JPH09230151A - 光分岐デバイス - Google Patents

光分岐デバイス

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JPH09230151A
JPH09230151A JP8036867A JP3686796A JPH09230151A JP H09230151 A JPH09230151 A JP H09230151A JP 8036867 A JP8036867 A JP 8036867A JP 3686796 A JP3686796 A JP 3686796A JP H09230151 A JPH09230151 A JP H09230151A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 素子サイズを従来よりも小さくすることがで
き、これによる生産性及び歩留まりの向上を図る。 【解決手段】 第1の導波路21は、光をシングルモー
ドで伝送するため断面が8×8μm程度に設定されてい
る。この第1の導波路21に続くテーパ部22は、第1
の導波路21を伝搬した光をマルチモードに移行させ
る。このテーパ部22の幅広の端部に続く直線部23
は、マルチモードに移行された光の波面を球面状から平
面状に近づける。直線部13の出射端側には、入射端面
が直線部23の出射端面と僅かの間隙を介して対向する
ように、シングルモードの第2の導波路24及び第3の
導波路25が配置されている。これら導波路24,25
は、入射端から離れるに従って50mm以下、例えば2
0mmの曲率半径Rに沿ってで互いに離間するように形
成されている。直線部23の幅及び長さは、直線部23
と第2及び第3の導波路24,25との間の結合損失が
最小となる最適値、例えば15μm及び100μmに設
定されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板上にY型分
岐部を有する光導波路を形成してなる光分岐デバイスに
関する。
【0002】
【従来の技術】Y型分岐部を有する光分岐デバイスは、
1×Nスプリッタ等の分岐構造として広く使用されてい
る。図7は、この種の光分岐デバイスを使用した1×8
スプリッタの一般的な構成を示す図である。石英基板1
に形成された導波路2は、入射端側から出射端側にかけ
て順次3回の2分岐を繰り返し、トータル8つの出射部
を有している。導波路2が2分岐する部分では、Y型分
岐部3が構成されている。
【0003】図8は、従来のY型分岐部3の構造を示す
図である。入射側の第1の導波路11は、光をシングル
モードで伝送するため断面が8×8μm程度に設定され
ている。この第1の導波路11に続くテーパ部12は、
第1の導波路11を伝搬した光をマルチモードに移行さ
せる。このテーパ部12の幅広の端部に続く直線部13
は、マルチモードに移行された光の波面を球面状から平
面状に近づけるもので、18μm程度の幅を有する。直
線部13の出射端側には、入射端面が直線部13の出射
端面と僅かの間隙を介して対向するように、シングルモ
ードの第2の導波路14及び第3の導波路15が配置さ
れている。これら導波路14,15は、入射端から離れ
るに従って所定の曲率半径Rに沿って互いに離間するよ
うに形成されている。
【0004】この種のY型分岐部3は、直線部13と第
2及び第3の導波路14,15との間の結合損失をいか
に低減させるかが設計上の重要な課題となる。Y型分岐
部の結合損失の低減のための試みとしては、例えば「新
構造Y分岐素子の低損失化」(松浦他:1994年電子
情報通信学会予稿集C−330;p4−327)や特開
平7−174929号等が知られている。これらに開示
された技術では、分岐後の第2及び第3の導波路の端部
の間隔を通常よりも広めに設定することで、両導波路間
の間隙部分に相当する部分の加工を容易にしてこの部分
での分岐損を抑えると同時に、第2及び第3の導波路の
直線部に対向する端面の全体幅よりも、直線部の幅を大
きく設定することにより、分岐後の導波路14,15間
の間隙部分での放射損を抑制して電界分布の結合効率を
高めるようにしている。しかし、この場合、直線部の端
面の両端での放射損は生じる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光分岐
デバイスでは、分岐前後の位相面が光の進行方向に対し
て直交する平面であること、即ち位相が揃っていること
を想定している。このため、分岐後の第2及び第3の導
波路の曲率半径Rは十分に大きく設定する必要があっ
た。しかしながら、このように、分岐後の導波路の曲率
半径Rを大きく設定すると、デバイス全体の長さが長く
なってしまうという問題がある。例えば1×8スプリッ
タの場合、図7に示すように、最終分岐導波路の間隔c
が250μmと規定されており、その前段の分岐導波路
の間隔bは500μm、更にその前段の分岐導波路の間
隔aは0.1mmである。これを現状の曲率半径50m
mでつなげると、素子サイズは、35×3mmになって
しまう。このようなサイズでは、3インチウェアでは、
チップを一列分しか配列することができないため、一枚
のウェハからは10乃至15チップしか製造することが
できない。このため、生産性が悪くコストアップにつな
がるという問題がある。また、素子サイズが大きいと、
基板の歪みなどにより、接続加工が難しくなったり、素
子の強度が低下する等、歩留まり低下の原因にもなる。
【0006】この発明は、上記事情を考慮してなされた
もので、素子サイズを従来よりも大幅に小さくすること
ができ、これによる生産性及び歩留まりの向上、ひいて
はコスト低減を図ることができる光分岐デバイスを提供
することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光分岐デ
バイスは、基板と、この基板上に形成されたY型分岐部
を有する導波路とを有し、前記Y型分岐部が、シングル
モードで光を伝送する第1の導波路と、この第1の導波
路に同一幅で接続されてその幅が前記第1の導波路から
離れるに従って広がるように形成されて伝送された光を
シングルモードからマルチモードに移行させるテーパ部
と、一端が前記テーパ部の幅広の端部に接続され前記テ
ーパ部の幅広の端部と同一幅で所定の長さを有し前記マ
ルチモードに移行した光を伝送する直線部と、それぞれ
の端部が前記直線部の他端と対向するよう配置され前記
直線部から離れるに従って所定の曲率で互いに離間する
ように形成されて前記直線部の他端からの光をシングル
モードで伝送する第2及び第3の導波路とを備えた光分
岐デバイスにおいて、前記第2及び第3の導波路の端部
の曲率半径が50mmよりも小さく、且つ前記直線部の
幅及び長さが前記直線部と前記第2及び第3の導波路と
の間の結合損失が最小となる値に設定されていることを
特徴とする。
【0008】即ち、一般に導波路の曲線部では、光の電
界分布のピーク値が曲線の外径側に移動することが知ら
れており、曲率半径が小さくなればなるほどピーク値は
曲線の外側に位置する。従って、分岐後の導波路(第2
及び第3の導波路)の分岐端面での理想的な電界パター
ンの2つのピーク値は、曲率半径が小さいほど両導波路
の間隙部側に寄る。この分岐端部での電界パターンと整
合する電界パターンの光を直線部の出射端面側から出射
すれば、分岐部での結合損失を最も小さくすることがで
きる。
【0009】直線部を伝搬するマルチモードの光の電界
パターンは、モード間の位相速度の差によって脈動す
る。このため、理想的な2つのピークを持つ電界パター
ンが出射端面で得られるように直線部の長さを決定し、
且つ分岐後の導波路の曲率半径に応じた位置にピーク値
が位置するように直線部の幅を決定すればよい。また、
分岐部の曲率半径が小さい場合には、結合端での理想的
な同位相面は、平面よりもむしろ球面状となる。このた
め、理想的な同位相面も直線部の幅及び長さによって決
定することができる。
【0010】なお、この他、テーパ部のテーパ角は、直
線部での高次モードの励振強度を決定するので、直線部
の幅及び長さと共に、設計上の主要なパラメータとなる
が、曲率半径との関係は無視できる程度に小さいため、
この発明では任意パラメータとしている。
【0011】本発明では、分岐後の導波路の曲率半径を
50mmより小さい、例えば20mm程度とした場合、
電界パターンの2つのピーク値を理想的な位置に寄せる
ため、例えば直線部の幅を第2及び第3の導波路の端部
の外側の側壁面間の幅よりも小さく設定している。
【0012】このように本発明によれば、曲率半径を従
来よりも小さくできたことにより、チップサイズを従来
よりも小型化することができ、チップの生産性向上と歩
留まり向上を図ることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施例を説明する。図1はこの発明の一実施例による
光分岐デバイスのY分岐部の構成を示す図である。この
Y型分岐部は、図7に示した1×8スプリッタ等に適用
されるもので、従来とほぼ同様に、入射側の第1の導波
路21に続くテーパ部22、これに続く直線部23並び
に直線部23と所定ギャップG1を介して対向する第2
及び第3の導波路24,25により構成されている。こ
れらは、図3(a)に図1のA−A断面、図3(b)に
同じくB−B断面を示すように、例えば石英系基板型光
回路からなるもので、石英基板31上にホトリソグラフ
により形成された石英からなる導波路を上部石英クラッ
ド層32で覆う構造となっている。
【0014】この実施例の光分岐デバイスが従来のもの
と異なる点は、第1に分岐後の導波路24,25の曲率
半径が20mmに設定されている点と、直線部23と導
波路24,25との間の結合損を最小値に抑えるよう
に、テーパ部22のテーパ角θ、直線部23の幅W及び
長さL並びにギャップG1,G2等が最適な値に設定さ
れている点である。具体的に説明すれば、第1〜第3の
導波路21,24,25は、例えば波長1.31μmの
光をシングルモードで伝送可能にするため、クラッド層
32との屈折率差を0.27%程度とし、コアサイズを
8×8μmとしている。テーパ部22及び直線部23の
厚さは8μmに設定されている。直線部23と第2及び
第3の導波路24,25との間隙G1は2μm、第2及
び第3の導波路24,25間の結合端面でのギャップG
2は2μm、結合端部の曲率半径Rは20mmとしてい
る。テーパ角θ、直線部23の幅W、長さLについては
後述する。
【0015】図1には、このY型分岐部を進行する光の
電界パターンも示されている。シングルモードの導波路
21を伝搬した光は、テーパ部22でマルチモードに移
行して直線部23を進行中に脈動する。このとき、テー
パ角θは高次モードの励起強度を決定する。直線部23
によって、高次モードによる2つのピークが最も強く現
れる位置で導波路24,25に光を伝達するのが理想的
な結合である。図4に、導波路24,25の曲率半径R
が大のときと小のときの導波路24,25の結合端面で
の理想的な受光電界パターンを示す。曲率半径Rが小さ
い場合には、大きい場合よりも2つのピークの位置が中
央に位置する。これは、導波路24,25の曲率半径が
小さいほど、光のピーク値が曲線の外側に移動して光が
進行するからである。そこで、直線部23の幅Wを小さ
くすることにより、前述した高次モードによる2つのピ
ーク位置を中央に寄せることができる。
【0016】一方、図2は、このY型分岐部を進行する
光の同位相面を示す図である。直線部23の長さが長く
なると、テーパ部22で球面状となった同位相面が平面
に近づいてくる。直線部23の出射端で同位相面が平面
であると、導波路24,25の曲率半径Rをあまり小さ
く設定することができない。位相面が不整合になって結
合損を増加させるからである。この実施例では、同位相
面が平面になる前に直線部23を終了させることによ
り、導波路24,25の曲率半径Rが小さくても、結合
損が大きくならないようにしている。
【0017】本発明者は、テーパ部22のテーパ角を1
°とし、直線部23の幅Wを15μm、16μm、18
μmと順次変え、それぞれについて直線部23の長さL
を50μmから150μmまで変化させて、それぞれの
分岐損失をビーム伝搬法によるシミュレーションによっ
て求めた。その結果を図5に示す。
【0018】この図に示すように、W=15μmのと
き、L=100μmで分岐損失が0.187dBと最小
となることが明らかになった。このときの直線部の幅W
=15μmは、導波路24,25の直線部23への対向
端面の全体幅20μmよりも小さくなっている。このた
め、先に示した従来例のように、直線部23の出射端面
の両側面近傍からの放射損失も生じない。
【0019】なお、このように曲率半径Rが小さくなる
と、分岐後の導波路の曲げ損が増大することが予想され
るが、本発明者の実験によれば、図6に示すように、各
導波路25,26,27の変曲点で、結合部をシフト量
sだけシフトさせることにより、曲率半径Rが20mm
でも曲げ損失を0.35から0.1dBまで低減するこ
とが確認された。
【0020】このような構成により、図7に示したよう
な1×8スプリッタを構成すると、従来35mmであっ
た素子長を17mmと1/2以下にすることができ、1
ウェハからとれるチップの数は2倍以上とすることがで
きた。この結果、チップの生産性と歩留まりとを格段に
向上させることができた。また、Y分岐部の曲げ損と結
合損とを合わせて0.3dB以下とすることができ、1
×8スプリッタ全体でも0.9dB以下に抑えることが
確認できた。
【0021】なお、以上の実施例で示した数値は一例で
あって、曲率半径Rを例えば40mmにしたときの直線
部の最適幅は15〜16μm、最適長さは150μm
で、得られる1×8スプリッタのチップ長さは25mm
であった。また、曲率半径Rを20mmとして1×16
スプリッタを構成すると、チップサイズは26.4mm
にすることができる。
【0022】このように、曲率半径Rを従来の50mm
よりも小さい値に設定し、その値から求められる理想的
な結合電界パターンにより、直線部の幅及び長さを最適
値に設定することにより、結合損を最小にした状態で小
さなチップを製造することができる。また、チップサイ
ズが半分となることで、強度は4倍となる。更に、基板
の内部応力に起因した歪み(反り)も1/4となるの
で、端面での接続の際の調芯時間も短縮することができ
る。
【0023】なお、上記実施例では、石英基板を使用し
た例について説明したが、Si基板、サファイヤ基板、
アルミナ基板等を使用し、その上にガラスの導波路を形
成した光分岐デバイスにも本発明を適用可能である。
【0024】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、曲
率半径を従来よりも小さく設定し、これにより発生する
分岐損失は分岐手前の直線部の幅、長さを最適化するこ
とにより抑制しているので、チップサイズを従来よりも
小型化することができ、チップの生産性向上と歩留まり
向上とを図ることができ、チップのコスト低減を図るこ
とができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の一実施例に係る光分岐デバイスの
Y分岐部の構成を示す平面図である。
【図2】 同分岐部における光の同位相面の進行状態を
模式的に示す図である。
【図3】 図1におけるA−A断面及びB−B断面を示
す断面図である。
【図4】 同分岐部の分岐端部における電界パターンを
示す図である。
【図5】 同分岐部における直線部の幅及び長さと分岐
損失との関係を示すグラフである。
【図6】 同光分岐デバイスの曲線部の構造を示す図で
ある。
【図7】 Y分岐部を使用した1×8スプリッタの構成
を示す平面図である。
【図8】 従来のY分岐部の構造を示す平面図である。
【符号の説明】
1,31…基板、2,26,27…導波路、3…Y分岐
部、11,21…第1の導波路、12,22…テーパ
部、13,23…直線部、14,24…第2の導波路、
15,25…第3の導波路、32…クラッド層。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、この基板上に形成されたY型分
    岐部を有する導波路とを有し、 前記Y型分岐部が、シングルモードで光を伝送する第1
    の導波路と、この第1の導波路に同一幅で接続されてそ
    の幅が前記第1の導波路から離れるに従って広がるよう
    に形成されて伝送された光をシングルモードからマルチ
    モードに移行させるテーパ部と、一端が前記テーパ部の
    幅広の端部に接続され前記テーパ部の幅広の端部と同一
    幅で所定の長さを有し前記マルチモードに移行した光を
    伝送する直線部と、それぞれの端部が前記直線部の他端
    と対向するよう配置され前記直線部から離れるに従って
    所定の曲率で互いに離間するように形成されて前記直線
    部の他端からの光をシングルモードで伝送する第2及び
    第3の導波路とを備えた光分岐デバイスにおいて、 前記第2及び第3の導波路の端部の曲率半径が50mm
    よりも小さく、且つ前記直線部の幅及び長さが前記直線
    部と前記第2及び第3の導波路との間の結合損失が最小
    となる値に設定されていることを特徴とする光分岐デバ
    イス。
  2. 【請求項2】 前記直線部は、その幅が前記第2及び第
    3の導波路の前記直線部に対向する端面の全体幅よりも
    小さく設定されていることを特徴とする請求項1記載の
    光分岐デバイス。
  3. 【請求項3】 前記第2及び第3の導波路の端部の曲率
    半径と端部間の間隙とによって決定される理想的な入射
    電界パターンと整合する電界パターンの光を出射するよ
    うに前記直線部の幅及び長さが決定されていることを特
    徴とする光分岐デバイス。
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