JP4256485B2 - インクジェットチャネルウエハ及びインクジェットプリントヘッド - Google Patents
インクジェットチャネルウエハ及びインクジェットプリントヘッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP4256485B2 JP4256485B2 JP27609497A JP27609497A JP4256485B2 JP 4256485 B2 JP4256485 B2 JP 4256485B2 JP 27609497 A JP27609497 A JP 27609497A JP 27609497 A JP27609497 A JP 27609497A JP 4256485 B2 JP4256485 B2 JP 4256485B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ink
- channel
- inkjet
- etching
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 61
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 49
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- -1 alcohol compound Chemical class 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 4
- HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M caesium hydroxide Chemical compound [OH-].[Cs+] HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007948 ZrB2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N boron;zirconium Chemical compound B#[Zr]#B VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- ONRPGGOGHKMHDT-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCN.OC1=CC=CC=C1O ONRPGGOGHKMHDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- BGTFCAQCKWKTRL-YDEUACAXSA-N chembl1095986 Chemical compound C1[C@@H](N)[C@@H](O)[C@H](C)O[C@H]1O[C@@H]([C@H]1C(N[C@H](C2=CC(O)=CC(O[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O3)O)=C2C=2C(O)=CC=C(C=2)[C@@H](NC(=O)[C@@H]2NC(=O)[C@@H]3C=4C=C(C(=C(O)C=4)C)OC=4C(O)=CC=C(C=4)[C@@H](N)C(=O)N[C@@H](C(=O)N3)[C@H](O)C=3C=CC(O4)=CC=3)C(=O)N1)C(O)=O)=O)C(C=C1)=CC=C1OC1=C(O[C@@H]3[C@H]([C@H](O)[C@@H](O)[C@H](CO[C@@H]5[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](C)O5)O)O3)O[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O3)O[C@@H]3[C@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O3)O)C4=CC2=C1 BGTFCAQCKWKTRL-YDEUACAXSA-N 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013383 initial experiment Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000009789 rate limiting process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1632—Manufacturing processes machining
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14032—Structure of the pressure chamber
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
- B41J2/1604—Production of bubble jet print heads of the edge shooter type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1629—Manufacturing processes etching wet etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明はサーマルインクジェットプリントヘッドに関する。より詳細には、この発明は配向依存エッチング(ODE)を用いたサーマルインクジェットプリントヘッド製造プロセスに関する。
【0002】
【従来の技術】
サーマルインクジェット印刷はドロップオンディマンドインクジェットシステム型であり、電気パルスを熱エネルギー発生装置、通常抵抗器に選択的に適用することにより、インクジェットプリントヘッドが必要に応じてインクの微粒を放出する。熱発生装置はそれぞれ毛管現象により充填された平行なインクチャネル内にチャンネルノズルあるいはオリフィスから所定の距離だけ上方の位置に配置されている。ノズルに対向するチャンネル端は小さなインク溜めとつながっており、その小さなインク溜めにはより大きな外部インク供給源とつながっている。
【0003】
サーマルインクジェットプリントヘッドは2つの基板から作製される。一方の基板は加熱素子を含み、他方はインク溜めとチャネルを含む。これらの2つの基板が位置合わせされて共に接着されると、インク溜めとチャネルはインク通路として機能する。複数のプリントヘッド構成要素が別々の基板上に形成され、そのため、2つの基板の位置合わせ、結合が可能でかつ多くの個々のプリントヘッドに分割することができる。複数組のインク溜めとチャネルに対する基板はシリコンであり、構成要素は異方性エッチング処理により形成される。異方性あるいは配向依存エッチング(ODE)は精度の高い小型チャネル板用の生産性の高い製造プロセスであることが示されている。そのようなプリントヘッドは通常幅が約1/4インチ(〃)から1インチ(〃)であり、紙などの固定された記録媒体を横方向に移動される間に小さな情報の列を印刷する。それから紙は1列分の距離だけ移動され、印刷プロセスは紙の全ページが印刷されるまで続けられる。これは速度の遅いプロセスである。
【0004】
サーマルインクジェットプリントヘッドには加熱素子ウエハ上に蒸着された厚膜絶縁層内にヒーターピット及びバイパスピットを形成する必要がある。バイパスピットは厚膜絶縁層内に形成されるので、インクをインク溜めから各チャネルに送ることができる。
【0005】
インクジェットプリントヘッド内のインクの流路の幾何学的パラメータ及び/または構造的配置は微粒放出頻度、ひいては印刷速度を決定する因子である。配向依存エッチングは細かな次元制御が必要とされる長方形にエッチング形状を制限する。典型的なODEエッチング液を用いると、凸状の角がエッチングされてより制御不能な形状とされる。重要な幾何学的パラメータの例としてはチャネルの断面積に対するノズルの大きさ、及びノズルに対するバイパスピットにおけるインクの流れる面積の大きさが挙げられ、これらの大きさがインクの供給源からプリントヘッドインク溜めへの毛管現象による補充時間に影響する。ノズルの断面積は待ち時間に大きな影響を与える。ノズルの端から流体が蒸発するので粘度が増加し、最終的にチャネルをふさいでしまう。この待ち時間はふさぎが生じる前の時間の長さである。
【0006】
チャネルはインク溜めから隔離されているので、インクジェットプリントヘッドにはインク溜めからチャネルまでインクが通じるようにバイパスピットが中に形成されている厚い絶縁膜が必要である。そのため、インクジェットプリントヘッドにおけるシリコンチャネル構造の設計及び製造にはより柔軟性が必要とされる。
【0007】
バイパスピット及びヒータピットが存在すると、インクチャネル内にトラップされた気泡により引き起こされるドロップアウトとして知られる問題も一般に増加する。これらの気泡はピットの中にトラップされるとインクの流れを妨害する。
【0008】
そのため、ドロップアウト問題が生じるのを制限するインクジェットプリントヘッドに対する技術が必要とされる。
【0009】
更に、ヒータ素子ウエハ上に形成される厚い絶縁膜はインク設計の自由度(例えば、pH、加水分解、粘度、など)を著しく限定する。それはまた、プリントヘッドの前面に第2の材料(すなわち絶縁膜材料)を導入することにより前面の濡れ性の問題を複雑にする。このため、前面の濡れ性の問題を制限する一方インク設計の自由度をより柔軟にすることのできるインクジェットプリントヘッドが必要とされる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、チャネルはインク溜めから隔離されているので、インクジェットプリントヘッドにはインク溜めからチャネルまでインクが通じるようにバイパスピットが中に形成されている厚い絶縁膜が必要であり、インクジェットプリントヘッドにおけるシリコンチャネル構造の設計及び製造にはより柔軟性が必要とされる。
【0011】
また、ドロップアウト問題を制限するインクジェットプリントヘッドに対する技術が必要とされる。
【0012】
更に、前面の濡れ性の問題を制限する一方インク設計の自由度をより柔軟にすることのできるインクジェットプリントヘッドが必要とされる。
【0013】
【課題を解決するための手段】
この発明は、異方性を有するようにエッチングされた複数のインクチャネルと異方性を有するようにエッチングされたインク溜めが互いに直接接続するようにされた第1の面を有するインクジェットプリンター用のインクジェットチャネルウエハに関する。インクジェットチャネルウエハはまた、インクジェットチャネルウエハの第1の面内の異方性を有するようにエッチングされたヒータピットも備えている。
【0014】
この発明はまた、インクジェットチャネルウエハの第1の面上に異方性を有するようにエッチングされた複数のインクチャネルを備えた上部インクジェットチャネルウエハを有するインクジェットプリンター用インクジェットプリントヘッドに関する。前記複数のインクチャネルは前記上部インクジェットチャネルウエハの第1の面上に異方性を有するようにエッチングされたインク溜めに直接接続されている。更に、本発明では凸状角を有する構成要素を製造することができる。インクジェットプリントヘッドはまた、ヒータ素子エレクトロニクスを含む下部ヒータウエハを備える。上部インクジェットチャネルウエハと下部ヒータウエハの間にはヒータ素子エレクトロニクスを防御する保護膜が存在する。
【0015】
この発明はまた、インクジェットプリンター用インクジェットチャネルウエハの製造プロセスに関する。このプロセスは一連のマスクをインクジェットチャネルウエハの第1の面上に形成する工程と、次くインクジェットチャネルウエハの第1の面を異方性を有するようにエッチングしてインクマニホルド穴に直接接続される複数のインクジェットチャネルを形成する工程と、を備える。重大なあるいは細かなエッチング工程は水と、少なくとも1つのアルカリ金属酸化物と少なくとも1つのアルコール化合物の混合物を含む水溶性エッチング液を用いて行われる。
【0016】
この発明はまた、インクジェットプリンター用インクジェットチャネルウエハの製造方法に関する。この方法は、インクジェットチャネルウエハの第1の面上に1つのマスクを形成する工程と、少なくとも1つのアルカリ金属水酸化物と少なくとも1つのアルコール化合物の水溶性混合物を用いてインクジェットチャネルウエハの第1の面を異方性を有するようにエッチングし複数のインクチャネルとインク溜めを形成する工程と、を備える。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1は、微粒放出ノズル27の配列を示す従来のプリントヘッド10の斜視図である。すなわち、プリントヘッド10の前面29の拡大図を図1に示す。図2は、図1のプリントヘッド10を2‐2線で切断した断面図である。下部電気絶縁基板あるいは加熱素子板28は加熱素子34とその表面30にパターニングされたアドレス電極33を有し、一方チャネル板31の上部基板は一方向に延在すると共に面の縁29から上部基板を通って貫通している平行なチャネル20を有する。チャネル20の他端は傾斜させた壁21で終わっている。毛管現象により充填されたインクチャネル用のインク溜めはインク入口として使用するための開口25を有する。チャネル20を備えたチャネル板の表面は位置合わせされて、ヒータプレート28に結合されるため、複数の加熱素子34のそれぞれ1つが各チャネル20及び下部基板あるいはヒータプレート28内に配置される。インクは毛管作用によりインク入口25を通って凹部24及び下部基板28により形成されるインク溜めに入り、厚膜絶縁層18に形成されたバイパスピット38を通って流れることによりチャネル20を満たす。各ノズル27でのインクはメニスカスを形成し、その表面張力によりインクがそこから垂れないようになっている。下部基板あるいはヒータ板28上のアドレス電極33は端子32で終わっている。上部基板あるいはチャネル板31は下部基板28よりも小さく、電極端子32及び37が露出されドータボード19上の電極とワイヤ結合するのに使用できる。そのドータボードにはプリントヘッド10が常時載置されている。層18は上部及び下部基板間に挟まれた厚膜保護層である。この層は加熱素子が露出されるようにパターニングされており、そのためそれらの素子はピット26内に配置されている。また、この層はバイパスピット38を形成してインクがインク溜め24とインクチャネル20の間に流れるようにパターニングされている。更に、厚膜絶縁層18は電極端子32が露出されるようにパターニングされている。
【0018】
図1のプリントヘッド10を1つのチャネルを通る2‐2線で切断した断面図を図2に示す。図2には典型的なインクジェットプリントヘッドの矢印23により描かれているようにインクがどのようにインク溜め24からチャネル20の端21を回って流れていくかが示されている。トルペイ(Torpey)らの合衆国特許第4,638,337号に開示されているように、複数組の気泡発生加熱素子34及びそのアドレス電極33が両面磨き(100)シリコンウエハの磨き面上にパターニングされている。複数組のプリントヘッド電極33、加熱素子として機能する抵抗材料、及び共同帰線35がパターニングされる前に、ウエハの磨き面が厚さ約2μmの二酸化硫黄などの下地層39で被覆される。抵抗材料は化学蒸着(CVD)により蒸着することのできるドープ多結晶シリコンあるいは2ホウ化ジルコニウム(ZrB2)などの他の周知の抵抗材料としてもよい。共同帰線及びアドレス電極は典型的には下地層上でかつ加熱素子34の縁上方に蒸着されたアルミニウムリード線である。共同帰線は図1のボンディングパッド37上で終わり、アドレス電極端子32は所定の位置に配置されるので、チャネル板31を接着させてプリントヘッドを作製した後に、ドータボード19の電極40へワイヤ結合させる隙間ができる。共同帰線35及びアドレス電極33は0.5から3μmの厚さまで蒸着される。好ましい厚さは0.75から1.0μmである。
【0019】
次に、例えば、Riston、Varcel、Prombimer52あるいはポリイミドなどの厚膜型絶縁層18をヒータ基板28上に10から100μm、好ましくは25から50μmの範囲の厚さまで形成する。絶縁層18はフォトリソグラフィーにより処理されるので、各加熱素子(凹部26を形成)及びインク溜め24からインクチャネル20へのインクの通り道となるバイパスピット38の上の絶縁層18の部分が除去できる。各電極端子32及び37上の絶縁層材料もまた除去される。
【0020】
図3(a)は、インクチャネルをインク溜めに直接接続させようとした際の従来技術の制御不能な配向依存エッチング(ODE)を示すインクジェットチャネルウエハの一部の拡大底面図である。
【0021】
図3(b)は図3(c)のチャネルウエハの拡大底面図であり、バイパスピットの形成が必要なインクチャネルの一端のエッチングされていない部分を図示している。
【0022】
印刷プロセス中に、各ノズル27を通してインクジェットプリントヘッドにより小さな気泡41が吸い込まれる。各チャネル20の端の傾斜壁21が気泡をトラップし、蓄積させて非常に大きな気泡42あるいは空気ポケットを形成させる。気泡42がかなり大きくなると、インクジェットプリントヘッドの性能に悪影響を及ぼす。例えば、気泡42はチャネル20のサイズを圧縮しチャネル20を通るインクの流れを妨げる。この結果、ドロップアウトの問題が生じ、この問題はとりわけ、十分なインクが基質に到達するのを妨害し、基質上に異常なインク形成を生じさせることとなる。
【0023】
本発明の1つの実施の形態はバイパスピットの必要性を除去するチャネルウエハを含む。すなわち、構造がODEにより形成され、そのため、インクチャネルはチャネルウエハ上のインク溜めに直接接続される。これにより、補充速度及び印刷頻度が増加すると共にドロップアウトの問題が克服できる。
【0024】
構造の再現性の高い製造は、エッチング液の添加剤としてアルコール化合物を導入することにより達成されるアルカリ金属水酸化物水溶液によるエッチングの凸状角の挙動の劇的な改良により可能となる。改良された凸状角の挙動により厚いヒータウエハポリイミド保護層内だけでなくチャネルウエハ内のヒータピットの再現性の高いODEも可能となる。この場合、ポリイミド保護層の唯一残った機能はヒータウエハエレクトロニクスの保護/防御である。この機能は現在使用されているポリイミド層よりも1オーダー薄い層を用いて達成することができる。これによりインクの融和性及び前面の濡れの問題が軽減される。より薄い高分子層を十分高い温度で硬化させその耐腐食性を向上させても良い。
【0025】
標準KOHエッチングの凸状角のアンダーカット挙動を図4に示す。正方形の〈110〉アライメントマスクを使用して80℃、7M KOHにおける170ミクロンの高さのシリコンメサをエッチングする。メサの角は大きくアンダーカットされ、多くの不明確な結晶面により形成され、角アライメント誤差に高感度となる。横方向アンダーカット長“L”(図4)をエッチ深さ“D”で割ったものとして規定されるアンダーカット比は標準条件では1.32であり、すなわち凸状角は深さ方向よりも横方向に30%速くエッチングする。更に、角は典型的には非常にぼろぼろになっており(図5)、角アライメント公差に対する感度が高いためアンダーカット比はそれほど再現性が高くない。
【0026】
しかしながら、凸状角の挙動はイソプロピルアルコール(IPA)飽和KOH水溶液など、アルカリ金属水酸化物水溶液エッチングをアルコール化合物で飽和すると非常に異なったものとなる(図6)。角はもはやぼろぼろではなく、図7に示すように滑らかで{221}に近い2つの結晶面で明確に規定される。アンダーカット比は1.32から0.4に減少し(3あるいは4倍横方向のアンダーカットが減少)、アンダーカットの再現性は他のエッチパラメータの悪影響を受けずに大きく改善される。KOH水溶液及びKOH/IPAでエッチングされた凸状角のクローズアップ図をそれぞれ図8及び図9に示す。
【0027】
水溶性KOH/IPAエッチング液が好ましいが、本発明では1以上のアルコールと結合させた多くの水溶液アルカリ金属を使用してもよい。更に、上記複雑な角の外形はたった1つであった(例えば、図7の{221}に近い結晶面)が、様々なエッチングパラメータ(例えば、エッチング液濃度、エッチングされる材料、結晶配向など)に応じて他の複雑な外形も使用することができる。
【0028】
本発明のKOH/IPA ODEエッチングの優れた凸状角特性により得られるサーマルインクジェット構造をそれぞれ図10及び図11に示す。それらの図はチャネルウエハの底面図及びインク溜めに直接接続されたインクチャネルを備えるインクジェットプリントヘッドの断面図である。インク入口領域は2つの結晶面{221}、断面中にあるどちらも側面により規定される(図12)。バイパスピット及びそれに関連した制限はこの構造ではもはや必要ない。
【0029】
図11に示した本発明のインクジェットプリントヘッドは図2に示した従来のインクジェットプリントヘッドと同様である。しかしながら、チャネル20とインク溜め24とを直接接続させたため、矢印43に示されるようにインク溜めからチャネルまでインクを直接流すことができる。バイパスピットが無いので、絶縁層18はインク溜めとインクチャネル間の領域でエッチングされない。2つの結晶面{221}で規定され図11では45で示されるチャネルとインク溜め24の間の凸状角により、ノズル27を通って吸い込まれた気泡44は全て自由にチャネル20からインク溜め24まで流れインク入口25から出ていくことができる。これにより、従来のインクジェットプリントヘッドにおいて通常生じていたチャネル20とインク溜め24の間でトラップされた気泡により引き起こされるドロップアウトの問題を除去することができる。従って、本発明のインクジェットプリントヘッドは所望の光学濃度を有する再現性のある像を提供する。
【0030】
本発明のエッチング液組成の更なる利点はコンパクトなダイの製造の可能性である。標準のアルカリ金属水酸化物槽では、ダイのサイズは後方チャネルの過剰なエッチングを補正するために数ミル分増加させなければならない。エッチング槽にアルコール化合物を添加すると、ダイを大きくする必要が無くなり、より多くのダイをウエハ上に形成できる。所定の後方チャネルの長さ(すなわちヒータの後ろのチャネルの長さ)を達成するためには、アルコールを含まないエッチング液では開始チャネルの長さをより大きくする必要があり、エッチレート比がより高くなり、これによりアルコールを含むエッチング液と同じエッチ深さが達成できる。例えば、150μmの深さのチャネルをエッチングするには後方のチャネル長さが最終的に所望の大きさよりも50μm長いことが必要であり、一方、IPA/KOHを用いた場合、チャネルの長さは約50μmでよく、このためよりダイのコンパクト化が可能である。
【0031】
KOH、TMAH、CsOHなどのアルカリあるいはエチレンジアミンピロカテコール(EDP)及びヒドラジンのエッチング挙動は他の塩基性エッチング挙動とは全く異なる。これらのエッチングは拡散制限というよりむしろ反応速度制限を受け、単結晶シリコンへの効果を説明するキーワードは異方性と撹拌低感度性である。シリコンマイクロマシン加工を開始させたのはアルカリ性エッチング液の異方性エッチング挙動の発見である。EDPを用いた初期の実験及びテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用いた後の実験により、これらのエッチング液がアルカリ金属水酸化物エッチング液よりも異方性比、表面の粗さ及び/またはアンダーエッチングの観点から性能が低いことが示された。更に、EDPは有害である。マスキング材料としてLPCVD窒化珪素が使用される環境においてはアルカリ金属水酸化物エッチング液が望ましい。最適条件下でこれらのエッチング液を用いたSi/SiO2選択率は酸化物マスキングには十分ではない。
【0032】
全エッチングメカニズムには下記式に示すような可溶性シリケートの2段階形成が含まれる。
【0033】
【化1】
第1段階では、水の攻撃によりSi格子が加水分解され、Si‐Si結合により格子に結合している部分的なシリケートが形成される。第2段階では、部分的なシリケートにイオン化されたアルカリの水酸基が攻撃して、可溶性シリケートが形成される。この反応において、速度制限因子はシリケートの溶解よりもむしろシリケート形成である。そのため、アルカリ水溶液中でのシリコンエッチングは酸エッチングのような拡散制限プロセスよりむしろ反応速度制限プロセスである。そのためアルカリエッチングは本質的に流体の撹拌に対する感度がずっと低く、このためより予測性及び再現性が高い。更に、水は希釈剤ではなく、シリケート形成反応においてより積極的な役割を果たす。そのため、エッチレートは水の添加に伴い上記式における第2段階の点まで増加する。溶液から水酸基が減少するからである。アルカリ基の機能は水酸基を提供することであり、一方相補イオン(K+、Cs+、など)は1次の役割は果たさない。そのため、KOH、CsOH及び他のアルカリの水溶液によるSiエッチング挙動は本質的には類似していると予測される。アルカリ水溶液中でのシリコンエッチング後、水素ガスの放出と続く。これらの水素泡により視覚的に終点が検出されるが、気泡はまた高いアスペクト比構造における表面にトラップされあるいは付着しこのためエッチングの均一性に悪影響を与える。
【0034】
本発明のエッチングは本質的には撹拌に依存しないので、プロセスは2つの制御パラメータ(組成及び温度)によってのみ特徴づけられる。これらのパラメータはどちらも明確である。そのため本発明のアルカリエッチングでは良好な再現性及び均一性が得られる。撹拌は二次効果にすぎず、その主な機能は温度分布を均一に維持すること、及び水素泡がエッチングされるシリコン表面に付着しないようにすることである。
【0035】
典型的な作動温度は約60から100℃であり約80℃が好ましい。エッチング時間は所望のエッチ深さ及びエッチング槽温度に依存する。
【0036】
しかしながら、単結晶構造のシリコン上に作用する本発明のアルカリ水溶液エッチング液の特有のかつ興味深い特性はエッチレートの強い異方性あるいは配向依存性である。シリケート形成反応速度は結晶配向に強く依存する。{111}結晶面はダイヤモンド型構造をとりシリコンにおいて最も充填密度が高く、他の配向の結晶面よりも2のオーダーの大きさ以上遅く攻撃される。このため、微細加工設計者に厳格な配置法則を課すことになるかもしれないが、利点は化学加工技術により数百ミクロンの深さのエッチングが、実際マスクを用いたアンダーエッチング無しで、完全に規定される側壁面を備えるように、とりわけ良好な均一性及び再現性で行えることである。
【0037】
アルコールを添加することにより、アルカリ金属水酸化物水溶液中での異方性比及び凸状角のアンダーカッティングが減少する。例えば、図4及び図7はそれぞれイソプロパノール無し、及びイソプロパノールで飽和した、80℃、7MのKOH中でエッチングされた正方形{100}シリコンメサを図示したものである。どちらの場合もエッチ深さは170μmである。しかしながら、凸状角のアンダーカットは標準エッチングに対しては225μmであり、IPA飽和溶液に対しては70μmにすぎない。これは、標準エッチングをイソプロパノールで飽和するとアンダーカットの距離L及びエッチ深さDで規定されるアンダーカット比(L/D)が、1.32から0.41まで減少することを意味する。これは係数3以上の改善である。また、アンダーカット前面は、図12に示されるように、全エッチング時間に対し単一型の結晶面{221}によりずっと良好に規定される。そのためイソプロパノールの添加によりアンダーカッティング比が減少するだけでなく、アンダーカットの予測も可能となる。これにより更にアンダーカットを減少させるために適用することができるマスク補正技術の効率が改善される。
【0038】
しかしながら、アルカリ金属水酸化物水溶液に対する添加物としてアルコール化合物を使用すると、エッチングされたシリコン表面に任意に分布する角錐あるいは円錐形状の小山が生じることがある。この小山は幅あるいは高さ数十ミクロンとなることがあり、そのためどのように適用するにしても通常不都合である。角錐体形成メカニズムはエッチング溶液中に存在するわずかな汚染物質に支配される。そのメカニズムについてはほとんど知られておらず、角錐体形成は使用される脱イオン水の抵抗率と強い相関関係があり、より程度は低いがアルカリ金属水酸化物の純度とも相関関係があることがわかった。
【0039】
そのため、角錐体形成問題を解決するために、更に水の純化システムを設置し、期間中窒素を用いて環流エッチング系を排出してその純度を維持する。分析グレードのKOHを使用すると重大な水質しきい値を幾分低くすることができることが見いだされているが、上記準備がなされていれば本質的ではない。乾燥N2下でアルカリ金属水酸化物を保存するのが望ましい。
【0040】
[この発明の好適な実施の形態]
本発明のエッチング液について、KOH/IPA水溶性エッチング液に関し、更に詳細に下記に説明する。しかしながら、他のアルカリ金属水酸化物及び水酸基含有化合物を使用しても良い。更に、単結晶シリコンをエッチング材料として説明するが、ヒ化ガリウム、ゲルマニウムなどの他の材料を使用しても良い。
【0041】
80℃、IPA飽和7M KOH水溶液により、(1){110}エッチレートが幾分減少し、(2){100}/{111}異方性比が減少し、(3){100}エッチレートの均一性及び表面粗さは(無作為な角錐体形成を避けるために適当な準備がなされていれば)影響されない。例えば、{100}エッチレートは9%減少して、1.08から0.99μm/分となり、予測性は±0.05μm/分である。エッチレートの不均一性は±0.5%のオーダーで残る。表面粗さは100nm以上のオーダーである。{100}/{111}異方性はまたV‐溝拡幅実験で測定すると289±5であることがわかり、これは3%の減少を示す。
【0042】
化学量論組成を有するLPCVD窒化珪素膜をこの発明の実質的に全てのアルカリ金属水酸化物エッチングに対するマスキング材料として使用した。例えば、Si/Si3N4エッチング選択性は80℃、7M KOH水溶液中における104より良好であることがわかった。120nmSi3N4膜は24時間エッチング液に露出された後に視覚的には色の変化は見られないので、窒化物エッチレートは0.1nm/分未満であると結論づけられる。そのため、IPAを含むあるいは含まないKOHでは本質的には非エッチングであると考えることができ、このため、所望の厚さは膜のピンホール密度により決定される。120nmの膜厚は化学量論LPCVD窒化物に対し十分であることがわかった。他方、化学量論PECVD窒化物は膜の密度が低くピンホールが多いため、500nm以上の膜厚でさえも不十分であることがわかっている。 PECVD膜の熱アニーリングによりピンホール密度が減少するが、LPCVD膜に対抗させることはできない。
【0043】
湿式熱二酸化珪素もまた80℃、7M KOHに対するマスクとして使用することができるが、SiO2エッチレートは有為であるためより浅いエッチングに対してしか使用できない。1000℃で熱的に湿式成長させた500nmのSiO2膜は2時間15分±15分で消費されてしまう。そのため、酸化物エッチレートは上記条件下では3.7±0.1nm/分である。Si/SiO2選択比は-2.40である。標準3”360μmの厚さのウエハによるエッチングには1.3μm以上の厚さの酸化物膜が必要である。KOHのピンホール感度が非常に高いため、欠陥密度を許容レベルに維持するには実際には少なくとも1.6μmは必要である。そのため熱酸化物は80℃、7M KOHにおける深い(250μm以上)エッチングをマスクするにはあまり適していない。LPCVD窒化物が手に入らない場合、エッチング温度を低くすれば熱酸化物は3”ウエハに対しては使用することができる。Si/SiO2選択比は温度を下げることによりかなり増加する。温度を下げるとSi/SiO2選択比が増加することは見いだされていた。しかしながら、ピンホールが存在するため、1.2μm酸化物が依然として必要である。更に、Siエッチレートは温度降下のため更に減少し、一方一定のエッチ深さに対する表面粗さは増加する。
【0044】
そのため、化学量論LPCVD窒化珪素がアルカリ/アルコール水溶液エッチングをマスクするには好ましいと結論すべきである。酸化物膜は通常、主に窒化物膜のパターニングのためのプラズマエッチングプロセスにおけるエッチング停止あるいは緩衝層として機能させるために使用される。異方性エッチングの後、窒化物の蒸着が短い熱酸化により実行されていれば窒化物はプラズマエッチングによりエッチングされたウエハに影響を与えずに除去できる。
【0045】
以上この発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明の他の実施の形態におけるエッチング配合を以下に開示する。
【0046】
凸状角アンダーカッティングを最小とするエッチレート、エッチレートの均一性、及び{100}シリコンに対する表面粗さを提供する好ましいエッチング配合は、H2O中の7M KOH+300ml/l(過飽和)2‐プロパノール、80±1℃であって、主なエッチング仕様は以下の通りである。
【0047】
{100}エッチレート:0.99±0.05μm
{100}エッチレートの均一性:±0.25%
{111}エッチレート:3.4±0.2nm/分
{100}/{111}異方性比:289±5
{111}傾斜:54.7±0.5°
凸状アンダーカットレート:0.4±1μm/分
アンダーカッティング比:0.41±0.05
サブ限界アンダーカット比:欠陥成長の傾向
350μmエッチ深さ及び10nmの最初の表面粗さに対する表面粗さ(Ra):100nm(角錐体成長が妨害された場合)
LPCVDSi3N4エッチレート:<0.1nm/分
{100}/LPCVDSi3N4選択比:>104
上記エッチング仕様は下記の条件下で得られる。
【0048】
エッチング液を磁気撹拌器を用いて撹拌し、温度勾配及び水素泡及び/または汚染物質分子の表面付着を避ける。
【0049】
環流冷却器を用いて最初のエッチング液濃度を期間中維持する。
【0050】
温度を±1℃以内になるように制御する。大量のエッチング液及び加熱水を使用するのが好ましい。
【0051】
水素泡のトラップを避ける様にウエハを配置する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 典型的なインクジェットプリントヘッドの拡大断面図である。
【図2】 図1の典型的なインクジェットプリントヘッドの線2−2についての拡大断面図である。
【図3】 従来のチャネルウエハの拡大底面図である。
【図4】 正方形〈110〉アライメントマスクを用いてシリコンメサを標準水酸化カリウム(KOH)エッチングしたときの状態を示す顕微鏡写真である。
【図5】 図5は図4のシリコンメサの角の拡大図である。
【図6】 本発明による正方形〈110〉アライメントマスクを用いてシリコンメサのKOH/イソプロピルアルコール(IPA)エッチングをしたものを示す顕微鏡写真である。
【図7】 図6のメサの角を示した図である。
【図8】 メサの角の顕微鏡写真である。
【図9】 メサの角の顕微鏡写真である。
【図10】 本発明にかかるチャネルウエハの一部の拡大底面図である。
【図11】 本発明のインクジェットプリントヘッドの拡大断面図である。
【図12】 配向依存エッチングにより形成したシリコン結晶面を示す本発明のインク入口チャネル角の拡大図である。
【符号の説明】
18 絶縁層、20 インクチャネル、24 インク溜め、25 インク入口、27 ノズル、45 2つの結晶面{221}で規定される凸状角。
Claims (2)
- インクジェットプリンタのためのインクジェットチャネルウエハであって、
複数の異方性エッチングされたインクチャネルと、
異方性エッチングされ、該インクチャネルに直接接続されるインク溜めと、
を表面に備え、
インクチャネルとインク溜めとの間の凸状角は2つの結晶面{221}で規定され、インクチャネルの壁面は結晶面{111}で規定されていることを特徴とするインクジェットチャネルウエハ。 - 請求項1に記載のインクジェットチャネルウエハを備えることを特徴とするインクジェットプリントヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/741,422 | 1996-10-29 | ||
US08/741,422 US5971527A (en) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | Ink jet channel wafer for a thermal ink jet printhead |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10181031A JPH10181031A (ja) | 1998-07-07 |
JP4256485B2 true JP4256485B2 (ja) | 2009-04-22 |
Family
ID=24980668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27609497A Expired - Fee Related JP4256485B2 (ja) | 1996-10-29 | 1997-10-08 | インクジェットチャネルウエハ及びインクジェットプリントヘッド |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5971527A (ja) |
JP (1) | JP4256485B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3386099B2 (ja) * | 1995-07-03 | 2003-03-10 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式記録ヘッド用ノズルプレート、これの製造方法、及びインクジェット式記録ヘッド |
JPH115303A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Brother Ind Ltd | インクジェットプリンタヘッド |
JP3659303B2 (ja) * | 1997-12-11 | 2005-06-15 | 富士ゼロックス株式会社 | 液体噴射記録装置の製造方法 |
JP2000043265A (ja) * | 1998-08-03 | 2000-02-15 | Fujitsu Ltd | インクジェットヘッド及びインクジェット記録装置 |
US6406135B1 (en) * | 1999-08-23 | 2002-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head and recording apparatus using the same |
US6398348B1 (en) | 2000-09-05 | 2002-06-04 | Hewlett-Packard Company | Printing structure with insulator layer |
US6679587B2 (en) * | 2001-10-31 | 2004-01-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with a composite substrate |
US7105097B2 (en) | 2002-01-31 | 2006-09-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Substrate and method of forming substrate for fluid ejection device |
US6880926B2 (en) * | 2002-10-31 | 2005-04-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Circulation through compound slots |
US9776186B2 (en) | 2013-01-08 | 2017-10-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Reservoir with variable radius fillet |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US32572A (en) * | 1861-06-18 | Safety-guard for steam-boilers | ||
US4169821A (en) * | 1974-06-26 | 1979-10-02 | Hoechst Aktiengesellschaft | Modified hydrocarbon resin composition for use in printing ink |
US4169008A (en) * | 1977-06-13 | 1979-09-25 | International Business Machines Corporation | Process for producing uniform nozzle orifices in silicon wafers |
US4600934A (en) * | 1984-01-06 | 1986-07-15 | Harry E. Aine | Method of undercut anisotropic etching of semiconductor material |
USRE32572E (en) | 1985-04-03 | 1988-01-05 | Xerox Corporation | Thermal ink jet printhead and process therefor |
US4638337A (en) * | 1985-08-02 | 1987-01-20 | Xerox Corporation | Thermal ink jet printhead |
US4678529A (en) * | 1986-07-02 | 1987-07-07 | Xerox Corporation | Selective application of adhesive and bonding process for ink jet printheads |
US4789425A (en) * | 1987-08-06 | 1988-12-06 | Xerox Corporation | Thermal ink jet printhead fabricating process |
US4882595A (en) * | 1987-10-30 | 1989-11-21 | Hewlett-Packard Company | Hydraulically tuned channel architecture |
US4774530A (en) * | 1987-11-02 | 1988-09-27 | Xerox Corporation | Ink jet printhead |
US4786357A (en) * | 1987-11-27 | 1988-11-22 | Xerox Corporation | Thermal ink jet printhead and fabrication method therefor |
US5196378A (en) * | 1987-12-17 | 1993-03-23 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating an integrated circuit having active regions near a die edge |
US4863560A (en) * | 1988-08-22 | 1989-09-05 | Xerox Corp | Fabrication of silicon structures by single side, multiple step etching process |
US4915718A (en) * | 1988-09-28 | 1990-04-10 | On Target Technology, Inc. | Fabrication of ink jet nozzles and resulting product |
US4875968A (en) * | 1989-02-02 | 1989-10-24 | Xerox Corporation | Method of fabricating ink jet printheads |
US4961821A (en) * | 1989-11-22 | 1990-10-09 | Xerox Corporation | Ode through holes and butt edges without edge dicing |
US5096535A (en) * | 1990-12-21 | 1992-03-17 | Xerox Corporation | Process for manufacturing segmented channel structures |
US5160577A (en) * | 1991-07-30 | 1992-11-03 | Deshpande Narayan V | Method of fabricating an aperture plate for a roof-shooter type printhead |
US5277755A (en) * | 1991-12-09 | 1994-01-11 | Xerox Corporation | Fabrication of three dimensional silicon devices by single side, two-step etching process |
MX9305898A (es) * | 1992-10-30 | 1995-01-31 | Texas Instruments Inc | Metodo de grabado fotoquimico anisotropico para la fabricacion decircuitos integrados. |
US5412412A (en) * | 1992-12-28 | 1995-05-02 | Xerox Corporation | Ink jet printhead having compensation for topographical formations developed during fabrication |
US5308442A (en) * | 1993-01-25 | 1994-05-03 | Hewlett-Packard Company | Anisotropically etched ink fill slots in silicon |
US5450108A (en) * | 1993-09-27 | 1995-09-12 | Xerox Corporation | Ink jet printhead which avoids effects of unwanted formations developed during fabrication |
US5385635A (en) * | 1993-11-01 | 1995-01-31 | Xerox Corporation | Process for fabricating silicon channel structures with variable cross-sectional areas |
US5368683A (en) * | 1993-11-02 | 1994-11-29 | Xerox Corporation | Method of fabricating ink jet printheads |
US5484073A (en) * | 1994-03-28 | 1996-01-16 | I/O Sensors, Inc. | Method for fabricating suspension members for micromachined sensors |
-
1996
- 1996-10-29 US US08/741,422 patent/US5971527A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-10-08 JP JP27609497A patent/JP4256485B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10181031A (ja) | 1998-07-07 |
US5971527A (en) | 1999-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4639748A (en) | Ink jet printhead with integral ink filter | |
JP2604065B2 (ja) | ウェーハ内に開口部を形成する方法 | |
KR100397604B1 (ko) | 버블 젯 방식의 잉크 젯 프린트 헤드 및 그 제조방법 | |
JP4727257B2 (ja) | 圧電方式のインクジェットプリントヘッドと、そのノズルプレートの製造方法 | |
JP3343875B2 (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
TWI281442B (en) | Ink jet recording head and producing method therefor | |
KR100429844B1 (ko) | 일체형 잉크 젯 프린트헤드 및 그 제조방법 | |
JP4593902B2 (ja) | スロット付き基板および形成方法 | |
JPH0631918A (ja) | サーマルインクジェットプリントヘッド | |
JP4256485B2 (ja) | インクジェットチャネルウエハ及びインクジェットプリントヘッド | |
KR100374788B1 (ko) | 버블 젯 방식의 잉크 젯 프린트 헤드, 그 제조방법 및잉크 토출방법 | |
JPH1058685A (ja) | シリコン内に表面配列されて形成されたチャネルを有するインクジェットプリントヘッド | |
KR100433530B1 (ko) | 일체형 잉크젯 프린트 헤드의 제조 방법 | |
JP4054583B2 (ja) | インクジェットプリントヘッドの製造方法 | |
JP2004042399A (ja) | インクジェット記録ヘッド | |
KR100446634B1 (ko) | 잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법 | |
US8070265B2 (en) | Heater stack in a micro-fluid ejection device and method for forming floating electrical heater element in the heater stack | |
JPH04257450A (ja) | インクジェットプリンターヘッドおよびその製造方法 | |
JP4552615B2 (ja) | 液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP2005144782A (ja) | インクジェット記録ヘッドの製造方法。 | |
JP2001179992A (ja) | 液体噴射記録ヘッドの製造方法 | |
JP2001018385A (ja) | インクジェットヘッド | |
KR20080086306A (ko) | 잉크젯 프린트헤드의 제조방법 | |
JP2006344641A (ja) | シリコン基板の異方性エッチング方法及びインクジェット記録ヘッドの製造方法 | |
JP2002029048A (ja) | 液滴吐出ヘッド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040915 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040915 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070921 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090106 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090130 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |