５，６を
カット（破線部）して各リード部２を切り離した後、樹
脂１０から露出した外部のリード部２に半田ディップを
行って大電力用半導体装置を作製できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のリードフレ
ームは、素子搭載部１，リード部２，３，４および連結
部５，６が同一平面上にあり、外部機器と接続するため
の平行な第２のリード部３，４の幅は一定であった。こ
のような構成では、半導体素子８を搭載し、金属細線７
により半導体素子８とリード部２，３，４とを接続する
配線工程において、外側の第２のリード部４と接続する
金属細線７が内側の第２のリード部３に接触したり、そ
の後の樹脂封止工程において、外側の第２のリード部４
に接続した金属細線７が樹脂導入応力により変形して内
側の第２のリード部３に接触し、加速信頼性評価、特に
温度サイクル試験において不具合が発生することがあ
り、製造歩留り低下の原因となっていた。
【０００５】この発明の目的は、半導体素子と外側に配
置されたリード部とを接続する金属細線が、配線工程や
樹脂封止工程において接続すべきでない内側のリード部
に接触することを防止し、半導体装置の加速信頼性評価
における不具合を改善するとともに製造歩留りの向上を
図ることのできるリードフレームおよびそれを用いた半
導体装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のリードフ
レームは、一方向に並べて配置した複数の素子搭載部
と、この素子搭載部の配置方向に対して直角方向に並べ
て配置した複数の第１のリード部と、素子搭載部の配置
方向に対して平行方向に並べて配置した複数の第２のリ
ード部とを備えたリードフレームであって、複数の第２
のリード部のうち外側に配置した第２の外側リード部の
ワイヤボンディング部分を、複数の第２のリード部のう
ち内側に配置した第２の内側リード部の対向部分よりも
高い位置に設けたことを特徴とする。
【０００７】このように、第２の外側リード部のワイヤ
ボンディング部分を第２の内側リード部の対向部分より
も高い位置に設けたことにより、半導体装置を製造する
際、素子搭載部に搭載した半導体素子と第１および第２
のリード部とを金属細線で接続する配線工程において、
第２の内側リード部を跨いで第２の外側リード部に金属
細線を接続する場合に第２の内側リード部に接触するこ
とを防止できるとともに、第２の外側リード部に接続し
た金属細線が樹脂封止工程などで変形して第２の内側リ
ード部に接触することを防止でき、加速信頼性評価にお
ける不具合を大幅に改善し、製造歩留りを向上すること
ができる。
【０００８】請求項２記載のリードフレームは、一方向
に並べて配置した複数の素子搭載部と、この素子搭載部
の配置方向に対して直角方向に並べて配置した複数の第
１のリード部と、素子搭載部の配置方向に対して平行方
向に並べて配置した複数の第２のリード部とを備えたリ
ードフレームであって、複数の第２のリード部のうち内
側に配置した第２の内側リード部に、複数の第２のリー
ド部のうち外側に配置した第２の外側リード部と対向す
る側の素子搭載部と対応する部分に切欠き部を設けたこ
とを特徴とする。
【０００９】このように、第２の内側リード部に、第２
の外側リード部と対向する側の素子搭載部と対応する部
分に切欠き部を設けたことにより、半導体装置を製造す
る際、素子搭載部に搭載した半導体素子と第１および第
２のリード部とを金属細線で接続する配線工程におい
て、第２の内側リード部を跨いで第２の外側リード部に
金属細線を接続する場合に、金属細線が第２の内側リー
ド部の切欠き部上を跨ぐことにより、第２の外側リード
部における金属細線のボンディング部分と第２の内側リ
ード部との距離が長くなり、また切欠き部を設けた部分
の第２の内側リード部が細いため、金属細線が第２の内
側リード部に接触することを防止できるとともに、第２
の外側リード部に接続した金属細線が樹脂封止工程など
で変形して第２の内側リード部に接触することを防止で
き、加速信頼性評価における不具合を大幅に改善し、製
造歩留りを向上することができる。
【００１０】請求項３記載のリードフレームは、請求項
２記載のリードフレームにおいて、第２の外側リード部
のワイヤボンディング部分を、第２の内側リード部の対
向部分よりも高い位置に設けている。これにより、半導
体装置の加速信頼性評価における不具合をより大幅に改
善し、製造歩留りをより向上することができる。請求項
４記載のリードフレームは、請求項２または３記載のリ
ードフレームにおいて、第２の外側リード部に、第２の
内側リード部の切欠き部と対向する切欠き部を設けてい
る。これにより、半導体装置を製造する際、第２の外側
リード部における金属細線のボンディング部分と第２の
内側リード部との距離が必然的により長くなるため、第
２の外側リード部に接続する金属細線と第２の内側リー
ド部との接触の防止がより図れ、半導体装置の加速信頼
性評価における不具合をさらにより大幅に改善し、製造
歩留りをさらにより向上することができる。
【００１１】請求項５記載の半導体装置は、請求項１記
載のリードフレームを用い、リードフレームの素子搭載
部に半導体素子を搭載し、半導体素子と第１および第２
のリード部とを金属細線で接続し、半導体素子および金
属細線を樹脂封止している。この構成により、半導体装
置の性能および製造歩留りを向上することができる。請
求項６記載の半導体装置は、請求項２，３または４記載
のリードフレームを用い、リードフレームの素子搭載部
に半導体素子を搭載し、半導体素子と第１のリード部と
を金属細線で接続し、半導体素子と第２の内側リード部
の切欠き部を形成していない部分とを金属細線で接続
し、第２の内側リード部の切欠き部を跨いで半導体素子
と第２の外側リード部とを金属細線で接続し、半導体素
子および金属細線を樹脂封止している。この構成によ
り、半導体装置の性能および製造歩留りを向上すること
ができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。 〔第１の実施の形態〕図１はこの発明の第１の実施の形
態におけるリードフレームの構成を示す斜視図であり、
図１では簡単化のため半導体装置１個分に対応するもの
を示す。図１において、１は半導体素子８を搭載する素
子搭載部、２は素子搭載部１の配置方向に対して直角方
向に並べて配置した第１のリード部、３，４は素子搭載
部１の配置方向に対して平行方向に並べて配置した第２
のリード部、５，６はリード部２を連結した連結部、７
はアルミニウム，金，銅等の金属細線、１０は封止樹脂
である。
【００１３】図１のリードフレームは、一方向に並べて
配置した複数の素子搭載部１と、この素子搭載部１の配
置方向に対して直角方向に並べて配置した第１のリード
部２と、素子搭載部１の配置方向に対して平行方向に並
べて配置した第２のリード部３，４と、第１のリード部
２を連結した連結部５，６とを備えている。そして、第
２のリード部３，４において、外側のリード部（第２の
外側リード部）４を折り曲げ、外側のリード部４におけ
る金属細線７のボンディング部分が内側のリード部（第
２の内側リード部）３よりも高くなるようにしている。
【００１４】このリードフレームは、まず、銅板等を金
属箔状に加工した後、予め作製したプレス金型を用い
て、外側の第２のリード部４を折り曲げていない図８の
ような所定の形状にプレス加工し、その後、外側の第２
のリード部４を、内側の第２のリード部３より例えば
０．１ｍｍ高くなるように折り曲げることにより、作製
できる。
【００１５】さらに、このリードフレームを用いた半導
体装置の製造方法について、図４を参照しながら説明す
る。まず、リードフレームの複数の素子搭載部１に、例
えばパワートランジスタからなる大電力用の半導体素子
８を、半田９（例えばＰｂ：Ｓｎ＝６３：３７）を用い
て順次接着する（図４（ａ））。つぎに、リード部２，
３，４と半導体素子８とを、例えば２００μｍφのアル
ミ細線等の金属細線７を用いて超音波ボンド方式で順次
接続する（図４（ｂ））。つぎに、半導体素子８を外部
環境から保護するために樹脂１０で封止を行う（図４
（ｃ））。つぎに、リード部２の連結部５，６（図１参
照）を図１の破線部でカットして各リード部２を切り離
した後、樹脂１０から露出した外部のリード部２に半田
１１（例えばＰｂ：Ｓｎ＝６３：３７）を被覆して、大
電力用の半導体装置を作製する（図４（ｄ））。この実
施の形態では、半導体素子８を搭載した３つの素子搭載
部１を、一体に樹脂封止した半導体装置である。なお、
ここでは半導体素子８を素子搭載部１に接着するために
半田９を用いたが、金，銀ペースト等の接合材を用いて
もよい。
【００１６】この図１のリードフレームを用いて半導体
装置を製造した場合と、図８に示す従来のリードフレー
ムを用いて半導体装置を製造した場合の製造歩留り率を
図５に示す。なお、図５における各点は１００００個製
造して調べた製造歩留り率を示す。また、表１に、−６
５℃から１５０℃の繰り返し回数２５０回における熱衝
撃テスト結果を示し、５０個製造したうちのテスト後の
不良個数を示してある。図５および表１から明らかなよ
うに、図１のリードフレームを用いることにより、高歩
留り、高品質の大電力用半導体装置を実現することがで
きる。
【００１７】
【表１】
【００１８】以上のようにこの実施の形態によれば、外
側のリード部４を内側のリード部３より高い位置に設け
ているため、配線工程において内側のリード部３を跨い
で外側のリード部４に金属細線７を超音波接着する場合
に内側のリード部３に接触することを防止できるととも
に、外側のリード部４に接続した金属細線７が樹脂封止
工程などで変形して内側のリード部３に接触することを
防止でき、加速信頼性評価における不具合を大幅に改善
し、半導体装置の性能および製造歩留りを向上すること
ができる。
【００１９】なお、この実施の形態では、外側のリード
部４の全体を内側のリード部３より高くしたが、図２，
図３に示すように、外側のリード部４の折り曲げ箇所を
かえてもよく、外側のリード部４のワイヤボンディング
部分を、内側のリード部３において外側のリード部４の
ワイヤボンディング部分と対向する部分、すなわち内側
のリード部３において金属細線７が跨がる部分よりも高
い位置に設けてあれば同様の効果を得られる。
【００２０】〔第２の実施の形態〕図６はこの発明の第
２の実施の形態におけるリードフレームの構成を示す斜
視図であり、図１と対応する部分には同じ符号を付して
いる。図６のリードフレームは、一方向に並べて配置し
た複数の素子搭載部１と、この素子搭載部１の配置方向
に対して直角方向に並べて配置した第１のリード部２
と、素子搭載部１の配置方向に対して平行方向に並べて
配置した第２のリード部３，４と、第１のリード部２を
連結した連結部５，６とを備えている。そして、内側の
第２のリード部（第２の内側リード部）３に、外側の第
２のリード部（第２の外側リード部）４と対向する側で
素子搭載部１と対応する所に切欠き部３ａを設け、内側
の第２のリード部３を部分的に細くしている。
【００２１】このリードフレームは、まず、銅板等を金
属箔状に加工した後、予め作製したプレス金型を用い
て、内側の第２のリード部３に切欠き部３ａを形成して
いない図８のような所定の形状にプレス加工し、その
後、内側の第２のリード部３に切欠き部３ａを形成する
ことにより、作製できる。さらに、このリードフレーム
を用いて、図４に示した第１の実施の形態で説明した方
法により、大電力用の半導体装置を作製できる。ここ
で、金属細線７を超音波接着する場合、図６に示すよう
に、外側のリード部４に接続する金属細線７は、内側の
リード部３の切欠き部３ａ上を跨いで接着し、内側のリ
ード部３に接続する金属細線７は切欠き部３ａのない所
に接着している。
【００２２】以上のようにこの実施の形態によれば、外
側の第２のリード部４と対向する側で素子搭載部１と対
応する所に切欠き部３ａを設けて内側の第２のリード部
３を部分的に細くし、配線工程において内側のリード部
３を跨いで外側のリード部４に金属細線７を超音波接着
する場合に、金属細線７が内側の第２のリード部３の切
欠き部３ａ上を跨ぐことにより、外側のリード部４にお
ける金属細線７のボンディング部分と内側のリード部３
との距離が長くなり、また切欠き部３ａを設けた部分の
リード部３が細いため、金属細線７が内側のリード部３
に接触することを防止できるとともに、外側のリード部
４に接続した金属細線７が樹脂封止工程などで変形して
内側のリード部３に接触することを防止でき、加速信頼
性評価における不具合を大幅に改善し、半導体装置の性
能および製造歩留りを向上することができる。
【００２３】また、図７に示すように、内側のリード部
３の切欠き部３ａと対向させて外側のリード部４にも切
欠き部４ａを設けることにより、外側のリード部４にお
ける金属細線７のボンディング部分と内側のリード部３
との距離が必然的により長くなるため、外側のリード部
４に接続した金属細線７と内側のリード部３との接触の
防止をより図れ、さらに高い効果を得られる。
【００２４】また、図１，図２または図３に示すリード
フレームの特徴点と、図６または図７に示すリードフレ
ームの特徴点とを含んだ構成とすれば、さらにより高い
効果を得ることができる。
【００２５】
【発明の効果】請求項１記載のリードフレームは、一方
向に並べて複数配置した素子搭載部の配置方向に対して
平行方向に並べた第２のリード部において、第２の外側
リード部のワイヤボンディング部分を第２の内側リード
部の対向部分よりも高い位置に設けたことにより、半導
体装置を製造する際、素子搭載部に搭載した半導体素子
と第１および第２のリード部とを金属細線で接続する配
線工程において、第２の内側リード部を跨いで第２の外
側リード部に金属細線を接続する場合に第２の内側リー
ド部に接触することを防止できるとともに、第２の外側
リード部に接続した金属細線が樹脂封止工程などで変形
して第２の内側リード部に接触することを防止でき、加
速信頼性評価における不具合を大幅に改善し、半導体装
置の性能および製造歩留りを向上することができる。
【００２６】請求項２記載のリードフレームは、第２の
内側リード部に、第２の外側リード部と対向する側の素
子搭載部と対応する部分に切欠き部を設けたことによ
り、半導体装置を製造する際、配線工程において、第２
の内側リード部を跨いで第２の外側リード部に金属細線
を接続する場合に、金属細線が第２の内側リード部の切
欠き部上を跨ぐことにより、第２の外側リード部におけ
る金属細線のボンディング部分と第２の内側リード部と
の距離が長くなり、また切欠き部を設けた部分の第２の
内側リード部が細いため、金属細線が第２の内側リード
部に接触することを防止できるとともに、第２の外側リ
ード部に接続した金属細線が樹脂封止工程などで変形し
て第２の内側リード部に接触することを防止でき、加速
信頼性評価における不具合を大幅に改善し、半導体装置
の性能および製造歩留りを向上することができる。
【００２７】請求項３記載のリードフレームは、請求項
２記載のリードフレームにおいて、第２の外側リード部
のワイヤボンディング部分を、第２の内側リード部の対
向部分よりも高い位置に設けることにより、半導体装置
の加速信頼性評価における不具合をより大幅に改善し、
製造歩留りをより向上することができる。請求項４記載
のリードフレームは、請求項２または３記載のリードフ
レームにおいて、第２の外側リード部に、第２の内側リ
ード部の切欠き部と対向する切欠き部を設けることによ
り、第２の外側リード部における金属細線のボンディン
グ部分と第２の内側リード部との距離が必然的により長
くなるため、第２の外側リード部に接続する金属細線と
第２の内側リード部との接触の防止がより図れ、半導体
装置の加速信頼性評価における不具合をさらにより大幅
に改善し、製造歩留りをさらにより向上することができ
る。
【００２８】また、請求項５および６記載の半導体装置
は、上記リードフレームを用いることにより、その性能
および製造歩留りを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態におけるリードフ
レームの構成を示す斜視図。
【図２】この発明の第１の実施の形態におけるリードフ
レームの構成を示す斜視図。
【図３】この発明の第１の実施の形態におけるリードフ
レームの構成を示す斜視図。
【図４】この発明の第１の実施の形態における半導体装
置の製造方法を示す工程図。
【図５】この発明の第１の実施の形態における製造歩留
りの効果を示す図。
【図６】この発明の第２の実施の形態におけるリードフ
レームの構成を示す斜視図。
【図７】この発明の第２の実施の形態におけるリードフ
レームの構成を示す斜視図。
【図８】従来のリードフレームの構成を示す斜視図。
【符号の説明】
１ 素子搭載部 ２ 第１のリード部 ３ 第２のリード部（第２の内側リード部） ４ 第２のリード部（第２の外側リード部） ３ａ 第２のリード部３の切欠き部 ４ａ 第２のリード部４の切欠き部 ５，６ 連結部 ７ 金属細線 ８ 半導体素子 １０ 樹脂

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一方向に並べて配置した複数の素子搭載
    部と、この素子搭載部の配置方向に対して直角方向に並
    べて配置した複数の第１のリード部と、前記素子搭載部
    の配置方向に対して平行方向に並べて配置した複数の第
    ２のリード部とを備えたリードフレームであって、 前記複数の第２のリード部のうち外側に配置した第２の
    外側リード部のワイヤボンディング部分を、前記複数の
    第２のリード部のうち内側に配置した第２の内側リード
    部の対向部分よりも高い位置に設けたことを特徴とする
    リードフレーム。
  2. 【請求項２】 一方向に並べて配置した複数の素子搭載
    部と、この素子搭載部の配置方向に対して直角方向に並
    べて配置した複数の第１のリード部と、前記素子搭載部
    の配置方向に対して平行方向に並べて配置した複数の第
    ２のリード部とを備えたリードフレームであって、 前記複数の第２のリード部のうち内側に配置した第２の
    内側リード部に、前記複数の第２のリード部のうち外側
    に配置した第２の外側リード部と対向する側の前記素子
    搭載部と対応する部分に切欠き部を設けたことを特徴と
    するリードフレーム。
  3. 【請求項３】 第２の外側リード部のワイヤボンディン
    グ部分を、第２の内側リード部の対向部分よりも高い位
    置に設けた請求項２記載のリードフレーム。
  4. 【請求項４】 外側に配置した第２のリード部に、内側
    に配置した第２のリード部の切欠き部と対向する切欠き
    部を設けた請求項２または３記載のリードフレーム。
  5. 【請求項５】 請求項１記載のリードフレームを用い、
    前記リードフレームの素子搭載部に半導体素子を搭載
    し、前記半導体素子と第１および第２のリード部とを金
    属細線で接続し、前記半導体素子および前記金属細線を
    樹脂封止した半導体装置。
  6. 【請求項６】 請求項２，３または４記載のリードフレ
    ームを用い、前記リードフレームの素子搭載部に半導体
    素子を搭載し、前記半導体素子と第１のリード部とを金
    属細線で接続し、前記半導体素子と第２の内側リード部
    の切欠き部を形成していない部分とを前記金属細線で接
    続し、前記第２の内側リード部の切欠き部を跨いで前記
    半導体素子と第２の外側リード部とを前記金属細線で接
    続し、前記半導体素子および前記金属細線を樹脂封止し
    た半導体装置。
JP4633896A 1996-03-04 1996-03-04 リードフレームおよびそれを用いた半導体装置 Pending JPH09246451A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4633896A JPH09246451A (ja) 1996-03-04 1996-03-04 リードフレームおよびそれを用いた半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4633896A JPH09246451A (ja) 1996-03-04 1996-03-04 リードフレームおよびそれを用いた半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09246451A true JPH09246451A (ja) 1997-09-19

Family

ID=12744359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4633896A Pending JPH09246451A (ja) 1996-03-04 1996-03-04 リードフレームおよびそれを用いた半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09246451A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010103436A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Shindengen Electric Mfg Co Ltd リードフレーム及び半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010103436A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Shindengen Electric Mfg Co Ltd リードフレーム及び半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5227662A (en) Composite lead frame and semiconductor device using the same
JP3205235B2 (ja) リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型
KR970011649B1 (ko) 반도체 장치의 제조방법
JP2000307045A (ja) リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
EP0458469A1 (en) Composite lead frame and semiconductor device using the same
JP2569400B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH01196153A (ja) 樹脂封止半導体装置
US5361970A (en) Method of producing a semiconductor integrated circuit device having terminal members provided between semiconductor element and leads
JPH09246451A (ja) リードフレームおよびそれを用いた半導体装置
JP2954108B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH06236956A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH03228339A (ja) ボンディングツール
JPH06252334A (ja) 半導体装置
JPH03235360A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0758273A (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
JP2842234B2 (ja) リードピンの製造方法
JP2846095B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH07249708A (ja) 半導体装置及びその実装構造
JPH06350013A (ja) リードフレーム及び半導体装置並びに半導体装置の製造方法
KR930005495B1 (ko) 리드프레임 및 그 제조방법
JPH0917928A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH09260577A (ja) リードフレーム及び半導体装置及びその製造方法
JP2001077273A (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH02224362A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0384941A (ja) 半導体装置の製造方法