JPH09246234A - シリコンウェハーの加工方法及びそのシリコンウェハーを用いた電子機器 - Google Patents
シリコンウェハーの加工方法及びそのシリコンウェハーを用いた電子機器Info
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Abstract
エッチング壁面部及びエッチング底面部の凹凸を防ぎ、
滑らかな所望エッチング形状を安定して生産できるエッ
チング液を用いたSiウェハーの加工方法を提供する。 【解決手段】 両面を研磨した(100)面方位のSi
ウェハー10にシリコン酸化膜11を付与し、両面にレ
ジスト23を塗布して、フォトマスクを用いてレジスト
パターン12をパターニングする。Siウェハー10を
緩衝ふっ酸溶液に浸漬し、所定部分のみシリコン酸化膜
11を除去後、硫酸と過酸化水素水を混合させた剥離液
を加熱・浸漬して、レジスト23を除去する。Siウェ
ハー10を2つ以上の混合させたアルカリ水溶液(内1
つが無機または有機水酸化物等)に浸漬し、エッチング
により出現する最も速度の早い面が異なることを応用し
て、エッチング壁面およびエッチング底面を平滑に形成
する。
Description
の微細加工方法、更にはその加工方法により得られたシ
リコンウェハーを有する例えば半導体圧力センサー等の
電子機器に関する。
グラフィ・薄膜形成技術・エッチング技術などの半導体
製造方法を応用し、ミクロな精密機械部品・マイクロセ
ンサー等を製造するマイクロマシニングが最近注目を浴
びている。
コンウェハーは、機械的強度が高く、半導体製造プロセ
スを応用することにより、ミクロンオーダーの精度の機
械部品を大量に製造できるからである。
センサーは、江刺正喜らの著書”マイクロマシーニング
とマイクロメカトロニクス”(培風館、1992年6月
20日発行)によると、プロセスはフォトリソ技術と異
方性エッチングによるウェハーの加工から成っている。
エッチングについては、乾式異方性エッチング及び湿式
異方性エッチングがある。特に、湿式異方性エッチング
では、(111)結晶面のエッチング速度が他の結晶面
のエッチング速度に比べ極端に遅いことを利用して、数
百ミクロンの深い溝やダイヤフラムを形成できるため、
半導体圧力センサーや、特開平2−297445号公報
に見られるように、シリコンを用いたインクジェットプ
リンター用記録ヘッドを湿式異方性エッチングにより製
造している。
シリコンウェハーの湿式異方性エッチングにより加工出
来る形状には制約があった。例えば、Si(100)面
方位のSiウェハーでは、必ず結晶方位を調べ、Si<
110>方向に沿って直線でのみマスクパターンを形成
していた。そして、異方性エッチングにより、エッチン
グ速度の極端に遅いSi(111)面を出現させ、アン
ダーカットが少なく、しかもエッチング面の凹凸の少な
いエッチング形状を形成していた。
ハーを用いて方位Si<110>方向によって正方形の
マスクパターンを形成し湿式異方性エッチングを行う
と、シリコンパターンの角の部分がアンダーカットによ
り削られていく現象があり、湿式異方性エッチングによ
って角を形成するために、このアンダーカットを考慮し
た特公平2−34973号公報で開示された補正マスク
パターンの開発が必要であった。
線でパターンを形成したり、あるいは曲線を用いてマス
クパターンの形成を行い、Siの異方性エッチングを行
うと、アンダーカットが激しくなり、所定エッチング形
状が得られないばかりか、エッチング形状の変形や、ひ
どいときにはアンダーカットによってエッチングパター
ンが消失することさえある。
部20の形状も、図4に示すように、凹凸が激しく、イ
ンクジェットヘッドとして使用するにはインクの流れを
阻害したり、気泡が排出されず問題があった。
ングパターンの壁部形状の凹凸を滑らかにするために無
機アルカリ水溶液にイソプロピルアルコールやエチルア
ルコール、メチルアルコール等のアルコール類を添加し
たエッチング液も開発されているが、アルコールが揮発
しやすく、また強アルカリ水溶液中ではアルコールが酸
化されて変質して行くため、エッチング特性が不安定で
必要な所望形状が得られ難い問題をかかえている。さら
に、エッチング面にマイクロピラミッドと呼ばれる鋭い
突起が数多く発生するために、平滑なエッチング底面が
得られないという問題もある。
ッチングの作業には常に火災や爆発などの危険性がつき
まとうため、大量生産には向いていない。従って、現在
ではあまり使用されていないのが現状である。
トプリンター用記録ヘッドをシリコンウェハーを用いて
作製するためには、まずSiの結晶方向を考慮したフォ
トマスクパターンの設計が必要であり、そのためにかな
りの設計上の制約を受け、フォトマスクの枚数が多く必
要であった。
性エッチングにおいて、アンダーカットによる形状の変
形を抑制し、なおかつ、形成されたエッチングパターン
の壁部形状が滑らかで加工寸法精度の高いパターン形状
を得られるシリコンの加工方法を実現することである。
ーの加工方法は、湿式結晶異方性エッチング工程におい
て、少なくとも2種類のアルカリ成分を混合させたエッ
チング液を用いてエッチングを行なうことを特徴とす
る。また、少なくとも2種類のアルカリ成分のうち一つ
の成分が、無機水酸化物あるいは有機水酸化物、または
エチレンジアミン−ピロカテコール水溶液であることも
特徴とする。また、上記シリコンウェハーをインクジェ
ットプリンターヘッドに用いたことを特徴とする。
コンウェハーを有する電子機器せあることを特徴とす
る。また、その電子機器はインクジェットプリンターヘ
ッドであることを特徴とする。さらに、その電子機器
は、半導体圧力センサーであることを特徴とする。
るアルカリ水溶液を混合したエッチング液を使用するこ
とを特徴としているが、以下に具体例を示しながら原理
を説明する。
なる方向に沿ってシリコン酸化膜パターニング13を行
い、水酸化カリウム水溶液等単一成分のアルカリ水溶液
で湿式結晶異方性エッチングを行うと凹凸のあるエッチ
ング壁面部20が出現する。
ッチング速度が速い面と最も遅い(111)結晶面で構
成されている。
例は、水酸化カリウムとテトラメチル水酸化アンモニウ
ムの水溶液である。
化アンモニウム水溶液ではそれぞれのエッチング特性が
異なる。例えば、水酸化カリウムだけでのSiエッチン
グでは、(111)結晶面と(100)結晶面及びエッ
チングにより出現する最もエッチング速度が速い面の
(X11)結晶面が平滑なエッチング面として出現す
る。ただし、XはKOH濃度により3から5まで変化す
る。
溶液では、(111)結晶面と(100)結晶面及びエ
ッチングにより出現する最もエッチング速度が速い面の
(211)結晶面が平滑なエッチング面として出現す
る。
現する最もエッチング速度が速い面が、水酸化カリウム
とテトラメチル水酸化アンモニウムでは異なることであ
る。
が異なる2つ以上のエッチング液を混合すると、非常に
滑らかなエッチング壁面になることを発見した。つま
り、2つのエッチング液を混合すると、エッチングによ
り出現する最もエッチング速度の高い面が異なるため、
互いに打ち消しあい非常に滑らかなエッチング壁面にな
るのである 。
説明する。
ヘッドの製造例をもちいて説明するが、Si結晶異方性
エッチングを応用して作製できるものなら何でも良く、
インクジェットプリンターヘッドに限定されるものでは
ない。特に、滑らかなエッチング形状を要するインクジ
ェットプリンターヘッド及び微小流体制御装置・圧力セ
ンサ等に効果がある。
ットプリンターヘッドの工程図である。
研磨した4インチのSiウェハー10に1μmのシリコ
ン酸化膜11を付与する。このSiウェハー10の面方
位は(100)面であり、厚みは0.3mmである。
23を塗布し、インクジェットプリンターヘッドのフォ
トマスクを用いてレジストパターン12をパターニング
する(図1(b))。Siウェハー10を緩衝ふっ酸溶
液に浸漬し、所定部分のみシリコン酸化膜11を除去
後、硫酸と過酸化水素水を10:1の比率で混合させた
剥離液を摂氏85度に加熱し、30分間浸漬して、レジ
スト23を除去する(図1(c))。
3が施されたSiウェハー10を、表1に示す各種のエ
ッチング液に浸漬し、200ミクロンエッチングしてそ
のエッチング形状を調べた。
カリウム水溶液、アンモニア水溶液及びヒドラジン水溶
液を実施例に掲げた。
チル水酸化アンモニウム水溶液、エチレンジアミン水溶
液を実施例に掲げた。
量%KOH水溶液にテトラメチル水酸化アンモニウム
を、それぞれ5%,10%,15%添加したエッチング
液を用いてエッチングしたときの、エッチング面外観と
エッチング壁面について示している。
チレンジアミン−ピロカテコールージアジンを添加した
場合を試料4に、ヒドラジンを添加した場合を試料5に
示した。
料6に示している。
トラメチル水酸化アンモニウムとヒドラジンを同時に混
合した場合の例を試料7に示している。
ル水酸化アンモニウムをいれない場合について比較例1
に示した。
ために良く使用される添加剤イソプロパノールの添加し
た例を比較例2に示した。
クジェットプリンターヘッドのエッチング壁面20は非
常に滑らかになっている。また、エッチング底面30に
ついても非常に平滑であった。
ッチング底面30は平滑であるものの、エッチング壁面
20の凹凸は非常に大きくなっている。
ッチング壁面20は滑らかであるが、エッチング底面3
0に無数のマイクロピラミッド31と呼ばれる突起が形
成され、その高さも20から50ミクロンに達してい
た。
プリンターヘッドのパタ−ン断面図を図3(a)に示
す。このSiウェハーを緩衝ふっ酸溶液に浸漬し、シリ
コン酸化膜11を除去した後、図には表記されていない
が、再び0.1μmのシリコン酸化膜14を熱酸化工程
により付与し図3の(b)の形態をとる。
が直接触れることにより溶解することを防ぐ保護膜とし
て使用される。
を、図3の(c)の様に陽極接合する。
イプ穴16があらかじめ明けられており、リザーバー部
22に連通するようにアライメントされて接合される。
ノズル17を外へ露出させるために所定部をダイシング
し、バリを研磨することにより除去した。
されていないが、その配線を行なった。その後、ホウケ
イ酸ガラス15に明けられた穴16にインクパイプ19
を接続する(図3(e))。これを印字検査装置に取付
けインクパイプ19のもう一端をインクタンクに接続し
て印字検査を行った。
ドットが足りないドット抜けの有無及び文字のかすれに
ついて調べた。
万文字印字した結果で評価すると、ドット抜けも無く、
文字のかすれも全く認められない程良好であった。
字程でドット抜けが発生し、200文字程度印字する
と、印字文字の判読が出来ない程ドット抜けが激しくな
った。
を顕微鏡で調べてみると、エッチング壁面部の凹凸に無
数の小さな気泡が付着しており、圧電素子を駆動させる
と、この振動エネルギーが全て気泡の圧縮に使われてお
り、インク吐出に使用されていないことが解った。従っ
て、全くインク吐出が行えない状態になっていたのが解
る。
少なく良好なものの文字のかすれが目だっていて、50
0文字以上印字すると文字の判読が出来ない程文字のか
すれが激しくなった。
ッドを顕微鏡で調べてみると、ノズル17及び供給口2
1の付近に存在するマイクロピラミッドにインクの凝集
物質が付着しノズル17及び供給口21の流路抵抗を増
大させる結果となり、その結果インクの吐出量が減り文字
のかすれが発生したことが解った。
ヘッドの商品の品質上、エッチング壁面20の凹凸は気
泡の付着が起こらない程小さく、なおかつ、エッチング
底面30にはマイクロピラミッドの発生は在ってはなら
ないことがわかった。
リットル用意し、10日間連続して20バッチ、500
枚のSiウェハーのエッチングを行っても、エッチング
特性になんら変化が認められず、非常に安定していた。
一方比較例2では、バッチ数が増えるにつれて、マイク
ロピラミッドの発生頻度が高くなり、100枚のSiウ
ェハーをエッチングするとエッチング底面30全てがマ
イクロピラミッドで覆われていた。
少なくとも2種類のアルカリ水溶液を混合させたエッチ
ング液ではインクジェットプリンターヘッドを容易に製
造することが出来た。
ルカリ水溶液を混合させたエッチング液では、シリコン
パターン形状のエッチング壁面部の凹凸のほとんど無く
することができ、さらに、エッチング面外観について
も、鏡面が得られる。このようなエッチング形状が得ら
れることにより、例えばインクジェットプリンターヘッ
ド等の流体の微小量の制御素子を簡単に作製出来るよう
になった。
ヘッドの製造工程図である。
斜視図である。
ヘッドの製造工程図である。
面部を説明する斜視図である。
ある。
ある。
Claims (8)
- 【請求項1】 シリコンウェハーの湿式結晶異方性エッ
チング工程において、少なくとも2種類のアルカリ成分
を混合させたエッチング液を用いてエッチングを行なう
ことを特徴とするシリコンウェハーの加工方法。 - 【請求項2】 前記少なくとも2種類のアルカリ成分の
うち一つの成分が、無機水酸化物であることを特徴とす
る請求項1記載のシリコンウェハーの加工方法。 - 【請求項3】 前記少なくとも2種類のアルカリ成分の
うち一つの成分が、有機水酸化物であることを特徴とす
る請求項1記載のシリコンウェハーの加工方法。 - 【請求項4】 前記少なくとも2種類のアルカリ成分の
うち一つの成分が、エチレンジアミン−ピロカテコール
水溶液であることを特徴とする請求項1記載のシリコン
ウェハーの加工方法。 - 【請求項5】 請求項1記載のシリコンウェハーをイン
クジェットプリンターヘッドに用いたことを特徴とする
シリコンウェハーの加工方法。 - 【請求項6】 請求項1乃至5のいずれか1項記載の加
工方法により得られたシリコンウェハーを有することを
特徴とする電子機器。 - 【請求項7】 請求項6記載の電子機器がインクジェッ
トプリンターヘッドであることを特徴とする電子機器。 - 【請求項8】 請求項6記載の電子機器が半導体圧力セ
ンサーであることを特徴とする電子機器。
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Family Applications (1)
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-
1996
- 1996-03-12 JP JP5520896A patent/JP3525612B2/ja not_active Expired - Lifetime
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