JP2978553B2

JP2978553B2 - コンデンサブロック

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Publication number: JP2978553B2
Application number: JP2291081A
Authority: JP
Inventors: 克彦林
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1990-10-29
Filing date: 1990-10-29
Publication date: 1999-11-15
Anticipated expiration: 2014-11-15
Also published as: JPH04163906A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、コンデンサブロックに関し、更に詳しくい
えば、互いに電気的に接続された複数のコンデンサを含
む回路、例えば、フィルタやインピーダンス変換回路に
用いられ、特に、厚膜パターンを用いて多層基板に実装
したコンデンサブロックに関する。

〔従来の技術〕

第10図〜第12図は従来例を示した図であり、第10図
は、π型回路例、第11図はＴ型回路例、第12図はコンデ
ンサブロックの実装断面図である。

図中、INは入力端子、OUTは出力端子、C₁〜C₃はコン
デンサ、１−１〜１−３は多層基板の各層（誘電体
層）、２−１〜２−３はコンデンサ電極パターン、３は
ブラインドスルーホール（内部を導体で満たしたスルー
ホール）、４−１〜４−３、５−１、５−３はコンデン
サ電極パターンを示す。

従来、例えば各種の電子回路等におけるフィルタ部や
インピーダンス変換部には、第10図、第11図に示したよ
うな回路がよく用いられていた。第10図は、コンデンサ
C₁、C₂、C₃をπ型に接続した回路であり、第11図は、コ
ンデンサC₁、C₂、C₃をＴ型に接続した回路である。

このようなπ型回路、あるいはＴ型回路を、多層基板
で構成する場合、第12図のようなコンデンサブロックに
なる。この例では、コンデンサC₁、C₂、C₃をそれぞれ、
多層基板の第１の層１−１、第２の層１−２、及び第３
の層１−３上に厚膜で形成したコンデンサ電極パターン
２−１〜２−３、４−１〜４−３、５−１〜５−３を用
いて構成している。また、外側電極であるコンデンサ電
極パターン２−１と２−３、４−１と４−３、５−１と
５−３とは、ブラインドスルーホール（内部が導体で満
たされたスルーホール）３によって接続する。

第12図の実施例で、第10図のπ型回路を構成した場
合、コンデンサC₁、C₃は接地するが（コンデンサ電極パ
ターン２−１及び５−１を接地する）、コンデンサC₂は
接地しない。

従って、第12図では、コンデンサC₁を構成するコンデ
ンサ電極パターン２−１、２−３と、コンデンサC₃を構
成するコンデンサ電極パターン５−１、５−３とを接地
するが、コンデンサC₂を構成するコンデンサ電極パター
ン４−１、４−３（外側電極）は接地しない。

また、第11図のＴ型回路を第12図のように実装した場
合には、コンデンサC₂を構成するコンデンサ電極パター
ン４−１、４−３を接地するが、コンデンサC₁、C₃を構
成するコンデンサ電極パターン２−１、２−３、５−
１、５−３を接地しない。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のような従来のものにおいては次のような欠点が
あった。

（１）第10図のπ型回路を、第12図のような多層基板
によるコンデンサブロックとして構成した場合、あるい
は第11図のＴ型回路を、第12図のような多層基板による
コンデンサブロックとして構成した場合、接地していな
いコンデンサのコンデンサ電極パターンが表面に出てし
まう。

このため、外乱に対して影響を受けやすくなる。

（２）特に、多層基板内にコンデンサを内蔵する場合
は、積層数の関係からチップコンデンサに比べ、必要な
容量を得るために、電極が大きくなってしまう。

（３）例えば、上記のコンデンサブロックを用いてフ
ィルタ素子を作った場合、接地していないコンデンサ電
極パターンが素子の表面にあるため、マザーボードへの
挿着時は、他の回路との間のストレーキャパシタンスを
考慮する必要がある。

本発明は、このような従来の欠点を解消し、コンデン
サブロックの各コンデンサを、GND導体で挟まれた構造
とすることにより、回路設計を容易にし、かつ小型化を
実現することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記の目的を達成するため、次のように構
成したものである。

（１）多層基板の内部に複数のコンデンサ電極を内蔵
したコンデンサブロックであって、前記コンデンサ電極
の内、最外の２つの電極をGND電極（接地電極）と共用
し、その２つのGND電極の間に、誘電体層を介して少な
くとも２層以上のコンデンサ電極が積層されており、前
記２つのGND電極と、それぞれのGND電極に対向配置され
たコンデンサ電極とで、それぞれ接地コンデンサを構成
し、前記他の２層以上のコンデンサ電極間で非接地コン
デンサを構成している。

（２）多層基板を構成する任意の層（誘電体層）に、 GND電極である第１のコンデンサ電極パターンを設
け、この第１のコンデンサ電極パターンに対して、誘電体
層を介し、積層方向に対向させて第２のコンデンサ電極
パターンを設け、前記第２のコンデンサ電極パターンに対して、誘電体
層を介し、積層方向に対向させて、第３のコンデンサ電
極パターンを設け、更に、前記第３のコンデンサ電極パターンに対して、
誘電体層を介し、積層方向に対向させて、GND電極であ
る第４のコンデンサ電極パターンを設け、第１、第４のコンデンサ電極パターン間を接続してGN
D電極に接続することにより、多層基板内に、GND電極に
よって挟まれた複数のコンデンサによるπ型回路を形成
した。

（３）多層基板を構成する任意の層（誘電体層）に、
GND電極である第１のコンデンサ電極パターンを設け、この第１のコンデンサ電極パターンに対して、誘電体
層を介して、積層方向に対向させて互いに独立した第
２、及び第３のコンデンサ電極パターンを設け、前記第２、第３のコンデンサ電極パターンに対して、
誘電体層を介し、積層方向に対向させて互いに独立した
第４及び第５のコンデンサ電極パターンを設け、更に、第４、第５のコンデンサ電極パターンに対し
て、誘電体層を介して、積層方向に対向させて、GND電
極である第６のコンデンサ電極パターンを設け、第１、第６のコンデンサ電極パターン間を接続してGN
Dに接続すると共に、第２、第５のコンデンサ電極パタ
ーン間、及び第３、第４のコンデンサ電極パターン間を
接続することにより、多層基板内に、GND電極によって挟まれた複数のコン
デンサによるπ型回路を形成した。

（４）多層基板を構成する任意の層（誘電体層）に、
GND電極である第１のコンデンサ電極パターンを設け、この第１のコンデンサ電極パターンに対して、誘電体
層を介し、積層方向に対向させて、第２のコンデンサ電
極パターンを設け、前記第２のコンデンサ電極パターンに対して、誘電体
層を介し、積層方向に対向させて、互いに独立した第３
及び第４のコンデンサ電極パターンを設け、前記第３、第４のコンデンサ電極パターンに対して、
誘電体層を介し、積層方向に対向させて、第５のコンデ
ンサ電極パターンを設け、更に前記第５のコンデンサ電極パターンに対して、誘
電体層を介し、積層方向に対向させて、GND電極である
第６のコンデンサ電極パターンを設け、第１、第６のコンデンサ電極パターン間を接続してGN
Dに接続すると共に、第２、第５のコンデンサ電極パターン間を接続するこ
とにより、多層基板内に、GND電極によって挟まれた複
数のコンデンサによるＴ型回路を形成した。

〔作用〕

本発明は上記のように構成したので、次のような作用
がある。

（１）上記（１）のように構成すると、複数のコンデ
ンサから成るコンデンサ部は、GND電極によって挟まれ
ている。

従って、このコンデンサブロックをマザーボード上に
搭載して使用したような場合には、外乱の影響を受け
ず、また、ストレーキャパシタンスを考慮する必要もな
い。

（２）上記（２）の構成においては、第２、第３のコ
ンデンサ電極パターンから端子を取り出した場合には、
一方の端子とGND間には、第１、第２のコンデンサ電極
パターン間のコンデンサが接続され、他方の端子とGND
間には、第３、第４のコンデンサ電極パターン間のコン
デンサが接続されると共に、両端子間には、第２、第３
のコンデンサ電極パターン間のコンデンサが接続され、
全体としてπ型のコンデンサ回路が形成される。

これらのコンデンサは、GND電極である第１、第４の
コンデンサ電極パターンによって挟まれるため、外乱に
よる影響もなく、ストレーキャパシタンスを考慮する必
要もなくなる。

（３）上記（３）の構成においては、第２、第３のコ
ンデンサ電極パターンあるいは第４、第５のコンデンサ
電極パターンから端子を取り出した場合、一方の端子と
GND間には、第１、第２のコンデンサ電極パターン間の
コンデンサと、第５、第６のコンデンサ電極パターン間
のコンデンサの合成コンデンサが接続され、他方の端子
と接地間には、第１、第３のコンデンサ電極パターン間
のコンデンサと、第４、第６のコンデンサ電極パターン
間のコンデンサの合成コンデンサが接続される。

また、両端子間には、第２、第４のコンデンサ電極パ
ターン間のコンデンサと、第３、第５のコンデンサ電極
パターン間のコンデンサの合成コンデンサが接続され、
全体としてπ型のコンデンサ回路が形成される。

これらのコンデンサは、GND電極である第１、第６の
コンデンサ電極パターンによって挟まれているため、外
乱の影響を受けることもなく、ストレーキャパシタンス
を考慮する必要もなくなる。

（４）上記（４）の構成においては、第３、第４のコ
ンデンサ電極パターンから端子を取り出した場合、両端
子間には、第２、第３のコンデンサ電極パターン間のコ
ンデンサ、及び第３、第５のコンデンサ電極パターン間
のコンデンサの合成コンデンサと、第２、第４のコンデ
ンサ電極パターン間のコンデンサ及び第４、第５のコン
デンサ電極パターン間のコンデンサの合成コンデンサと
の直列回路が形成される。

また、前記２つの合成コンデンサの接続点とGND間に
は、第１、第２のコンデンサ電極パターン間のコンデン
サ及び第５、第６のコンデンサ電極パターン間のコンデ
ンサの合成コンデンサが接続され、全体としてＴ型のコ
ンデンサ回路が形成される。

これらのコンデンサも、GND電極である第１、第６の
コンデンサ電極パターンによって挟まれており、外乱に
よる影響を受けることもなく、またストレーキャパシタ
ンスを考慮する必要もない。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図乃至第６図は、本発明の実施例を示した図てあ
り、第１図は第１実施例におけるコンデンサブロックの
実装説明図（π型回路）、第２図は第１実施例のπ型回
路説明図、第３図は第２実施例におけるコンデンサブロ
ックの実装説明図（π型回路）、第４図は第２実施例の
π型回路説明図、第５図は第３実施例におけるコンデン
サブロックの実装説明図（Ｔ型回路）、第６図は第３実
施例のＴ型回路説明図である。

図中、10、15、19は第１のコンデンサ電極パターン、
11、16−１、20は第２のコンデンサ電極パターン、12、
16−２、21−１は第３のコンデンサ電極パターン、13、
17−１、21−２は第４のコンデンサ電極パターン、17−
２、22は第５のコンデンサ電極パターン、18、23は第６
のコンデンサ電極パターン、14はブラインドスルーホー
ル、Ca₁、Ca₂、Ca、Cb₁、Cb₂、Cb、Cc₁、Cc₂、Ccはコン
デンサ、Ａ、Ｂは端子を示す。

（１）第１実施例……（第１図、第２図参照）この実施例は、π型回路を多層基板に実装したコンデ
ンサブロックの例である。

π型回路としては、第２図に示したように、コンデン
サCa、Cb、Ccをπ型に接続したものであり、少なくとも
４層以上の多層基板に実装して、第１図のようなコンデ
ンサブロックとしたものである。ただし、第１図では多
層基板の各層（誘電体層）は図示省略してある。

先ず、コンデンサCa、Cb、Ccの各電極を多層基板上に
形成する場合、コンデンサCaとCcの端子Ａ側の電極を共
通の電極（１つの電極）とし、コンデンサCbとCcの出力
端子Ｂ側の電極を共通電極（１つの電極）とする。この
ようにすれば、４個のコンデンサ電極により、３つのコ
ンデンサから成るπ型回路が構成できることになる。こ
の場合、コンデンサCaとCbのGND側（接地側）電極は、
それぞれ別々に構成し、この２つの接地側のコンデンサ
電極の間に、残りの２つのコンデンサ電極を配置すれ
ば、両側をGND電極で挟んだコンデンサブロックができ
る。

そこで第１図に示したように、多層基板の第１の層
に、第１のコンデンサ電極パターン10を形成し、第２の
層に、第２のコンデンサ電極パターン11を形成し、第３
の層に、第３のコンデンサ電極パターン12を形成し、第
４の層に、第４のコンデンサ電極パターン13を形成し
て、それぞれ多層基板の積層方向に対向配置する。

そして、第１と第４のコンデンサ電極パターン10、13
間を、ブラインドスルーホール14で接続し、これらの電
極をGNDに接続してGND電極とする。

また、コンデンサ電極パターン11に端子Ａを接続し、
コンデンサ電極パターン12に端子Ｂを接続する。

このようにすれば、各コンデンサ電極パターンの間に
は、それぞれ多層基板の各層（誘電体層）が介在してい
るから、図示のように、第１のコンデンサ電極パターン
10と第２のコンデンサ電極パターン11との間にコンデン
サCaが形成され、第３のコンデンサ電極パターン12と第
４のコンデンサ電極パターン13との間にコンデンサCbが
形成されると共に、第２のコンデンサ電極パターン11と
第３のコンデンサ電極パターン12との間には、コンデン
サCcが形成される。

従って、第１図に示したような構造のコンデンサブロ
ックは、第２図に示したπ型回路となる。

上記のようにして、第１と第４のコンデンサ電極パタ
ーン10、13をGND電極として用いれば、両側をGND電極で
挟んだ構造のコンデンサブロックとなる。

（２）第２実施例……（第３図、第４図参照）この実施例は、第４図に示したようなπ型回路を、多
層基板に実装して第３図に示したようなコンデンサブロ
ックとした例である。

この回路では、端子Ａ、Ｂ間に接続したコンデンサCc
を、Cc₁とCc₂の２つのコンデンサで構成し、端子Ａと接
地間に接続したコンデンサCaを、Ca₁とCa₂の２つのコン
デンサで構成すると共に、端子Ｂと接地間に接続したコ
ンデンサをCb₁とCb₂の２つのコンデンサで構成する。

即ち、π型回路を構成する各コンデンサを、２つのコ
ンデンサの合成したものと考える。このようなπ型回路
を多層基板に実装した場合は、第３図のような構成とな
る。なお、第３図では、多層基板の各層（誘電体層）は
図示省略してある。

第３図に示したように、多層基板の第１の層に第１の
コンデンサ電極パターン15を形成し、第２の層に第２、
第３のコンデンサ電極パターン16−１、16−２を形成
し、第３の層に第４、第５のコンピュータ電極パターン
17−１、17−２を形成し、第４の層に第６のコンデンサ
電極パターン18を形成する。

この場合、第１、第６のコンデンサ電極パターン15、
18を、多層基板の積層方向に対向配置すると共に、これ
ら２つのコンデンサ電極パターンをGND電極（接地電
極）として用いる。

また、前記２つのコンデンサ電極パターン15、18の間
に、それぞれ誘電体層（多層基板の各層）を介して第
２、第３のコンデンサ電極パターン16−１、16−２の組
と、第４、第５のコンデンサ電極パターン17−１、17−
２の組を配置する。

そして、第２、第３のコンデンサ電極パターン16−
１、16−２の合計面積、及び第４、第５のコンデンサ電
極パターン17−１、17−２の合計面積は、それぞれ外側
のGND電極である第１または第６のコンデンサ電極パタ
ーンの面積よりも大きくならないようにして、GND電極
で挟まれた構造のコンデンサブロックとする。

上記の各コンデンサ電極パターン間の接続としては、
第２のコンデンサ電極パターン17−１を端子Ａに接続
し、第３のコンデンサ電極パターン17−２を端子Ｂに接
続し、第２、第５のコンデンサ電極パターン16−１、18
−２間、第３、第４のコンデンサ電極パターン16−２、
17−１間、及び第１、第６のコンデンサ電極パターン間
をそれぞれブラインドスルーホール14で接続する。

また、第１、第６のコンデンサ電極パターン15、18は
GND電極として用いるため、いずれか一方の電極をGNDに
接続する。

上記のように構成したコンデンサブロックの各コンデ
ンサ電極パターン間に形成されるコンデンサを、図示の
ように設定する。

即ち、各コンデンサ電極パターンについて、15と16−
１間のコンデンサをCa₁、15と16−２間のコンデンサをC
b₁、16−１と17−１間のコンデンサをCc₁、16−２と17
−２間のコンデンサをCc₂、17−１と18間のコンデンサ
をCb₂、17−２と18間のコンデンサをCa₂とする。

このようにすれば、端子ＡとGND間にコンデンサCa₁と
Ca₂の合成コンデンサCaが形成され、端子ＢとGND間にコ
ンデンサCb₁とCb₂の合成コンデンサCbが形成されると共
に、端子Ａ、Ｂ間にコンデンサCc₁とCc₂の合成コンデン
サCcとが形成され、第４図のπ型回路となる。

（３）第３実施例……（第５図、第６図参照）この実施例は、第６図に示したようなＴ型回路を、多
層基板に実装して第５図に示したようなコンデンサブロ
ックとした例である。

この回路では、端子Ａ、Ｂ間に、コンデンサCb₁とCb₂
の合成コンデンサと、コンデンサCc₁とCc₂の合成コンデ
ンサを直列に接続し、その接続点とGND間に、コンデン
サCa₁とCa₂の合成コンデンサを接続した構成とする。

このようなＴ型回路を多層基板に実装すると第５図の
ようになる。第５図においても、コンデンサ電極パター
ンのみで図示してあり、多層基板の各層は図示省略して
ある。

第５図に示したように、多層基板の第１の層には第１
コンデンサ電極パターン19を形成し、第２の層には第２
のコンデンサ電極パターン20を形成し、第３の層には、
第３、第４のコンデンサ電極パターン21−１、21−２を
形成し、第４の層には、第５のコンデンサ電極パターン
22を形成し、第５の層には第６のコンデンサ電極パター
ン23を形成する。

この場合、第１、第６のコンデンサ電極パターン19、
23を多層基板の積層方向に対向配置すると共に、これら
２つのコンデンサ電極パターンをGND電極として用い
る。

また、これら２つのコンデンサ電極パターン19、23の
間に、それぞれ誘電体層（多層基板の各層）を介して、
第２のコンデンサ電極パターン20、第３、第４のコンデ
ンサ電極パターン21−１、21−２の組、及び第５のコン
デンサ電極パターン22を配置する。

そして、第３、第４のコンデンサ電極パターン21−
１、21−２の組の合計面積は、GND電極である第１また
は第６のコンデンサ電極パターンの面積よりも大きくな
らないようにして、GND電極で挟まれたコンデンサブロ
ックとする。

上記各コンデンサ電極パターン間の接続としては、第
３のコンデンサ電極パターン21−１に端子Ａを接続し、
第４のコンデンサ電極パターン21−２に端子Ｂを接続
し、更に、第１、第６のコンデンサ電極パターン19、23
間及び、第２、第５のコンデンサ電極パターン20、22間
をそれぞれブラインドスルーホール14で接続する。

また、第１、第６のコンデンサ電極パターン19、23
は、GND電極として用いるため、いずれか一方の電極をG
NDに接続する。

このような構成で、各コンデンサ電極パターン間に形
成されるコンデンサを図示のように設定する。即ち、各
コンデンサ電極パターンについて、19と20間のコンデン
サをCa₁、20と21−１間のコンデンサをCb₁、20と21−２
間のコンデンサをCc₁、21−１と22間のコンデンサをC
b₂、21−２と22間のコンデンサをCc₂、22と23間のコン
デンサをCa₂とする。

このようにすれば、端子Ａ、Ｂ間には、コンデンサCb
₁とCb₂の合成コンデンサCbと、コンデンサCc₁とCc₂の合
成コンデンサCcの直列回路が形成されると共に、前記２
つの合成コンデンサの接続点とGND間には、コンデンサC
a₁とCa₂の合成コンデンサCaが形成され、第６図に示し
たようなＴ型回路が得られる。

（４）本発明のローパスフィルタへの適用例……（第
７図〜第９図参照）本発明のコンデンサブロックを、ローパスフィルタに
適用した例を、第７図〜第９図に基づいて説明する。図
中、第３図と同符号は同一のものを示す。また、24−１
は、多層基板の第１の層、24−２は第２の層、24−３は
第３の層、24−４は第４の層、25−１は第１のコイルパ
ターン、25−２は第２のコイルパターン、25−３は第３
のコイルパターン、25−４は第４のコイルパターン、16
は入力端子（IN）、27は出力端子（OUT）、28はGND端子
を示す。

本発明のコンデンサブロックを適用する回路は、第７
図のようになっており、コンデンサブロックとしては、
第３図に示したπ型回路のコンデンサブロックを用い
る。このローパスフィルタは、入力端子INと出力端子OU
T間に、コンデンサCcを設け、入力端子INとGND間にコン
デンサCaを設け、出力端子OUTとGND間にコンデンサCbを
設けると共に、コンデンサCcと並列にコイルＬを設けた
回路となっている。

この回路を多層基板に実装すると第８図、第９図のよ
うになる。

多層基板は、第１の層24−１、第２の層24−２、第３
の層24−３、第４の層24−４の４層から成る誘電体層で
構成されている。

第１の層24−１上には、GND電極となる第１のコンデ
ンサ電極パターン15、該第１のコンデンサ電極パターン
15と一体形成されたGND端子28、入力端子（IN）26、出
力端子（OUT）27、第１のコイルパターン25−１を厚膜
パターンとして形成する。

第２の層24−２上には、第２、第３のコンデンサ電極
パターン16−１、16−２と、第２のコイルパターン25−
２を厚膜パターンとして形成し、第３の層24−３上に
は、第４、第５のコンデンサ電極パターン17−１、17−
２と、第３のコイルパターン25−３を厚膜パターンとし
て形成する。

第４の層24−４上には、GND電極となる第６のコンデ
ンサ電極パターン18と、第４のコイルパターン25−４を
厚膜パターンとして形成する。そして、上記多層基板の
各層に形成された厚膜パターン間を、ブラインドスルー
ホールを用いて図示点線のように接続する。

このようにすると、第１のコイルパターン25−１〜第
４のコイルパターン25−４で１つのコイルＬが形成され
ると共に、上記各層のコンデンサ電極パターンにより、
π型回路の各コンデンサCa、Cb、Ccが形成される。

即ち、各コンデンサ電極パターン間に形成されるコン
デンサは、第３図と同様に、15、16−１間のコンデンサ
と17−２、18間のコンデンサを合成してコンデンサCaと
なり、15、16−２間のコンデンサと、17−１、18間のコ
ンデンサを合成してコンデンサCbとなり、16−１、17−
１間のコンデンサと16−２、17−２間のコンデンサを合
成してコンデンサCcが得られる。

また、これらの各コンデンサCa、Cb、CcとコイルＬと
は、第１のコイルパターン25−１とコンデンサ電極パタ
ーン16−２間、及び第４のコイルパターン25−４と第６
のコンデンサ電極パターン18間を接続することにより第
７図のような回路となる。

以上、実施例について説明したが、本発明は上記の例
に限らず、次のようにしても実施可能である。

（１） π型回路とＴ型回路は、相互変換が可能なの
で、コンデンサブロックとしては、どちらの回路を用い
てもよい。

ただし、多層基板の層数を少なくするにはπ型回路を
用いた方がよい。

（２）コンデンサブロックを構成する多層基板は、目
的の容量を得るため、高誘電率材料を、それぞれの層で
使い分けることも可能である。

（３）目的の容量を得るため、各層の厚み（誘電体層
の厚み）を変化させることも可能である。

（４）目的の容量を得るため、更に多層化することも
可能である。

（５）コンデンサブロックは、上記のローパスフィル
タに限らず、各種の回路に適用可能である。

（６）第３図において、第４、第５のコンデンサ電極
パターン17−１、17−２を端子Ａ、Ｂに接続してもよ
い。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば次のような効果
がある。

（１）コンデンサブロックは、GND電極（GND側のコン
デンサ電極パターン）で挟まれた構造となっているた
め、ストレーキャパシタンスを考慮する必要がない。

（２）コンデンサブロック内のコンデンサ間を結線す
るための導体が不要となるため（コンデンサ間が直結さ
れているため、結線用の導体は不要）、配線のＬ成分
（インダクタンス成分）を考慮する必要がない。

（３）コンデンサブロックのコンデンサは、多層基板
の積層方向に形成されるため、コンデンサブロックの小
型化が達成される。

【図面の簡単な説明】第１図は本発明の第１実施例におけるコンデンサブロッ
クの実装説明図（π型回路）、第２図は第１実施例のπ型回路説明図、第３図は第２実施例におけるコンデンサブロックの実装
説明図（π型回路）、第４図は第２実施例のπ型回路説明図、第５図は第３実施例のコンデンサブロックの実装説明図
（Ｔ型回路）、第６図は第３実施例のＴ型回路説明図である。第７図乃至第９図は本発明のコンデンサブロックを、ロ
ーパスフィルタに適用した例を示し、第７図はローパスフィルタの回路例、第８図はローパスフィルタの分解斜視図、第９図は第８図のＸ−Ｙ線断面図である。第10図乃至第12図は、従来例を示した図であり、第10図はπ型回路例、第11図はＴ型回路例、第12図はコンデンサブロックの実装断面図である。 10、15、19……第１のコンデンサ電極パターン 11、16−１、20……第２のコンデンサ電極パターン 12、16−２、21−１……第３のコンデンサ電極パターン 13、17−１、21−２……第４のコンデンサ電極パターン 17−２、22……第５のコンデンサ電極パターン 18、23……第６のコンデンサ電極パターン 14……ブラインドスルーホール Ca₁、Ca₂、Ca……コンデンサ Cb₁、Cb₂、Cb……コンデンサＡ、Ｂ……端子

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】多層基板の内部に複数のコンデンサ電極を
内蔵したコンデンサブロックであって、前記コンデンサ電極の内、最外の２つの電極をGND電極
と共用し、その２つのGND電極の間に、誘電体層を介し
て少なくとも２層以上のコンデンサ電極が積層されてお
り、前記２つのGND電極と、それぞのGND電極に対向配置され
たコンデンサ電極とで、それぞれ接地コンデンサを構成
し、前記他の２層以上のコンデンサ電極間で非接地コン
デンサを構成していることを特徴とするコンデンサブロ
ック。
【請求項２】多層基板を構成する任意の層（誘電体層）
に、 GND電極である第１のコンデンサ電極パターン（10）を
設け、この第１のコンデンサ電極パターン（10）に対して、誘
電体層を介し、積層方向に対向させて第２のコンデンサ
電極パターン（11）を設け、前記第２のコンデンサ電極パターン（11）に対して、誘
電体層を介し、積層方向に対向させて、第３のコンデン
サ電極パターン（12）を設け、更に、前記第３のコンデンサ電極パターン（12）に対し
て、誘電体層を介して、積層方向に対向させて、GND電
極である第４のコンデンサ電極パターン（13）を設け、第１、第４のコンデンサ電極パターン（10、13）間を接
続してGNDに接続することにより、多層基板内に、GND電極によって挟まれた複数のコンデ
ンサによるπ型回路を形成したことを特徴とするコンデ
ンサブロック。
【請求項３】多層基板を構成する任意の層（誘電体層）
に、 GND電極である第１のコンデンサ電極パターン（15）を
設け、この第１のコンデンサ電極パターン（15）に対して、誘
電体層を介し、積層方向に対向させて互いに独立した第
２、及び第３のコンデンサ電極パターン（16−１、16−
２）を設け、前記第２、第３のコンデンサ電極パターン（16−１、16
−２）に対して、誘電体層を介し、積層方向に対向させ
て互いに独立した第４及び第５のコンデンサ電極パター
ン（17−１、17−２）を設け、更に、第４、第５のコンデンサ電極パターン（17−１、
17−２）に対して、誘電体層を介して、積層方向に対向
させて、GND電極である第６のコンデンサ電極パターン
（18）を設け、第１、第６のコンデンサ電極パターン（15、18）間を接
続してGNDに接続すると共に、第２、第５のコンデンサ電極パターン（16−１、17−
２）間、及び第３、第４のコンデンサ電極パターン（16
−２、17−１）間を接続することにより、多層基板内に、GND電極によって挟まれた複数のコンデ
ンサによるπ型回路を形成したことを特徴とするコンデ
ンサブロック。
【請求項４】多層基板を構成する任意の層（誘電体層）
に、 GND電極である第１のコンデンサ電極パターン（19）を
設け、この第１のコンデンサ電極パターン（19）に対して、誘
電体層を介し、積層方向に対向させて第２のコンデンサ
電極パターン（20）を設け、前記第２のコンデンサ電極パターン（20）に対して、誘
電体層を介し、積層方向に対向させて、互いに独立した
第３及び第４のコンデンサ電極パターン（21−１、21−
２）を設け、前記第３、第４のコンデンサ電極パターン（21−１、21
−２）に対して、誘電体層を介し、積層方向に対向させ
て、第５のコンデンサ電極パターン（22）を設け、更に前記第５のコンデンサ電極パターン（22）に対し
て、誘電体層を介し、積層方向に対向させて、GND電極
である第６のコンデンサ電極パターン（23）を設け、第１、第６のコンデンサ電極パターン（19、23）間を接
続してGNDに接続すると共に、第２、第５のコンデンサ電極パターン（20、22）間を接
続することにより、多層基板内に、GND電極によって挟まれた複数のコンデ
ンサによるＴ型回路を形成したことを特徴とするコンデ
ンサブロック。