JPH09246098A - ノイズ吸収用積層セラミックコンデンサ - Google Patents
ノイズ吸収用積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH09246098A JPH09246098A JP8083249A JP8324996A JPH09246098A JP H09246098 A JPH09246098 A JP H09246098A JP 8083249 A JP8083249 A JP 8083249A JP 8324996 A JP8324996 A JP 8324996A JP H09246098 A JPH09246098 A JP H09246098A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気ノイズの周波数帯が複数あるような場合
にも、部品点数の増加を伴わずに各周波数帯で必要とさ
れるノイズ吸収機能を単独で発揮するような積層セラミ
ックコンデンサを提供する。 【解決手段】 セラミック積層体を構成するセラミック
層２ａ〜２ｆに、静電容量が異なるコンデンサ３個分の
コンデンサ素子用パターン４ａ〜４ｄ，５ａ〜５ｄ，６
ａ，６ｂと、複数段に並列接続される各コンデンサ素子
の間に介在するインダクタンス素子としてのインダクタ
ンス素子用パターン７ａ〜１０ａとを配設、集積化し、
追加部品を必要とせずに複数の周波数帯で必要とされる
ノイズ吸収機能を発揮させる。
にも、部品点数の増加を伴わずに各周波数帯で必要とさ
れるノイズ吸収機能を単独で発揮するような積層セラミ
ックコンデンサを提供する。 【解決手段】 セラミック積層体を構成するセラミック
層２ａ〜２ｆに、静電容量が異なるコンデンサ３個分の
コンデンサ素子用パターン４ａ〜４ｄ，５ａ〜５ｄ，６
ａ，６ｂと、複数段に並列接続される各コンデンサ素子
の間に介在するインダクタンス素子としてのインダクタ
ンス素子用パターン７ａ〜１０ａとを配設、集積化し、
追加部品を必要とせずに複数の周波数帯で必要とされる
ノイズ吸収機能を発揮させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサに関し、詳しくは、複数の周波数帯のノイズを
吸収することが可能な積層セラミックコンデンサに関す
る。
ンデンサに関し、詳しくは、複数の周波数帯のノイズを
吸収することが可能な積層セラミックコンデンサに関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】積層セ
ラミックコンデンサは、小型で大きな静電容量を得るこ
とができるという特徴を有しており、種々の用途に広く
用いられている。ところで、積層セラミックコンデンサ
の中には、ノイズ吸収用コンデンサとして用いられるも
のがある。そして、このノイズ吸収用コンデンサは、特
定の周波数帯で大きな減衰率を示すことを利用して、例
えば、図１２に示すように、電源８１と負荷８２の間に
積層セラミックコンデンサ８３を並列に接続して、特定
周波数帯の電気ノイズを吸収するよう使用される。
ラミックコンデンサは、小型で大きな静電容量を得るこ
とができるという特徴を有しており、種々の用途に広く
用いられている。ところで、積層セラミックコンデンサ
の中には、ノイズ吸収用コンデンサとして用いられるも
のがある。そして、このノイズ吸収用コンデンサは、特
定の周波数帯で大きな減衰率を示すことを利用して、例
えば、図１２に示すように、電源８１と負荷８２の間に
積層セラミックコンデンサ８３を並列に接続して、特定
周波数帯の電気ノイズを吸収するよう使用される。
【０００３】しかし、電気ノイズの周波数帯がいくつか
想定される場合には、想定される各周波数帯で大きな減
衰率を示すノイズ吸収用コンデンサを複数個用意し、そ
れらを組み合わせて用いる必要があるため、部品点数が
多くなるという問題点がある。
想定される場合には、想定される各周波数帯で大きな減
衰率を示すノイズ吸収用コンデンサを複数個用意し、そ
れらを組み合わせて用いる必要があるため、部品点数が
多くなるという問題点がある。
【０００４】そこで、部品点数を減らすために、複数の
ノイズ吸収用積層セラミックコンデンサを集合化して単
一部品とすること、すなわち、例えば、図１３に示すよ
うに、第１コンデンサのためのコンデンサ素子用パター
ン９１ａ，９１ｂと第２コンデンサのためのコンデンサ
素子用パターン９２ａ，９２ｂを組み合わせて一体化し
たノイズ吸収用コンデンサ９３を用いることが考えられ
る。
ノイズ吸収用積層セラミックコンデンサを集合化して単
一部品とすること、すなわち、例えば、図１３に示すよ
うに、第１コンデンサのためのコンデンサ素子用パター
ン９１ａ，９１ｂと第２コンデンサのためのコンデンサ
素子用パターン９２ａ，９２ｂを組み合わせて一体化し
たノイズ吸収用コンデンサ９３を用いることが考えられ
る。
【０００５】しかし、図１４に示すように、このノイズ
吸収用積層セラミックコンデンサ９３を電源８１と負荷
８２の間に接続しても、第１コンデンサ９１と第２コン
デンサ９２の静電容量を合わせた静電容量をもつコンデ
ンサを一つ接続したことになってしまい、想定される二
つの周波数帯から外れた別の一つの周波数帯のノイズに
対して大きな減衰率を示すだけで、必要とされるノイズ
吸収機能を得ることはできない。すなわち、上記のよう
なコンデンサでは、電気ノイズの周波数帯がいくつか想
定される場合に部品点数が多くなるという問題を解決す
ることができないのが実情である。
吸収用積層セラミックコンデンサ９３を電源８１と負荷
８２の間に接続しても、第１コンデンサ９１と第２コン
デンサ９２の静電容量を合わせた静電容量をもつコンデ
ンサを一つ接続したことになってしまい、想定される二
つの周波数帯から外れた別の一つの周波数帯のノイズに
対して大きな減衰率を示すだけで、必要とされるノイズ
吸収機能を得ることはできない。すなわち、上記のよう
なコンデンサでは、電気ノイズの周波数帯がいくつか想
定される場合に部品点数が多くなるという問題を解決す
ることができないのが実情である。
【０００６】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、電気ノイズの周波数帯がいくつか想定される場合で
あっても、部品点数の増加を伴わずに必要なノイズ吸収
機能を発揮することのできるノイズ吸収用積層セラミッ
クコンデンサを提供することを目的とする。
り、電気ノイズの周波数帯がいくつか想定される場合で
あっても、部品点数の増加を伴わずに必要なノイズ吸収
機能を発揮することのできるノイズ吸収用積層セラミッ
クコンデンサを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のノイズ吸収用積層セラミックコンデンサ
は、セラミック中に複数の内部電極を配設してなる積層
セラミックコンデンサであって、前記内部電極が、複数
個のコンデンサ素子が各コンデンサ素子間で静電容量が
異なるような態様で形成されるようなコンデンサ素子用
パターンと、各コンデンサ素子がインダクタンス素子を
介して複数段に並列接続された回路が形成されるような
インダクタンス素子用パターンとを含むものであること
を特徴としている。
め、本発明のノイズ吸収用積層セラミックコンデンサ
は、セラミック中に複数の内部電極を配設してなる積層
セラミックコンデンサであって、前記内部電極が、複数
個のコンデンサ素子が各コンデンサ素子間で静電容量が
異なるような態様で形成されるようなコンデンサ素子用
パターンと、各コンデンサ素子がインダクタンス素子を
介して複数段に並列接続された回路が形成されるような
インダクタンス素子用パターンとを含むものであること
を特徴としている。
【０００８】また、前記複数個のコンデンサ素子のうち
の一つのコンデンサ素子にのみ外部電極が接続された２
端子型の積層セラミックコンデンサであることを特徴と
している。
の一つのコンデンサ素子にのみ外部電極が接続された２
端子型の積層セラミックコンデンサであることを特徴と
している。
【０００９】
【作用】本発明のノイズ吸収用積層セラミックコンデン
サにおいては、静電容量の異なる複数の各コンデンサ素
子が単に並列に接続されているのではなく、インダクタ
ンス素子を介して並列に接続されているため、各コンデ
ンサ素子それぞれの静電容量に関連した特定の周波数帯
で電気ノイズが十分に吸収されるようになる。したがっ
て、電気ノイズの周波数帯がいくつか想定される場合で
あっても、必要とされるノイズ吸収機能が発揮される。
さらに、本発明のノイズ吸収用積層セラミックコンデン
サには、各コンデンサ及び各インダクタンス素子が集積
化されて一体化されており、複数の部品を組み合わせる
ことなく、必要なノイズ吸収機能を得ることができる。
サにおいては、静電容量の異なる複数の各コンデンサ素
子が単に並列に接続されているのではなく、インダクタ
ンス素子を介して並列に接続されているため、各コンデ
ンサ素子それぞれの静電容量に関連した特定の周波数帯
で電気ノイズが十分に吸収されるようになる。したがっ
て、電気ノイズの周波数帯がいくつか想定される場合で
あっても、必要とされるノイズ吸収機能が発揮される。
さらに、本発明のノイズ吸収用積層セラミックコンデン
サには、各コンデンサ及び各インダクタンス素子が集積
化されて一体化されており、複数の部品を組み合わせる
ことなく、必要なノイズ吸収機能を得ることができる。
【００１０】また、各コンデンサのうちの一つのコンデ
ンサ素子のみに外部電極を接続した場合、外部電極の数
が二つになり、ノイズ吸収用積層セラミックコンデンサ
が２端子タイプのものになる。したがって、例えば、外
部電極を、従来の通常の積層セラミックコンデンサの場
合と同様に素子の両端部に形成することにより、基板設
計や製造工程などを従来と大きく変更させることなく、
容易に製造することが可能になるとともに、実装も従来
と同様の自動実装機などを用いてスムーズに行うことが
可能になり、本発明を実効あらしめることができる。
ンサ素子のみに外部電極を接続した場合、外部電極の数
が二つになり、ノイズ吸収用積層セラミックコンデンサ
が２端子タイプのものになる。したがって、例えば、外
部電極を、従来の通常の積層セラミックコンデンサの場
合と同様に素子の両端部に形成することにより、基板設
計や製造工程などを従来と大きく変更させることなく、
容易に製造することが可能になるとともに、実装も従来
と同様の自動実装機などを用いてスムーズに行うことが
可能になり、本発明を実効あらしめることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を示し
てその特徴とするところをさらに詳しく説明する。な
お、ここでは、ノイズ吸収用積層セラミックコンデンサ
（以下、単に「積層セラミックコンデンサ」とも略記す
る）として、３つのコンデンサ素子が集積化されている
ものを例にとって説明する。
てその特徴とするところをさらに詳しく説明する。な
お、ここでは、ノイズ吸収用積層セラミックコンデンサ
（以下、単に「積層セラミックコンデンサ」とも略記す
る）として、３つのコンデンサ素子が集積化されている
ものを例にとって説明する。
【００１２】［実施例１］図１はこの実施例の積層セラ
ミックコンデンサの構成を示す分解斜視図、図２はこの
実施例の積層セラミックコンデンサの外観を示す斜視
図、図３はこの実施例の積層セラミックコンデンサの、
コンデンサ素子用パターン、インダクタンス素子用パタ
ーンなどを備えてなる内部電極の構成を示す図、図４は
この実施例の積層セラミックコンデンサの等価回路図で
ある。なお、以下、内部電極の配設態様を理解しやすい
ように、コンデンサ素子用パターン、インダクタンス素
子用パターンなどの各内部電極が形成された層（面）を
それぞれ一つのセラミック層として把握し、説明を行な
う。
ミックコンデンサの構成を示す分解斜視図、図２はこの
実施例の積層セラミックコンデンサの外観を示す斜視
図、図３はこの実施例の積層セラミックコンデンサの、
コンデンサ素子用パターン、インダクタンス素子用パタ
ーンなどを備えてなる内部電極の構成を示す図、図４は
この実施例の積層セラミックコンデンサの等価回路図で
ある。なお、以下、内部電極の配設態様を理解しやすい
ように、コンデンサ素子用パターン、インダクタンス素
子用パターンなどの各内部電極が形成された層（面）を
それぞれ一つのセラミック層として把握し、説明を行な
う。
【００１３】積層セラミックコンデンサ１は、図１及び
図２に示すように、複数のセラミック層２ａ〜２ｆを厚
み方向に積層一体化してなるセラミック積層体２と、セ
ラミック積層体２の表面に設けられた４個の外部電極３
ａ〜３ｄとを具備して構成されている。実際には、セラ
ミック積層体２の上下面には、さらに電極が形成されて
いないセラミック層が積層されている。そして、この積
層セラミックコンデンサ１には、セラミック層２ａ，２
ｂ，２ｅ，２ｆ上のコンデンサ素子用パターン４ａ〜４
ｄから構成されるコンデンサ素子４及びセラミック層２
ａ，２ｂ，２ｅ，２ｆ上のコンデンサ素子用パターン５
ａ〜５ｄから構成されるコンデンサ素子５と、セラミッ
ク層２ｃ，２ｄ上のコンデンサ素子用パターン６ａ，６
ｂから構成されるコンデンサ素子６の合計３つのコンデ
ンサ素子４〜６が集積されている。
図２に示すように、複数のセラミック層２ａ〜２ｆを厚
み方向に積層一体化してなるセラミック積層体２と、セ
ラミック積層体２の表面に設けられた４個の外部電極３
ａ〜３ｄとを具備して構成されている。実際には、セラ
ミック積層体２の上下面には、さらに電極が形成されて
いないセラミック層が積層されている。そして、この積
層セラミックコンデンサ１には、セラミック層２ａ，２
ｂ，２ｅ，２ｆ上のコンデンサ素子用パターン４ａ〜４
ｄから構成されるコンデンサ素子４及びセラミック層２
ａ，２ｂ，２ｅ，２ｆ上のコンデンサ素子用パターン５
ａ〜５ｄから構成されるコンデンサ素子５と、セラミッ
ク層２ｃ，２ｄ上のコンデンサ素子用パターン６ａ，６
ｂから構成されるコンデンサ素子６の合計３つのコンデ
ンサ素子４〜６が集積されている。
【００１４】なお、コンデンサ素子４，５は同じ静電容
量であり、コンデンサ素子６はコンデンサ素子４，５よ
り静電容量が少なくなるように各コンデンサ素子用パタ
ーンが設定されている。
量であり、コンデンサ素子６はコンデンサ素子４，５よ
り静電容量が少なくなるように各コンデンサ素子用パタ
ーンが設定されている。
【００１５】一方、積層セラミックコンデンサ１には、
セラミック層２ｃ，２ｄ上のインダクタンス素子用パタ
ーン７ａ〜１０ａのそれぞれから構成される合計４つの
インダクタンス素子７〜１０がコンデンサ素子４〜６の
間に介在するように構成されている。そして、これらイ
ンダクタンス素子７〜１０が全て同じインダクタンス値
となるように各インダクタンス素子用パターンが設定さ
れている。
セラミック層２ｃ，２ｄ上のインダクタンス素子用パタ
ーン７ａ〜１０ａのそれぞれから構成される合計４つの
インダクタンス素子７〜１０がコンデンサ素子４〜６の
間に介在するように構成されている。そして、これらイ
ンダクタンス素子７〜１０が全て同じインダクタンス値
となるように各インダクタンス素子用パターンが設定さ
れている。
【００１６】この積層セラミックコンデンサ１は、図４
の等価回路図に示すように、コンデンサ素子４にインダ
クタンス素子７，８を介してコンデンサ素子６が接続さ
れ、このコンデンサ素子６にインダクタンス素子９，１
０を介してコンデンサ素子５が接続されており、各コン
デンサ素子４〜６がインダクタンス素子を介して複数段
に並列接続された回路となっている。そして、コンデン
サ素子４，５の両端には、それぞれ外部電極３ａ〜３ｄ
が接続されており、４端子タイプの積層セラミックコン
デンサとなっている。また、この積層セラミックコンデ
ンサ１は、両端に同じ容量値のコンデンサ素子４，５が
配設された左右対称の構成を有しているため部品に方向
性がなく、外部電極３ａ，３ｂが入力側であって外部電
極３ｃ，３ｄが出力側となる使用形態と、外部電極３
ｃ，３ｄが入力側であって外部電極３ａ，３ｂが出力側
となる使用形態のいずれの態様でもなんら問題なく使用
することができる。
の等価回路図に示すように、コンデンサ素子４にインダ
クタンス素子７，８を介してコンデンサ素子６が接続さ
れ、このコンデンサ素子６にインダクタンス素子９，１
０を介してコンデンサ素子５が接続されており、各コン
デンサ素子４〜６がインダクタンス素子を介して複数段
に並列接続された回路となっている。そして、コンデン
サ素子４，５の両端には、それぞれ外部電極３ａ〜３ｄ
が接続されており、４端子タイプの積層セラミックコン
デンサとなっている。また、この積層セラミックコンデ
ンサ１は、両端に同じ容量値のコンデンサ素子４，５が
配設された左右対称の構成を有しているため部品に方向
性がなく、外部電極３ａ，３ｂが入力側であって外部電
極３ｃ，３ｄが出力側となる使用形態と、外部電極３
ｃ，３ｄが入力側であって外部電極３ａ，３ｂが出力側
となる使用形態のいずれの態様でもなんら問題なく使用
することができる。
【００１７】図５は、積層セラミックコンデンサ１のノ
イズ吸収特性を示すグラフであって、周波数と減衰率の
関係を示している。グラフ中の実線Ｇ１が積層セラミッ
クコンデンサ１全体としてのノイズ吸収特性を示してお
り、一点鎖線曲線Ｇ２はコンデンサ素子４，５単独のノ
イズ吸収特性を示し、また一点鎖線曲線Ｇ３はコンデン
サ素子６単独のノイズ吸収特性を示している。図５よ
り、積層セラミックコンデンサ１が、二つの周波数帯Ｆ
１，Ｆ２で顕著なノイズ吸収特性を示しており、各コン
デンサ素子の持つノイズ吸収特性が損なわれずに保たれ
ていることがわかる。したがって、上記実施例の積層セ
ラミックコンデンサによれば、電気ノイズの周波数帯が
二つ想定される場合にも、一つの積層セラミックコンデ
ンサにより必要なノイズ吸収機能が得られることがわか
る。
イズ吸収特性を示すグラフであって、周波数と減衰率の
関係を示している。グラフ中の実線Ｇ１が積層セラミッ
クコンデンサ１全体としてのノイズ吸収特性を示してお
り、一点鎖線曲線Ｇ２はコンデンサ素子４，５単独のノ
イズ吸収特性を示し、また一点鎖線曲線Ｇ３はコンデン
サ素子６単独のノイズ吸収特性を示している。図５よ
り、積層セラミックコンデンサ１が、二つの周波数帯Ｆ
１，Ｆ２で顕著なノイズ吸収特性を示しており、各コン
デンサ素子の持つノイズ吸収特性が損なわれずに保たれ
ていることがわかる。したがって、上記実施例の積層セ
ラミックコンデンサによれば、電気ノイズの周波数帯が
二つ想定される場合にも、一つの積層セラミックコンデ
ンサにより必要なノイズ吸収機能が得られることがわか
る。
【００１８】［実施例２］次に、本発明の他の実施例を
説明する。なお、この実施例の積層セラミックコンデン
サも、上記実施例の場合と同様に、３つのコンデンサ素
子を集積化して一体化した積層セラミックコンデンサで
ある。
説明する。なお、この実施例の積層セラミックコンデン
サも、上記実施例の場合と同様に、３つのコンデンサ素
子を集積化して一体化した積層セラミックコンデンサで
ある。
【００１９】図６はこの実施例の積層セラミックコンデ
ンサの構成を示す分解斜視図、図７は実施例の積層セラ
ミックコンデンサの外観を示す斜視図、図８は実施例の
積層セラミックコンデンサの、コンデンサ素子用パター
ン、インダクタンス素子用パターンなどを備えてなる内
部電極の構成を示す図、図９は実施例の積層セラミック
コンデンサの等価回路図である。
ンサの構成を示す分解斜視図、図７は実施例の積層セラ
ミックコンデンサの外観を示す斜視図、図８は実施例の
積層セラミックコンデンサの、コンデンサ素子用パター
ン、インダクタンス素子用パターンなどを備えてなる内
部電極の構成を示す図、図９は実施例の積層セラミック
コンデンサの等価回路図である。
【００２０】この積層セラミックコンデンサ１１では、
図６及び図７に示すように、複数のセラミック層１２ａ
〜１２ｈを厚み方向に積層一体化してなるセラミック積
層体１２と、セラミック積層体１２の表面に設けられた
２個の外部電極１３ａ，１３ｂとを備えて構成されてい
る。この例においても積層体１２の両面には、電極の形
成されていないセラミック層が積層される。この積層セ
ラミックコンデンサ１１には、セラミック層１２ａ，１
２ｂ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｇ，１２ｈ上のコンデンサ
素子用パターン１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４
ｅ，１４ｆから構成されるコンデンサ素子１４（図９）
と、セラミック層１２ｃ，１２ｆ上のコンデンサ素子用
パターン１５ａ，１５ｂから構成されたコンデンサ素子
１５（図９）及びセラミック層１２ｃ，１２ｆ上のコン
デンサ素子用パターン１６ａ，１６ｂから構成されたコ
ンデンサ素子１６（図９）の計３つのコンデンサ素子１
４〜１６（図９）が集積されている。
図６及び図７に示すように、複数のセラミック層１２ａ
〜１２ｈを厚み方向に積層一体化してなるセラミック積
層体１２と、セラミック積層体１２の表面に設けられた
２個の外部電極１３ａ，１３ｂとを備えて構成されてい
る。この例においても積層体１２の両面には、電極の形
成されていないセラミック層が積層される。この積層セ
ラミックコンデンサ１１には、セラミック層１２ａ，１
２ｂ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｇ，１２ｈ上のコンデンサ
素子用パターン１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４
ｅ，１４ｆから構成されるコンデンサ素子１４（図９）
と、セラミック層１２ｃ，１２ｆ上のコンデンサ素子用
パターン１５ａ，１５ｂから構成されたコンデンサ素子
１５（図９）及びセラミック層１２ｃ，１２ｆ上のコン
デンサ素子用パターン１６ａ，１６ｂから構成されたコ
ンデンサ素子１６（図９）の計３つのコンデンサ素子１
４〜１６（図９）が集積されている。
【００２１】なお、各コンデンサ素子のうち、コンデン
サ素子１４が最も静電容量が大きく、コンデンサ素子１
５、コンデンサ素子１６と順次に静電容量が少なくなる
ようにコンデンサ素子用パターンが設定されている。ま
た、この積層セラミックコンデンサ１１には、セラミッ
ク層１２ｃ，１２ｆ上のインダクタンス素子用パターン
１７ａ〜２０ａのそれぞれから構成される合計４つのイ
ンダクタンス素子１７〜２０（図９）が集積形成されて
いる。各インダクタンス素子のうち、インダクタンス素
子１７，１８が同じインダクタンス値であり、また、イ
ンダクタンス素子１９，２０が同じインダクタンス値で
あって、インダクタンス素子１７，１８がインダクタン
ス素子１９，２０より大きなインダクタンス値であるよ
うに、インダクタンス素子用パターンが形成されてい
る。
サ素子１４が最も静電容量が大きく、コンデンサ素子１
５、コンデンサ素子１６と順次に静電容量が少なくなる
ようにコンデンサ素子用パターンが設定されている。ま
た、この積層セラミックコンデンサ１１には、セラミッ
ク層１２ｃ，１２ｆ上のインダクタンス素子用パターン
１７ａ〜２０ａのそれぞれから構成される合計４つのイ
ンダクタンス素子１７〜２０（図９）が集積形成されて
いる。各インダクタンス素子のうち、インダクタンス素
子１７，１８が同じインダクタンス値であり、また、イ
ンダクタンス素子１９，２０が同じインダクタンス値で
あって、インダクタンス素子１７，１８がインダクタン
ス素子１９，２０より大きなインダクタンス値であるよ
うに、インダクタンス素子用パターンが形成されてい
る。
【００２２】この積層セラミックコンデンサ１１は、図
９の等価回路図に示すように、コンデンサ素子１４にイ
ンダクタンス素子１７，１８を介してコンデンサ素子１
５が接続され、このコンデンサ素子１５にインダクタン
ス素子１９，２０を介してコンデンサ素子１６が接続さ
れており、各コンデンサ素子１４〜１６がインダクタン
ス素子を介して３段に並列接続された回路となってい
る。ただし、コンデンサ素子１６には外部電極は接続さ
れておらず、外部電極１３ａ，１３ｂは一つのコンデン
サ素子１４だけに接続されている。したがって、この積
層セラミックコンデンサ１１は２端子タイプの積層セラ
ミックコンデンサとなり、基板設計や製造が容易となる
とともに、実装もスムーズに行うことが可能になる。特
に、外部電極１３ａ，１３ｂを図１０に示すようなチッ
プコンデンサと同じ形態のものとすることにより、さら
に実装を容易にすることが可能になる。
９の等価回路図に示すように、コンデンサ素子１４にイ
ンダクタンス素子１７，１８を介してコンデンサ素子１
５が接続され、このコンデンサ素子１５にインダクタン
ス素子１９，２０を介してコンデンサ素子１６が接続さ
れており、各コンデンサ素子１４〜１６がインダクタン
ス素子を介して３段に並列接続された回路となってい
る。ただし、コンデンサ素子１６には外部電極は接続さ
れておらず、外部電極１３ａ，１３ｂは一つのコンデン
サ素子１４だけに接続されている。したがって、この積
層セラミックコンデンサ１１は２端子タイプの積層セラ
ミックコンデンサとなり、基板設計や製造が容易となる
とともに、実装もスムーズに行うことが可能になる。特
に、外部電極１３ａ，１３ｂを図１０に示すようなチッ
プコンデンサと同じ形態のものとすることにより、さら
に実装を容易にすることが可能になる。
【００２３】図１１は、積層セラミックコンデンサ１１
のノイズ吸収特性を示すグラフであって、周波数と減衰
率の関係を示している。グラフ中の実線ｇ１が積層セラ
ミックコンデンサ１１全体としてのノイズ吸収特性を示
しており、一点鎖線曲線ｇ２はコンデンサ素子１４単独
のノイズ吸収特性を示している。また、一点鎖線曲線ｇ
３はコンデンサ素子１５単独のノイズ吸収特性を示して
おり、一点鎖線曲線ｇ４はコンデンサ素子１６単独のノ
イズ吸収特性を示している。図１１より、積層セラミッ
クコンデンサ１１は、三つの周波数帯ｆ１〜ｆ３で顕著
なノイズ吸収特性を示しており、電気ノイズの周波数帯
が三つ想定される場合にも、一つの積層セラミックコン
デンサだけで必要なノイズ吸収機能が得られることがわ
かる。
のノイズ吸収特性を示すグラフであって、周波数と減衰
率の関係を示している。グラフ中の実線ｇ１が積層セラ
ミックコンデンサ１１全体としてのノイズ吸収特性を示
しており、一点鎖線曲線ｇ２はコンデンサ素子１４単独
のノイズ吸収特性を示している。また、一点鎖線曲線ｇ
３はコンデンサ素子１５単独のノイズ吸収特性を示して
おり、一点鎖線曲線ｇ４はコンデンサ素子１６単独のノ
イズ吸収特性を示している。図１１より、積層セラミッ
クコンデンサ１１は、三つの周波数帯ｆ１〜ｆ３で顕著
なノイズ吸収特性を示しており、電気ノイズの周波数帯
が三つ想定される場合にも、一つの積層セラミックコン
デンサだけで必要なノイズ吸収機能が得られることがわ
かる。
【００２４】なお、上記の実施の形態では、集積された
コンデンサ素子の数が３個である場合について説明した
が、コンデンサ素子の数を２個とすることも可能であ
り、また、４個以上のコンデンサ素子を、インダクタン
ス素子を介して多数接続するように構成することも可能
であり、そのような態様も本発明の範囲に含まれるもの
である。本発明はさらにその他の点においても上記実施
例に限定されるものではなく、コンデンサ素子用パター
ンやインダクタンス素子用パターンあるいは外部電極な
どの形状や配設位置などに関し、発明の要旨の範囲内に
おいて、種々の応用、変形を加えることが可能である。
コンデンサ素子の数が３個である場合について説明した
が、コンデンサ素子の数を２個とすることも可能であ
り、また、４個以上のコンデンサ素子を、インダクタン
ス素子を介して多数接続するように構成することも可能
であり、そのような態様も本発明の範囲に含まれるもの
である。本発明はさらにその他の点においても上記実施
例に限定されるものではなく、コンデンサ素子用パター
ンやインダクタンス素子用パターンあるいは外部電極な
どの形状や配設位置などに関し、発明の要旨の範囲内に
おいて、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００２５】
【発明の効果】本発明のノイズ吸収用積層セラミックコ
ンデンサは、静電容量の異なる複数の各コンデンサ素子
を、インダクタンス素子を介して並列に接続するように
しているため、各コンデンサ素子それぞれの静電容量に
関連した特定の周波数帯で電気ノイズを確実に吸収する
ことができるようになる。したがって、電気ノイズの周
波数帯が複数ある場合にも、必要とされるノイズ吸収機
能を発揮させることが可能になる。また、本発明のノイ
ズ吸収用積層セラミックコンデンサは、各コンデンサ素
子及び各インダクタンス素子を集積、一体化しているの
で、部品点数の増加を伴うことなく必要なノイズ吸収機
能を得ることができる。
ンデンサは、静電容量の異なる複数の各コンデンサ素子
を、インダクタンス素子を介して並列に接続するように
しているため、各コンデンサ素子それぞれの静電容量に
関連した特定の周波数帯で電気ノイズを確実に吸収する
ことができるようになる。したがって、電気ノイズの周
波数帯が複数ある場合にも、必要とされるノイズ吸収機
能を発揮させることが可能になる。また、本発明のノイ
ズ吸収用積層セラミックコンデンサは、各コンデンサ素
子及び各インダクタンス素子を集積、一体化しているの
で、部品点数の増加を伴うことなく必要なノイズ吸収機
能を得ることができる。
【００２６】また、各コンデンサのうちの一つのコンデ
ンサ素子のみに外部電極を接続した場合、外部電極の数
が二つになり、ノイズ吸収用積層セラミックコンデンサ
が２端子タイプのものになるため、例えば、外部電極
を、従来の通常の積層セラミックコンデンサの場合と同
様に素子の両端部に形成することにより、基板設計や製
造工程などを従来と大きく変更させることなく、容易に
製造することが可能になるとともに、実装も従来と同様
の自動実装機などを用いてスムーズに行うことが可能に
なり、本発明を実効あらしめることができる。
ンサ素子のみに外部電極を接続した場合、外部電極の数
が二つになり、ノイズ吸収用積層セラミックコンデンサ
が２端子タイプのものになるため、例えば、外部電極
を、従来の通常の積層セラミックコンデンサの場合と同
様に素子の両端部に形成することにより、基板設計や製
造工程などを従来と大きく変更させることなく、容易に
製造することが可能になるとともに、実装も従来と同様
の自動実装機などを用いてスムーズに行うことが可能に
なり、本発明を実効あらしめることができる。
【図１】本発明の実施例にかかる積層セラミックコンデ
ンサの構成を示す分解斜視図である。
ンサの構成を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の実施例にかかる積層セラミックコンデ
ンサの外観構成を示す斜視図である。
ンサの外観構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施例にかかる積層セラミックコンデ
ンサの内部電極の配設状態を示す断面図である。
ンサの内部電極の配設状態を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例にかかる積層セラミックコンデ
ンサの等価回路を示す図である。
ンサの等価回路を示す図である。
【図５】本発明の実施例にかかる積層セラミックコンデ
ンサのノイズ吸収特性を示すグラフである。
ンサのノイズ吸収特性を示すグラフである。
【図６】本発明の他の実施例にかかる積層セラミックコ
ンデンサの構成を示す分解斜視図である。
ンデンサの構成を示す分解斜視図である。
【図７】本発明の他の実施例にかかる積層セラミックコ
ンデンサの外観構成を示す斜視図である。
ンデンサの外観構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の実施例にかかる積層セラミックコンデ
ンサの内部電極の配設状態を示す断面図である。
ンサの内部電極の配設状態を示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施例にかかる積層セラミックコ
ンデンサの等価回路を示す図である。
ンデンサの等価回路を示す図である。
【図１０】本発明の他の実施例にかかる積層セラミック
コンデンサの外部電極の変形配置形態を示す斜視図であ
る。
コンデンサの外部電極の変形配置形態を示す斜視図であ
る。
【図１１】本発明の他の実施例にかかる積層セラミック
コンデンサのノイズ吸収特性を示すグラフである。
コンデンサのノイズ吸収特性を示すグラフである。
【図１２】従来の積層セラミックコンデンサの使用状況
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図１３】従来の他の積層セラミックコンデンサの構成
を示す分解斜視図である。
を示す分解斜視図である。
【図１４】従来の他の積層セラミックコンデンサの使用
状況を示す回路図である。
状況を示す回路図である。
１，１１ ノイズ吸収用積層セラミック
コンデンサ ２，１２ セラミック積層体 ２ａ〜２ｆ セラミック層 ３ａ〜３ｄ 外部電極 ４〜６ コンデンサ素子 ４ａ〜４ｄ コンデンサ素子用パターン ５ａ〜５ｄ コンデンサ素子用パターン ６ａ，６ｂ コンデンサ素子用パターン ７〜１０ インダクタンス素子 ７ａ〜１０ａ インダクタンス素子用パター
ン １２ａ〜１２ｈ セラミック層 １３ａ，１３ｂ 外部電極 １４〜１６ コンデンサ素子 １４ａ〜１４ｆ コンデンサ素子用パターン １５ａ，１５ｂ コンデンサ素子用パターン １６ａ，１６ｂ コンデンサ素子用パターン １７〜２０ インダクタンス素子 １７ａ〜２０ａ インダクタンス素子用パター
ン
コンデンサ ２，１２ セラミック積層体 ２ａ〜２ｆ セラミック層 ３ａ〜３ｄ 外部電極 ４〜６ コンデンサ素子 ４ａ〜４ｄ コンデンサ素子用パターン ５ａ〜５ｄ コンデンサ素子用パターン ６ａ，６ｂ コンデンサ素子用パターン ７〜１０ インダクタンス素子 ７ａ〜１０ａ インダクタンス素子用パター
ン １２ａ〜１２ｈ セラミック層 １３ａ，１３ｂ 外部電極 １４〜１６ コンデンサ素子 １４ａ〜１４ｆ コンデンサ素子用パターン １５ａ，１５ｂ コンデンサ素子用パターン １６ａ，１６ｂ コンデンサ素子用パターン １７〜２０ インダクタンス素子 １７ａ〜２０ａ インダクタンス素子用パター
ン
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミック中に複数の内部電極を配設し
てなる積層セラミックコンデンサであって、 前記内部電極が、複数個のコンデンサ素子が各コンデン
サ素子間で静電容量が異なるような態様で形成されるよ
うなコンデンサ素子用パターンと、各コンデンサ素子が
インダクタンス素子を介して複数段に並列接続された回
路が形成されるようなインダクタンス素子用パターンと
を含むものであることを特徴とするノイズ吸収用積層セ
ラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 前記複数個のコンデンサ素子のうちの一
つのコンデンサ素子にのみ外部電極が接続された２端子
型の積層セラミックコンデンサであることを特徴とする
請求項１記載のノイズ吸収用積層セラミックコンデン
サ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08324996A JP3408688B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | ノイズ吸収用積層セラミックコンデンサ |
| US08/815,279 US5815367A (en) | 1996-03-11 | 1997-03-10 | Layered capacitors having an internal inductor element |
| SG1997000772A SG72732A1 (en) | 1996-03-11 | 1997-03-11 | Layered capacitors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08324996A JP3408688B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | ノイズ吸収用積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246098A true JPH09246098A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3408688B2 JP3408688B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=13797068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08324996A Expired - Fee Related JP3408688B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | ノイズ吸収用積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3408688B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010258069A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| US11521798B2 (en) | 2018-12-12 | 2022-12-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic device and wiring substrate |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05335148A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型ノイズフィルタ |
| JPH0786863A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-03-31 | Taiyo Yuden Co Ltd | ノイズ除去部品 |
-
1996
- 1996-03-11 JP JP08324996A patent/JP3408688B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05335148A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型ノイズフィルタ |
| JPH0786863A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-03-31 | Taiyo Yuden Co Ltd | ノイズ除去部品 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010258069A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| US8125764B2 (en) | 2009-04-22 | 2012-02-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
| US11521798B2 (en) | 2018-12-12 | 2022-12-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic device and wiring substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3408688B2 (ja) | 2003-05-19 |
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