JPH09245697A

JPH09245697A - 画像表示装置および該装置の製造方法

Info

Publication number: JPH09245697A
Application number: JP5614196A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Hashimoto; 浩行橋本; 誠 ▲高▼木; Makoto Takagi
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-03-13
Filing date: 1996-03-13
Publication date: 1997-09-19

Abstract

(57)【要約】【課題】表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装
置におけるパネル内の真空度向上及びその維持、特に水
素分圧の低減化を図る。【解決手段】表面伝導型電子放出素子を用いた画像表
示装置において、ゲッタ材として、非蒸発型ゲッタの微
粉末と蒸発型ゲッタ混合物を使用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面伝導型電子放
出素子を電子源として用いた画像表示装置および該装置
の製造方法に関し、詳しくは、電子源及び蛍光面部材が
配置された真空領域の真空度の向上及び維持に好適な構
成を有する画像表示装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電気的に画像等を表示する装置として
は、ＴＶシステムに用いられているようなＣＲＴを用い
た方式を採用したものが極一般的であるが、近年、液晶
を用いた平板型表示装置がこのＣＲＴに替わって普及し
てきた。しかし、液晶による画像表示装置は自発光型で
ないため、バックライトを持たなければならない等の制
限があり、液晶を用いた画像表示装置のようにコンパク
ト化が可能であるなどの利点を有し、かつ自発光型であ
る表示装置の開発が望まれてきた。

【０００３】このような自発光型表示装置としては、表
面伝導型電子放出素子を多数配置した電子源と、電子源
より放出される電子によって可視光を発光させる蛍光体
と、を組み合わせた画像形成装置を挙げることがきる。
（例えば、米国特許第５０６６８８３号）。

【０００４】この表面伝導型電子放出素子は、対向する
１対の電極間に電子放出部を挟持させた構成を適当な基
板上に面状に形成したもので、例えば、M. I. Elinson,
Radio Eng. Electron Phys., 10, 1290 (1965) 等に開
示されたものが知られている。表面伝導型電子放出素子
は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に
電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用す
るものである。この表面伝導型電子放出素子の材料構成
としては、前記エリンソン等によるＳｎＯ₂薄膜を用い
たもの、Ａｕ薄膜によるもの[G. Dittmer:“Thin Solis
Films, ”9, 317 (1972)]、Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂ 薄膜に
よるもの［M. Hartwell and C. G. Fonstad:“ IEEE Tr
ans. ED Conf. ”, 519 (1975)] 、カーボン薄膜による
もの［荒木久他：真空、第２６巻、第１号、２２頁
（１９８３）］等が報告されている。

【０００５】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として前述のＭ．ハートウェルの素子構成を
図１７に平面図として模式的に示す。同図において４０
１は基板である。４０４は導電性薄膜で、Ｈ型形状のパ
ターンにスパッタで形成された金属酸化物薄膜等からな
り、通電フォーミングと呼ばれる通電処理により電子放
出部４０５が形成される。なお、図中の素子電極間隔Ｌ
は、０．５〜１ｍｍ、Ｗ’は、０．１ｍｍで設定されて
いる。従来、これらの表面伝導型電子放出素子において
は、電子放出を行う前に導電性薄膜４０４を予め通電フ
ォーミングと呼ばれる通電処理によって電子放出部４０
５を形成するのが一般的であった。

【０００６】すなわち、通電フォーミングとは導電性薄
膜４０４両端に直流電圧あるいは非常にゆっくりとした
昇電圧例えば１Ｖ／分程度を印加通電し、導電性薄膜を
局所的に破壊、変形もしくは変質させ、電気的に高抵抗
な状態にした電子放出部４０５を形成することであり、
電子放出部４０５では、電圧印加により電流が流される
ことで、導電性薄膜４０４の一部に発生した亀裂付近か
ら電子放出が行われる。

【０００７】上述の表面伝導型電子放出素子は、構造が
単純で製造も容易であることから、大面積にわたり多数
素子を配列形成できる利点がある。そこで、この特徴を
生かした画像表示装置の電子源としての利用が注目され
ている。

【０００８】なお、多数の表面伝導型電子放出素子を配
列形成した例としては、後述するように梯子型配置と呼
ぶ並列に表面伝導型電子放出素子を配列し、個々の素子
の両端を配線（共通配線とも呼ぶ）でそれぞれ結線した
行を多数行配列した電子源が挙げられる（例えば、特開
昭６４−０３１３３２、特開平１−２８３７４９、特開
平１−２５７５５２等）。

【０００９】表面伝導型電子放出素子を電子源として用
いた画像表示装置を完成させ、長時間駆動させるために
は、蛍光体に照射される電子が放出される閉鎖領域を高
真空とし、かつ、その状態を維持する必要がある。その
ため通常、製造プロセスの最終段階で、ゲッタ処理がな
される。

【００１０】ゲッタ処理とは一般的には、ゲッタ材コン
テナと呼ばれる一部が開放された金属管の内部に収納さ
れた、Ｂａを主成分とする蒸発型ゲッタ材を、加熱フラ
ッシュ（低圧下での加熱による急激な蒸発）させ、上記
画像表示装置内部の特定の場所へ蒸着させる処理であ
る。この蒸着したゲッタ材がこの閉鎖領域内のガスを吸
着することで画像表示装置内の真空度の向上及び維持が
図られる。なお、上記ゲッタ材コンテナの形状には、直
線、リング状等がある。

【００１１】また、ゲッタ材としては上記蒸発型の他
に、真空中高温下で一定時間活性化させた後にガス吸着
能が発現する非蒸発型もあり、その例としてＺｒ−Ａｌ
合金やＺｒ−Ｖ−Ｆｅ合金等が知られている。

【００１２】

【発明が解決しようとしている課題】上記の表面伝導型
電子放出素子を電子源としてを用いた自発光型表示装置
の表示面の大面積化を達成する場合、電子が放出される
領域の容積も大きくなり、その真空度を十分なレベルに
維持するための特別な方法が必要となってくる。

【００１３】本発明の目的は、かかる画像表示装置にお
ける表示面の大面積化に特有な課題を達成することにあ
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、ゲッタの構成
に特徴を有する表面伝導型電子放出素子内蔵型画像表示
装置及びその製造方法に関し、以下の各発明を包含す
る。

【００１５】本発明の画像表示装置は、真空領域中に、
対向する１対の電極により挟持された電子放出部を有す
る表面伝導型電子放出素子からなる電子源と、該電子源
から放出される電子ビームの照射により発光する蛍光面
部材と、を配置し、更に、該真空領域中にゲッタが内装
された画像表示装置において、前記ゲッタとして、非蒸
発型ゲッタの微粉末と、蒸発型ゲッタにより形成された
蒸着物と、が前記真空領域中に内装されていることを特
徴とする。

【００１６】更に、本発明の画像表示装置の製造方法
は、真空排気可能な閉鎖領域中に、対向する電極間に電
子放出部を有する表面伝導型電子放出素子からなる電子
源と、該電子源から放出される電子ビームの照射により
発光する蛍光面部材と、蒸発型ゲッタと、を配置し、該
閉鎖領域を真空排気した後に、前記蒸発ゲッタをフラッ
シュさせるゲッタ処理を行う過程を有する画像表示装置
の製造方法であって、前記蒸発ゲッタに非蒸発型ゲッタ
の微粉末を混合しておき、該蒸発型ゲッタのフラッシュ
とともに該非蒸発ゲッタの微粉末を該閉鎖領域内に分散
させることを特徴とする。

【００１７】該製造方法における前記非蒸着型ゲッタの
活性化は、前記蒸発型ゲッタのフラッシュ時の熱を利用
することで効果的に実施可能であり、更に、この活性化
には前記閉鎖領域内に分散した非蒸発型ゲッタへの活性
化用のエネルギー線の照射を併用することもできる。

【００１８】前記ゲッタとして非蒸発型ゲッタの微粉末
を蒸発型ゲッタに混合して用いることで、（１）該画像
表示装置内の水素分圧を低下できる、（２）非蒸発型ゲ
ッタ材を広範囲に分散させることができ、蒸発型ゲッタ
に加えて、微粉末状の非蒸発型ゲッタの広範な分散によ
りゲッタ材表面積を大幅に大きくしてガス吸着効率を格
段に向上させることができる等の作用効果を得ることが
可能となる。従って、本発明の構成によれば、画像装置
内の少なくとも電子放出素子及び蛍光面が配置された閉
鎖領域内の真空度を改善及び維持することができ、その
結果、画像表示装置の寿命が向上する。

【００１９】また、非蒸発型ゲッタの活性化に、少なく
とも蒸発型ゲッタのフラッシュ時の熱を利用するため、
プロセスを簡略化することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明において蒸発型ゲッタに混
合して用いられる非蒸発型ゲッタの微粉末とは、その大
きさ（粒径）が０．１μｍ〜１ｍｍの範囲にあるもの
で、必ずしも粒径が揃っている必要はない。また、非蒸
発型ゲッタの微粉末と蒸発型ゲッタの混合比も特に限定
されないが、非蒸発型ゲッタ微粉末／蒸発型ゲッタ重量
比が０．１〜１となる範囲が好ましい。蒸発型ゲッタと
しては通常、Ｂａが用いられる。

【００２１】また、上記非蒸発型ゲッタ微粉末の構成材
料としては、融点が１４００℃以上の金属元素単体から
なる金属（一種の金属元素から構成される金属）、Ｚｒ
−Ａｌ合金、Ｚｒ−Ｆｅ合金、Ｚｒ−Ｎｉ合金、Ｚｒ−
Ｎｂ−Ｆｅ合金、Ｚｒ−Ｔｉ−Ｆｅ合金及びＺｒ−Ｖ−
Ｆｅ合金からなる群より選択された１種以上が好適に用
いられる。

【００２２】非蒸発型ゲッタ材として金属元素単体を用
いる場合、該金属が、水素ガスを吸蔵または水素ガスと
反応する性質を有することが望ましく、具体的には、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ等を例示することができる。
この中では、著しく高い水素吸蔵能を有するＰｄが好ま
しい。前記金属元素は１種に限られるものではなく２種
以上を混合して用いてもよい。

【００２３】非蒸発型ゲッタ材として合金を用いる場
合、できる限り低温で活性化できるものが好ましく、上
記の合金の中では、Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ合金が好ましい。な
お、非蒸発型ゲッタ材として上記の金属（単体）と合金
を混合して用いてもよい。

【００２４】以上説明した構成の非蒸発型ゲッタ微粉末
と蒸発型ゲッタとの混合物からなるゲッタ材は、画像表
示装置製造プロセスの最終段階で使用される。非蒸発型
ゲッタの微粉末の活性化は、少なくとも蒸発型ゲッタの
フラッシュ時の熱、すなわち、減圧下での急激な蒸発を
誘導するための加熱を利用することで効率よく行うこと
ができる。

【００２５】ただし、上記フラッシュで分散された非蒸
発型ゲッタの微粉末に対し、必要に応じてレーザー光ま
たは赤外線等の活性化用エネルギー線の照射を併用して
活性化させてもよい。

【００２６】以下、図面を参照しながら本発明の実施態
様例を具体的に説明する。図１は、本発明の構成の１例
を示す模式図である。図１において、７１は電子放出素
子を複数配した電子源基板、８１は電子源基板７１を固
定したリアプレート、８６は、画像表示パネルを形成す
るフェースプレート（蛍光面部材）で、ガラス基板８３
の内面に蛍光膜８４とメタルバック８５等を形成した構
成を有する。８２は、支持枠であり該支持枠８２には、
リアプレート８１、フェースプレート８６がフリットガ
ラス等を用いて接続されている。８８は、上記の各部材
８１、８２及び８６からなる外囲器であり、例えば大気
中あるいは、窒素中で、４００〜５００℃の温度範囲で
１０分以上焼成することで、封着して構成される。

【００２７】７４は、図１７における電子放出部に相当
する。７２、７３は表面伝導型電子放出素子の一対の素
子電極と接続されたＸ方向配線およびＹ方向配線であ
る。なお、これら配線の交差部は不図示の絶縁膜により
絶縁されている。

【００２８】３０１は、非蒸発型ゲッタの微粉末と蒸発
型ゲッタの混合物を内包したゲッタ材コンテナである。
ゲッタ材コンテナ３０１は、ゲッタ材コンテナ固定治具
３０２に固定されている。３０３は、ゲッタ材の飛散防
止板である。

【００２９】外囲器８８は、上述の如く、フェースプレ
ート８６、支持枠８２、リアプレート８１で構成され
る。リアプレート８１は主に基板７１の強度を補強する
目的で設けられるため、基板７１自体で十分な強度をも
つ場合は別体のリアプレート８１は不要とすることがで
きる。すなわち、基板７１に直接支持枠８２を封着し、
フェースプレート８６、支持枠８２および基板７１で外
囲器８８を構成してもよい。一方、フェースプレート８
６、リアプレート８１間に、スペーサーと呼ばれる支持
体を必要に応じて設置することにより、大気圧に対して
十分な強度をもつ外囲器８８を構成することもできる。

【００３０】図１に示した画像表示装置は、例えば以下
のようにして製造される。外囲器８８内は、適宜加熱し
ながら、イオンポンプ、ソープションポンプ等のオイル
を使用しない排気装置により不図示の排気管を通じて排
気され、１０^-7Ｔｏｒｒ程度の真空度の有機物質を十分
少ない雰囲気にした後、封止が成される。

【００３１】ここで、外囲器８８の封止後の真空度を向
上および維持するために、ゲッタ処理が行われる。これ
は、外囲器８８の封止を行う直前あるいは封止後に、ゲ
ッタ材コンテナ３１０を、抵抗加熱あるいは高周波加熱
等により加熱し、蒸着膜を形成する処理である。本発明
においては、非蒸発型ゲッタの微粉末を蒸発型ゲッタに
混合して用いることで、（１）水素排気能のある非蒸発
型ゲッタを併用することにより、特に画像表示装置内の
水素分圧が低下する、（２）非蒸発型ゲッタ材が広範囲
に分散する、（３）非蒸発型ゲッタの微粉末を混在させ
ることで分散したゲッタ材の表面積が大きくなり、ガス
吸着効率が向上する、等の作用により、画像表示装置内
の真空度が改善され、例えば、５×１０^-6〜５×１０^-8
Ｔｏｒｒの真空度が得られる。

【００３２】なお、表面伝導型電子放出素子のフォーミ
ング処理は、外囲器８８内に装着する前に、あるいは装
着した状態でゲッタ処理前に行うことができる。

【００３３】次に、本発明に適用し得る表面伝導型電子
放出素子について述べる。本発明に適用し得る表面伝導
型電子放出素子の基本的構成には大別して、平面型およ
び垂直型の２つがある。

【００３４】まず、平面型表面伝導型電子放出素子につ
いて説明する。

【００３５】図２は、本発明に適用可能な平面型表面伝
導型電子放出素子の構成を示す模式図であり、図２ａは
平面図、図２ｂは断面図である。図２において１は基
板、２と３は素子電極、４は導電性薄膜、５は電子放出
部である。

【００３６】基板１としては、石英ガラス、Ｎａ等の不
純物含有量を減少したガラス、青板ガラス、青板ガラス
にスパッタ法等によりＳｉＯ₂ を積層させたガラス基板
およびアルミナ等のセラミックスおよびＳｉ基板等を用
いることができる。

【００３７】対向する素子電極２、３の材料としては、
一般的な導体材料を用いることができる。これは例えば
Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ等の金属あるいは合金およびＰｄ、Ａｓ、Ａ
ｇ、Ａｕ、ＲｕＯ₂ 、Ｐｄ−Ａｇ等の金属あるいは金属
酸化物とガラス等から構成される印刷導体、Ｉｎ₂ Ｏ₃
−ＳｎＯ₂ 等の透明導電体およびポリシリコン等の半導
体材料等から選択することができる。

【００３８】素子電極間隔Ｌ、素子電極長さＷ、導電性
薄膜４の形状等は、応用される形態等を考慮して、設計
される。素子電極間隔Ｌは、好ましくは数千オングスト
ロームから数百マイクロメートルの範囲とすることがで
き、より好ましくは素子電極間に印加する電圧等を考慮
して数マイクロメートルから数十マイクロメートルの範
囲とすることができる。

【００３９】素子電極長さＷは、電極の抵抗値、電子放
出特性を考慮して、数マイクロメートルから数百マイク
ロメートルの範囲とすることができる。素子電極２、３
の膜厚ｄは、数百オングストロームから数マイクロメー
トルの範囲とすることができる。

【００４０】なお、図２に示した構成だけでなく、基板
１上に導電性薄膜４、対向する素子電極２、３の順に積
層した構成とすることもできる。

【００４１】導電性薄膜４には良好な電子放出特性を得
るために、微粒子で構成された微粒子膜を用いるのが好
ましい。その膜厚は素子電極２、３へのステップカバレ
ージ、素子電極２、３間の抵抗値および後述するフォー
ミング条件等を考慮して適宜設定されるが、通常は数オ
ングストロームから数千オングストロームの範囲とする
のが好ましく、より好ましくは１０オングストロームよ
り５００オングストロームの範囲とするのがよい。その
抵抗値は、Ｒｓが１０² から１０⁷ Ω／□の値である。
なおＲｓは、厚さがｔ、幅がｗで長さがｌの薄膜の抵抗
Ｒを、Ｒ＝Ｒｓ（ｌ／ｗ）とおいたときに現れる。本願
明細書において、フォーミング処理については、通電処
理を例に挙げて説明するが、フォーミング処理はこれに
限られるものではなく、膜に亀裂を生じさせて高抵抗状
態を形成する処理を包含するものである。

【００４２】導電性薄膜４を構成する材料は、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆ
ｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｄ等の金属、ＰｄＯ、Ｓ
ｎＯ₂、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、ＰｂＯ、Ｓｂ₂ Ｏ₃ 等の酸化物、
ＨｆＢ₂ 、ＺｒＢ₂ 、ＬａＢ₆、ＣｅＢ₆ 、ＹＢ₄ 、Ｇ
ｄＢ₄ 等の硼化物、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、
ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ等の
窒化物、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体、カーボン等の中から適
宜選択される。

【００４３】ここで述べる微粒子膜とは多数の微粒子が
集合した膜であり、その微細構造は、微粒子が個々に分
散配置した状態あるいは微粒子が互いに隣接、あるいは
重なり合った状態（いくつかの微粒子が集合し、全体と
して島状構造を形成している場合も含む）をとってい
る。微粒子の粒径は、数オングストロームから数千オン
グストロームの範囲、好ましくは１０オングストローム
から２００オングストロームの範囲である。

【００４４】なお、本明細書では頻繁に「微粒子」とい
う言葉を用いるので、その意味について説明する。

【００４５】小さな粒子を「微粒子」と呼び、これより
も小さなもの「超微粒子」と呼ぶ。「超微粒子」よりも
小さく原子の数が数百個程度以下のものを「クラスタ
ー」と呼ぶことは広く行われている。

【００４６】しかしながら、それぞれの境は厳密なもの
ではなく、どのような性質に注目して分類するかにより
変化する。また「微粒子」と「超微粒子」を一括して
「微粒子」と呼ぶ場合もあり、本明細書中での記述はこ
れに沿ったものである。

【００４７】「実験物理学講座１４表面・微粒子」
（木下是雄編、共立出版１９８６年９月１日発行）
では次のように記述されている。

【００４８】「本稿で微粒子と言うときにはその直径が
大体２〜３μｍ程度から１０ｎｍ程度までとし、特に超
微粒子と言うときは粒径が１０ｎｍ程度から２〜３ｎｍ
程度までを意味することにする。両者を一括して単に微
粒子と書くこともあって決して厳密なものではなく、大
体の目安である。粒子を構成する原子の数が２個から数
十〜数百個程度の場合はクラスターと呼ぶ。」（１９５
頁２２〜２６行目）付言すると、新技術開発事業団の“林・超微粒子プロジ
ェクト”での「超微粒子」の定義は、粒径の下限はさら
に小さく、次のようなものであった。

【００４９】「創造科学技術推進制度の“超微粒子プロ
ジェクト”（１９８１〜１９８６）では、粒子の大きさ
（径）がおよそ１〜１００ｎｍの範囲のものを“超微粒
子”(ultra fine particle) と呼ぶことにした。すると
１個の超微粒子はおよそ１００〜１０⁸ 個ぐらいの原子
の集合体ということになる。原子の尺度でみれば超微粒
子は大〜巨大粒子である。」（「超微粒子−創造科学技
術−」林主税、上田良二、田崎明編；三田出版１９８
８年２頁１〜４行）「超微粒子よりさらに小さいもの、
すなわち原子が数個〜数百個で構成される１個の粒子は
普通クラスターと呼ばれる」（同書２頁１２〜１３行
目）上記のような一般的な呼び方をふまえて、本明細書にお
いて「微粒子」とは多数の原子・分子の集合体で、粒径
の下限は数オングストローム〜１０オングストローム程
度、上限は数μｍ程度のものを指すこととする。

【００５０】電子放出部５は、導電性薄膜４の一部に形
成された高抵抗の亀裂により構成され、導電性薄膜４の
膜厚、膜質、材料および後述する通電フォーミング等の
手法等に依存したものとなる。電子放出部５の内部に
は、数オングストロームから数百オングストロームの範
囲の粒径の導電性微粒子を含む場合もある。この導電性
微粒子は導電性薄膜４を構成する材料の元素の一部、あ
るいは全ての元素を含有するものとなる。電子放出部５
およびその近傍の導電性薄膜４には、炭素あるいは炭素
化合物を有することもできる。

【００５１】次に、垂直型表面伝導型電子放出素子につ
いて説明する。

【００５２】図３は、本発明の表面伝導型電子放出素子
を適用できる垂直型表面伝導型電子放出素子の一例を示
す模式図である。

【００５３】図３においては、図２に示した部位と同じ
部位には図２に付した符号と同一符号を付している。２
１は段差形成部である。基板１、素子電極２および３、
導電性薄膜４、電子放出部５は前述した平面型表面伝導
型電子放出素子の場合と同様の材料で構成することがで
きる。段差形成部２１は、真空蒸着法、印刷法、スパッ
タ法等で形成されたＳｉＯ₂ 等の絶縁性材料で構成する
ことができる。段差形成部２１の膜厚は、先に述べた平
面型表面伝導型電子放出素子の素子電極間隔Ｌに対応
し、数千オングストロームから数十マイクロメートルの
範囲とすることができる。この膜厚は、段差形成部の製
法および素子電極間に印加する電圧を考慮して設定され
るが、数百オングストロームから数マイクロメートルの
範囲が好ましい。

【００５４】導電性薄膜４は、素子電極２および３と段
差形成部２１作成後に、該素子電極２、３の上に積層さ
れる。図３においては、電子放出部５は段差形成部２１
に形成されているが、電子放出部５が垂直方向に配置さ
れるものであれば図３に示される構成に限定されない。
なお、電子放出部５の電気的特性等は、図２で説明した
場合と同様に、作成条件、フォーミング条件等に依存す
る。

【００５５】上述の表面伝導型電子放出素子の製造方法
としては様々な方法があるが、その一例を図４に模式的
に示す。以下、図２および図４を参照しながら製造方法
の一例について説明する。図４においても、図２に示し
た部位と同じ部位には図２に付した符号と同一の符号を
付している。

【００５６】１）基板１を洗剤、純水および有機溶剤等
を用いて十分に洗浄し、真空蒸着法、スパッタ法等によ
り素子電極材料を堆積後、例えばフォトリソグラフィー
技術を用いて基板１上に素子電極２、３を形成する（図
４（ａ））。

【００５７】２）素子電極２、３を設けた基板１に、有
機金属溶液を塗布して、有機金属薄膜を形成する。有機
金属溶液には、前述の導電性膜４の材料の金属を主元素
とする有機金属化合物の溶液を用いることができる。有
機金属薄膜を加熱焼成処理し、リフトオフ、エッチング
等によりパターニングし、導電性薄膜４を形成する（図
４（ｂ））。ここでは、有機金属溶液の塗布法を挙げて
説明したが、導電性薄膜４の形成法はこれに限られるも
のでなく、真空蒸着法、スパッタ法、化学的気相堆積
法、分散塗布法、ディッピング法、スピンナー法等を用
いることもできる。

【００５８】３）続いて、フォーミング工程を施す。こ
のフォーミング工程方法の一例として通電処理による方
法を説明する。素子電極２、３間に、不図示の電源を用
いて、通電を行うと、導電性薄膜４の部位に、構造の変
化した電子放出部５が形成される（図４（ｃ））。通電
フォーミングによれば導電性薄膜４に局所的に破壊、変
形もしくは変質等の構造変化した部位が形成される。該
部位が電子放出部５となる。通電フォーミングの電圧波
形の例を図５に示す。

【００５９】電圧波形は、パルス波形が好ましい。これ
にはパルス波高値を定電圧としたパルスを連続的に印加
する図５（ａ）に示した手法と、パルス波高値を増加さ
せながら電圧パルスを印加する図５（ｂ）に示した手法
がある。

【００６０】図５（ａ）におけるＴ₁およびＴ₂は電圧波
形のパルス幅とパルス間隔である。通常Ｔ₁は１マイク
ロ秒〜１０ミリ秒、Ｔ２は１０マイクロ秒〜１００ミリ
秒の範囲で設定される。三角波の波高値（通電フォーミ
ング時のピーク電圧）は、表面伝導型電子放出素子に応
じて適宜選択される。このような条件のもと、例えば、
数秒から数十分間電圧を印加する。パルス波形は三角波
に限定されるものではなく、矩形波等所望の波形を採用
することができる。

【００６１】図５（ｂ）におけるＴ₁およびＴ₂は、図５
（ａ）に示したのと同様とすることができる。三角波の
波高値（通電フォーミング時のピーク電圧）は、例えば
０．１Ｖステップ程度ずつ増加させることができる。

【００６２】通電フォーミング処理の終了は、パルス間
隔Ｔ₂中に、導電性薄膜４を局所的に破壊、変形しない
程度の電圧を印加し、電流を測定して検知することがで
きる。例えば０．１Ｖ程度の電圧印加により流れる素子
電流を測定し、抵抗値を求めて、１ＭΩ以上の抵抗を示
したとき、通電フォーミングを終了させる。

【００６３】４）フォーミングを終えた素子には活性化
工程と呼ばれる処理を施すのが好ましい。活性化工程と
は、この工程により、素子電圧Ｖｆに対して、素子電流
Ｉｆ及び放出電流Ｉｅが著しく変化する電気特性を得る
ことができる。

【００６４】この活性化工程は、例えば有機物質のガス
を含有する雰囲気下で、通電フォーミングと同様に、パ
ルスの印加を繰り返すことで行うことができる。この雰
囲気は、例えば油拡散ポンプやロータリーポンプ等を用
いて真空容器内を排気した場合に雰囲気内に残留する有
機ガスを利用して形成することができる他、イオンポン
プ等により一旦十分に排気した真空中に適当な有機物質
のガスを導入することによっても得られる。このときの
好ましい有機物質のガス圧は、前述の応用の形態、真空
容器の形状や、有機物質の種類等により異なるため場合
に応じ適宜設定される。適当な有機物質としては、アル
カン、アルケン、アルキンの脂肪族炭化水素類、芳香族
炭化水素類、アルコール類、アルデヒド類、ケトン類、
アミン類、フェノール、カルボン、スルホン酸等の有機
酸類等を挙げることができ、具体的には、メタン、エタ
ン、プロパン等Ｃ_n Ｈ_2n+2で表される飽和炭化水素、エ
チレン、プロピレン等Ｃ_n Ｈ_2n等の組成式で表される不
飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、メタノール、エタ
ノール、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルアミン、エチルアミ
ン、フェノール、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等が使用で
きる。この処理により雰囲気中に存在する有機物質から
炭素あるいは炭素化合物が素子上に堆積し、素子電圧に
対して素子電流Ｉｆ及び放出電流Ｉｅが著しく変化する
電気特性が得られる。活性化工程の終了判定は、素子電
流Ｉｆと放出電流Ｉｅを測定しながら、所望の電気特性
が得られるように適宜行う。なおパルス幅、パルス間
隔、パルス波高値等は適宜設定される。

【００６５】炭素および炭素化合物とは、例えばグラフ
ァイト（いわゆるＨＯＰＧ、ＰＧ、ＧＣを包含する、Ｈ
ＯＰＧはほぼ完全なグラファイト結晶構造、ＰＧは結晶
粒が２００オングストローム程度で結晶構造がやや乱れ
たもの、ＧＣは結晶粒が２０オングストローム程度にな
り結晶構造の乱れがさらに大きくなったものを指
す。）、非晶質カーボン（アモルファスカーボンおよび
アモルファスカーボンと前記グラファイトの微結晶の混
合物を指す）であり、その膜厚は５００オングストロー
ム以下の範囲とするのが好ましく、３００オングストロ
ーム以下の範囲とすることがより好ましい。

【００６６】５）このような化工程を経て得られた電子
放出素子は、安定化工程を行うことが好ましい。この工
程は真空容器内の有機物質を排気する工程である。真空
容器を排気する真空排気装置は、装置から発生するオイ
ルが素子の特性に影響を与えないように、オイルを使用
しないものを用いるのが好ましい。具体的にはソープシ
ョンポンプ、イオンポンプ等の真空排気装置を挙げるこ
とができる。

【００６７】前記活性化の工程で、排気装置として油拡
散ポンプやロータリポンプを用い、これから発生するオ
イル成分に由来する有機ガスを用いた場合は、この成分
の分圧を極力低く抑える必要がある。真空容器内の有機
成分の分圧は、上記の炭素および炭素化合物がほぼ新た
に堆積しない分圧で１×１０^-8Ｔｏｒｒ以下が好まし
く、さらには１×１０^-10 Ｔｏｒｒ以下が特に好まし
い。さらに真空容器内を排気するときには、真空容器全
体を加熱して、真空容器内壁や電子放出素子に吸着した
有機物質分子を排気しやすくするのが好ましい。このと
きの加熱条件は、８０〜２００℃で５時間以上が望まし
いが、特にこの条件に限るものではなく、真空容器の大
きさや形状、電子放出素子の構成等の諸条件により適宜
選ばれる条件により行う。真空容器内の圧力は極力低く
することが必要で、１〜３×１０^-7Ｔｏｒｒ以下が好ま
しく、さらに１×１０^-8Ｔｏｒｒ以下が特に好ましい。

【００６８】安定化工程を行った後の、駆動時の雰囲気
は、上記安定化処理終了時の雰囲気を維持するのが好ま
しいが、これに限るものではなく、有機物質が十分除去
されていれば、真空度自体は多少低下しても十分安定な
特性を維持することができる。このような真空雰囲気を
採用することにより、新たな炭素あるいは炭素化合物の
堆積を抑制でき、結果として素子電流Ｉｆ、放出電流Ｉ
ｅが安定する。

【００６９】上述した工程を経て得られた本発明に適用
可能な電子放出素子の基本特性について図６、図７を参
照しながら説明する。

【００７０】図６は、真空処理装置の一例を示す模式図
であり、この真空処理装置は測定評価装置としての機能
をも兼ね備えている。図６においても、図２に示した部
位と同じ部位には図２に付した符号と同一の符号を付し
ている。図６において、５５は真空容器であり、５６は
排気ポンプである。真空容器５５内には電子放出素子が
配されている。すなわち、１は電子放出素子を構成する
基体であり、２および３は素子電極、４は導電性薄膜、
５は電子放出部である。５１は、電子放出素子に素子電
圧Ｖｆを印加するための電源、５０は素子電極２・３間
の導電性薄膜４を流れる素子電流Ｉｆを測定するための
電流計、５４は素子の電子放出部より放出される放出電
流Ｉｅを捕捉するためのアノード電極である。５３はア
ノード電極５４に電圧を印加するための高圧電源、５２
は素子の電子放出部５より放出される放出電流Ｉｅを測
定するための電流計である。一例として、アノード電極
の電圧を１ｋＶ〜１０ｋＶの範囲とし、アノード電極と
電子放出素子との距離Ｈを２ｍｍ〜８ｍｍの範囲として
測定を行うことができる。

【００７１】真空容器５５内には、不図示の真空計等の
真空雰囲気下での測定に必要な機器が設けられていて、
所望の真空雰囲気下での測定評価を行えるようになって
いる。排気ポンプ５６は、ターボポンプ、ロータリーポ
ンプからなる通常の高真空装置系とさらに、イオンポン
プ等からなる超高真空装置系とにより構成されている。
ここに示した電子源基板を配した真空処理装置の全体
は、不図示のヒーターにより２００℃まで加熱できる。
したがって、この真空処理装置を用いると、前述の通電
フォーミング以降の工程も行うことができる。

【００７２】図７は、図６に示した真空処理装置を用い
て測定された放出電流Ｉｅ、素子電流Ｉｆと素子電圧Ｖ
ｆの関係を模式的に示した図である。図７においては、
放出電流Ｉｅが素子電流Ｉｆに比べて著しく小さいの
で、任意単位で示している。なお、縦・横軸ともリニア
スケールである。

【００７３】図７からも明らかなように、本発明に適用
可能な表面伝導型電子放出素子は、放出電流Ｉｅに関し
て対する三つの特徴的性質を有する。

【００７４】すなわち、（ｉ）本素子はある電圧（しき
い値電圧と呼ぶ、図７中のＶｔｈ）以上の素子電圧を印
加すると急激に放出電流Ｉｅが増加し、一方しきい値電
圧Ｖｔｈ以下では放出電流Ｉｅがほとんど検出されな
い。つまり、放出電流Ｉｅに対する明確なしきい値電圧
Ｖｔｈをもった非線形素子である。

【００７５】（ii）放出電流Ｉｅが素子電圧Ｖｆに単調
増加依存するため、放出電流Ｉｅは素子電圧Ｖｆで制御
できる。

【００７６】（iii)アノード電極５４に捕捉される放出
電荷は、素子電圧Ｖｆを印加する時間に依存する。つま
り、アノード電極５４に捕捉される電荷量は、素子電圧
Ｖｆを印加する時間により制御できる。

【００７７】以上の説明により理解されるように、本発
明に適用可能な表面伝導型電子放出素子は、入力信号に
応じて、電子放出特性を容易に制御できることになる。
この性質を利用すると複数の電子放出素子を配して構成
した電子源、画像表示装置等、多方面への応用が可能と
なる。

【００７８】図７においては、素子電流Ｉｆが素子電圧
Ｖｆに対して単調増加する（以下、「ＭＩ特性」とい
う。）例を実線に示した。素子電流Ｉｆが素子電圧Ｖｆ
に対して電圧制御型負性抵抗特性（以下、「ＶＣＮＲ特
性」という。）を示す場合もある（不図示）。これら特
性は、前述の工程を制御することで制御できる。

【００７９】本発明に適用可能な電子放出素子の応用例
について以下に述べる。本発明に適用可能な表面伝導型
電子放出素子の複数個を基板上に配列し、例えば電子源
あるいは、画像表示装置が構成できる。

【００８０】電子放出素子の配列については、種々のも
のが採用できる。

【００８１】一例として、並列に配置した多数の電子放
出素子の個々を両端で接続し、電子放出素子の行を多数
個配し（行方向と呼ぶ）、この配線と直交する方向（列
方向と呼ぶ）で、該電子放出素子の上方に配した制御電
極（グリッドとも呼ぶ）により、電子放出素子からの電
子を制御駆動するはしご状配置のものがある。これとは
別に、電子放出素子をＸ方向およびＹ方向に行列状に複
数個配し、同じ行に配された複数の電子放出素子の電極
の一方を、Ｘ方向の配線に共通に接続し、同じ列に配さ
れた複数の電子放出素子の電極の他方を、Ｙ方向の配線
に共通に接続するものが挙げられる。このようなものは
いわゆる単純マトリクス配置である。まず単純マトリク
ス配置について以下に詳述する。

【００８２】本発明に適用可能な表面伝導型電子放出素
子については前述したとおり（ｉ）ないし（iii)の特性
がある。すなわち、表面伝導型電子放出素子からの放出
電子は、しきい値電圧以上では、対向する素子電極間に
印加するパルス状電圧の波高値と幅で制御できる。一
方、しきい値電圧以下では、ほとんど放出されない。こ
の特性によれば、多数の電子放出素子を配置した場合に
おいても、個々の素子に、パルス状電圧を適宜印加すれ
ば、入力信号に応じて、表面伝導型電子放出素子を選択
して電子放出量を制御できる。

【００８３】以下この原理に基づき、本発明に適用可能
な電子放出素子を複数配して得られる電子源基板につい
て、図８を用いて説明する。図８において、７１は電子
源基板、７２はＸ方向配線、７３はＹ方向配線である。
７４は表面伝導型電子放出素子、７５は結線である。な
お、表面伝導型電子放出素子７４は、前述した平面型あ
るいは垂直型のどちらであってもよい。

【００８４】ｍ本のＸ方向配線７２は、Ｄｘ１、Ｄｘ
２、・・・・、Ｄｘｍからなり、真空蒸着法、印刷法、
スパッタ法等を用いて形成された導電性金属等で構成す
ることができる。配線の材料、膜厚、幅は、適宜設計さ
れる。Ｙ方向配線７３は、Ｄｙ１、Ｄｙ２、・・・、Ｄ
ｙｎのｎ本の配線よりなり、Ｘ方向配線７２と同様に形
成される。これらｍ本のＸ方向配線７２とｎ本のＹ方向
配線７３との間には、不図示の層間絶縁層が設けられて
おり、両者を電気的に分離している（ｍ、ｎは共に正の
整数）。

【００８５】不図示の層間絶縁層は、真空蒸着法、印刷
法、スパッタ法等を用いて形成されたＳｉＯ₂ 等で構成
される。例えば、Ｘ方向配線７２を形成した基板７１の
全面あるいは一部に所望の形状で形成され、特にＸ方向
配線７２とＹ方向配線７３の交差部の電位差に耐え得る
ように膜厚、材料、製法が適宜設定される。Ｘ方向配線
７２とＹ方向配線７３は、それぞれ外部端子として引き
出されている。

【００８６】表面伝導型放出素子７４を構成する一対の
電極（不図示）は、ｍ本のＸ方向配線７２とｎ本のＹ方
向配線７３と導電性金属等からなる結線７５によって電
気的に接続されている。

【００８７】配線７２と配線７３を構成する材料、結線
７５を構成する材料及び一対の素子電極を構成する材料
は、その構成元素の一部あるいは全部が同一であって
も、またそれぞれ異なってもよい。これら材料は、例え
ば前述の素子電極の材料より適宜選択される。素子電極
を構成する材料と配線材料が同一である場合には、素子
電極に接続した配線は素子電極ということもできる。

【００８８】Ｘ方向配線７２には、Ｘ方向に配列した表
面伝導型放出素子７４の行を、選択するための走査信号
を印加する不図示の走査信号印加手段が接続される。一
方、Ｙ方向配線７３にはＹ方向に配列した表面伝導型放
出素子７４の各列を入力信号に応じて、変調するための
不図示の変調信号発生手段が接続される。各電子放出素
子に印加される駆動電圧は、当該素子に印加される走査
信号と変調信号の差電圧として供給される。

【００８９】上記構成において、単純なマトリクス配線
を用いて、個別の素子を選択し、独立に駆動可能とする
ことができる。

【００９０】このような単純マトリクス配置の電子源を
用いて構成した画像表示装置について、図１、図９及び
図１０を用いて説明する。図１は先に説明したとおり、
画像表示装置の表示パネルの一例を示す模式図であり、
図９は、図１の画像表示装置に使用し得る蛍光膜の模式
図である。図１０はＮＴＳＣ方式のテレビ信号に応じて
表示を行うための駆動回路の一例を示すブロック図であ
る。

【００９１】図１における蛍光膜８４は、モノクローム
の場合は蛍光体のみから構成することができ、また、カ
ラーの蛍光膜の場合は蛍光体の配列により図９（ａ）及
び（ｂ）に示すようなブラックストライプあるいはブラ
ックマトリクス等と呼ばれる黒色導電材９１と蛍光体９
２とから構成することができる。ブラックストライプ、
ブラックマトリクスを設ける目的は、カラー表示の場
合、必要となる三原色蛍光体の各蛍光体９２間の塗り分
け部を黒くすることで混色等を目立たなくすることと、
蛍光膜における外光反射によるコントラストの低下を抑
制することにある。ブラックストライプの材料として
は、通常用いられている黒鉛を主成分とする材料の他、
導電性があり、光の透過および反射が少ない材料を用い
ることができる。

【００９２】図１に示すように、ガラス基板８３上に蛍
光体を塗布する方法としては、モノクローム、カラーに
よらず、沈澱法、印刷法等が採用できる。蛍光膜８４の
内面側には、通常メタルバック８５が設けられる。メタ
ルバックを設ける目的は、蛍光体の発光のうち内面側へ
の光をフェースプレート８６側へ鏡面反射させることに
より輝度を向上させること、電子ビーム加速電圧を印加
するための電極として作用させること、外囲器内で発生
した負イオンの衝突によるダメージから蛍光体を保護す
ること等である。メタルバックは、蛍光膜作製後、蛍光
膜の内面側表面の平滑化処理（通常、「フィルミング」
と呼ばれる。）を行い、その後Ａｌを真空蒸着等を用い
て堆積させることで作製できる。

【００９３】フェースプレート８６には、さらに蛍光膜
８４の導電性を高めるため、蛍光膜８４の外面側に透明
電極（不図示）を設けてもよい。

【００９４】前述の封着を行う際は、カラーの場合は各
色蛍光体と電子放出素子とを対応させる必要があり、十
分な位置合わせが不可欠となる。

【００９５】次に、単純マトリクス配置の電子源を用い
て構成した表示パネルに、ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に
基づいたテレビジョン表示を行うための駆動回路の構成
例について、図１０を用いて説明する。図１０におい
て、１０１は画像表示パネル、１０２は走査回路、１０
３は制御回路、１０４はシフトレジスタである。１０５
はラインメモリ、１０６は同期信号分離回路、１０７は
変調信号発生器、ＶｘおよびＶａは直流電圧源である。

【００９６】表示パネル１０１は、端子Ｄｏｘ１ないし
Ｄｏｘｍ、端子Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎ、および高圧端
子Ｈｖを介して外部の電気回路と接続している。端子Ｄ
ｏｘ１ないしＤｏｘｍには、表示パネル内に設けられて
いる電子源、すなわち、Ｍ行Ｎ列の行列状にマトリクス
配線された表面伝導型電子放出素子群を一行（Ｎ素子）
ずつ順次駆動するための走査信号が印加される。

【００９７】端子Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎには、前記走
査信号により選択された一行の表面伝導型電子放出素子
の各素子の出力電子ビームを制御するための変調信号が
印加される。高圧端子Ｈｖには、直流電圧源Ｖａより、
例えば１０ｋ［Ｖ］の直流電圧が供給されるが、これは
表面伝導型電子放出素子から放出される電子ビームに蛍
光体を励起するのに十分なエネルギーを付与するための
加速電圧である。

【００９８】走査回路１０２について説明する。同回路
は、内部にＭ個のスイッチング素子を備えたもので（図
中、Ｓ１ないしＳｍで模式的に示している）ある。各ス
イッチング素子は、直流電圧源Ｖｘの出力電圧もしくは
０［Ｖ］（グランドレベル）のいずれか一方を選択し、
表示パネル１０１の端子Ｄｘ１ないしＤｘｍと電気的に
接続される。Ｓ１ないしＳｍの各スイッチング素子は、
制御回路１０３が出力する制御信号Ｔｓｃａｎに基づい
て動作するものであり、例えばＦＥＴのようなスイッチ
ング素子を組み合わせることにより構成することができ
る。

【００９９】直流電圧源Ｖｘは、本例の場合には表面伝
導型電子放出素子の特性（電子放出しきい値電圧）に基
づき走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子
放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力する
よう設定されている。

【０１００】制御回路１０３は、外部より入力する画像
信号に基づいて適切な表示が行われるように各部の動作
を整合させる機能を有する。制御回路１０３は、同期信
号分離回路１０６より送られる同期信号Ｔｓｙｎｃに基
づいて、各部に対してＴｓｃａｎおよびＴｓｆｔおよび
Ｔｍｒｙの各制御信号を発生する。

【０１０１】同期信号分離回路１０６は、外部から入力
されるＮＴＳＣ方式のテレビ信号から同期信号成分と輝
度信号成分とを分離するための回路で、一般的な周波数
分離（フィルター）回路等を用いて構成できる。同期信
号分離回路１０６により分離された同期信号は、垂直同
期信号と水平同期信号よりなるが、ここでは説明の便宜
上Ｔｓｙｎｃ信号として図示した。前記テレビ信号から
分離された画像の輝度信号成分は便宜上ＤＡＴＡ信号と
表した。該ＤＡＴＡ信号はシフトレジスタ１０４に入力
される。

【０１０２】シフトレジスタ１０４は、時系列的にシリ
アルに入力される前記ＤＡＴＡ信号を、画像の１ライン
毎にシリアル／パラレル変換するためのもので、前記制
御回路１０３より送られる制御信号Ｔｓｆｔに基づいて
動作する。（すなわち、制御信号Ｔｓｆｔは、シフトレ
ジスタ１０４のシフトクロックであるということもでき
る）。シリアル／パラレル変換された画像１ライン分
（電子放出素子Ｎ素子分の駆動データに相当）のデータ
は、ＩｄｌないしＩｄｎのＮ個の並列信号として前記シ
フトレジスタ１０４より出力される。

【０１０３】ラインメモリ１０５は、画像１ライン分の
データを必要時間の間だけ記憶するための記憶装置であ
り、制御回路１０３より送られる制御信号Ｔｍｒｙにし
たがって適宜ＩｄｌないしＩｄｎの内容を記憶する。記
憶された内容は、Ｉ’ｄｌないしＩ’ｄｎとして出力さ
れ、変調信号発生器１０７に入力される。

【０１０４】変調信号発生器１０７は、画像データＩ’
ｄｌないしＩ’ｄｎの各々に応じて表面伝導型電子放出
素子の各々を適切に駆動変調するための信号源であり、
その出力信号は、端子Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じて
表示パネル１０１内の表面伝導型電子放出素子に印加さ
れる。

【０１０５】前述したように、本発明に適用可能なの電
子放出素子は放出電流Ｉｅに対して以下の基本特性を有
している。すなわち、電子放出には明確なしきい値電圧
Ｖｔｈがあり、Ｖｔｈ以上の電圧を印加されたときのみ
電子放出が生じる。電子放出しきい値以上の電圧に対し
ては、素子への印加電圧の変化に応じて放出電流も変化
する。このことから、本素子にパルス状の電圧を印加す
る場合、例えば電子放出しきい値以下の電圧を印加して
も電子放出は生じないが、電子放出しきい値以上の電圧
を印加する場合には電子ビームが出力される。その際、
パルスの波高値Ｖｍを変化させることにより出力電子ビ
ームの強度を制御することが可能である。また、パルス
の幅Ｐｗを変化させることにより出力される電子ビーム
の電荷の総量を制御することが可能である。

【０１０６】したがって、入力信号に応じて、電子放出
素子を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅
変調方式等が採用できる。電圧変調方式を実施するに際
しては、変調信号発生器１０７として、一定長さの電圧
パルスを発生し、入力されるデータに応じて適宜パルス
の波高値を変調するような電圧変調方式の回路を用いる
ことができる。

【０１０７】パルス幅変調方式を実施するに際しては、
変調信号発生器１０７として、一定の波高値の電圧パル
スを発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パルス
の幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用いる
ことができる。

【０１０８】シフトレジスタ１０４やラインメモリ１０
５は、デジタル信号式のものをもアナログ信号式のもの
をも採用できる。画像信号のシリアル／パラレル変換や
記憶が所定の速度で行われればよいからである。

【０１０９】デジタル信号式を用いる場合には、同期信
号分離回路１０６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信号化
する必要があるが、これには１０６の出力部にＡ／Ｄ変
換器を設ければよい。これに関連してラインメモリ１０
５の出力信号がデジタル信号かアナログ信号かにより、
変調信号発生器１０７に用いられる回路が若干異なった
ものとなる。すなわち、デジタル信号を用いた電圧変調
方式の場合、変調信号発生器１０７には、例えばＤ／Ａ
変換回路を用い、必要に応じて増幅回路等を付加する。
パルス幅変調方式の場合、変調信号発生器１０７には、
例えば高速の発振器および発振器の出力する波数を計数
する計数器（カウンタ）および計数器の出力値と前記メ
モリの出力値を比較する比較器（コンパレータ）を組み
合わせた回路を用いる。必要に応じて、比較器の出力す
るパルス幅変調された変調信号を表面伝導型電子放出素
子の駆動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付加す
ることもできる。

【０１１０】アナログ信号を用いた電圧変調方式の場
合、変調信号発生器１０７には、例えばオペアンプ等を
用いた増幅回路を採用でき、必要に応じてレベルシフト
回路等を付加することもできる。パルス幅変調方式の場
合には、例えば、電圧制御型発振回路（ＶＣＯ）を採用
でき、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電圧
まで電圧増幅するための増幅器を付加することもでき
る。

【０１１１】このような構成をとり得る本発明を適用可
能な画像表示装置においては、各電子放出素子に、容器
外端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍ、Ｄｏｙ１ないしＤｏｙ
ｎを介して電圧を印加することにより、電子放出が生ず
る。高圧端子Ｈｖを介してメタルバック８５、あるいは
透明電極（不図示）に高圧を印加し、電子ビームを加速
する。加速された電子は、蛍光膜８４に衝突し、発光が
生じて画像が形成される。

【０１１２】ここで述べた画像表示装置の構成は、本発
明を適用可能な画像表示装置の一例であり、本発明の技
術思想に基づいて種々の変形が可能である。入力信号に
ついては、ＮＴＳＣ方式を挙げたが入力信号はこれに限
られるものではなく、ＰＡＬ、ＳＥＣＡＭ方式等の他、
これよりも、多数の走査線からなるＴＶ信号（例えば、
ＭＵＳＥ方式をはじめとする高品位ＴＶ）方式をも採用
できる。

【０１１３】次に、はしご型配置の電子源および画像表
示装置について図１１および図１２を用いて説明する。

【０１１４】図１１は、はしご型配置の電子源の一例を
示す模式図である。図１１において、１１０は電子源基
板、１１１は電子放出素子である。１１２、Ｄｘ１〜Ｄ
ｘ１０は、電子放出素子１１１に接続するための共通配
線である。電子放出素子１１１は、基板１１０上に、Ｘ
方向に並列に複数個配される（これを素子行と呼ぶ）。
この素子行が複数個配されて、電子源を構成している。
各素子行の共通配線間に駆動電圧を印加することで、各
素子行を独立に駆動させることができる。すなわち、電
子ビームを放出させたい素子行には、電子放出しきい値
以上の電圧を、電子ビームを放出しない素子行には、電
子放出しきい値以下の電圧を印加する。各素子行間の共
通配線Ｄｘ２〜Ｄｘ９を、例えばＤｘ２、Ｄｘ３を同一
配線とすることもできる。

【０１１５】図１２は、はしご型配置の電子源を備えた
画像表示装置におけるパネルの構造の一例を示す模式図
である。１２０はグリッド電極、１２１は電子が通過す
るための空孔、１２２はＤｏｘ１、Ｄｏｘ２、・・・Ｄ
ｏｘｍよりなる容器外端子である。１２３は、グリッド
電極１２０と接続されたＧ１、Ｇ２、・・・・、Ｇｎか
らなる容器外端子、１２４は各素子行間の共通配線を同
一配線とした電子源基板である。

【０１１６】３０１は、非蒸発型ゲッタの微粉末と蒸発
型ゲッタの混合物を内包したゲッタ材コンテナである。
ゲッタ材コンテナ３０１は、ゲッタ材コンテナ固定治具
３０２に固定されている。３０３は、ゲッタ材の飛散防
止板である。

【０１１７】図１２においては、図１、図１１に示した
部位と同じ部位には、これらの図に付したのと同一の符
号を付している。ここに示した画像表示装置と、図１に
示した単純マトリクス配置の画像表示装置の大きな違い
は、電子源基板１１０とフェースプレート８６の間にグ
リッド電極１２０を備えているか否かである。

【０１１８】図１２においては、基板１１０とフェース
プレート８６の間には、グリッド電極１２０が設けられ
ている。グリッド電極１２０は、表面伝導型電子放出素
子から放出された電子ビームを変調するものであり、は
しご型配置の素子行と直交して設けられたストライプ状
の電極に電子ビームを通過させるため、各素子に対応し
て１個ずつ円形の開口１２１が設けられている。グリッ
ドの形状や設置位置は図１２に示したものに限定される
ものではない。例えば、開口としてメッシュ状に多数の
通過口を設けることもでき、グリッドを表面伝導型電子
放出素子の周囲や近傍に設けることもできる。

【０１１９】容器外端子１２２およびグリッド容器外端
子１２３は、不図示の制御回路と電気的に接続されてい
る。

【０１２０】本例の画像表示装置では素子行を１列ずつ
順次駆動（走査）していくのと同期してグリッド電極列
に画像の１ライン分の変調信号を同時に印加する。これ
により、各電子ビームの蛍光体への照射を制御し、画像
を１ラインずつ表示することができる。本発明の画像表
示装置は、テレビジョンン放送の表示装置、テレビ会議
システムやコンピュータ等の表示装置の他、感光性ドラ
ム等を用いて構成された光プリンターとしての画像表示
装置としても用いることもできる。

【０１２１】

【実施例】以下に具体的な実施例を挙げて本発明を詳し
く説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の目的が達成される範囲内での各要素
の置換や設計変更がなされたものをも包含する。実施例１本発明の第１実施例として、図２に示す構造の電子放出
素子を用いた図１に構成の画像表示装置について説明す
る。

【０１２２】まず、図２、図１３〜１６を参照して表面
伝導型電子放出素子の製造方法につき説明する。なお、
以下の説明は１個の電子放出素子について説明するもの
であるが、図１に示すマトリックス配置を得るための露
光マスクを用いて多数の電子放出素子の形成が同一基板
上で同時に行われた。

【０１２３】絶縁性基板２０１として石英基板を用い、
これを洗剤、純水および有機溶剤により十分に洗浄（図
１３（ａ））後、レジスト材ＲＤ−２０００Ｎ（日立化
成社製）を、２５００ｒｐｍ、４０秒スピンナー塗布し
８０℃、２５分加熱してプリベークした（図１３
（ｂ））。次に、電極間隔Ｌは２μｍ、電極長さＷは３
００μｍの電極形状に対応するマスクを用いて密着露光
し、ＲＤ−２０００Ｎ用現像液で現像した（図２、図１
３（ｃ））。その後、１２０℃２０分加熱してポストベ
ークした。

【０１２４】電極の材料としては導電性を有するもので
あればどのようなものであっても構わないが、本実施例
ではニッケル金属を用いた。抵抗加熱蒸着機を用いてニ
ッケルを毎秒３オングストロームで膜厚が１０００オン
グストロームになるまで蒸着した（図１３（ｄ））。ア
セトンでリフトオフし、アセトン、イソプロピルアルコ
ール、続いて酢酸ブチルで洗浄後、乾燥した（図１３
（ｅ））。

【０１２５】次に、クロムを基板全面に５００オングス
トローム蒸着した（図１４（ｆ））。その後、レジスト
材ＡＺ１３７０（ヘキスト社製）を２５００ｒｐｍ、３
０秒スピンナー塗布し、９０℃、３０分加熱しプリベー
クした（図１４（ｇ））。

【０１２６】次に電子源材料を塗布するパターンを有す
るマスクを用いて露光し（図１４（ｈ））、現像液３１
２ＭＩＦ（ヘキスト社製）で現像した（図１５
（ｉ））。その後、１２０℃、３０分加熱しポストベー
クした。

【０１２７】次に（ＮＨ₄ ）Ｃｅ（ＮＯ₃ ）₆ ／ＨＣｌ
Ｏ₄ ／Ｈ₂ Ｏ＝１７ｇ／５ｃｃ／１００ｃｃの組成の溶
液に３０秒浸漬し、クロムをエッチングした（図１５
（ｊ））。その後、アセトン中、１０分間超音波攪拌し
てレジストを剥離した（図１５（ｋ））。

【０１２８】続いて、１２０℃。１０分加熱した。次
に、有機パラジウム（奥野製薬（株）性、ｃｃｐ−４２
３０）含有溶液を８００ｒｐｍ、３０秒スピンナー塗布
した。その後、３００℃、２０分焼成して、酸化パラジ
ウム（ＰｄＯ）微粒子（粒径：１０オングストローム〜
１５０オングストローム）を主体とする微粒子状の導電
性薄膜２０２を形成した（図１５（１））。

【０１２９】続いて、クロムをリフトオフすることで、
素子電極２０５、２０６および導電性薄膜２０２を得た
（図１６（ｍ））。

【０１３０】このようにして得られた基板上の各素子
に、図１のようにＸ方向配線７２、Ｙ方向配線７３をそ
れぞれ接続し、電子源基板７１とした。この電子源基板
を用いて、図１の構成の画像表示素子を作製した。ま
ず、非蒸発型ゲッタの微粉末として、機械的に粉砕し微
粉末としたＺｒ−Ｖ−Ｆｅ合金を用意した。該微粉末の
大きさ（粒径）は、光学顕微鏡および走査電子顕微鏡を
用いて調べた結果、０．１μｍ〜１ｍｍの範囲にあっ
た。これを蒸発型ゲッタとしてのＢａと、Ｚｒ−Ｖ−Ｆ
ｅ合金粉末を、Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ合金粉末／Ｂａ＝０．５
（重量比）で混合して、コンテナ３０１内に配置した。
次に、リアプレート８１上の所定位置に電子源基板７
１、ゲッタ材コンテナ３０１等を配置し、フェースプレ
ート８６を支持枠８２を介して接着させた。この接着
（封着）には、主として低融点ガラス（日本電子硝子
（株）製、ＬＳ−３０８１）を用い、上方からおもりに
より加圧し、大気中で封着熱処理温度４１０℃、封着熱
処理時間６０分の条件下で焼成し、画像表示装置を形成
した。なお、フェースプレート８６としてはガラス基板
８３内面に、蛍光膜８４とメタルバック８５が形成され
たものを用いた。

【０１３１】次に、イオンポンプとソープションポンプ
を主排気ポンプとした真空排気装置（不図示）により排
気管（不図示）から上記装置内を真空排気した。続い
て、真空排気下、上記装置内の部材の脱ガスを目的とし
たプリベークを、ベーキング温度２００℃、ベーキング
時間２０分の条件下で行った。なお、このプリべーク
は、１５０℃〜３００℃の温度範囲で行うことが好まし
い。

【０１３２】次に、真空排気下、素子電極２０５、２０
６の間に電圧を印加し、導電性薄膜２０２を通電処理
（フォーミング処理）することにより、電子放出部２０
３を形成させた（図１６（ｎ）参照）。なお、本実施例
では、パネル封着後にフォーミング処理を行ったが、こ
れは該パネル封着前に行うことも可能である。

【０１３３】続いて、上記の真空排気装置を油拡散ポン
プ系に切り換え、該油拡散ポンプからの有機ガスを利用
した活性化処理を行った。

【０１３４】次に再度、真空排気装置をイオンポンプと
ソープションポンプを主排気ポンプとした真空排気装置
に切り換え、不図示の排気管を通じて排気し、１０^-7Ｔ
ｏｒｒ程度の真空度の有機物質の十分少ない雰囲気にし
た。

【０１３５】次に、真空排気下、上記画像表示装置の表
示部に１０ｋＶを印加し、該装置を全面表示の状態にな
るようにＴＶレートで駆動電圧を印加し、駆動、動作時
間４時間の条件で表示部に電子線を照射し、画像表示さ
せることにより表示部の脱ガス（エージング）を行っ
た。

【０１３６】続いて、真空排気下、上記画像表示装置を
熱処理温度１２０℃、熱処理時間１０時間の条件下で加
熱し、該装置内のベーキングを行った。

【０１３７】次に、１×１０^-6Ｔｏｒｒ程度の真空度
で、不図示の排気管をガスバーナで熱することで溶着し
外囲器８８の封止を行った。

【０１３８】最後に、外囲器８８の封止後の真空度を向
上および維持するために、ゲッタ材コンテナ３１０を、
抵抗加熱により加熱し、非蒸発型ゲッタの微粉末を含む
蒸着膜を形成させた。なお、上記非蒸発型ゲッタの微粉
末は、単独で存在することはなく、Ｂａからなる蒸着膜
の内部に、または、該蒸着膜の一部と接触した状態で存
在していることを走査電子顕微鏡により確認した。

【０１３９】本発明の非蒸発型ゲッタの微粉末を蒸発型
ゲッタの混合物をゲッタ材として用いることで、（１）
水素排気能のある非蒸発型ゲッタを併用することによ
り、特に、画像表示装置内の水素分圧が低下する（Ｂａ
蒸発型ゲッタを単独使用する場合と比べると半減す
る）、（２）非蒸発型ゲッタ材が広範囲に分散する、
（３）非蒸発型ゲッタの微粉末を混在させることで分散
したゲッタ剤の表面積が大きくなり、ガス吸着効率が向
上する、等の作用により、画像表示装置内の真空度が改
善され、１×１０^-7Ｔｏｒｒ程度の真空度が得られた。
その結果、画像表示装置の寿命が向上した。

【０１４０】なお、以上述べた構成は、画像表示装置を
作製する上で必要な概略構成であり、例えば各部材の材
料等、詳細な部分は上述内容に限られるものではなく、
画像表示装置の用途に適するよう適宜選択すればよい。実施例２本発明の第２実施例として、ゲッタフラッシュにより分
散した非蒸発型ゲッタの微粉末に対し、レーザー光を照
射することで再活性化させた例について説明する。

【０１４１】表面伝導型電子放出素子および、単純マト
リクス配置の電子源を用いて構成した画像表示装置の製
造は、実施例１における前記画像表示装置のベーキング
を行うまでは実施例１と同様に行った。したがって、以
下は図１を用いて説明する。

【０１４２】上記ベーキングを行った後、ゲッタ材コン
テナ３１０を、抵抗加熱により加熱し、非蒸発型ゲッタ
の微粉末を含む蒸着膜を形成させた。その後、フェース
プレート８６、支持枠８２、リアプレート８１の透明部
分を介して外部から、上記蒸着膜に対し、不図示のレー
ザー光を照射することで、分散した非蒸着型ゲッタの微
粉末を再活性化させた。

【０１４３】最後に、不図示の排気管をガスバーナーで
熱することで溶着し、外囲器８８の封止を行った。

【０１４４】本実施例においては、実施例１とほぼ同様
の効果が得られた。実施例３本発明の第３実施例として、非蒸発型ゲッタ材の微粉末
として実施例１で用いたＺｒ−Ｖ−Ｆｅ合金の代わりに
金属Ｐｄを用い、これ以外は実施例１と同様にして、単
純マトリクス配置の電子源を用いて構成した画像表示装
置を製造した例について説明する。

【０１４５】本実施例では上記画像表示装置の製造手順
も、実施例１と同様にした。

【０１４６】本実施例では、ゲッタ材のフラッシュ直後
の真空度が実施例１ほど十分ではない傾向にあったが、
画像表示装置を長時間駆動させた後の真空度で比較すれ
ば、実施例１とほぼ同様の効果が得られた。実施例４本発明の第４実施例として、非蒸発型ゲッタ材の微粉末
として実施例１で用いたＺｒ−Ｖ−Ｆｅ合金の代わりに
金属ＰｄとＺｒ−Ａｌ合金の混合物（それぞれの微粉末
を混合したもの）を用い、実施例１で用いた単純マトリ
クス配置の電子源を用いる代わりに、はしご型配置の電
子源を用いて画像表示装置（図１２）を製造した例につ
いて説明する。

【０１４７】本実施例における電子源および画像表示装
置の製造手順は、先に述べたとおり、基本的には実施例
１と同様である。該画像表示装置が、単純マトリクス配
置の電子源を用いて構成した画像表示装置と大きく違う
のは、グリッド電極を備えているか否かである。したが
って、該画像表示装置の製造プロセスの最終段階である
該装置の封止、ゲッタ材のフラッシュも、実施例１と同
様にして行った。

【０１４８】本実施例においては、実施例１とほぼ同様
の効果が得られた。比較例非蒸発型ゲッタ材Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ合金の微粉末を用いず
に、蒸発型ゲッタ材のみを使用する以外は実施例１と同
様にして、単純マトリクス配置の電子源を用いて構成し
た画像表示装置を製造した。

【０１４９】この場合、特に上記画像表示装置を長時間
駆動させた際に該装置内の真空度が悪化し画質が乱れる
ことがあった。

【０１５０】

【発明の効果】対向する電極間に電子放出部を有する表
面伝導型電子放出素子からなる電子源と、該電子源から
放出される電子ビームの照射により発光する蛍光面部材
と、内部真空を維持するためのゲッタを少なくとも内装
する画像表示装置において、前記ゲッタとして非蒸発型
ゲッタの微粉末と蒸発型ゲッタの混合物を用いること
で、（１）該画像表示装置内の水素分圧を低下でき、
（２）非蒸発型ゲッタ材を広範囲に分散でき、（３）分
散したゲッタ材の表面積が大きくなりガス吸着効率が向
上する、等により、該装置内の真空度を改善させること
ができる。その結果、画像表示装置の寿命が向上する。

【０１５１】また、非蒸発型ゲッタの活性化に、蒸発型
ゲッタのフラッシュ時の熱を利用するため、プロセスを
簡略さすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の、単純マトリクス配置の電子源を用い
て構成した画像表示装置の表示パネルの一例を示す模式
図。

【図２】本発明の適用可能な表面伝導型電子放出素子の
構成を示す模式的平面図および断面図である。

【図３】本発明を適用可能な垂直型表面伝導型電子放出
素子の構成を示す模式図である。

【図４】本発明を適用可能な表面伝導型電子放出素子の
製造方法の一例を示す模式図である。

【図５】本発明を適用可能な表面伝導型電子放出素子の
製造に際して採用できる通電フォーミング処理における
電圧波形の一例を示す模式図である。

【図６】測定評価機能を備えた真空処理装置の一例を示
す模式図である。

【図７】本発明を適用可能な表面伝導型電子放出素子に
ついての放出電流Ｉｅ、素子電流Ｉｆと素子電圧Ｖｆの
関係の一例を示すグラフである。

【図８】本発明を適用可能な単純マトリクス配置した電
子源の一例を示す模式図である。

【図９】蛍光膜の一例を示す模式図である。

【図１０】画像表示装置にＮＴＳＣ方式のテレビ信号に
応じて表示を行うための駆動回路の一例を示すブロック
図である。

【図１１】本発明を適用可能なはしご型配置の電子源の
一例を示す模式図である。

【図１２】本発明の、はしご型配置の電子源を用いて構
成した画像表示装置の表示パネルの一例を示す模式図で
ある。

【図１３】（ａ）〜（ｅ）のそれぞれは電子放出素子の
製造方法の第一の部分の工程を示す工程図である。

【図１４】（ｆ）〜（ｈ）のそれぞれは電子放出素子の
製造方法の第二の部分の工程を示す工程図である。

【図１５】（ｉ）〜（ｌ）のそれぞれは電子放出素子の
製造方法の第三の部分の工程を示す工程図である。

【図１６】（ｍ）、（ｎ）のそれぞれは電子放出素子の
製造方法の第四の部分の工程を示す工程図である。

【図１７】従来の表面伝導型電子放出素子の一例を示す
模式図である。

【符号の説明】１、２０１、４０１基板２、３、２０５、２０６素子電極４、２０２、４０４導電性薄膜５、２０３、４０５電子放出部２１段差形成部５０素子電極２・３間の導電性薄膜４を流れる素子
電流Ｉｆを測定するための電流計５１電子放出素子に素子電圧Ｖｆを印加するための
電源５２素子の電子放出部５より放出される放出電流Ｉ
ｅを測定するための電流計５３アノード電極５４に電圧を印加するための高圧
電源５４素子の電子放出部５より放出される放出電流Ｉ
ｅを捕捉するためのアノード電極５５真空装置５６排気ポンプ７１、１１０電子源基板７２Ｘ方向配線７３Ｙ方向配線７４表面伝導型電子放出素子７５結線８１電子源基板７１等を固定したリアプレート８２支持枠８３ガラス基板８４蛍光膜８５メタルバック８６フェースプレート８８外囲器９１黒色導電材９２蛍光体１０１表示パネル１０２走査回路１０３制御回路１０４シフトレジスタ１０５ラインメモリ１０６同期信号分離回路１０７変調信号発生器ＶｘおよびＶａ直流電圧源１１１電子放出素子１１２Ｄｘ１〜Ｄｘ１０は、前記電子放出素子を配
線するための共通配線１２０グリッド電極１２１電子が通過するための空孔１２２Ｄｏｘ１、Ｄｏｘ２、・・・Ｄｏｘｍよりな
る容器外端子１２３グリッド電極１２０と接続されたＧ１、Ｇ
２、・・・Ｇｎからなる容器外端子１２４各素子間の共通配線を同一配線とした電子源
基板２００マスク２２４クロム２２５レジスト３０１ゲッタ材コンテナ３０２ゲッタ材コンタナ固定治具３０３ゲッタ材の飛散防止板４０１マスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空領域中に、対向する１対の電極によ
り挟持された電子放出部を有する表面伝導型電子放出素
子からなる電子源と、該電子源から放出される電子ビー
ムの照射により発光する蛍光面部材と、を配置し、更
に、該真空領域中にゲッタが内装された画像表示装置に
おいて、前記ゲッタとして、非蒸発型ゲッタの微粉末と、蒸発型
ゲッタにより形成された蒸着物と、が前記真空領域中に
内装されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】前記非蒸発型ゲッタが、融点が１４００
℃以上の金属元素単体からなる金属、Ｚｒ−Ａｌ合金、
Ｚｒ−Ｆｅ合金、Ｚｒ−Ｎｉ合金、Ｚｒ−Ｎｂ−Ｆｅ合
金、Ｚｒ−Ｔｉ−Ｆｅ合金及びＺｒ−Ｖ−Ｆｅ合金から
なる群より選択された１種以上の材料からなる請求項１
に記載の画像表示装置。
【請求項３】前記金属がＰｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ及び
Ｖからなる群より選ばれる１種以上である請求項２に記
載の画像表示装置。
【請求項４】真空排気可能な閉鎖領域中に、対向する
電極間に電子放出部を有する表面伝導型電子放出素子か
らなる電子源と、該電子源から放出される電子ビームの
照射により発光する蛍光面部材と、蒸発型ゲッタと、を
配置し、該閉鎖領域を真空排気した後に、前記蒸発ゲッ
タをフラッシュさせるゲッタ処理を行う過程を有する画
像表示装置の製造方法であって、前記蒸発ゲッタに非蒸発型ゲッタの微粉末を混合してお
き、該蒸発型ゲッタのフラッシュとともに該非蒸発ゲッ
タの微粉末を該閉鎖領域内に分散させることを特徴とす
る画像表示装置の製造方法。
【請求項５】前記非蒸発型ゲッタが、融点が１４００
℃以上の金属元素単体からなる金属、Ｚｒ−Ａｌ合金、
Ｚｒ−Ｆｅ合金、Ｚｒ−Ｎｉ合金、Ｚｒ−Ｎｂ−Ｆｅ合
金、Ｚｒ−Ｔｉ−Ｆｅ合金及びＺｒ−Ｖ−Ｆｅ合金から
なる群より選択された１種以上の材料からなる請求項４
に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項６】前記金属がＰｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ及び
Ｖからなる群より選ばれる１種以上である請求項５に記
載の画像表示装置の製造方法。
【請求項７】前記非蒸着型ゲッタの活性化が、前記蒸
発型ゲッタのフラッシュ時の熱によって行われる請求項
４〜６に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項８】前記非蒸着型ゲッタの活性化が、前記蒸
発型ゲッタのフラッシュ時の熱と、前記閉鎖領域内に分
散した非蒸発型ゲッタへの活性化用のエネルギー線の照
射により行う請求項４〜６に記載の画像表示装置。